JPH0786034A - 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ - Google Patents
磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサInfo
- Publication number
- JPH0786034A JPH0786034A JP5231303A JP23130393A JPH0786034A JP H0786034 A JPH0786034 A JP H0786034A JP 5231303 A JP5231303 A JP 5231303A JP 23130393 A JP23130393 A JP 23130393A JP H0786034 A JPH0786034 A JP H0786034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetoresistive material
- layer
- thickness
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 abstract 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗変化率の高い磁気抵抗材料の提供。
【構成】 強磁性層が非磁性層を挟んで積層されている
磁気抵抗材料において、強磁性層がＣｒ1-XＴｅXで示さ
れる組成を有しその組成範囲が ０．５≦ｘ≦０．８ である磁気抵抗材料。
磁気抵抗材料において、強磁性層がＣｒ1-XＴｅXで示さ
れる組成を有しその組成範囲が ０．５≦ｘ≦０．８ である磁気抵抗材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁界センサに使用される
磁気抵抗材料にかかわり、特に磁気記録において再生ヘ
ッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の磁気抵抗材料に関するものである。
磁気抵抗材料にかかわり、特に磁気記録において再生ヘ
ッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の磁気抵抗材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気記録技術の進歩は著しく、家庭
用ＶＴＲの分野では小型、計量化のために、また磁気デ
ィスク装置の分野では小型、大容量化のために記録密度
の高密度化が進められている。特に磁気ディスク装置を
例にとると、記録密度を向上させるため記録再生分離型
ヘッドの開発が活発である。これらの記録再生分離型ヘ
ッドの再生ヘッドとしては通常ＭＲヘッドが使用されて
いる。磁気ディスク装置の小型化のために媒体とヘッド
との相対速度が低下すると従来のインダクティブヘッド
では出力が低下するという欠点を有しているが、ＭＲヘ
ッドは出力が相対速度に依存せず一定であるという特徴
を有するからである。
用ＶＴＲの分野では小型、計量化のために、また磁気デ
ィスク装置の分野では小型、大容量化のために記録密度
の高密度化が進められている。特に磁気ディスク装置を
例にとると、記録密度を向上させるため記録再生分離型
ヘッドの開発が活発である。これらの記録再生分離型ヘ
ッドの再生ヘッドとしては通常ＭＲヘッドが使用されて
いる。磁気ディスク装置の小型化のために媒体とヘッド
との相対速度が低下すると従来のインダクティブヘッド
では出力が低下するという欠点を有しているが、ＭＲヘ
ッドは出力が相対速度に依存せず一定であるという特徴
を有するからである。
【０００３】このＭＲヘッドの感磁部には通常パーマロ
イ単層膜が使用されている。パーマロイ膜は異方性磁界
が小さいため感度はよいが、磁気抵抗変化率は高々３％
と決して大きくはない。そのためパーマロイ単層膜を感
磁部に用いたＭＲヘッドは再生出力が必ずしも充分でな
いという欠点がある。一方、数原子層の非磁性層が異方
性磁界の異なる強磁性層に挟まれて積層されている磁気
抵抗材料が大きな磁気抵抗変化率を示すことは、Ｃｏ／
Ｃｕ／ＦｅＮｉ（T.Shinjo and H.Yamamoto:J.Phys.So
c.Jpn.,Vol.59,(1990)p.3061)等において見いだされて
おり公知である。しかし、これらの材料においても磁気
抵抗変化率は１０％未満で、且つこのような値を得るに
は１００Ｏｅ以上の印加磁界が必要で、磁気ヘッドへの
応用が困難になるといった問題があった。
イ単層膜が使用されている。パーマロイ膜は異方性磁界
が小さいため感度はよいが、磁気抵抗変化率は高々３％
と決して大きくはない。そのためパーマロイ単層膜を感
磁部に用いたＭＲヘッドは再生出力が必ずしも充分でな
いという欠点がある。一方、数原子層の非磁性層が異方
性磁界の異なる強磁性層に挟まれて積層されている磁気
抵抗材料が大きな磁気抵抗変化率を示すことは、Ｃｏ／
Ｃｕ／ＦｅＮｉ（T.Shinjo and H.Yamamoto:J.Phys.So
c.Jpn.,Vol.59,(1990)p.3061)等において見いだされて
おり公知である。しかし、これらの材料においても磁気
抵抗変化率は１０％未満で、且つこのような値を得るに
は１００Ｏｅ以上の印加磁界が必要で、磁気ヘッドへの
応用が困難になるといった問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、強磁性層が非磁性層を挟んで積層されている磁気
抵抗材料を、よりＭＲヘッドの応用が容易な磁気抵抗材
料にするため、更に磁気抵抗変化率の高い材料を提供す
ることにある。
題は、強磁性層が非磁性層を挟んで積層されている磁気
抵抗材料を、よりＭＲヘッドの応用が容易な磁気抵抗材
料にするため、更に磁気抵抗変化率の高い材料を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、強磁性層が
非磁性層を挟んで積層されている磁気抵抗材料におい
て、強磁性層がＣｒ1-XＴｅXで示される組成を有しその
組成範囲が ０．５≦ｘ≦０．８ であることによって解決される。
非磁性層を挟んで積層されている磁気抵抗材料におい
て、強磁性層がＣｒ1-XＴｅXで示される組成を有しその
組成範囲が ０．５≦ｘ≦０．８ であることによって解決される。
【０００６】
【作用】数原子層の非磁性層が異方性磁界の異なる強磁
性層に挟まれた積層膜が磁気抵抗効果を示すことは Sin
jo 等による文献（T.Shinjo and H.Yamamoto:J.Phys.So
c.Jpn.,Vol.59,(1990)p.3061)で既に公知である。これ
は、次のように理解される。積層膜に対し、ある方向に
磁界を印加したときに、２つの磁性膜の異方性磁界が異
なるために磁化が反転する磁界に差が生じ、ある範囲の
磁界においてこれら磁性層の磁化が反平行になる状態が
実現する。更に強い磁界の印加でこれら磁化は平行な状
態となるが、磁化が平行のときの電気抵抗は反平行のと
きより小さくなる。これが、積層膜における磁気抵抗効
果の一つとして知られており、Ｃｏ／Ｃｕ／ＦｅＮｉは
その代表的系である。しかし、これらの材料においては
抵抗変化率は１０％未満であり、応用上更に大きな変化
率が望まれていた。
性層に挟まれた積層膜が磁気抵抗効果を示すことは Sin
jo 等による文献（T.Shinjo and H.Yamamoto:J.Phys.So
c.Jpn.,Vol.59,(1990)p.3061)で既に公知である。これ
は、次のように理解される。積層膜に対し、ある方向に
磁界を印加したときに、２つの磁性膜の異方性磁界が異
なるために磁化が反転する磁界に差が生じ、ある範囲の
磁界においてこれら磁性層の磁化が反平行になる状態が
実現する。更に強い磁界の印加でこれら磁化は平行な状
態となるが、磁化が平行のときの電気抵抗は反平行のと
きより小さくなる。これが、積層膜における磁気抵抗効
果の一つとして知られており、Ｃｏ／Ｃｕ／ＦｅＮｉは
その代表的系である。しかし、これらの材料においては
抵抗変化率は１０％未満であり、応用上更に大きな変化
率が望まれていた。
【０００７】本発明による考えは、この磁気抵抗効果の
発生メカニズムに関する考察から導かれた。電気伝導を
担うのは多数派スピンと少数派スピンのフェルミ準位近
傍の電子であるが、２つの磁性層の磁化が平行の場合と
反平行の場合では何れか一方の磁性層の多数派スピンと
少数派スピンの電子状態密度が逆になる。従って、伝導
に際して電子が２つの磁性層を横切る場合、磁化が平行
の場合と反平行の場合とではそれぞれのスピンの電子が
各磁性層内で取り得るフェルミ準位近傍での状態数が異
なるためために電気抵抗に差が生じると考えられる。そ
こで、もし磁性層のフェルミ準位近傍の電子状態密度が
多数派スピンと少数派スピンで極端に異なる場合、即
ち、一方のスピンの状態密度はフェルミ準位近傍で有限
の値を持ち、他方のスピンの状態密度がフェルミ準位近
傍でほぼ０の場合、２つの磁性層が平行の場合にはフェ
ルミ準位近傍で有限の値を持つ方のスピンの電子は容易
に流れるが、反平行の場合には一方の磁性層で有限の状
態密度を持つスピンは他方の磁性層では０の状態密度と
なるため、何れのスピンの電子も流れなくなり、電気抵
抗は著しく大きくなることが期待される。
発生メカニズムに関する考察から導かれた。電気伝導を
担うのは多数派スピンと少数派スピンのフェルミ準位近
傍の電子であるが、２つの磁性層の磁化が平行の場合と
反平行の場合では何れか一方の磁性層の多数派スピンと
少数派スピンの電子状態密度が逆になる。従って、伝導
に際して電子が２つの磁性層を横切る場合、磁化が平行
の場合と反平行の場合とではそれぞれのスピンの電子が
各磁性層内で取り得るフェルミ準位近傍での状態数が異
なるためために電気抵抗に差が生じると考えられる。そ
こで、もし磁性層のフェルミ準位近傍の電子状態密度が
多数派スピンと少数派スピンで極端に異なる場合、即
ち、一方のスピンの状態密度はフェルミ準位近傍で有限
の値を持ち、他方のスピンの状態密度がフェルミ準位近
傍でほぼ０の場合、２つの磁性層が平行の場合にはフェ
ルミ準位近傍で有限の値を持つ方のスピンの電子は容易
に流れるが、反平行の場合には一方の磁性層で有限の状
態密度を持つスピンは他方の磁性層では０の状態密度と
なるため、何れのスピンの電子も流れなくなり、電気抵
抗は著しく大きくなることが期待される。
【０００８】ＮｉＡｓ構造を持つＣｒ1-XＴｅXはこのよ
うな電子状態の条件を満たす材料であることが期待され
る。図１は J.Dijkstra（J.Phys.:Cond.Matt.,1(1989)9
141）によって計算されたＣｒ3Ｔｅ4及びＣｒ2Ｔｅ3の
電子状態密度である。図１において、上半分は多数派
（上向き）スピン、下半分は少数派（下向き）スピン状
態を表す。また、ＥFはフェルミエネルギーを示す。多
数派スピンの状態密度はフェルミ準位近傍で有限の値を
持つが、少数派スピンの状態密度はフェルミ準位近傍で
ほぼ０になっているのがわかる。即ちこのような物質は
多数派スピンの電子は金属的な振る舞いを示すが、少数
派スピンの電子は絶縁体あるいは半導体的な振る舞いを
示すと考えられる。従って、このような材料を非磁性物
質を介して２つ組み合わせた場合、磁化が平行な場合は
金属的、反平行の場合は半導体的な特性を示すことが期
待されるのである。そこで、２つの磁性膜の一方にＦｅ
ＭｎあるいはＮｉＯ等の反強磁性膜を結合させて実効的
な磁気異方性を付与すると、磁気異方性の違いに起因し
て外部磁界の大きさによって磁化が平行になる場合と反
平行になる場合が実現される。即ち、この積層膜は外部
磁界の大きさ及び方向によって電気抵抗に著しい変化が
現れることが期待される。本発明者は上記の考えに基づ
きＣｒ1-XＴｅX／Ｃｕ／Ｃｒ1-XＴｅX／ＦｅＭｎの積層
膜を作製し磁気抵抗効果を測定したところ、０．５≦Ｘ
≦０．８において１０％以上の抵抗変化率が得られるこ
とが確認された。
うな電子状態の条件を満たす材料であることが期待され
る。図１は J.Dijkstra（J.Phys.:Cond.Matt.,1(1989)9
141）によって計算されたＣｒ3Ｔｅ4及びＣｒ2Ｔｅ3の
電子状態密度である。図１において、上半分は多数派
（上向き）スピン、下半分は少数派（下向き）スピン状
態を表す。また、ＥFはフェルミエネルギーを示す。多
数派スピンの状態密度はフェルミ準位近傍で有限の値を
持つが、少数派スピンの状態密度はフェルミ準位近傍で
ほぼ０になっているのがわかる。即ちこのような物質は
多数派スピンの電子は金属的な振る舞いを示すが、少数
派スピンの電子は絶縁体あるいは半導体的な振る舞いを
示すと考えられる。従って、このような材料を非磁性物
質を介して２つ組み合わせた場合、磁化が平行な場合は
金属的、反平行の場合は半導体的な特性を示すことが期
待されるのである。そこで、２つの磁性膜の一方にＦｅ
ＭｎあるいはＮｉＯ等の反強磁性膜を結合させて実効的
な磁気異方性を付与すると、磁気異方性の違いに起因し
て外部磁界の大きさによって磁化が平行になる場合と反
平行になる場合が実現される。即ち、この積層膜は外部
磁界の大きさ及び方向によって電気抵抗に著しい変化が
現れることが期待される。本発明者は上記の考えに基づ
きＣｒ1-XＴｅX／Ｃｕ／Ｃｒ1-XＴｅX／ＦｅＭｎの積層
膜を作製し磁気抵抗効果を測定したところ、０．５≦Ｘ
≦０．８において１０％以上の抵抗変化率が得られるこ
とが確認された。
【０００９】本発明磁気抵抗材料において、非磁性層と
してはＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ2Ｏ3、およびＮｉ
Ｏの１種または２種以上を用いることができる。これら
は磁性層であるＣｒ1-XＴｅXを磁気的に遮断するのに優
れている材料だからである。特に、高い伝導性を有する
Ｃｕが望ましい。また、反強磁性層としてはＦｅＭｎお
よびＮｉＯの１種または２種をもちいることができる。
これらは室温以上のネール温度を有し、かつ数ｎｍの薄
膜作製が可能だからである。特に、高いネール温度と伝
導性を有するＦｅＭｎが望ましい。なお、ＦｅＭｎを用
いる場合にはＭｎ３０〜６０ｗｔ．％とすればよい。３
０ｗｔ．％未満ではフェリ磁性であり、６０ｗｔ．％を
越えると磁性層との交換結合が弱くなるからである。
してはＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ2Ｏ3、およびＮｉ
Ｏの１種または２種以上を用いることができる。これら
は磁性層であるＣｒ1-XＴｅXを磁気的に遮断するのに優
れている材料だからである。特に、高い伝導性を有する
Ｃｕが望ましい。また、反強磁性層としてはＦｅＭｎお
よびＮｉＯの１種または２種をもちいることができる。
これらは室温以上のネール温度を有し、かつ数ｎｍの薄
膜作製が可能だからである。特に、高いネール温度と伝
導性を有するＦｅＭｎが望ましい。なお、ＦｅＭｎを用
いる場合にはＭｎ３０〜６０ｗｔ．％とすればよい。３
０ｗｔ．％未満ではフェリ磁性であり、６０ｗｔ．％を
越えると磁性層との交換結合が弱くなるからである。
【００１０】次に、強磁性層の厚さは０．８〜４ｎｍ、
非磁性層の厚さは０．５〜３ｎｍとする。強磁性層の厚
さが０．８ｎｍ未満では電気抵抗への膜界面の影響が強
くなりすぎ、また４ｎｍを越えると反強磁性層との交換
結合の効果が弱くなるからである。また、非磁性層の厚
さが０．５ｎｍ未満では磁性層の磁気的絶縁が弱く、ま
た３ｎｍを越えると非磁性層内での電子の散乱が大きく
なり磁気抵抗の効果を弱めるからである。反強磁性層を
構成するＦｅＭｎまたはＮｉＯの厚さは４〜１０ｎｍと
する。４ｎｍ未満では交換結合の効果が不十分であり、
また１０ｎｍを越えると反磁性層内での電気抵抗が支配
的になるからである。
非磁性層の厚さは０．５〜３ｎｍとする。強磁性層の厚
さが０．８ｎｍ未満では電気抵抗への膜界面の影響が強
くなりすぎ、また４ｎｍを越えると反強磁性層との交換
結合の効果が弱くなるからである。また、非磁性層の厚
さが０．５ｎｍ未満では磁性層の磁気的絶縁が弱く、ま
た３ｎｍを越えると非磁性層内での電子の散乱が大きく
なり磁気抵抗の効果を弱めるからである。反強磁性層を
構成するＦｅＭｎまたはＮｉＯの厚さは４〜１０ｎｍと
する。４ｎｍ未満では交換結合の効果が不十分であり、
また１０ｎｍを越えると反磁性層内での電気抵抗が支配
的になるからである。
【００１１】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。 （実施例１）図２に示すように、Ｓｉ基板上に交換バイ
アス磁界を付与するためのＦｅ−％Ｍｎ反強磁性膜を５
ｎｍ形成し、そのうえに３ｎｍのＣｒ1-YＴｅY（Ｙ＝
０．５５，０．６，０．６５，０．７）強磁性膜を３ｎ
ｍのＣｕ非磁性層を中間に挟んで積層した。Ｆｅ−Ｍｎ
層と接触しているＣｒ1-YＴｅY膜は交換バイアス磁界に
より最上層にあるＣｒ1-YＴｅYより実効的な異方性磁界
が異なり、Ｃｒ1-YＴｅYの異方性磁界が１（ＫＡ／ｍ）
（＝１２Ｏｅ）以下であるのに対し、Ｆｅ−Ｍｎと接触
しているＣｒ1-YＴｅYの異方性磁界は約７（ＫＡ／ｍ）
（＝８８Ｏｅ）であった。そこで、これらの試料に７
（ＫＡ／ｍ）の磁界を印加して、４端子法により磁気抵
抗変化率を測定し、その結果を表１にまとめた。表１か
ら明らかなように、Ｃｒ−Ｔｅを用いた本発明による構
造では従来の磁性膜を用いた積層膜より数倍の大きな磁
気抵抗変化率が得られている。
アス磁界を付与するためのＦｅ−％Ｍｎ反強磁性膜を５
ｎｍ形成し、そのうえに３ｎｍのＣｒ1-YＴｅY（Ｙ＝
０．５５，０．６，０．６５，０．７）強磁性膜を３ｎ
ｍのＣｕ非磁性層を中間に挟んで積層した。Ｆｅ−Ｍｎ
層と接触しているＣｒ1-YＴｅY膜は交換バイアス磁界に
より最上層にあるＣｒ1-YＴｅYより実効的な異方性磁界
が異なり、Ｃｒ1-YＴｅYの異方性磁界が１（ＫＡ／ｍ）
（＝１２Ｏｅ）以下であるのに対し、Ｆｅ−Ｍｎと接触
しているＣｒ1-YＴｅYの異方性磁界は約７（ＫＡ／ｍ）
（＝８８Ｏｅ）であった。そこで、これらの試料に７
（ＫＡ／ｍ）の磁界を印加して、４端子法により磁気抵
抗変化率を測定し、その結果を表１にまとめた。表１か
ら明らかなように、Ｃｒ−Ｔｅを用いた本発明による構
造では従来の磁性膜を用いた積層膜より数倍の大きな磁
気抵抗変化率が得られている。
【００１２】
【表１】
【００１３】（実施例２）表２に示す積層膜をＳｉ基板
上に形成し、実施例１と同様に磁気抵抗変化率を測定し
た。なお、強磁性層は厚さ３ｎｍのＣｒ0.4Ｔｅ0.6であ
る。結果を表２に示す。
上に形成し、実施例１と同様に磁気抵抗変化率を測定し
た。なお、強磁性層は厚さ３ｎｍのＣｒ0.4Ｔｅ0.6であ
る。結果を表２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗材料を磁界センサの感
磁部に用いると、１００Ｏｅ以下の磁界で大幅に再生出
力の向上が達成される。
磁部に用いると、１００Ｏｅ以下の磁界で大幅に再生出
力の向上が達成される。
【図１】（ａ）Ｃｒ3Ｔｅ4および（ｂ）Ｃｒ2Ｔｅ3の電
子状態密度の計算結果（J.Dijkstra（J.Phys.:Cond.Mat
t.,1(1989)9141）による）である。
子状態密度の計算結果（J.Dijkstra（J.Phys.:Cond.Mat
t.,1(1989)9141）による）である。
【図２】本発明の磁気抵抗材料の断面の構造を示す模式
図である。
図である。
１ Ｓｉ基板、２ 厚さ５ｎｍからなるＦｅＭｎ反強磁
性膜、３ 厚さ３ｎｍのＣｒ1-YＴｅYからなる強磁性
層、４ 厚さ３ｎｍのＣｕからなる非磁性層
性膜、３ 厚さ３ｎｍのＣｒ1-YＴｅYからなる強磁性
層、４ 厚さ３ｎｍのＣｕからなる非磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 43/10
Claims (7)
- 【請求項１】 強磁性層が非磁性層を挟んで積層されて
いる磁気抵抗材料において、強磁性層がＣｒ1-XＴｅXで
示される組成を有しその組成範囲が ０．５≦ｘ≦０．８ であることを特徴とする磁気抵抗材料。 - 【請求項２】 磁気抵抗材料において、非磁性層がＣ
ｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ2Ｏ3、およびＮｉＯの１種
または２種以上で構成される請求項１に記載の磁気抵抗
材料。 - 【請求項３】 強磁性層の一方に反強磁性層が積層され
ている請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗材料。 - 【請求項４】 反強磁性層がＦｅＭｎおよびＮｉＯの１
種または２種で構成される請求項１〜請求項３のいずれ
かに記載の磁気抵抗材料。 - 【請求項５】 強磁性層の厚さが０．８〜４ｎｍ、非磁
性層の厚さが０．５〜３ｎｍである請求項１〜請求項４
のいずれかに記載の磁気抵抗材料。 - 【請求項６】 ＦｅＭｎ、ＮｉＯの厚さが４〜１０ｎｍ
である請求項４に記載の磁気抵抗材料。 - 【請求項７】 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の
磁気抵抗材料を感磁部に用いた磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5231303A JPH0786034A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5231303A JPH0786034A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786034A true JPH0786034A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16921513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5231303A Pending JPH0786034A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786034A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1249426A1 (en) | 2001-04-13 | 2002-10-16 | Shibuya Kogyo Co., Ltd | Capping method and capping apparatus |
| US6874301B2 (en) | 2000-03-06 | 2005-04-05 | Shibuya Kogyo Co., Ltd. | Capping method and apparatus |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5231303A patent/JPH0786034A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6874301B2 (en) | 2000-03-06 | 2005-04-05 | Shibuya Kogyo Co., Ltd. | Capping method and apparatus |
| EP1249426A1 (en) | 2001-04-13 | 2002-10-16 | Shibuya Kogyo Co., Ltd | Capping method and capping apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293437B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子 | |
| JP2690623B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3574186B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| KR100249976B1 (ko) | 자기저항 효과 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP3766565B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド | |
| US6111782A (en) | Magnetoresistance effect device, and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same | |
| JP3295152B2 (ja) | 磁気抵抗効果型弱磁界センサ | |
| JP3291208B2 (ja) | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド | |
| JP3255872B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法 | |
| US6775109B2 (en) | Magnetoresistive sensor with magnetostatic coupling of magnetic regions | |
| JPH11134620A (ja) | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 | |
| US6083632A (en) | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof | |
| JP3691898B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気情報読み出し方法、及び記録素子 | |
| JPH11238924A (ja) | スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品 | |
| JPH10188235A (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
| JP2924819B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
| US5668523A (en) | Magnetoresistive sensor employing an exchange-bias enhancing layer | |
| JP2001076479A (ja) | 磁気メモリ素子 | |
| JPH04280483A (ja) | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 | |
| JPH0786034A (ja) | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ | |
| JP3242279B2 (ja) | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 | |
| JPH10308313A (ja) | 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 | |
| JP3677107B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2738295B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
| JP3243092B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド |