JPH0786075A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JPH0786075A JPH0786075A JP18882193A JP18882193A JPH0786075A JP H0786075 A JPH0786075 A JP H0786075A JP 18882193 A JP18882193 A JP 18882193A JP 18882193 A JP18882193 A JP 18882193A JP H0786075 A JPH0786075 A JP H0786075A
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- titanium metal
- thin film
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優
れ、かつ、小型で大容量のコンデンサを提供する。 【構成】 チタン金属基体１と、チタン金属基体１の表
面に形成された、酸化チタン薄膜と複合チタン酸化物薄
膜の２重構造を有する複合誘電体２と、前記複合誘電体
２を介して前記チタン金属基体１と対向する対向電極３
とを具備する。
れ、かつ、小型で大容量のコンデンサを提供する。 【構成】 チタン金属基体１と、チタン金属基体１の表
面に形成された、酸化チタン薄膜と複合チタン酸化物薄
膜の２重構造を有する複合誘電体２と、前記複合誘電体
２を介して前記チタン金属基体１と対向する対向電極３
とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンデンサに関し、
詳しくは、小型で大きな静電容量を得ることが可能なコ
ンデンサに関する。
詳しくは、小型で大きな静電容量を得ることが可能なコ
ンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の小型大容量コンデンサとしては、
例えば、タンタル電解コンデンサ、アルミニウム電解コ
ンデンサなどの電解コンデンサが知られている。
例えば、タンタル電解コンデンサ、アルミニウム電解コ
ンデンサなどの電解コンデンサが知られている。
【０００３】タンタル電解コンデンサは、金属タンタル
の陽極酸化被膜を誘電体層として利用したコンデンサで
あり、長寿命であること、温度特性が良好であること、
小型化できること、周波数特性が良好であることなどの
特徴を有している。
の陽極酸化被膜を誘電体層として利用したコンデンサで
あり、長寿命であること、温度特性が良好であること、
小型化できること、周波数特性が良好であることなどの
特徴を有している。
【０００４】また、アルミニウム電解コンデンサは、上
記のタンタル電解コンデンサよりも大きな静電容量を得
ることができるという特徴を有しており、電源回路など
に広く用いられている。
記のタンタル電解コンデンサよりも大きな静電容量を得
ることができるという特徴を有しており、電源回路など
に広く用いられている。
【０００５】さらに、上記の電解コンデンサのほかに
も、小型大容量コンデンサとして、積層セラミックコン
デンサが広く用いられている。そして、この積層セラミ
ックコンデンサは、周波数特性が良好であること、絶縁
抵抗が高いこと、単位体積当たりの静電容量が大きいこ
となどの特徴を有している。
も、小型大容量コンデンサとして、積層セラミックコン
デンサが広く用いられている。そして、この積層セラミ
ックコンデンサは、周波数特性が良好であること、絶縁
抵抗が高いこと、単位体積当たりの静電容量が大きいこ
となどの特徴を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、タンタル電解
コンデンサにおいては、タンタルの地金が高価であるた
め、製品であるコンデンサのコストが上昇するという問
題点があり、また、構造的に単一酸化物層を誘電体層に
使用しているため、誘電体層を高誘電率化することが困
難であり、大容量化には限界があるという問題点があ
る。
コンデンサにおいては、タンタルの地金が高価であるた
め、製品であるコンデンサのコストが上昇するという問
題点があり、また、構造的に単一酸化物層を誘電体層に
使用しているため、誘電体層を高誘電率化することが困
難であり、大容量化には限界があるという問題点があ
る。
【０００７】また、アルミニウム電解コンデンサにおい
ては、アルミニウムの陽極酸化膜を誘電体層として利用
しているが、漏れ電流が大きく、寿命が短いという問題
点がある。
ては、アルミニウムの陽極酸化膜を誘電体層として利用
しているが、漏れ電流が大きく、寿命が短いという問題
点がある。
【０００８】さらに、上記のいずれの電解コンデンサに
も極性があり、電気、電子回路に組み込む工程で、その
方向（極性）を識別して組み込まなければならないた
め、実装工程での作業性が悪いという問題点がある。
も極性があり、電気、電子回路に組み込む工程で、その
方向（極性）を識別して組み込まなければならないた
め、実装工程での作業性が悪いという問題点がある。
【０００９】また、積層セラミックコンデンサにおいて
は、小型、大容量化を図るために、誘電体の厚みを小さ
くする試みがなされているが、１μmを下回る厚さで良
好な積層構造を実現することはできていないのが実情で
ある。
は、小型、大容量化を図るために、誘電体の厚みを小さ
くする試みがなされているが、１μmを下回る厚さで良
好な積層構造を実現することはできていないのが実情で
ある。
【００１０】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優れ、か
つ、小型で大容量のコンデンサを提供することを目的と
する。
あり、複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優れ、か
つ、小型で大容量のコンデンサを提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のコンデンサは、チタン金属基体と、前記
チタン金属基体の表面に形成された、酸化チタン薄膜と
複合チタン酸化物薄膜の２重構造を有する複合誘電体
と、前記複合誘電体を介して前記チタン金属基体と対向
する対向電極とを具備することを特徴とする。
に、この発明のコンデンサは、チタン金属基体と、前記
チタン金属基体の表面に形成された、酸化チタン薄膜と
複合チタン酸化物薄膜の２重構造を有する複合誘電体
と、前記複合誘電体を介して前記チタン金属基体と対向
する対向電極とを具備することを特徴とする。
【００１２】また、前記チタン金属基体が多孔体である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。
する。
【００１４】実施例１ 図１は、この実施例にかかるコンデンサを示す断面図で
ある。このコンデンサは、チタン金属基板（金属基体）
１上に酸化チタン薄膜とチタン酸バリウム薄膜（複合チ
タン酸化物薄膜）の２重構造を有する複合誘電体２を配
設するとともに、複合誘電体２上にアルミニウム電極
（対向電極）３を配設し、さらに、チタン金属基板１及
びアルミニウム電極３に取出しリード線４ａ，４ｂを取
り付け、全体を外装樹脂５で被覆することにより形成さ
れている。
ある。このコンデンサは、チタン金属基板（金属基体）
１上に酸化チタン薄膜とチタン酸バリウム薄膜（複合チ
タン酸化物薄膜）の２重構造を有する複合誘電体２を配
設するとともに、複合誘電体２上にアルミニウム電極
（対向電極）３を配設し、さらに、チタン金属基板１及
びアルミニウム電極３に取出しリード線４ａ，４ｂを取
り付け、全体を外装樹脂５で被覆することにより形成さ
れている。
【００１５】次に、このコンデンサの製造方法について
説明する。このコンデンサを製造するにあたっては、ま
ず、チタン金属基板１の両面をフッ化水素（ＨＦ）水溶
液を用いて処理し、付着物を除去するとともに、その表
面積を増大させる。
説明する。このコンデンサを製造するにあたっては、ま
ず、チタン金属基板１の両面をフッ化水素（ＨＦ）水溶
液を用いて処理し、付着物を除去するとともに、その表
面積を増大させる。
【００１６】それから、このチタン金属基板１を超音波
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液に浸漬
し、９５℃の温度で１時間化成処理を行い、チタン金属
基板１の表面にチタン酸バリウム薄膜（複合チタン酸化
物薄膜）を形成する。
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液に浸漬
し、９５℃の温度で１時間化成処理を行い、チタン金属
基板１の表面にチタン酸バリウム薄膜（複合チタン酸化
物薄膜）を形成する。
【００１７】次に、表面にチタン酸バリウム薄膜が形成
されたチタン金属基板１を大気中で熱処理し、チタン酸
バリウム薄膜とチタン金属基板１との界面に酸化チタン
薄膜（図示せず）を生成させることにより、酸化チタン
薄膜とチタン酸バリウム薄膜の２重構造を有する複合誘
電体２をチタン金属基板１上に直接形成する。なお、熱
処理は、昇降温速度１００℃／ｈｒ，７００℃１時間保
持の条件で行う。
されたチタン金属基板１を大気中で熱処理し、チタン酸
バリウム薄膜とチタン金属基板１との界面に酸化チタン
薄膜（図示せず）を生成させることにより、酸化チタン
薄膜とチタン酸バリウム薄膜の２重構造を有する複合誘
電体２をチタン金属基板１上に直接形成する。なお、熱
処理は、昇降温速度１００℃／ｈｒ，７００℃１時間保
持の条件で行う。
【００１８】次いで、チタン金属基板１の複合誘電体２
が配設された方の面に金属アルミニウムを蒸着してアル
ミニウム電極（対向電極）３を形成する。
が配設された方の面に金属アルミニウムを蒸着してアル
ミニウム電極（対向電極）３を形成する。
【００１９】それから、チタン金属基板１の複合誘電体
２が配設されていない方の面を取出しリード線４ａを取
り付けるために研磨する。そして、チタン金属基板１の
研磨した面及びアルミニウム電極３に取出しリード線４
ａ，４ｂを取り付けることによりコンデンサ素子を得
る。
２が配設されていない方の面を取出しリード線４ａを取
り付けるために研磨する。そして、チタン金属基板１の
研磨した面及びアルミニウム電極３に取出しリード線４
ａ，４ｂを取り付けることによりコンデンサ素子を得
る。
【００２０】そして、このコンデンサ素子全体を液体エ
ポキシ樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹脂）５に
よる外装を行うことにより、図１に示すようなコンデン
サを得る。
ポキシ樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹脂）５に
よる外装を行うことにより、図１に示すようなコンデン
サを得る。
【００２１】このようにして得られたコンデンサについ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２２ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：３．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１８Ｖ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２２ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：３．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１８Ｖ
【００２２】実施例２ 以下の方法により、上記実施例１（図１）と同様のコン
デンサを作製した。
デンサを作製した。
【００２３】まず、チタン金属基板（金属基体）１の両
面をＨＦ水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
面をＨＦ水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
【００２４】それから、このチタン金属基板１を超音波
洗浄した後、０．５mol／L水酸化ストロンチウム水溶液
（処理溶液）に浸漬し、チタン金属基板１を陽極に、白
金プレート（図示せず）を対極に用いて、１５０℃の温
度で、１２Ｖの定電圧電解を行う水熱電気化学処理を１
時間施し、チタン金属基板１の表面にチタン酸ストロン
チウム薄膜（複合チタン酸化物薄膜）を直接形成する。
洗浄した後、０．５mol／L水酸化ストロンチウム水溶液
（処理溶液）に浸漬し、チタン金属基板１を陽極に、白
金プレート（図示せず）を対極に用いて、１５０℃の温
度で、１２Ｖの定電圧電解を行う水熱電気化学処理を１
時間施し、チタン金属基板１の表面にチタン酸ストロン
チウム薄膜（複合チタン酸化物薄膜）を直接形成する。
【００２５】それから、上記実施例１と同様の熱処理を
施すことにより、酸化チタン薄膜とチタン酸ストロンチ
ウム薄膜の２重構造を有する複合誘電体２をチタン金属
基板１上に直接形成する。
施すことにより、酸化チタン薄膜とチタン酸ストロンチ
ウム薄膜の２重構造を有する複合誘電体２をチタン金属
基板１上に直接形成する。
【００２６】その後、実施例１と同様の方法にしたがっ
て、アルミニウム電極３及び取出しリード線４ａ，４ｂ
を配設することによりコンデンサ素子を作製するととも
に、コンデンサ素子全体を外装樹脂である液体エポキシ
樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹脂）５による外
装を行うことにより、図１に示すコンデンサと同様のコ
ンデンサを得る。
て、アルミニウム電極３及び取出しリード線４ａ，４ｂ
を配設することによりコンデンサ素子を作製するととも
に、コンデンサ素子全体を外装樹脂である液体エポキシ
樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹脂）５による外
装を行うことにより、図１に示すコンデンサと同様のコ
ンデンサを得る。
【００２７】このようにして得られたコンデンサについ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：１４ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０9Ω 絶縁破壊電圧 ：３８Ｖ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：１４ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０9Ω 絶縁破壊電圧 ：３８Ｖ
【００２８】実施例３ 図２は、この実施例にかかるコンデンサを示す断面図で
あり、図３は、コンデンサを構成する複合構造体のミク
ロ断面概略図である。このコンデンサにおいては、金属
基体として、チタン金属粒子１１ａ（図３）を成形して
なるチタン金属多孔体１１が用いられており、チタン金
属多孔体１１には、図２に示すように、取出しリード線
４ａの一部が埋設されている。
あり、図３は、コンデンサを構成する複合構造体のミク
ロ断面概略図である。このコンデンサにおいては、金属
基体として、チタン金属粒子１１ａ（図３）を成形して
なるチタン金属多孔体１１が用いられており、チタン金
属多孔体１１には、図２に示すように、取出しリード線
４ａの一部が埋設されている。
【００２９】また、図３に示すように、チタン金属多孔
体１１を構成するチタン金属粒子１１ａの表面には酸化
チタン薄膜とチタン酸ストロンチウム薄膜の２重構造を
有する複合誘電体２が形成され、かつ、二酸化マンガン
電極（対向電極）３ａがその細部にまで形成されてい
る。
体１１を構成するチタン金属粒子１１ａの表面には酸化
チタン薄膜とチタン酸ストロンチウム薄膜の２重構造を
有する複合誘電体２が形成され、かつ、二酸化マンガン
電極（対向電極）３ａがその細部にまで形成されてい
る。
【００３０】そして、このチタン金属多孔体１１、複合
誘電体２及び二酸化マンガン電極（対向電極）３ａから
なる複合構造体の表面にカーボン層７を配設し、その上
に銀電極３ｂを形成するとともに、銀電極３ｂに取出し
リード線４ｂを取り付け、コンデンサ素子全体を外装樹
脂５で被覆することにより、図２に示すようなコンデン
サが形成されている。
誘電体２及び二酸化マンガン電極（対向電極）３ａから
なる複合構造体の表面にカーボン層７を配設し、その上
に銀電極３ｂを形成するとともに、銀電極３ｂに取出し
リード線４ｂを取り付け、コンデンサ素子全体を外装樹
脂５で被覆することにより、図２に示すようなコンデン
サが形成されている。
【００３１】次に、このコンデンサの製造方法について
説明する。このコンデンサを製造するにあたっては、ま
ず、チタン金属粉末を短冊状に成形し、９００℃の温度
で真空焼結することにより、チタン金属多孔体１１を作
製する。なお、成形時に陽極用の取出しリード線４ａの
一部をチタン金属多孔体１１中に埋設しておく。
説明する。このコンデンサを製造するにあたっては、ま
ず、チタン金属粉末を短冊状に成形し、９００℃の温度
で真空焼結することにより、チタン金属多孔体１１を作
製する。なお、成形時に陽極用の取出しリード線４ａの
一部をチタン金属多孔体１１中に埋設しておく。
【００３２】それから、上記実施例２と同様の水熱電気
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図３）の表面にチタン酸
ストロンチウム薄膜を形成する。それから、実施例１と
同様の熱処理を施し、チタン金属粒子１１ａとチタン酸
ストロンチウム薄膜との間に酸化チタン薄膜を形成する
ことにより、酸化チタン薄膜とチタン酸ストロンチウム
薄膜の２重構造を有する複合誘電体２をチタン金属粒子
１１ａの表面に直接形成する。
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図３）の表面にチタン酸
ストロンチウム薄膜を形成する。それから、実施例１と
同様の熱処理を施し、チタン金属粒子１１ａとチタン酸
ストロンチウム薄膜との間に酸化チタン薄膜を形成する
ことにより、酸化チタン薄膜とチタン酸ストロンチウム
薄膜の２重構造を有する複合誘電体２をチタン金属粒子
１１ａの表面に直接形成する。
【００３３】それから、硝酸マンガンの塗布、熱処理を
繰返すことにより、チタン金属多孔体１１の細部にまで
二酸化マンガン電極（対向電極）３ａが配設された複合
構造体を得る。そして、この複合構造体をコロイダルカ
ーボン中に浸漬し、必要に応じて複数回の浸漬、乾燥を
繰り返し、その表面にカーボン層７を形成する。そし
て、このカーボン層７の上に、銀ペースト（銀電極）３
ｂを塗布、焼付けした後、取出しリード線４ｂを取り付
ける。
繰返すことにより、チタン金属多孔体１１の細部にまで
二酸化マンガン電極（対向電極）３ａが配設された複合
構造体を得る。そして、この複合構造体をコロイダルカ
ーボン中に浸漬し、必要に応じて複数回の浸漬、乾燥を
繰り返し、その表面にカーボン層７を形成する。そし
て、このカーボン層７の上に、銀ペースト（銀電極）３
ｂを塗布、焼付けした後、取出しリード線４ｂを取り付
ける。
【００３４】それから、このコンデンサ素子全体を外装
樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、外層樹脂５に
よる外装を行うことにより図２に示すようなコンデンサ
を得る。
樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、外層樹脂５に
よる外装を行うことにより図２に示すようなコンデンサ
を得る。
【００３５】このようにして得られたコンデンサについ
て、静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定したと
ころ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：４０Ｖ
て、静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定したと
ころ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：４０Ｖ
【００３６】実施例４ 以下の方法により、上記実施例３（図２）と同様のコン
デンサを作製した。
デンサを作製した。
【００３７】チタン金属粉末を短冊状に成形し、９００
℃の温度で真空焼結を行い、チタン金属多孔体を作製す
る。なお、成形時に陽極用の取出しリード線の一部をチ
タン金属多孔体中に埋設しておく。
℃の温度で真空焼結を行い、チタン金属多孔体を作製す
る。なお、成形時に陽極用の取出しリード線の一部をチ
タン金属多孔体中に埋設しておく。
【００３８】それから、上記実施例２と同様の水熱電気
化学処理を施し、チタン金属多孔体を構成するチタン金
属粒子の表面にチタン酸ストロンチウム薄膜を直接形成
する。なお、この実施例では、水熱電気化学処理を施す
際に、処理溶液に、ストロンチウムに対して０．１mol
％の水酸化ニッケルを添加する。このように、水酸化ニ
ッケルを添加した処理溶液を用いることにより、チタン
金属（粒子）の表面のチタン酸ストロンチウム薄膜の絶
縁体化が促進される。
化学処理を施し、チタン金属多孔体を構成するチタン金
属粒子の表面にチタン酸ストロンチウム薄膜を直接形成
する。なお、この実施例では、水熱電気化学処理を施す
際に、処理溶液に、ストロンチウムに対して０．１mol
％の水酸化ニッケルを添加する。このように、水酸化ニ
ッケルを添加した処理溶液を用いることにより、チタン
金属（粒子）の表面のチタン酸ストロンチウム薄膜の絶
縁体化が促進される。
【００３９】そして、７００℃で熱処理した後、実施例
３と同様の方法にしたがって、図２に示すようなコンデ
ンサを作製する。
３と同様の方法にしたがって、図２に示すようなコンデ
ンサを作製する。
【００４０】このようにして得られたコンデンサについ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２８μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．１×１０9Ω 絶縁破壊電圧 ：４５Ｖ
て、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定し
たところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２８μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．１×１０9Ω 絶縁破壊電圧 ：４５Ｖ
【００４１】なお、この発明のコンデンサは、上記実施
例に限定されるものではなく、金属基体の構造、複合チ
タン酸化物薄膜の組成、対向電極を構成する電極材料の
種類、あるいは、金属基体、複合誘電体及び対向電極を
組合せてなるコンデンサ素子の細部の構造などに関し、
発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の応用、変
形を加えることが可能である。
例に限定されるものではなく、金属基体の構造、複合チ
タン酸化物薄膜の組成、対向電極を構成する電極材料の
種類、あるいは、金属基体、複合誘電体及び対向電極を
組合せてなるコンデンサ素子の細部の構造などに関し、
発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の応用、変
形を加えることが可能である。
【００４２】
【発明の効果】上述のように、この発明のコンデンサ
は、チタン金属基体と、前記チタン金属基体の表面に形
成された、酸化チタン薄膜と複合チタン酸化物薄膜の２
重構造を有する複合誘電体と、前記複合誘電体を介して
前記チタン金属基体と対向する対向電極とを備えて構成
されており、金属基体（電極基板）上に直接複合誘電体
を形成することが可能であるため、小型、大容量で、か
つ複雑な製造工程を必要とせず容易に製造することが可
能なコンデンサを得ることができる。
は、チタン金属基体と、前記チタン金属基体の表面に形
成された、酸化チタン薄膜と複合チタン酸化物薄膜の２
重構造を有する複合誘電体と、前記複合誘電体を介して
前記チタン金属基体と対向する対向電極とを備えて構成
されており、金属基体（電極基板）上に直接複合誘電体
を形成することが可能であるため、小型、大容量で、か
つ複雑な製造工程を必要とせず容易に製造することが可
能なコンデンサを得ることができる。
【００４３】また、チタン金属基体として、チタン金属
の多孔体を用いることにより、さらに大きな静電容量を
得ることができる。
の多孔体を用いることにより、さらに大きな静電容量を
得ることができる。
【図１】この発明の一実施例にかかるコンデンサの内部
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例にかかるコンデンサの内
部構造を示す断面図である。
部構造を示す断面図である。
【図３】チタン金属多孔体（金属基体）を構成するチタ
ン金属粒子上に複合誘電体が形成された状態を示すミク
ロ断面概略図である。
ン金属粒子上に複合誘電体が形成された状態を示すミク
ロ断面概略図である。
１ チタン金属基板（金属基体） ２ 複合誘電体 ３，３ａ 対向電極 ４ａ，４ｂ 取出しリード線 ５ 外装樹脂 ７ カーボン層 １１ チタン金属多孔体（金属基体） １１ａ チタン金属粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 昌弘 神奈川県綾瀬市寺尾中一丁目６番12
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン金属基体と、前記チタン金属基体
の表面に形成された、酸化チタン薄膜と複合チタン酸化
物薄膜の２重構造を有する複合誘電体と、前記複合誘電
体を介して前記チタン金属基体と対向する対向電極とを
具備することを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 前記チタン金属基体が多孔体であること
を特徴とする請求項１記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882193A JPH0786075A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882193A JPH0786075A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786075A true JPH0786075A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16230414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18882193A Pending JPH0786075A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090985A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Showa Denko K.K. | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| EP2202766A4 (en) * | 2007-10-17 | 2016-07-20 | Showa Denko Kk | CONDENSER MANUFACTURING METHOD, CAPACITOR, CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE, AND INTEGRATED CIRCUIT BOARD |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18882193A patent/JPH0786075A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090985A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Showa Denko K.K. | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| US20100014271A1 (en) * | 2007-01-26 | 2010-01-21 | Showa Denko K.K. | Capacitor material, production method of the same, and capacitor, wiring board and electronic device containing that material |
| JPWO2008090985A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| US8254082B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-08-28 | Showa Denko K.K. | Capacitor material, production method of the same, and capacitor, wiring board and electronic device containing that material |
| EP2109124A4 (en) * | 2007-01-26 | 2013-04-03 | Showa Denko Kk | CONDENSATE MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE CONDENSATE MATERIAL, CONDENSER WITH THE CAPACITOR MATERIAL, PCB AND ELECTRONIC DEVICE |
| EP2202766A4 (en) * | 2007-10-17 | 2016-07-20 | Showa Denko Kk | CONDENSER MANUFACTURING METHOD, CAPACITOR, CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE, AND INTEGRATED CIRCUIT BOARD |
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| A02 | Decision of refusal |
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