JPH0786105A - Ultrafine semiconductor device - Google Patents
Ultrafine semiconductor deviceInfo
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- JPH0786105A JPH0786105A JP24878593A JP24878593A JPH0786105A JP H0786105 A JPH0786105 A JP H0786105A JP 24878593 A JP24878593 A JP 24878593A JP 24878593 A JP24878593 A JP 24878593A JP H0786105 A JPH0786105 A JP H0786105A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、1回の画像処理により
全体を認識することができないような長大な半導体装置
に関し、特にダイシング後のシート拡大時に隣接チップ
同士を識別しうるようにした極細半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a long semiconductor device in which the entire image cannot be recognized by a single image processing, and in particular, it is an extremely fine semiconductor device capable of distinguishing adjacent chips when a sheet is expanded after dicing. The present invention relates to a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の組み立て工程では、ウエハ
をダイシングし、シートを拡大して個々のチップに分離
した後、チップをパッケージまたはリードフレームに搭
載している。その際に、画像処理装置を用いてウエハ内
に配列された個々のチップを認識し、その位置(X、
Y、θ)を補正することが必要となるが、例えば、1次
元CCDイメージセンサの場合のように長大なチップ
(例えば、50mm×0.5mm)の場合、1回の画像
処理により全体を把握することはできないので、複数回
に分けて画像処理を行っている。2. Description of the Related Art In the process of assembling a semiconductor device, a wafer is diced, a sheet is expanded and separated into individual chips, and then the chips are mounted on a package or a lead frame. At that time, the image processing apparatus is used to recognize the individual chips arranged in the wafer, and the position (X,
It is necessary to correct (Y, θ), but in the case of a long chip (for example, 50 mm × 0.5 mm) as in the case of a one-dimensional CCD image sensor, the entire image can be grasped by one image processing. Since it cannot be done, the image processing is performed in multiple times.
【0003】すなわち、図4(a)に示されるように、
各チップ1a、1b、1cの左右両端に識別パターン
2、3を設けておき、第1回目の画像処理により、チッ
プ1aの識別パターン2を認識領域4において認識し、
画像処理装置のカメラを移動し、第2回目の画像処理に
おいて、図4(b)に示すように、チップ右端に設けた
認識パターン3を認識領域4において認識して、チップ
の位置(X、Y、θ)を補正していた。That is, as shown in FIG.
Identification patterns 2 and 3 are provided on both left and right ends of each chip 1a, 1b, 1c, and the identification pattern 2 of the chip 1a is recognized in the recognition area 4 by the first image processing.
The camera of the image processing apparatus is moved, and in the second image processing, the recognition pattern 3 provided at the right end of the chip is recognized in the recognition area 4 as shown in FIG. Y, θ) was corrected.
【0004】ところで、同一ウエハ内に異なる種類のチ
ップを形成した場合には、個々のチップを識別するため
に、チップ毎に異なった識別パターンを形成することが
ある(例えば、特開61−142734号公報)。By the way, when different types of chips are formed on the same wafer, different identification patterns may be formed for each chip in order to identify each chip (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-142734). Issue).
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図5に示すように、一
般のチップ1dではθ方向のズレによる影響は無視でき
る程に小さいが[図5の(a)のy1 ]、素子の縦横の
寸法比が大きく異なる(例えば1:100)細長いチッ
プ1の場合、θ方向のズレによる影響が非常に大きくな
り[図5の(b)のy2 ]、そのため、図6(a)、
(b)に示すように、第1回目の画像処理と第2回目の
画像処理を異なるチップに対して行ってしまうことがあ
った。しかし、従来技術では、すべてのチップに対して
同一のパターンを付与していたので、このような場合
に、隣接のチップであることを認識できずに、θ補正を
行う必要のないものと判断してしまい、その結果、θズ
レの状態のままマウントされることとなり、不良品を発
生させる原因となっていた。このような不都合を解消す
るために、チップ当たりの認識領域を増やすことも行わ
れてきたが、このような手段は工数が増えて作業性が悪
化するものであり、また、根本的な解決策とはなってい
なかった。As shown in FIG. 5, in the general chip 1d, the influence of the deviation in the θ direction is negligible [y 1 in (a) of FIG. 5], but In the case of elongated chips 1 having greatly different dimensional ratios (for example, 1: 100), the influence of the deviation in the θ direction becomes very large [y 2 in (b) of FIG. 5], and therefore, FIG.
As shown in (b), the first image processing and the second image processing may be performed on different chips. However, in the conventional technique, the same pattern is given to all the chips, and in such a case, it is not possible to recognize that the chips are adjacent chips, and it is determined that θ correction is not necessary. As a result, the device is mounted in the state of θ deviation, which causes defective products. In order to eliminate such inconvenience, it has been attempted to increase the recognition area per chip, but such a method increases man-hours and deteriorates workability. Was not.
【0006】また、特開昭61−142734号公報に
記載された手段は、異なる種類のチップに異なる種類の
パターンを付与するものであり、1個のチップには1つ
のパターンを付与するのみであったので、この従来技術
により、長大なチップの位置ズレの検出を行うことは不
可能であった。Further, the means disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-142734 gives different types of patterns to different types of chips, and it is only necessary to give one pattern to one chip. Therefore, it is impossible to detect the positional deviation of a long chip by this conventional technique.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明によれば、チップの両端に、ウエハ上におい
て他のチップと識別しうるように隣接する他のチップと
は異なった識別用パターンが付与されていることを特徴
とする極細半導体装置が提供される。In order to solve the above problems, according to the present invention, both ends of a chip are distinguished from other chips adjacent to each other so that they can be distinguished from other chips on the wafer. Provided is an ultrafine semiconductor device having an application pattern.
【0008】[0008]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す平面
図である。同図に示されるように、極細かつ長大な形状
を有するチップ1a、1b、1c、…、の短辺側の両端
近辺には、各チップを他のチップから識別しうるよう
に、各チップ毎に他のチップとは異なる識別パターン
2、3が形成されている。これらの識別パターンは、例
えば、配線を形成するためのアルミニウム膜を用いて、
フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法により
配線と同時に形成することができる。識別パターンの形
状は、チップ毎に異なっていれば英数字、図形、記号等
のいずれであってもよい。また、2つの識別パターン
2、3の位置は、チップのθズレをできるだけ高い精度
で検出することができるようにするため、極力距離が離
れていることが望ましいが、必ずしもチップの最両端に
形成する必要はない。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention. As shown in the figure, each chip is provided in the vicinity of both ends on the short side of the chips 1a, 1b, 1c, ... Having an extremely fine and long shape so that each chip can be distinguished from other chips. Further, identification patterns 2 and 3 different from those of other chips are formed. These identification patterns are, for example, using an aluminum film for forming wiring,
It can be formed at the same time as the wiring by the photolithography method and the dry etching method. The shape of the identification pattern may be any of alphanumeric characters, figures, symbols, etc. as long as it is different for each chip. Further, the positions of the two identification patterns 2 and 3 are preferably separated as far as possible in order to detect the θ deviation of the chip with the highest possible accuracy, but they are not necessarily formed at the extreme ends of the chip. do not have to.
【0009】次に、図2を参照して、本実施例の半導体
チップに対する位置合わせ方法について説明する。本実
施例において、チップは細長く、認識領域の一視野内に
チップの一部しか入らないことを前提としている。ま
ず、チップの一端の識別パターン2を認識領域4内に捕
らえこれを認識する[図2の(a)]。次に、光学的認
識手段をチップの他端側に移動させて識別パターン3を
認識する[図2の(b)]。この認識パターン3が先の
識別パターン2と同じであれば、θ方向のズレはなく、
一つのチップが正しく識別されたことになる。チップに
θ方向のズレがある場合、図2(b)に示されるよう
に、2と3において異なった識別パターンを認識するこ
とになる。この場合、異なったチップの両端が認識され
たことを示し、識別パターン2と同じ識別パターンを認
識するように、チップまたはチップ搭載装置側のθ補正
が行われ[図2の(c)]、認識は終了する。Next, with reference to FIG. 2, a method of aligning the semiconductor chip of this embodiment will be described. In the present embodiment, it is assumed that the chip is elongated and that only a part of the chip falls within the visual field of the recognition area. First, the identification pattern 2 at one end of the chip is captured in the recognition area 4 and is recognized [(a) in FIG. 2]. Next, the optical recognition means is moved to the other end side of the chip to recognize the identification pattern 3 [(b) of FIG. 2]. If this recognition pattern 3 is the same as the above identification pattern 2, there is no deviation in the θ direction,
One chip has been correctly identified. When the chip has a deviation in the θ direction, different identification patterns are recognized in 2 and 3 as shown in FIG. In this case, both ends of different chips are recognized, and θ correction is performed on the chip or the chip mounting device side so that the same identification pattern as the identification pattern 2 is recognized [(c) of FIG. 2]. Recognition ends.
【0010】ウエハ内の全てのチップに対して異なる識
別パターンを付与することはチップ数が多くなると実際
には困難となる。しかし、θ方向のズレ量がある範囲内
にあることが明らかな場合、識別パターンはこの範囲よ
り多少広い範囲で繰り返し形成することにより、識別パ
ターンの種類を減らすことが可能である。例えば最大4
チップ分のθ方向のズレが生じる可能性がある場合、識
別パターンはこれより大きい5チップ以上毎に同じパタ
ーンを繰り返すようにすればよい。It is actually difficult to give different identification patterns to all the chips in the wafer as the number of chips increases. However, when it is clear that the amount of deviation in the θ direction is within a certain range, it is possible to reduce the types of identification patterns by repeatedly forming the identification patterns in a range slightly wider than this range. For example up to 4
If there is a possibility that a chip shift in the θ direction may occur, the identification pattern may be repeated every five or more chips that are larger than this.
【0011】図3は、本発明の第2の実施例を示す平面
図である。この実施例では、各チップ毎に一端の識別パ
ターン2と他端の識別パターン3とが異なっている。そ
の上でさらに長辺同士が隣接するチップ間で識別パター
ンが異なるようになされている。このように構成するこ
とにより、先の実施例の場合と同様の効果を得ることが
できる他、各チップ単体において左右の識別を容易に行
うことができるようになる。また、短辺同士が隣接して
いるチップ間において、その隣接する端部に付与される
識別パターン同士を異ならしめるようにすることができ
る。このようにすれば、短辺同士が接するチップ間での
誤認識をも排除することができる。FIG. 3 is a plan view showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the identification pattern 2 at one end and the identification pattern 3 at the other end are different for each chip. Further, the identification patterns are made different between chips whose long sides are adjacent to each other. With this configuration, it is possible to obtain the same effect as in the case of the previous embodiment, and it is possible to easily identify right and left in each chip alone. Further, between chips whose short sides are adjacent to each other, the identification patterns given to the adjacent ends can be made different. By doing so, it is possible to eliminate erroneous recognition between chips whose short sides are in contact with each other.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置は、細長いチップの短辺側両端に、チップ毎に異
なる識別パターンを形成したものであるので、本発明に
よれば、チップ両端の識別パターンをそれぞれ認識し、
その2つの識別パターンが同一チップに属するものであ
るか否かを判定することにより、確実に短時間でチップ
の識別を行うことが可能となり、チップ誤認識によるチ
ップ位置の誤判断を防止できるようになる。現在、例え
ば1次元CCDイメージセンサでは、多画素化によりチ
ップが一層細長くなる傾向にあるが、本発明はこの傾向
に対処するものであり、上記構成により生産性の向上と
歩留りの大幅な改善を図ることができる。As described above, in the semiconductor device according to the present invention, the identification pattern different for each chip is formed at both ends of the short side of the elongated chip. Recognize each identification pattern,
By determining whether or not the two identification patterns belong to the same chip, it is possible to surely identify the chips in a short time, and prevent erroneous determination of the chip position due to erroneous chip recognition. become. At present, for example, in a one-dimensional CCD image sensor, the number of pixels tends to make the chip more slender, but the present invention addresses this tendency. The above configuration improves productivity and greatly improves yield. Can be planned.
【図1】本発明の第1の実施例の平面図。FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施例に対する位置合わせ作業
を説明するための平面図。FIG. 2 is a plan view for explaining a positioning operation for the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例の平面図。FIG. 3 is a plan view of the second embodiment of the present invention.
【図4】従来例の平面図。FIG. 4 is a plan view of a conventional example.
【図5】従来例の問題点を説明するための平面図。FIG. 5 is a plan view for explaining the problems of the conventional example.
【図6】従来例の問題点を説明するための平面図。FIG. 6 is a plan view for explaining the problems of the conventional example.
1、1a、1b、1c、1d チップ 2 識別パターン 3 識別パターン 4 認識領域 1, 1a, 1b, 1c, 1d Chip 2 Identification pattern 3 Identification pattern 4 Recognition area
Claims (4)
同士が隣接する他のチップとは異なった識別パターンが
付与されていることを特徴とする極細半導体装置。1. An ultrafine semiconductor device, wherein an identification pattern different from that of another chip whose long sides are adjacent to each other on the wafer is provided on both ends of the chip.
ンが互いに異なっていることを特徴とする請求項1記載
の極細半導体装置。2. The ultrafine semiconductor device according to claim 1, wherein the identification patterns at both ends of the same chip are different from each other.
のチップが数個おきに現れることを特徴とする請求項1
記載の極細半導体装置。3. The chip having the same identification pattern appears every few chips on the wafer.
The ultrafine semiconductor device described.
同士が隣接するチップ間では、その隣接する端部におけ
る識別パターン同士が互いに異なっていることを特徴と
する請求項1記載の極細半導体装置。4. The ultrafine semiconductor according to claim 1, wherein, on the wafer, between chips whose ends on the shorter side are adjacent to each other, the identification patterns at the adjacent ends are different from each other. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24878593A JP2663846B2 (en) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ultrafine semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24878593A JP2663846B2 (en) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ultrafine semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786105A true JPH0786105A (en) | 1995-03-31 |
| JP2663846B2 JP2663846B2 (en) | 1997-10-15 |
Family
ID=17183365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24878593A Expired - Lifetime JP2663846B2 (en) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ultrafine semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663846B2 (en) |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP24878593A patent/JP2663846B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663846B2 (en) | 1997-10-15 |
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