JPH0786148A - レジスト膜の硬化方法 - Google Patents
レジスト膜の硬化方法Info
- Publication number
- JPH0786148A JPH0786148A JP5232699A JP23269993A JPH0786148A JP H0786148 A JPH0786148 A JP H0786148A JP 5232699 A JP5232699 A JP 5232699A JP 23269993 A JP23269993 A JP 23269993A JP H0786148 A JPH0786148 A JP H0786148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- semiconductor substrate
- curing
- pressure
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体装置の製造に用いるマスク材
としてのレジスト膜の硬化方法に関し、半導体基板への
不純物の高加速電圧のイオン注入に対処する厚いレジス
ト膜の硬化の最適プロセスを得ることを目的とする。 【構成】 現像後のレジスト膜１のベーキングにおい
て、ベーキング炉中の圧力を高くして、レジスト膜１を
加熱し、次いで、レジスト膜１の温度が設定された一定
温度になった時点から、圧力を徐々に下げていくよう
に、或いは、レジスト膜１にエネルギ線２を照射し、レ
ジスト膜１を非加熱状態で硬化するように構成する。
としてのレジスト膜の硬化方法に関し、半導体基板への
不純物の高加速電圧のイオン注入に対処する厚いレジス
ト膜の硬化の最適プロセスを得ることを目的とする。 【構成】 現像後のレジスト膜１のベーキングにおい
て、ベーキング炉中の圧力を高くして、レジスト膜１を
加熱し、次いで、レジスト膜１の温度が設定された一定
温度になった時点から、圧力を徐々に下げていくよう
に、或いは、レジスト膜１にエネルギ線２を照射し、レ
ジスト膜１を非加熱状態で硬化するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に用い
るマスク材としてのレジスト膜の硬化方法に関する。
るマスク材としてのレジスト膜の硬化方法に関する。
【０００２】近年のコンピュータの大規模化、高速化の
要求に伴い、半導体装置の製造プロセスにおいても、高
エネルギイオン注入法やエッチング時に生ずる熱に耐え
うるレジスト膜パターンが要求されている。
要求に伴い、半導体装置の製造プロセスにおいても、高
エネルギイオン注入法やエッチング時に生ずる熱に耐え
うるレジスト膜パターンが要求されている。
【０００３】そのため、あらかじめ半導体基板上のレジ
スト膜に紫外線照射やベーキングを行って、レジスト膜
を硬化させたり、耐熱性を高めたりする必要がある。
スト膜に紫外線照射やベーキングを行って、レジスト膜
を硬化させたり、耐熱性を高めたりする必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て、１はレジスト膜、３は半導体基板、６は溶剤、７は
窒素である。
て、１はレジスト膜、３は半導体基板、６は溶剤、７は
窒素である。
【０００５】ＩＣデバイス等半導体装置の高耐圧化、高
集積化に伴い、従来、半導体基板への不純物拡散層形成
のためのイオン注入において、加速電圧は 100、160 、
200KeV 程度が用いられて来たのが、近年の拡散層の高
耐圧化により、MeV 級の高加速電圧によるイオン注入が
必要となってきた。
集積化に伴い、従来、半導体基板への不純物拡散層形成
のためのイオン注入において、加速電圧は 100、160 、
200KeV 程度が用いられて来たのが、近年の拡散層の高
耐圧化により、MeV 級の高加速電圧によるイオン注入が
必要となってきた。
【０００６】この際、選択的注入に用いられるマスク材
としてのレジスト膜の厚さは、耐エッチング性、エッチ
ング後のマスク材除去の容易性、半導体基板への影響を
少なくすること等から、通常の加速電圧とは区別されて
設定される。
としてのレジスト膜の厚さは、耐エッチング性、エッチ
ング後のマスク材除去の容易性、半導体基板への影響を
少なくすること等から、通常の加速電圧とは区別されて
設定される。
【０００７】すなわち、従来のイオン注入では、加速電
圧が、 100、 160、 200KeV 程度のために、レジスト膜
の厚さが１μｍ程度あれば十分マスク材として使用可能
であったが、高加速電圧が MeVで半導体基板内に不純物
をイオン注入する場合には、レジスト膜の厚さが１μｍ
程度では突き抜けてしまう。
圧が、 100、 160、 200KeV 程度のために、レジスト膜
の厚さが１μｍ程度あれば十分マスク材として使用可能
であったが、高加速電圧が MeVで半導体基板内に不純物
をイオン注入する場合には、レジスト膜の厚さが１μｍ
程度では突き抜けてしまう。
【０００８】このため、レジスト膜１の厚さを４μｍ、
或いは５μｍと厚くすると、今度はレジスト膜１のベー
キングや紫外線キュアの時に、図３に示すように、半導
体基板３上のレジスト膜１内の窒素６や溶剤５の蒸気等
が急激に蒸発して、レジスト膜１の爆発状態を起こし、
レジスト膜１のパターンを破損してしまう。
或いは５μｍと厚くすると、今度はレジスト膜１のベー
キングや紫外線キュアの時に、図３に示すように、半導
体基板３上のレジスト膜１内の窒素６や溶剤５の蒸気等
が急激に蒸発して、レジスト膜１の爆発状態を起こし、
レジスト膜１のパターンを破損してしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、前述のレジス
ト膜の硬化方法では、レジスト膜の破損がしばしば生ず
るため、半導体基板への不純物の高加速電圧ＭeVにおけ
るイオン注入に対処するための紫外線キュア条件の最適
化プロセス条件を確立する必要がある。
ト膜の硬化方法では、レジスト膜の破損がしばしば生ず
るため、半導体基板への不純物の高加速電圧ＭeVにおけ
るイオン注入に対処するための紫外線キュア条件の最適
化プロセス条件を確立する必要がある。
【００１０】本発明は、以上の点を鑑み、半導体基板へ
の不純物の高加速電圧のイオン注入に対処する厚いレジ
スト膜の硬化の最適プロセスを得ることを目的とする。
の不純物の高加速電圧のイオン注入に対処する厚いレジ
スト膜の硬化の最適プロセスを得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１はレジスト膜、２はエネルギ
線、３は半導体基板、４は不純物イオン、５は拡散層で
ある。
図である。図において、１はレジスト膜、２はエネルギ
線、３は半導体基板、４は不純物イオン、５は拡散層で
ある。
【００１２】本発明の上記問題点は、高出力の不純物注
入に必要な厚いレジスト膜が爆発しないように、加圧状
態でレジスト膜を加熱していき、硬化温度になったらレ
ジスト膜内の溶剤蒸気が急激に蒸発してレジスト膜が一
度に爆発しないように、徐々に圧力を下げて行くか、或
いはレーザーやガンマ線等のエネルギ線を照射して、レ
ジスト膜を加熱せずに、レジスト膜を構成する高分子化
合物の重合架橋を行うことによって解決される。
入に必要な厚いレジスト膜が爆発しないように、加圧状
態でレジスト膜を加熱していき、硬化温度になったらレ
ジスト膜内の溶剤蒸気が急激に蒸発してレジスト膜が一
度に爆発しないように、徐々に圧力を下げて行くか、或
いはレーザーやガンマ線等のエネルギ線を照射して、レ
ジスト膜を加熱せずに、レジスト膜を構成する高分子化
合物の重合架橋を行うことによって解決される。
【００１３】即ち、本発明の目的は、図１（ａ）に示す
ように、ベーキング炉内の圧力を大気圧より高くして、
レジスト膜１を加熱し、レジスト膜１の温度が設定され
た一定温度になった時点から、圧力を徐々に下げていく
ことにより、或いは図１（ｂ）に示すように、レジスト
膜１にエネルギ線２を照射し、レジスト膜１を非加熱状
態で硬化することにより解決される。
ように、ベーキング炉内の圧力を大気圧より高くして、
レジスト膜１を加熱し、レジスト膜１の温度が設定され
た一定温度になった時点から、圧力を徐々に下げていく
ことにより、或いは図１（ｂ）に示すように、レジスト
膜１にエネルギ線２を照射し、レジスト膜１を非加熱状
態で硬化することにより解決される。
【００１４】
【作用】本発明の第一の方法により、レジスト膜のベー
キング前にあらかじめ雰囲気を大気圧より高くしておい
て、レジスト膜をべーキング温度に加熱するための温度
上昇中に、レジスト膜中の溶剤や、架橋重合によって生
ずる窒素ガスの急激な蒸発や脱ガスによるレジスト膜の
爆発を防ぐ。そして、一定温度になってベーキングを行
い、レジスト膜を構成する感光性樹脂の高分子化合物の
架橋重合を促進している間に、徐々に圧力を下げなが
ら、溶剤や窒素のガス抜きを少しづづ行って行くことに
より、レジストパターンは原型を保ったままで硬化処理
が行われる。
キング前にあらかじめ雰囲気を大気圧より高くしておい
て、レジスト膜をべーキング温度に加熱するための温度
上昇中に、レジスト膜中の溶剤や、架橋重合によって生
ずる窒素ガスの急激な蒸発や脱ガスによるレジスト膜の
爆発を防ぐ。そして、一定温度になってベーキングを行
い、レジスト膜を構成する感光性樹脂の高分子化合物の
架橋重合を促進している間に、徐々に圧力を下げなが
ら、溶剤や窒素のガス抜きを少しづづ行って行くことに
より、レジストパターンは原型を保ったままで硬化処理
が行われる。
【００１５】また、本発明の第二の方法により、レジス
ト膜の硬化をエキシマ光やガンマ線等のエネルギ線の照
射で行うことにより、レジスト膜を加熱することなく、
レジスト膜を構成する感光性樹脂の高分子化合物の架橋
重合を促進するため、溶剤や窒素のガス抜きが急激には
行われず，徐々に行われるので、レジストパターンは原
型を保ったままで硬化処理が行われる。
ト膜の硬化をエキシマ光やガンマ線等のエネルギ線の照
射で行うことにより、レジスト膜を加熱することなく、
レジスト膜を構成する感光性樹脂の高分子化合物の架橋
重合を促進するため、溶剤や窒素のガス抜きが急激には
行われず，徐々に行われるので、レジストパターンは原
型を保ったままで硬化処理が行われる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の原理説明図兼実施例の説明
図、図２はレジスト膜厚とイオン注入エネルギ量との関
係を示す図である。
図、図２はレジスト膜厚とイオン注入エネルギ量との関
係を示す図である。
【００１７】図において、１はレジスト膜、１’は硬化
処理したレジスト膜、２はエネルギ線、２’はエキシマ
光、２”はガンマ線、３は半導体基板、４は不純物イオ
ン、５は拡散層である。
処理したレジスト膜、２はエネルギ線、２’はエキシマ
光、２”はガンマ線、３は半導体基板、４は不純物イオ
ン、５は拡散層である。
【００１８】先ず、高出力の不純物イオン注入時に必要
なレジスト膜の厚さを検討した。レジスト膜厚とイオン
注入エネルギ量との関係を図２により説明すると、イオ
ン注入時のエネルギ量、及び注入イオン量、レジスト膜
の種類等により、注入イオンに対するマスクとしてのレ
ジスト膜の必要な膜厚は異なってくる。
なレジスト膜の厚さを検討した。レジスト膜厚とイオン
注入エネルギ量との関係を図２により説明すると、イオ
ン注入時のエネルギ量、及び注入イオン量、レジスト膜
の種類等により、注入イオンに対するマスクとしてのレ
ジスト膜の必要な膜厚は異なってくる。
【００１９】一般にマスクとして用いられるポジ型レジ
ストと、最もポピュラーな注入イオンの一つである硼素
イオンを例にとると、図２（ａ）に示すように、半導体
基板上に塗布するレジスト膜の必要な厚さとして、硼素
イオンを 380keV で注入した場合、硼素イオンの濃度分
布は深さが２.9μｍのところでレジスト膜中の濃度が最
大となる。従って、この場合には少なくとも３μｍ以上
の厚さのレジスト膜が必要となる。
ストと、最もポピュラーな注入イオンの一つである硼素
イオンを例にとると、図２（ａ）に示すように、半導体
基板上に塗布するレジスト膜の必要な厚さとして、硼素
イオンを 380keV で注入した場合、硼素イオンの濃度分
布は深さが２.9μｍのところでレジスト膜中の濃度が最
大となる。従って、この場合には少なくとも３μｍ以上
の厚さのレジスト膜が必要となる。
【００２０】このようにして、図２（ｂ）より、イオン
注入エネルギが 180keV の場合に、１.7μｍ以上、280k
eVの場合に２.3μｍ以上のレジスト膜厚が必要なことが
わかる。
注入エネルギが 180keV の場合に、１.7μｍ以上、280k
eVの場合に２.3μｍ以上のレジスト膜厚が必要なことが
わかる。
【００２１】同様にして、 MeV級のイオン注入の場合に
は、硼素イオンを注入する時のマスクとして必要なレジ
スト膜の厚さは、図２（ｃ）に示すように、800keVの場
合に５.0μｍ以上、１MeV の場合には５.8μｍ以上のレ
ジスト膜厚が必要なことがわかる。
は、硼素イオンを注入する時のマスクとして必要なレジ
スト膜の厚さは、図２（ｃ）に示すように、800keVの場
合に５.0μｍ以上、１MeV の場合には５.8μｍ以上のレ
ジスト膜厚が必要なことがわかる。
【００２２】以上の理由により、本発明の実施例では、
イオン注入のマスクとして MeV級のイオン注入に耐え得
るレジスト膜厚として６μｍの厚さのレジスト膜を用い
た。更に、微細パターンを得るためには、パターン解像
度の異なる数種のレジスト膜を積層して多層膜として用
いている。
イオン注入のマスクとして MeV級のイオン注入に耐え得
るレジスト膜厚として６μｍの厚さのレジスト膜を用い
た。更に、微細パターンを得るためには、パターン解像
度の異なる数種のレジスト膜を積層して多層膜として用
いている。
【００２３】先ず、レジスト膜１の硬化時に圧力調整を
行う本発明の第一の実施例について説明する。Siウエハ
からなる半導体基板３にイオン注入用のマスクとしてポ
ジ型レジスト膜を６μｍの厚さにスピンナーを用いて塗
布、乾燥する。
行う本発明の第一の実施例について説明する。Siウエハ
からなる半導体基板３にイオン注入用のマスクとしてポ
ジ型レジスト膜を６μｍの厚さにスピンナーを用いて塗
布、乾燥する。
【００２４】ベーキング装置からなるレジスト硬化装置
にSiウエハからなる半導体基板３をセットする。図１
（ａ）に、圧力（点線表示）と温度（実線表示）の時間
経過を示すように、圧力を５から10気圧に上げ、同時
に、徐々に半導体基板３を、 110℃まで加熱する。 110
℃になったら徐々に圧力を下げ30分間加熱する。この間
にレジスト膜１内の溶剤蒸気は徐々に蒸発して、レジス
ト膜１のパターンの原型は破壊されずに保たれる。圧力
を抜き、半導体基板３の温度を下げて、レジスト膜１の
硬化処理を完了する。
にSiウエハからなる半導体基板３をセットする。図１
（ａ）に、圧力（点線表示）と温度（実線表示）の時間
経過を示すように、圧力を５から10気圧に上げ、同時
に、徐々に半導体基板３を、 110℃まで加熱する。 110
℃になったら徐々に圧力を下げ30分間加熱する。この間
にレジスト膜１内の溶剤蒸気は徐々に蒸発して、レジス
ト膜１のパターンの原型は破壊されずに保たれる。圧力
を抜き、半導体基板３の温度を下げて、レジスト膜１の
硬化処理を完了する。
【００２５】次に、レジスト膜１の硬化にエネルギ線２
を用いる本発明の第二の実施例について説明する。半導
体基板３にイオン注入用のマスクとしてポジ型三種類の
層からなるレジスト膜１を６μｍの厚さにスピンナーを
用いて塗布、乾燥後、露光し、現像して、図１（ｂ）に
示すように、イオン注入に対するレジスト膜１のマスク
パターンを形成する。
を用いる本発明の第二の実施例について説明する。半導
体基板３にイオン注入用のマスクとしてポジ型三種類の
層からなるレジスト膜１を６μｍの厚さにスピンナーを
用いて塗布、乾燥後、露光し、現像して、図１（ｂ）に
示すように、イオン注入に対するレジスト膜１のマスク
パターンを形成する。
【００２６】レーザー装置からなるレジスト硬化装置に
半導体基板３をセットする。エネルギ線２としてレーザ
ー光を用いる。レーザー光にはエキシマ光２’を用いて
照射する。その間にレジスト膜１は加熱されることなく
架橋が進み、レジスト膜１の硬化処理が行われる。
半導体基板３をセットする。エネルギ線２としてレーザ
ー光を用いる。レーザー光にはエキシマ光２’を用いて
照射する。その間にレジスト膜１は加熱されることなく
架橋が進み、レジスト膜１の硬化処理が行われる。
【００２７】次に、前述と同様に、レジスト膜１の硬化
にエネルギ線２を用いる本発明の第三の実施例について
説明する。半導体基板３にイオン注入用のマスクとして
ポジ型二層からなるレジスト膜１を６μｍの厚さにスピ
ンナーを用いて塗布、乾燥する。
にエネルギ線２を用いる本発明の第三の実施例について
説明する。半導体基板３にイオン注入用のマスクとして
ポジ型二層からなるレジスト膜１を６μｍの厚さにスピ
ンナーを用いて塗布、乾燥する。
【００２８】ガンマ線発生装置からなるレジスト硬化装
置に半導体基板３をセットする。エネルギ線２としてガ
ンマ線２"(γ) を用いる。ガンマ線２”にはコバルト60
を用い半導体基板３の表面に形成されたレジスト膜１の
パターンにガンマ線２”を 10 〜100radの強度で全面に
照射する。この場合、レジスト膜１はポジ型に限らず、
ネガ型の場合にも適用出来る。
置に半導体基板３をセットする。エネルギ線２としてガ
ンマ線２"(γ) を用いる。ガンマ線２”にはコバルト60
を用い半導体基板３の表面に形成されたレジスト膜１の
パターンにガンマ線２”を 10 〜100radの強度で全面に
照射する。この場合、レジスト膜１はポジ型に限らず、
ネガ型の場合にも適用出来る。
【００２９】これにより、レジスト膜１は加熱されるこ
となく架橋が進み、レジスト膜１の硬化処理が行われ
る。何れの方法でも、レジスト膜１に熱がかからないの
で、従来のような溶剤蒸気の急激な蒸発によるレジスト
膜１のパターンの爆発は起こらず、レジスト膜１の内部
まで架橋され硬化処理が行われる。
となく架橋が進み、レジスト膜１の硬化処理が行われ
る。何れの方法でも、レジスト膜１に熱がかからないの
で、従来のような溶剤蒸気の急激な蒸発によるレジスト
膜１のパターンの爆発は起こらず、レジスト膜１の内部
まで架橋され硬化処理が行われる。
【００３０】この後、図１（ｃ）に示すように、半導体
基板４に対して、本発明の硬化処理したレジスト膜１’
をマスクとして、大出力イオン注入装置を用いて不純物
イオン４の注入を行い、拡散層５を形成する。
基板４に対して、本発明の硬化処理したレジスト膜１’
をマスクとして、大出力イオン注入装置を用いて不純物
イオン４の注入を行い、拡散層５を形成する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
硬化処理時の圧力調整により、或いはエネルギ線をレジ
スト膜の非加熱状態での架橋により硬化するため、レジ
スト膜が破裂することなく現像硬化処理が行なえる。
硬化処理時の圧力調整により、或いはエネルギ線をレジ
スト膜の非加熱状態での架橋により硬化するため、レジ
スト膜が破裂することなく現像硬化処理が行なえる。
【００３２】従って、本発明は半導体装置の品質、歩留
りの向上に寄与するところが大きい。
りの向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 レジスト膜厚とイオン注入エネルギ量との関
係
係
【図３】 従来例の説明図
１ レジスト膜 １’硬化処理したレジスト膜 ２ エネルギ線 ２’エキシマ光 ２”ガンマ線 ３ 半導体基板 ４ 不純物イオン ５ 拡散層
Claims (2)
- 【請求項１】 現像後のレジスト膜(1) のベーキングに
おいて、ベーキング炉中の圧力を大気圧より高くして、
該レジスト膜(1) を加熱し、次いで、該レジスト膜(1)
の温度が設定された一定温度になった時点から、圧力を
徐々に下げていくことを特徴とするレジスト膜の硬化方
法。 - 【請求項２】 現像後のレジスト膜(1) にエネルギ線
(2) を照射し、該レジスト膜(1) を非加熱状態で硬化す
ることを特徴とするレジスト膜の硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232699A JPH0786148A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | レジスト膜の硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232699A JPH0786148A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | レジスト膜の硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786148A true JPH0786148A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16943391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5232699A Withdrawn JPH0786148A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | レジスト膜の硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786148A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001305750A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Toray Eng Co Ltd | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
| JP2021040025A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5232699A patent/JPH0786148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001305750A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Toray Eng Co Ltd | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
| JP2021040025A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY113904A (en) | Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation | |
| US4840874A (en) | Method of forming resist pattern | |
| US5158861A (en) | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist | |
| US4904866A (en) | Wide area soft vacuum abnormal glow electron beam discharge hardening process | |
| US4840876A (en) | Method of treating photoresists | |
| JPH0786148A (ja) | レジスト膜の硬化方法 | |
| EP0986072B1 (en) | Process for treatment of a resist | |
| US6306780B1 (en) | Method for making a photoresist layer having increased resistance to blistering, peeling, lifting, or reticulation | |
| US5120634A (en) | Method for forming patterned resist layer on semiconductor body | |
| US5186788A (en) | Fine pattern forming method | |
| JP2002175772A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| EP0103052B1 (en) | Method for forming patterned resist layer on semiconductor body | |
| CN108807156A (zh) | 离子注入的方法及半导体结构的形成方法 | |
| JPS62219920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2604934B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH023293B2 (ja) | ||
| JPH0536617A (ja) | イオンビーム照射方法および装置 | |
| JPS6352410A (ja) | 半導体装置の製造方法および加熱処理装置 | |
| JPS6181621A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JP2003086495A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPS6170726A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP4601514B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH04333219A (ja) | 多層レジストパターン形成方法 | |
| JPH02291122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06151349A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |