JPS6181621A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子製造装置、特にウェー・−上に塗
布されたフォトレジストにイオン注入を行なうイオン注
入装置に関するものである。

（従来の技術） 従来のイオン注入装置の注入室を第２図により説明する
。第２図に示す様に注入室は、チャン・ぐ−１４Ａ及び
１４Ｂと、このチャン・ぐ−内に回転軸１３により支持
されたディスク１２と、このディスク上に取付けられた
ウェハーホルダー１１とによシ構成さｆ’Ｌ　’５　。

（発明が解決しようとする問題点） 従来のイオン注入装置により、フォトレジストが塗布さ
れたウェハー上にイオン注入を行うと、フォトレジスト
からのアウトガスにより、注入室内の真空度が著しく悪
化する。この様な、注入室内の真空度が悪化した状態で
、ウェー・−へのイオン注入を行えば、イオンビームと
、圧入室内の力゛ス分子との相互作用により、イオンと
、ガス原子間で電荷のやり取りが起こる事によるドーズ
量のミスカウント、及び、イオンとガス原子の衝突によ
るガス分子のノックオン等が発生し、半導体素子の電気
的特性に悪影曾を及ぼす。

本発明は、上記の点に鑑みなされ念ものであシ、イオン
注入による、フォトレジスト等からのアウトがスを防止
することのできる半導体素子の製造装置を提供するもの
である。

（問題点を解決するための手段）。

本発明は半導体素子を製造するのに用いるイオン注入装
置において、注入前にウェハー上のンオトレノスト全加
熱してアウトガスを生起させる輻射線式と−メを具備し
たことを特徴とする半導体素子の製造装置である。

（実施例） 以下に、本発明による実施例を、第１図により説明する
。第１図において、本発明装置はチャンバー２４Ａ及び
２４Ｂと、回転軸２３により支持されたディスク２２と
、ウェハーホルダー２１とで注入室を構成した点は従来
と同じである。本発明はチャンバー　２４Ａの内側に、
ウェハーホルダー２１にセットされたウェハーの７オト
レソストを加熱する輻射線式ヒーター２５を設けたもの
である。

実施例ておいて、注入室内で注入する場合、まず注入前
に、ディスク２２ヲ回転させながら、輻射線式ヒーター
２５により、ウェハーを加熱し、ウェハー上の７オトレ
ノスト等からアウトガスを生起させる。このアウトガス
は一時的なものであり、時間と共に減少する為、真空ポ
ンプにより注入室内を真空引きし１続ければ、真空度は
しだいに回復する。この様にアウトがスが減少し、真空
度が回復した時点でヒーター２５による加熱全土め、イ
オン注入を開始する。

（発明の効果） 本発明は以上説明したように、注入前にウェハーのフォ
トレジストからアウトがスを生起して排気した後イオン
注入を行なうようにしたので、フォトレジスト等を塗布
したウェハーに高ドーズ量のイオン注入を行う場合であ
っても注入中に真空度の悪化全招くことがなく、イオン
注入を行うことができ、したがって注入室内の真空度悪
化に伴うドーズ量のミスカウント、及びガス分子のノッ
クオン等を防止でき、半導体素子の電気的特性の悪化を
防止できる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に依る注入室の実施例を説明する為の断
面図、第２図は従来のイオン注入室全説明する為の断面
図である。 ２１・・・ウェハーホルダー、２２・・・ディスク、２
３・・・回転軸、２４Ａ　、　２４Ｂ・・・チャンバー
、２５・・・輻射線式ヒー　タ　−。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体素子の製造に用いるイオン注入装置において、
   注入前にウェハー上のフォトレジストを加熱してアウト
   ガスを生起させる輻射線式ヒーターを具備したことを特
   徴とする半導体素子の製造装置。