JPH0786676A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0786676A JPH0786676A JP22609093A JP22609093A JPH0786676A JP H0786676 A JPH0786676 A JP H0786676A JP 22609093 A JP22609093 A JP 22609093A JP 22609093 A JP22609093 A JP 22609093A JP H0786676 A JPH0786676 A JP H0786676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- saturable absorber
- stripe
- semiconductor laser
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0658—Self-pulsating
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定して、縦モードを多モード化し、波長ス
ペクトルの幅広化をはかる 【構成】 少なくとも第１のクラッド層１１と、活性層
１３と、第２のクラッド層１２とを有する半導体レーザ
において、その少なくともいずれか一方のクラッド層１
２内に、活性層１３に対向して可飽和吸収体層１４が配
置された構成とする。
ペクトルの幅広化をはかる 【構成】 少なくとも第１のクラッド層１１と、活性層
１３と、第２のクラッド層１２とを有する半導体レーザ
において、その少なくともいずれか一方のクラッド層１
２内に、活性層１３に対向して可飽和吸収体層１４が配
置された構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザに係わ
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】コンパディスク、レーザディスク、光磁
気ディスク等の各種光ディスクの記録・再生等の光源に
用いられる半導体レーザにおいては、戻り光ノイズの低
減化をはかる上で縦モードが多モードの半導体レーザを
用いることが望ましい。
気ディスク等の各種光ディスクの記録・再生等の光源に
用いられる半導体レーザにおいては、戻り光ノイズの低
減化をはかる上で縦モードが多モードの半導体レーザを
用いることが望ましい。
【０００３】デジタル信号の記録・再生を行う光源の場
合は、上述した多モード半導体レーザを用いることで、
戻り光ノイズに関しては殆ど問題がないが、レーザディ
スクにおけるように、画像信号を読み出す場合において
は、多モード化のみならず、波長スペクトルの線幅が拡
大化されることが望まれる。
合は、上述した多モード半導体レーザを用いることで、
戻り光ノイズに関しては殆ど問題がないが、レーザディ
スクにおけるように、画像信号を読み出す場合において
は、多モード化のみならず、波長スペクトルの線幅が拡
大化されることが望まれる。
【０００４】この縦モードの多モード化およびその波長
スペクトルの線幅拡大化をはかった半導体レーザとして
は、例えばＣＳＰ（Channeled Subustrate Planner）構
造、Ｖ−ＳＩＳ（Vertical Channeled Substrate Inner
Stripe)構造、ＳＡＳ（Self-Aligned Structure Lase
r）構造等により、活性層中における電流注入部すなわ
ちストライプ部の両側に作りつけの屈折率差Δｎの制御
による可飽和吸収体になり得る領域を形成し、光とキャ
リアの相互作用による発光部の屈折率の振動によって縦
モードの多モード化と波長スペクトルの線幅の拡大化を
はかるものがある。
スペクトルの線幅拡大化をはかった半導体レーザとして
は、例えばＣＳＰ（Channeled Subustrate Planner）構
造、Ｖ−ＳＩＳ（Vertical Channeled Substrate Inner
Stripe)構造、ＳＡＳ（Self-Aligned Structure Lase
r）構造等により、活性層中における電流注入部すなわ
ちストライプ部の両側に作りつけの屈折率差Δｎの制御
による可飽和吸収体になり得る領域を形成し、光とキャ
リアの相互作用による発光部の屈折率の振動によって縦
モードの多モード化と波長スペクトルの線幅の拡大化を
はかるものがある。
【０００５】例えば東芝レビュー40巻7 号、第576 〜57
8 頁に開示された半導体レーザは、電流狭窄によって活
性層に電流注入のストライプを形成するとともに、クラ
ッド層の厚さの相違によって、このストライプより広い
光ガイド領域を構成し、活性層において、そのストライ
プの両外側に可飽和吸収体領域が生じるようにして光と
キャリアの相互作用による発光部の屈折率の振動による
繰り返しＱスイチッング現象を生じさせて、いわゆるパ
ルセーションを起こさせるものである。
8 頁に開示された半導体レーザは、電流狭窄によって活
性層に電流注入のストライプを形成するとともに、クラ
ッド層の厚さの相違によって、このストライプより広い
光ガイド領域を構成し、活性層において、そのストライ
プの両外側に可飽和吸収体領域が生じるようにして光と
キャリアの相互作用による発光部の屈折率の振動による
繰り返しＱスイチッング現象を生じさせて、いわゆるパ
ルセーションを起こさせるものである。
【０００６】すなわち、この場合、ストライプ部に電流
注入を行うことによって発振すなわち発光を生じさせる
と、その光子の発生によって光子密度が上昇し可飽和吸
収体の吸収係数が低下することになる。したがってこれ
によって共振器損失が低下することになり、この共振器
損失の低下によって光子密度が急激に上昇し、この光子
密度の上昇によってキャリア密度が低下して発振が停止
するに至る。この発振が停止すると、光子密度が低下す
るので、再び可飽和吸収体の吸収係数が上昇することに
なってキャリア密度が上昇し、発振が開始され、上述し
た動作が繰り返し行われてパルセーションが生じるよう
になされるものである。
注入を行うことによって発振すなわち発光を生じさせる
と、その光子の発生によって光子密度が上昇し可飽和吸
収体の吸収係数が低下することになる。したがってこれ
によって共振器損失が低下することになり、この共振器
損失の低下によって光子密度が急激に上昇し、この光子
密度の上昇によってキャリア密度が低下して発振が停止
するに至る。この発振が停止すると、光子密度が低下す
るので、再び可飽和吸収体の吸収係数が上昇することに
なってキャリア密度が上昇し、発振が開始され、上述し
た動作が繰り返し行われてパルセーションが生じるよう
になされるものである。
【０００７】ところで、この場合、活性層に可飽和吸収
体領域を形成するためには、活性層のストライプ内外の
Δｎが例えば１〜５×１０-3となるように、活性層およ
びクラッド層の厚さを正確に制御、選定するものであ
る。
体領域を形成するためには、活性層のストライプ内外の
Δｎが例えば１〜５×１０-3となるように、活性層およ
びクラッド層の厚さを正確に制御、選定するものであ
る。
【０００８】このように、各層の厚さは正確に設定され
る必要があり、膜厚のばらつきが、パルセーションの発
生を生じさせることができるか否に大きな影響があるこ
とから、その設計、製造、歩留り、信頼性に問題があ
る。
る必要があり、膜厚のばらつきが、パルセーションの発
生を生じさせることができるか否に大きな影響があるこ
とから、その設計、製造、歩留り、信頼性に問題があ
る。
【０００９】また、この場合の半導体レーザであること
が必要であり、そのため動作電流の低減化に制約があ
る。
が必要であり、そのため動作電流の低減化に制約があ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の屈折
率差Δｎの制御にとらわれることなく種々の構造にて安
定して、縦モードを多モード化し、波長スペクトルの幅
広化をはかったすなわちパルセーション半導体レーザを
構成する。
率差Δｎの制御にとらわれることなく種々の構造にて安
定して、縦モードを多モード化し、波長スペクトルの幅
広化をはかったすなわちパルセーション半導体レーザを
構成する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１および図
２にその各例の電流注入のストライプ方向に沿う面での
略線的断面図をそれぞれ示すように、少なくとも第１の
クラッド層１１と、活性層１３と、第２のクラッド層１
２とを有する半導体レーザにおいて、その少なくともい
ずれか一方のクラッド層、例えば図１に示すように、第
２のクラッド層１２内に、あるいは図２に示すように、
第１のクラッド層１１内に、活性層１３に対向して可飽
和吸収体層１４が配置された構成とする。
２にその各例の電流注入のストライプ方向に沿う面での
略線的断面図をそれぞれ示すように、少なくとも第１の
クラッド層１１と、活性層１３と、第２のクラッド層１
２とを有する半導体レーザにおいて、その少なくともい
ずれか一方のクラッド層、例えば図１に示すように、第
２のクラッド層１２内に、あるいは図２に示すように、
第１のクラッド層１１内に、活性層１３に対向して可飽
和吸収体層１４が配置された構成とする。
【００１２】可飽和吸収体層１４は、全面的に形成する
こともできるし、電流注入ストライプ部の延長方向の一
部例えばストライプの両端、あるいはストライプの両端
より内側の一部に可飽和吸収体層１４を欠如させた部分
を形成することもできるものであるが、少なくともスト
ライプ部内において活性層１３と対向して可飽和吸収体
層１４が形成されるようにする。
こともできるし、電流注入ストライプ部の延長方向の一
部例えばストライプの両端、あるいはストライプの両端
より内側の一部に可飽和吸収体層１４を欠如させた部分
を形成することもできるものであるが、少なくともスト
ライプ部内において活性層１３と対向して可飽和吸収体
層１４が形成されるようにする。
【００１３】
【作用】上述したように、本発明においては、ストライ
プ部すなわち電流通路内に活性層１３と対向して可飽和
吸収体層１４を配置したので、これの存在によって光と
キャリアの相互作用により発光部の屈折率が振動し、こ
れによって縦モードの多モード化および波長スペクトル
の線幅の拡大化を生じさせることができる。
プ部すなわち電流通路内に活性層１３と対向して可飽和
吸収体層１４を配置したので、これの存在によって光と
キャリアの相互作用により発光部の屈折率が振動し、こ
れによって縦モードの多モード化および波長スペクトル
の線幅の拡大化を生じさせることができる。
【００１４】すなわち、この構成において、活性層１３
に電流注入がなされ、発光が生じると、これよりの滲み
出し光が可飽和吸収体層１４に吸収されるが、この可飽
和吸収体層１４における光子密度が大となると、その屈
折率が低下しこの層１４における光の吸収が飽和し、こ
の層１４への光の吸収が抑えられることによって活性層
１３における光子密度が急激に上昇し、この光子密度の
上昇によってキャリア密度が低下する。そして、このよ
うにキャリア密度が低下することによって、発振が停止
する。この発振が停止すると、光子密度が低下すること
によって可飽和吸収体の吸収係数が上昇するとともに再
びキャリア密度が上昇し、発振が開始され、上述した動
作が繰り返し行われてパルセーションが生じる。
に電流注入がなされ、発光が生じると、これよりの滲み
出し光が可飽和吸収体層１４に吸収されるが、この可飽
和吸収体層１４における光子密度が大となると、その屈
折率が低下しこの層１４における光の吸収が飽和し、こ
の層１４への光の吸収が抑えられることによって活性層
１３における光子密度が急激に上昇し、この光子密度の
上昇によってキャリア密度が低下する。そして、このよ
うにキャリア密度が低下することによって、発振が停止
する。この発振が停止すると、光子密度が低下すること
によって可飽和吸収体の吸収係数が上昇するとともに再
びキャリア密度が上昇し、発振が開始され、上述した動
作が繰り返し行われてパルセーションが生じる。
【００１５】そして、このようにパルセーションを生じ
させることによってその発振の縦モードが、図３にその
スペクトル図を示すように、多モード化され、かつ線幅
の拡大を行うことができるものである。
させることによってその発振の縦モードが、図３にその
スペクトル図を示すように、多モード化され、かつ線幅
の拡大を行うことができるものである。
【００１６】上述したように、本発明では活性層１３と
は別に、クラッド層内に可飽和吸収体層１４を設ける構
成とするので、活性層の膜厚等による直接的な影響が回
避されることから、その設計、製造、構造の自由度が大
となり、さらに安定して、パルセーション動作を確実に
行うことができる。
は別に、クラッド層内に可飽和吸収体層１４を設ける構
成とするので、活性層の膜厚等による直接的な影響が回
避されることから、その設計、製造、構造の自由度が大
となり、さらに安定して、パルセーション動作を確実に
行うことができる。
【００１７】また、活性層１３に対向して可飽和吸収体
層１４を配置する構成とするので、種々の構造の半導体
レーザに適用することができる。
層１４を配置する構成とするので、種々の構造の半導体
レーザに適用することができる。
【００１８】
【実施例】図１を参照して本発明をＡｌＧａＡｓ系の半
導体レーザに適用する場合の一例を説明する。
導体レーザに適用する場合の一例を説明する。
【００１９】この例では、第１導電型例えばｎ型の化合
物半導体単結晶基体例えばＧａＡｓ基体１０上に、図示
しないが必要に応じてバファア層をエピタキシャル成長
し、これの上に、順次第１導電型の例えば厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓよりなる第１のクラッド層１
１、例えばアンドープのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓよりなる
活性層１３、第２導電型この例ではｐ型の例えば厚さ
０．３μｍのＡｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓよりなる下層の第２
のクラッド層１２Ａ、これと同導電型の例えば厚さ５０
０Å以下のＧａＡｓからなる可飽和吸収体層１４、これ
と同導電型の例えば厚さ１．５μｍの上層の第２のクラ
ッド層１２Ｂ、これと同導電型の高不純物濃度のＧａＡ
ｓ層からなるキャップ層１５をそれぞれＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition)等によってエ
ピタキシャル成長する。
物半導体単結晶基体例えばＧａＡｓ基体１０上に、図示
しないが必要に応じてバファア層をエピタキシャル成長
し、これの上に、順次第１導電型の例えば厚さ１．５μ
ｍのＡｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓよりなる第１のクラッド層１
１、例えばアンドープのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓよりなる
活性層１３、第２導電型この例ではｐ型の例えば厚さ
０．３μｍのＡｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓよりなる下層の第２
のクラッド層１２Ａ、これと同導電型の例えば厚さ５０
０Å以下のＧａＡｓからなる可飽和吸収体層１４、これ
と同導電型の例えば厚さ１．５μｍの上層の第２のクラ
ッド層１２Ｂ、これと同導電型の高不純物濃度のＧａＡ
ｓ層からなるキャップ層１５をそれぞれＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition)等によってエ
ピタキシャル成長する。
【００２０】この例では、第２のクラッド層が下層クラ
ッド層１２Ａと上層クラッド層１２Ｂとよりなり、両層
１２Ａおよび１２Ｂ間すなわちに第２のクラッド層１２
内に可飽和吸収体層１４が配置された構成をとるもので
ある。
ッド層１２Ａと上層クラッド層１２Ｂとよりなり、両層
１２Ａおよび１２Ｂ間すなわちに第２のクラッド層１２
内に可飽和吸収体層１４が配置された構成をとるもので
ある。
【００２１】そして、キャップ層１５上と基体１０側と
にオーミックに電極１６および１７が形成され。
にオーミックに電極１６および１７が形成され。
【００２２】図１の例は、活性層１３の基体１０とは反
対側の第２のクラッド層１２に可飽和吸収体層１４を配
置した場合であるが、図２に示すように、可飽和吸収体
層１４を基体１０側の第１のクラッド層１１内に配置す
る構成とすることもできる。
対側の第２のクラッド層１２に可飽和吸収体層１４を配
置した場合であるが、図２に示すように、可飽和吸収体
層１４を基体１０側の第１のクラッド層１１内に配置す
る構成とすることもできる。
【００２３】図２において、図１と対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略するが、この例では、第
１のクラッド層１１を下層のクラッド層１１Ａと例えば
厚さ０．３μｍの上層のクラッド層１１Ｂとによって構
成し、両者間に第１導電型の例えば厚さ５００Å以下の
ＧａＡｓよりなる可飽和吸収体層１４を配置した構成と
し得る。
一符号を付して重複説明を省略するが、この例では、第
１のクラッド層１１を下層のクラッド層１１Ａと例えば
厚さ０．３μｍの上層のクラッド層１１Ｂとによって構
成し、両者間に第１導電型の例えば厚さ５００Å以下の
ＧａＡｓよりなる可飽和吸収体層１４を配置した構成と
し得る。
【００２４】そして、本発明半導体レーザにおけるスト
ライプ構造は、種々の構造を採ることができる。
ライプ構造は、種々の構造を採ることができる。
【００２５】図４は、その一例におけるストライプ方向
と直交する方向の断面図を示すもので、この場合、第１
の導電型の基体１０上に予め第２の導電型の電流阻止層
２１をエピタキシャル成長して、この電流阻止層２１を
貫通してストライプ状の凹部１８を形成しておき、これ
の上に第１のクラッド層１１を形成する構成を採った場
合である。
と直交する方向の断面図を示すもので、この場合、第１
の導電型の基体１０上に予め第２の導電型の電流阻止層
２１をエピタキシャル成長して、この電流阻止層２１を
貫通してストライプ状の凹部１８を形成しておき、これ
の上に第１のクラッド層１１を形成する構成を採った場
合である。
【００２６】あるいは、図５に他の一例におけるストラ
イプ方向と直交する方向の断面図を示すように、ストラ
イプ部を挟んでその両側に、キャップ層１５側からこの
キャップ層１５、第２のクラッド層１２（すなわち１２
Ａおよび１２Ｂ）、および活性層１３を横切って第１の
クラッド層１１に至る絶縁層ないしは高抵抗層１９を形
成して、電流注入領域をストライプ部に限定的に形成す
る。
イプ方向と直交する方向の断面図を示すように、ストラ
イプ部を挟んでその両側に、キャップ層１５側からこの
キャップ層１５、第２のクラッド層１２（すなわち１２
Ａおよび１２Ｂ）、および活性層１３を横切って第１の
クラッド層１１に至る絶縁層ないしは高抵抗層１９を形
成して、電流注入領域をストライプ部に限定的に形成す
る。
【００２７】この絶縁層ないしは高抵抗層１９の形成
は、キャップ層１５から第１のクラッド層１１に至るメ
サ溝を形成してこのメサ溝内に例えばＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 等の絶縁層をを埋込んで形成することもできるし、
この絶縁層ないしは高抵抗層１９の形成部に選択的にプ
ロトン等の打ち込みを行って高抵抗化するなどの方法に
よって形成することができる。
は、キャップ層１５から第１のクラッド層１１に至るメ
サ溝を形成してこのメサ溝内に例えばＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 等の絶縁層をを埋込んで形成することもできるし、
この絶縁層ないしは高抵抗層１９の形成部に選択的にプ
ロトン等の打ち込みを行って高抵抗化するなどの方法に
よって形成することができる。
【００２８】また、図６に更に他の一例におけるストラ
イプ方向と直交する方向の断面図を示すように、例えば
可飽和吸収体層１４のストライプ部形成部の両側に第１
の導電型すなわち第２のクラッド層１２と異なる導電型
この例ではｎ型のＧａＡｓよりなる電流阻止層２０を形
成して、電流注入領域をストライプに限定する構造とす
ることもできる。
イプ方向と直交する方向の断面図を示すように、例えば
可飽和吸収体層１４のストライプ部形成部の両側に第１
の導電型すなわち第２のクラッド層１２と異なる導電型
この例ではｎ型のＧａＡｓよりなる電流阻止層２０を形
成して、電流注入領域をストライプに限定する構造とす
ることもできる。
【００２９】本発明は、上述した各種ストライプ半導体
レーザ構造を採ることができるものであり、いずれにお
いても、そのストライプにおいて、活性層１３に対向し
て可飽和吸収体層１４を設けたことによって、活性層１
３に電流注入がなされ、発光が生じると、これよりの滲
み出し光の可飽和吸収体層１４への吸収が生じ、これに
よって可飽和吸収体層１４における光子密度の増大し、
その屈折率が低下することによって光の吸収に飽和が生
じ、この層１４への光の吸収が抑えられることによって
活性層１３における光子密度が急激に上昇し、この光子
密度の上昇によってキャリア密度が低下するという現象
を生じさせることができる。そして、このようにキャリ
ア密度が低下することによって、発振が停止すると、光
子密度が低下するので、可飽和吸収体の吸収係数が上昇
するとともに再びキャリア密度が上昇し、発振が開始
し、上述した動作を繰り返してパルセーションを生じさ
せることができる。
レーザ構造を採ることができるものであり、いずれにお
いても、そのストライプにおいて、活性層１３に対向し
て可飽和吸収体層１４を設けたことによって、活性層１
３に電流注入がなされ、発光が生じると、これよりの滲
み出し光の可飽和吸収体層１４への吸収が生じ、これに
よって可飽和吸収体層１４における光子密度の増大し、
その屈折率が低下することによって光の吸収に飽和が生
じ、この層１４への光の吸収が抑えられることによって
活性層１３における光子密度が急激に上昇し、この光子
密度の上昇によってキャリア密度が低下するという現象
を生じさせることができる。そして、このようにキャリ
ア密度が低下することによって、発振が停止すると、光
子密度が低下するので、可飽和吸収体の吸収係数が上昇
するとともに再びキャリア密度が上昇し、発振が開始
し、上述した動作を繰り返してパルセーションを生じさ
せることができる。
【００３０】このようにして縦モードの多モード化と線
幅の拡大を行うことができるものである。
幅の拡大を行うことができるものである。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、本発明においては、ス
トライプ部内に活性層１３と対向して可飽和吸収体層１
４を配置したので、これの存在によって光とキャリアの
相互作用により発光部の屈折率が振動し、これによって
縦モードの多モード化および波長スペクトルの線幅の拡
大化を生じさせることができる。
トライプ部内に活性層１３と対向して可飽和吸収体層１
４を配置したので、これの存在によって光とキャリアの
相互作用により発光部の屈折率が振動し、これによって
縦モードの多モード化および波長スペクトルの線幅の拡
大化を生じさせることができる。
【００３２】そして、本発明では活性層１３とは別に、
可飽和吸収体層１４をクラッド層内に配置した構成とす
るので、設計の自由度が増すとともに、その制御が容易
となり、活性層１３の膜厚依存性を低減できることか
ら、パルセーション動作を確実に行うことができる。
可飽和吸収体層１４をクラッド層内に配置した構成とす
るので、設計の自由度が増すとともに、その制御が容易
となり、活性層１３の膜厚依存性を低減できることか
ら、パルセーション動作を確実に行うことができる。
【図１】本発明による半導体レーザの一例のストライプ
方向に沿う方向の断面図である。
方向に沿う方向の断面図である。
【図２】本発明による半導体レーザの他の一例のストラ
イプ方向に沿う方向の断面図である。
イプ方向に沿う方向の断面図である。
【図３】本発明による半導体レーザの発振スペクトル図
である。
である。
【図４】本発明による半導体レーザの一例のストライプ
方向と直交する方向の断面図である。
方向と直交する方向の断面図である。
【図５】本発明による半導体レーザの他のストライプ方
向と直交する方向の断面図である。
向と直交する方向の断面図である。
【図６】本発明による半導体レーザの他のストライプ方
向と直交する方向の断面図である。
向と直交する方向の断面図である。
１０ 基体 １１ 第１のクラッド層 １２ 第２のクラッド層 １１Ａ，１２Ａ 下層のクラッド層 １１Ｂ，１２Ｂ 上層のクラッド層 １３ 活性層 １４ 可飽和吸収体層
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも第１のクラッド層と、活性層
と、第２のクラッド層とを有する半導体レーザにおい
て、 少なくとも一方のクラッド層内に上記活性層に対向して
可飽和吸収体層が配置されてなることを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609093A JPH0786676A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609093A JPH0786676A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786676A true JPH0786676A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16839671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22609093A Pending JPH0786676A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786676A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-09-10 JP JP22609093A patent/JPH0786676A/ja active Pending
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