JPH0787174B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPH0787174B2 JPH0787174B2 JP61203151A JP20315186A JPH0787174B2 JP H0787174 B2 JPH0787174 B2 JP H0787174B2 JP 61203151 A JP61203151 A JP 61203151A JP 20315186 A JP20315186 A JP 20315186A JP H0787174 B2 JPH0787174 B2 JP H0787174B2
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- exposure
- pattern
- photoresist
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縮小投影露光法による微細レジストパターンの
形成を行うパターン形成方法に関わる。
形成を行うパターン形成方法に関わる。
本発明は最小解像線幅以下の間隔をもってパターンの構
成素子が配置されて成る微細フォトレジストパターンを
縮小投影露光法により形成するにあたり、その露光パタ
ーンを最小解像線幅より大なる間隔にある複数の露光パ
ターンに分割し、各露光パターンについてそれぞれ縮小
投影露光を行うようにして最小解像線幅より小なる間隔
のパターンを高解像度をもって鮮明に形成することがで
きるようにする。
成素子が配置されて成る微細フォトレジストパターンを
縮小投影露光法により形成するにあたり、その露光パタ
ーンを最小解像線幅より大なる間隔にある複数の露光パ
ターンに分割し、各露光パターンについてそれぞれ縮小
投影露光を行うようにして最小解像線幅より小なる間隔
のパターンを高解像度をもって鮮明に形成することがで
きるようにする。
半導体製造技術を始めとする各種微細パターンの形成に
おいて、写真技術の適用によるフォトリソグラフィすな
わちフォトレジストパターンの形成による加工技術が広
く用いられている。
おいて、写真技術の適用によるフォトリソグラフィすな
わちフォトレジストパターンの形成による加工技術が広
く用いられている。
近時、例えば超大型半導体集積回路（超LSI）における
ように１μｍ前後のパターンによる微細回路素子の形成
工程に用いられるフォトレジストパターンを得るための
パターン露光は、そのフォトレジスト膜に露光マスクを
密着させるいわゆる密着転写法に比べて多くの利点を有
する縮小投影露光法が広く用いられるに至っている（例
えばセミコンダクタワールド（Semiconductor World）1
982,5.P58〜82参照）。
ように１μｍ前後のパターンによる微細回路素子の形成
工程に用いられるフォトレジストパターンを得るための
パターン露光は、そのフォトレジスト膜に露光マスクを
密着させるいわゆる密着転写法に比べて多くの利点を有
する縮小投影露光法が広く用いられるに至っている（例
えばセミコンダクタワールド（Semiconductor World）1
982,5.P58〜82参照）。
通常半導体装置等の微細装置を製造する場合、共通の例
えば半導体ウェファ上に複数個の装置、例えば超LSI装
置を配列形成し、後に各装置部に関してウェファを分断
して同時に複数個の半導体装置を得るという方法が採ら
れる。したがって半導体装置の製造で用いられるフォト
リソグラフィ技術においては、通常ウェファ上に、互い
に直交する２方向Ｘ及びＹに関してそれぞれ同一のフォ
トレジストパターンが繰返えし配列された構成となる。
えば半導体ウェファ上に複数個の装置、例えば超LSI装
置を配列形成し、後に各装置部に関してウェファを分断
して同時に複数個の半導体装置を得るという方法が採ら
れる。したがって半導体装置の製造で用いられるフォト
リソグラフィ技術においては、通常ウェファ上に、互い
に直交する２方向Ｘ及びＹに関してそれぞれ同一のフォ
トレジストパターンが繰返えし配列された構成となる。
縮小投影露光法では、これらパターンの形成は個々に行
われる。この投影露光法によるレジストパターンの形成
方法を、第１図を参照して説明する。図中（１）は表面
にフォトレジストパターンを形成しようとする例えば半
導体ウェファを示す。この場合、ウェファ（１）上にフ
ォトレジスト膜（２）を塗布し、これを移動ステージ
（３）上に載置する。この移動ステージ（３）は第１図
において、紙面に沿う一方向Ｘとこれと直交する方向、
第１図において紙面と直交するＹ方向に所要の間欠的移
動ができるようになされている。この移動ステージは、
例えば±0.02μｍ程度の高精度移動ができるものであ
る。
われる。この投影露光法によるレジストパターンの形成
方法を、第１図を参照して説明する。図中（１）は表面
にフォトレジストパターンを形成しようとする例えば半
導体ウェファを示す。この場合、ウェファ（１）上にフ
ォトレジスト膜（２）を塗布し、これを移動ステージ
（３）上に載置する。この移動ステージ（３）は第１図
において、紙面に沿う一方向Ｘとこれと直交する方向、
第１図において紙面と直交するＹ方向に所要の間欠的移
動ができるようになされている。この移動ステージは、
例えば±0.02μｍ程度の高精度移動ができるものであ
る。
そして、この移動ステージ（３）の１の移動位置でウェ
ファ（１）上のフォトレジスト膜（２）に対して縮小露
光によって所定のパターン露光を行い、このパターン露
光をステージ（３）の各移動位置で行って、第２図に示
すように各露光パターン（８）が、ウェファ（１）上の
例えばＸ及びＹ方向にそれぞれ複数個配列されるように
する。
ファ（１）上のフォトレジスト膜（２）に対して縮小露
光によって所定のパターン露光を行い、このパターン露
光をステージ（３）の各移動位置で行って、第２図に示
すように各露光パターン（８）が、ウェファ（１）上の
例えばＸ及びＹ方向にそれぞれ複数個配列されるように
する。
縮小露光は、第１図で示すように例えば水銀灯等の光源
（４）からの光を所要の光学レンズ系（５）を通じて、
目的とする露光パターン（８）の拡大光学像を有する原
画（６）いわゆるレクチルに照射しその光学像を縮小レ
ンズ系（７）によってフォトレジスト膜（２）上に縮小
照射して、フォトレジスト膜（２）に微細露光パターン
（８）を形成するものである。この露光は前述したよう
に移動ステージ（３）をＸ及びＹに関して間欠的にそれ
ぞれ所定量移動させた位置で行って複数の微細露光パタ
ーン（８）を第２図に示すようにＸ及びＹ方向にそれぞ
れ複数個配列形成する。
（４）からの光を所要の光学レンズ系（５）を通じて、
目的とする露光パターン（８）の拡大光学像を有する原
画（６）いわゆるレクチルに照射しその光学像を縮小レ
ンズ系（７）によってフォトレジスト膜（２）上に縮小
照射して、フォトレジスト膜（２）に微細露光パターン
（８）を形成するものである。この露光は前述したよう
に移動ステージ（３）をＸ及びＹに関して間欠的にそれ
ぞれ所定量移動させた位置で行って複数の微細露光パタ
ーン（８）を第２図に示すようにＸ及びＹ方向にそれぞ
れ複数個配列形成する。
次いで、実際上はこのフォトレジスト膜（２）に対して
現像処理を施して微細露光パターン（８）の各露光部あ
るいは未露光部を除去してそれぞれ所要のパターンのレ
ジストパターンを形成する。
現像処理を施して微細露光パターン（８）の各露光部あ
るいは未露光部を除去してそれぞれ所要のパターンのレ
ジストパターンを形成する。
このフォトレジストパターンは、例えばエッチングレジ
ストとして用いられて、例えばウェファ（１）上に被着
形成されている金属層、あるいは拡散マスク層等に対す
る選択的エッチングを行って例えば電極ないしは配線パ
ターンあるいは拡散マスクパターンの形成に供する。
ストとして用いられて、例えばウェファ（１）上に被着
形成されている金属層、あるいは拡散マスク層等に対す
る選択的エッチングを行って例えば電極ないしは配線パ
ターンあるいは拡散マスクパターンの形成に供する。
上述したように、縮小投影露光法による場合、複数個の
露光パターンの形成を個々に行うものであるが、複数個
の露光パターンを同時に露光するいわゆる密着転写法に
比して多くの利点を有する。すなわち、密着転写法によ
る場合においては、レジスト膜（２）に対して全面的に
露光光学マスクを直接的に密着させ、露光処理をレジス
ト膜の全面にわたって同時に行う。ところが、この場
合、露光光学マスクとレジスト膜（２）との間に塵など
の異物が入るなど傷の発生が生じたり、露光光学マスク
の損傷が激しいために繰返し利用ができないとか、露光
光学マスクとレジスト膜とを全面にわたって完全密着し
がたいことから、パターンの転写精度が劣化するなどの
不都合を生じる。
露光パターンの形成を個々に行うものであるが、複数個
の露光パターンを同時に露光するいわゆる密着転写法に
比して多くの利点を有する。すなわち、密着転写法によ
る場合においては、レジスト膜（２）に対して全面的に
露光光学マスクを直接的に密着させ、露光処理をレジス
ト膜の全面にわたって同時に行う。ところが、この場
合、露光光学マスクとレジスト膜（２）との間に塵など
の異物が入るなど傷の発生が生じたり、露光光学マスク
の損傷が激しいために繰返し利用ができないとか、露光
光学マスクとレジスト膜とを全面にわたって完全密着し
がたいことから、パターンの転写精度が劣化するなどの
不都合を生じる。
上述した縮小投影露光法による場合においては、このよ
うな諸問題を解消することができるという利点を有す
る。
うな諸問題を解消することができるという利点を有す
る。
しかしながら、このような縮小投影露光法によってもフ
ォトレジストパターンの微細化に問題が生じて来てい
る。すなわち、この縮小投影露光法では、その解像度は
光の回折によって制限される。この場合の最小解像線幅
は、 で与えられることは知られているところである。但し、
ここでｋはパターン形成プロセスを考慮した比例定数で
一般にｋ＝0.8として与えており、λは露光波長、N.Aは
縮小投影レンズ系の開口数である。今例えばλ＝0.436
μm,N.A＝0.42である場合、その最小解像線幅は0.83μ
ｍとなる。
ォトレジストパターンの微細化に問題が生じて来てい
る。すなわち、この縮小投影露光法では、その解像度は
光の回折によって制限される。この場合の最小解像線幅
は、 で与えられることは知られているところである。但し、
ここでｋはパターン形成プロセスを考慮した比例定数で
一般にｋ＝0.8として与えており、λは露光波長、N.Aは
縮小投影レンズ系の開口数である。今例えばλ＝0.436
μm,N.A＝0.42である場合、その最小解像線幅は0.83μ
ｍとなる。
したがって、例えばこの縮小投影露光法によって最小解
像線幅より小さい、0.5μｍの線幅と間隔とを有するパ
ターン構成素子の配列によるパターン露光を行う場合、
その光回折によって露光部と非露光部の光強度のコント
ラストが不充分となり、鮮明なパターン構成素子の配列
によるパターン形成が行い難くなる。
像線幅より小さい、0.5μｍの線幅と間隔とを有するパ
ターン構成素子の配列によるパターン露光を行う場合、
その光回折によって露光部と非露光部の光強度のコント
ラストが不充分となり、鮮明なパターン構成素子の配列
によるパターン形成が行い難くなる。
そして、この最小解像線幅自体の縮小を図るには、前記
（１）式から明らかなように露光波長λを小にするか、
開口数N.Aを大とすることによる。ところが、実際上露
光波長λがあまり小さくなるとレンズにおける光吸収が
大となるとかフォトレジストの露光感度が低下するとか
の問題から、その波長λの低減化には制約があり、また
レンズ系の開口数N.Aについても制約があるので、その
最小解像線幅の充分な縮小化が図られず、現状で要求さ
れる例えば0.5μｍ幅及び間隔の微細パターンの形成等
の要求に充分対応できないという問題が生じている。
（１）式から明らかなように露光波長λを小にするか、
開口数N.Aを大とすることによる。ところが、実際上露
光波長λがあまり小さくなるとレンズにおける光吸収が
大となるとかフォトレジストの露光感度が低下するとか
の問題から、その波長λの低減化には制約があり、また
レンズ系の開口数N.Aについても制約があるので、その
最小解像線幅の充分な縮小化が図られず、現状で要求さ
れる例えば0.5μｍ幅及び間隔の微細パターンの形成等
の要求に充分対応できないという問題が生じている。
本発明は上述した縮小投影露光法によるフォトレジスト
パターンの形成において、その最小解像線幅の制約の問
題に対処して目的とするフォトレジストパターンの構成
素子の間隔がその最小解像線幅以下である微細フォトレ
ジストパターンといえどもその構成素子の形成を確実に
行うことができるようにする。
パターンの形成において、その最小解像線幅の制約の問
題に対処して目的とするフォトレジストパターンの構成
素子の間隔がその最小解像線幅以下である微細フォトレ
ジストパターンといえどもその構成素子の形成を確実に
行うことができるようにする。
本発明は縮小投影露光法によってフォトレジストパター
ンを形成するパターン形成方法のパターン露光におい
て、その目的とするフォトレジストパターンの構成素子
の間隔がその縮小投影露光における縮小投影レンズの開
口数N.Aや露光波長λによって決まる最小解像線幅以下
である場合において、そのフォトレジストに対する露光
パターンを上述の最小解像線幅より大なる間隔にある構
成素子の抽出による複数の露光パターンに分割し、これ
ら分割された各組のパターンについてそれぞれ縮小投影
露光を行ってひとつの微細露光パターンを形成する。
ンを形成するパターン形成方法のパターン露光におい
て、その目的とするフォトレジストパターンの構成素子
の間隔がその縮小投影露光における縮小投影レンズの開
口数N.Aや露光波長λによって決まる最小解像線幅以下
である場合において、そのフォトレジストに対する露光
パターンを上述の最小解像線幅より大なる間隔にある構
成素子の抽出による複数の露光パターンに分割し、これ
ら分割された各組のパターンについてそれぞれ縮小投影
露光を行ってひとつの微細露光パターンを形成する。
上述の本発明方法によれば、最小解像線幅以下のパター
ン間隔を有するフォトレジストパターンを形成するにも
拘わらず、各露光に関してはそれぞれ最小解像線幅以上
の大なる間隔をもったパターンとしてその露光を複数回
行って目的とするパターンを構成する全構成素子が配置
されたパターンの露光を行うようにしたので、コントラ
ストの低下が回避されて、鮮鋭度に優れた露光、したが
って鮮明な微細露光パターンの形成したがって鮮鋭度に
優れたフォトレジストパターンを形成することができる
ものである。
ン間隔を有するフォトレジストパターンを形成するにも
拘わらず、各露光に関してはそれぞれ最小解像線幅以上
の大なる間隔をもったパターンとしてその露光を複数回
行って目的とするパターンを構成する全構成素子が配置
されたパターンの露光を行うようにしたので、コントラ
ストの低下が回避されて、鮮鋭度に優れた露光、したが
って鮮明な微細露光パターンの形成したがって鮮鋭度に
優れたフォトレジストパターンを形成することができる
ものである。
本発明によるパターン形成方法、すなわちフォトレジス
トパターンの形成方法にあたっても、第１図で説明した
縮小投影露光法によるパターン形成方法により、微細露
光パターン（８）を形成し、移動ステージ（３）のＸ及
びＹ方向の間欠移行によって第２図に示すように共通の
レジスト膜（２）のＸ及びＹ方向に同一微細露光パター
ン（８）を配列形成する。しかしながら、本発明におい
ては、それぞれの微細露光パターン（８）の形成にあた
って、つまり１つの微細露光パターン（８）について複
数の露光工程をとる。
トパターンの形成方法にあたっても、第１図で説明した
縮小投影露光法によるパターン形成方法により、微細露
光パターン（８）を形成し、移動ステージ（３）のＸ及
びＹ方向の間欠移行によって第２図に示すように共通の
レジスト膜（２）のＸ及びＹ方向に同一微細露光パター
ン（８）を配列形成する。しかしながら、本発明におい
ては、それぞれの微細露光パターン（８）の形成にあた
って、つまり１つの微細露光パターン（８）について複
数の露光工程をとる。
今、例えば第３図に斜線を付してその露光部Ｓを示すよ
うに、目的とするパターン構成素子の間隔に相当する間
隔が最小解像線幅以下の間隔Ｄであって、目的とするパ
ターンの構成素子の間隔に相当する露光幅がＷであるス
トライプ状露光部Ｓが配列された露光パターン（８）を
フォトレジスト膜（２）上に露光する場合について説明
する。この場合第４図Ａ及びＢに示すように、目的とす
るパターンの構成素子（ストライプ）の１つ置きの構成
素子（ストライプ）を抽出したパターンに相当する露光
パターン、すなわちフォトレジスト膜（２）に対する第
３図で説明したストライプ状露光部Ｓの１つ置きをそれ
ぞれ抽出した第１及び第２の露光パターン（8A）及び
（8B）に分割し、これらを２回の露光によって重ね合せ
て露光することによって第３図に示す露光パターン
（８）をフォトレジスト膜（２）上に行う。この例では
第１及び第２の露光パターン（8A）及び（8B）が、それ
ぞれ幅Ｗを有する露光部Ｓが2D＋Ｗの間隔をもって配列
された実質的に同一のパターンであることから、パター
ン露光に当っては、第１図で説明した原画（６）とし
て、何れか一方の露光パターン（8A）または（8B）を形
成する拡大光学像を用いる。そして各１の露光パターン
（８）の形成に際し、それぞれ第１の露光作業と第２の
露光作業を行う。すなわち、第１の露光作業で原画
（６）によって、フォトレジスト膜（２）上に第１図で
説明した縮小投影光を行って第４図ＡまたはＢの露光パ
ターン（8A）または（8B）を形成し、その後露光部Ｓの
ストライプ方向と直交する方向にフォトレジスト膜
（２）上で露光パターンが間隔（Ｗ＋Ｄ）分だけ移動す
るようにステージ（３）を移動させて第２の露光作業を
行う。
うに、目的とするパターン構成素子の間隔に相当する間
隔が最小解像線幅以下の間隔Ｄであって、目的とするパ
ターンの構成素子の間隔に相当する露光幅がＷであるス
トライプ状露光部Ｓが配列された露光パターン（８）を
フォトレジスト膜（２）上に露光する場合について説明
する。この場合第４図Ａ及びＢに示すように、目的とす
るパターンの構成素子（ストライプ）の１つ置きの構成
素子（ストライプ）を抽出したパターンに相当する露光
パターン、すなわちフォトレジスト膜（２）に対する第
３図で説明したストライプ状露光部Ｓの１つ置きをそれ
ぞれ抽出した第１及び第２の露光パターン（8A）及び
（8B）に分割し、これらを２回の露光によって重ね合せ
て露光することによって第３図に示す露光パターン
（８）をフォトレジスト膜（２）上に行う。この例では
第１及び第２の露光パターン（8A）及び（8B）が、それ
ぞれ幅Ｗを有する露光部Ｓが2D＋Ｗの間隔をもって配列
された実質的に同一のパターンであることから、パター
ン露光に当っては、第１図で説明した原画（６）とし
て、何れか一方の露光パターン（8A）または（8B）を形
成する拡大光学像を用いる。そして各１の露光パターン
（８）の形成に際し、それぞれ第１の露光作業と第２の
露光作業を行う。すなわち、第１の露光作業で原画
（６）によって、フォトレジスト膜（２）上に第１図で
説明した縮小投影光を行って第４図ＡまたはＢの露光パ
ターン（8A）または（8B）を形成し、その後露光部Ｓの
ストライプ方向と直交する方向にフォトレジスト膜
（２）上で露光パターンが間隔（Ｗ＋Ｄ）分だけ移動す
るようにステージ（３）を移動させて第２の露光作業を
行う。
このようにすれば、第１及び第２の露光作業によって第
３図の目的とする露光パターン（８）が得られる。この
ようにして、各露光パターン（８）を、ステージ（３）
のＸ及びＹ方向への各間欠的移行位置で行えば、第２図
に示したようにＸ及びＹ方向にそれぞれ複数の露光パタ
ーン（８）が配列形成される。
３図の目的とする露光パターン（８）が得られる。この
ようにして、各露光パターン（８）を、ステージ（３）
のＸ及びＹ方向への各間欠的移行位置で行えば、第２図
に示したようにＸ及びＹ方向にそれぞれ複数の露光パタ
ーン（８）が配列形成される。
このようにして露光パターン（８）が形成されたフォト
レジスト膜（２）に対して現像処理を行えば目的とする
レジストパターンの形成を行うことができる。
レジスト膜（２）に対して現像処理を行えば目的とする
レジストパターンの形成を行うことができる。
このような方法によれば露光パターン（８）の幅Ｗ及び
間隔Ｄが縮小投影露光において決まる最小解像線幅より
小なる場合においても、第１及び第２の各露光作業での
露光パターン（8A）及び（8B）は第４図Ａ及びＢに示し
たようにその間隔が（2D＋Ｗ）なる間隔のパターン露光
となるので、この（2D＋Ｗ）が縮小投影露光における最
小解像線幅より大なる間隔であれば、第１及び第２の各
露光作業でコントラストの高い露光を行うことができ
る。
間隔Ｄが縮小投影露光において決まる最小解像線幅より
小なる場合においても、第１及び第２の各露光作業での
露光パターン（8A）及び（8B）は第４図Ａ及びＢに示し
たようにその間隔が（2D＋Ｗ）なる間隔のパターン露光
となるので、この（2D＋Ｗ）が縮小投影露光における最
小解像線幅より大なる間隔であれば、第１及び第２の各
露光作業でコントラストの高い露光を行うことができ
る。
更に、これについて説明すると、今上述の第１及び第２
の各露光作業におけるフォトレジスト面でのストライプ
露光部Ｓと直交する方向の露光強度分布は、第５図に示
すように幅Ｗの中心部にピークを有し、このピーク部分
が（2D＋Ｗ）のピッチをもって配列された分布となる。
この場合そのピッチ、すなわち露光間隔（2D＋Ｗ）が最
小解像線幅以上の間隔であれば、光の回折による、露光
部相互の干渉作用が小となることから各露光のピークが
急峻となりそのコントラストすなわち露光のピーク値Im
axと最小値Iminによって決まるコントラストＣ、 が大となる。すなわち例えば第６図に示すように、最終
的に得る露光パターン（８）に対応して最小解像線幅よ
り小なる間隔のＤをもってパターン露光を行った場合、
相互の干渉によってImaxとIminの差は小となり露光分布
の波形がなまるのでそのコントラストＣは小さくなる。
したがって、第６図のような露光によって形成したフォ
トレジストパターンはパターンの切れの悪い鮮鋭度が低
いパターンとなるか、あるいは実質的にフォトレジスト
パターンの微細パターンが形成不能となる。
の各露光作業におけるフォトレジスト面でのストライプ
露光部Ｓと直交する方向の露光強度分布は、第５図に示
すように幅Ｗの中心部にピークを有し、このピーク部分
が（2D＋Ｗ）のピッチをもって配列された分布となる。
この場合そのピッチ、すなわち露光間隔（2D＋Ｗ）が最
小解像線幅以上の間隔であれば、光の回折による、露光
部相互の干渉作用が小となることから各露光のピークが
急峻となりそのコントラストすなわち露光のピーク値Im
axと最小値Iminによって決まるコントラストＣ、 が大となる。すなわち例えば第６図に示すように、最終
的に得る露光パターン（８）に対応して最小解像線幅よ
り小なる間隔のＤをもってパターン露光を行った場合、
相互の干渉によってImaxとIminの差は小となり露光分布
の波形がなまるのでそのコントラストＣは小さくなる。
したがって、第６図のような露光によって形成したフォ
トレジストパターンはパターンの切れの悪い鮮鋭度が低
いパターンとなるか、あるいは実質的にフォトレジスト
パターンの微細パターンが形成不能となる。
つまり、例えばＷ＝0.5μm,D＝0.5μｍの露光パターン
（８）の露光を行う場合、その周期は1.0μｍであるの
に対し本発明によれば、第１及び第２の各露光での露光
間隔（2D＋Ｗ）＝1.5μｍとなるのでその周期は従来の
１回露光の場合の２倍の2.0μｍとなり、パターンの密
度が小さくなることによってコントラストが向上するも
のであり、このことは縮小投影レンズをフーリエ光学的
に考えたとき空間周波数に対してその透過率が単調に減
少する低帯域フィルターと見做すことができることから
も推測できるところである。
（８）の露光を行う場合、その周期は1.0μｍであるの
に対し本発明によれば、第１及び第２の各露光での露光
間隔（2D＋Ｗ）＝1.5μｍとなるのでその周期は従来の
１回露光の場合の２倍の2.0μｍとなり、パターンの密
度が小さくなることによってコントラストが向上するも
のであり、このことは縮小投影レンズをフーリエ光学的
に考えたとき空間周波数に対してその透過率が単調に減
少する低帯域フィルターと見做すことができることから
も推測できるところである。
上述したように本発明方法によれば露光パターンのコン
トラストを高めることができるが更に光強度コントラス
ト増幅効果を有するプロセスを組合せて、より高いコン
トラストを得るようにすることもできる。
トラストを高めることができるが更に光強度コントラス
ト増幅効果を有するプロセスを組合せて、より高いコン
トラストを得るようにすることもできる。
尚、上述した例では、第１及び第２の２回の露光に分割
してパターン形成を行うようにした場合であるが、２回
より多い複数回に分割してその露光を行うこともでき
る。
してパターン形成を行うようにした場合であるが、２回
より多い複数回に分割してその露光を行うこともでき
る。
上述したように本発明方法によれば、最小解像線幅より
小さいパターン間隔の微細パターンといえども高コント
ラストをもって露光処理ができるので鮮鋭度に優れた縮
小投影露光による微細パターンの形成を可能にするもの
である。
小さいパターン間隔の微細パターンといえども高コント
ラストをもって露光処理ができるので鮮鋭度に優れた縮
小投影露光による微細パターンの形成を可能にするもの
である。
尚、本発明によれば、複数の露光例えば第１及び第２の
露光を行うもので、そのパターンによっては、実施例に
おけるように両露光を実質的に同一のパターン（8A）
（8B）をもってフォトレジスト膜（２）とこれに対する
投影光学像、すなわち原画（６）との相対的位置を移動
ステージ（３）によって移動させてその各縮小投影露光
を行うことになるものであるが、実際上冒頭に述べたよ
うに移動ステージ（３）の移動精度は、±0.02μｍとい
う高精度のものであるのでこの相対的移動によって精度
の低下が生じることのおそれはない。
露光を行うもので、そのパターンによっては、実施例に
おけるように両露光を実質的に同一のパターン（8A）
（8B）をもってフォトレジスト膜（２）とこれに対する
投影光学像、すなわち原画（６）との相対的位置を移動
ステージ（３）によって移動させてその各縮小投影露光
を行うことになるものであるが、実際上冒頭に述べたよ
うに移動ステージ（３）の移動精度は、±0.02μｍとい
う高精度のものであるのでこの相対的移動によって精度
の低下が生じることのおそれはない。
第１図は縮小投影露光法の説明図、第２図はレジスト膜
の露光パターンの配置態様の一例を示す平面図、第３図
は露光パターンの一例の平面図、第４図Ａ及びＢは第１
及び第２の露光パターン図、第５図は本発明による露光
強度分布図、第６図は従来方法の露光強度分布図であ
る。 （１）はウェファ、（２）はフォトレジスト膜、（３）
は移動ステージ、（４）は光源、（５）は光学系、
（６）は原画、（８）は微細露光パターン、（8A）及び
（8B）は第１及び第２の露光パターンである。
の露光パターンの配置態様の一例を示す平面図、第３図
は露光パターンの一例の平面図、第４図Ａ及びＢは第１
及び第２の露光パターン図、第５図は本発明による露光
強度分布図、第６図は従来方法の露光強度分布図であ
る。 （１）はウェファ、（２）はフォトレジスト膜、（３）
は移動ステージ、（４）は光源、（５）は光学系、
（６）は原画、（８）は微細露光パターン、（8A）及び
（8B）は第１及び第２の露光パターンである。
Claims (1)
- 【請求項１】縮小投影露光法によりフォトレジストに対
して、目的とするフォトレジストパターンの構成素子の
間隔が上記縮小投影露光法の最小解像線幅以下であるパ
ターンを形成するパターン形成方法において、 上記フォトレジストに対する露光パターンを、上記構成
素子のうち上記最小解像線幅より大なる間隔にある構成
素子の抽出による複数の露光パターンに分割し、該分割
させた各組のパターンについてそれぞれ縮小投影露光を
行ってフォトレジストパターンを形成するようにしたこ
とを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203151A JPH0787174B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203151A JPH0787174B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358825A JPS6358825A (ja) | 1988-03-14 |
| JPH0787174B2 true JPH0787174B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=16469270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61203151A Expired - Lifetime JPH0787174B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787174B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2940553B2 (ja) * | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| US5739898A (en) * | 1993-02-03 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2002134394A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多重露光方法及び多重露光装置 |
| JP4952420B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2012-06-13 | 大日本印刷株式会社 | 多重露光技術用フォトマスクの設計パタン検証方法 |
| US20100200996A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | Arm Limited | Structural feature formation within an integrated circuit |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116625A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Exposure of fine pattern |
| JPS56160039A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-09 | Canon Inc | Printing device |
| JPS5825234A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6015928A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| US4568631A (en) * | 1984-04-30 | 1986-02-04 | International Business Machines Corporation | Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone |
| JPS61102738A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Fujitsu Ltd | レジスト膜パタ−ンの形成方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61203151A patent/JPH0787174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358825A (ja) | 1988-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |