JPH0787189B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0787189B2 JPH0787189B2 JP2011341A JP1134190A JPH0787189B2 JP H0787189 B2 JPH0787189 B2 JP H0787189B2 JP 2011341 A JP2011341 A JP 2011341A JP 1134190 A JP1134190 A JP 1134190A JP H0787189 B2 JPH0787189 B2 JP H0787189B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/064—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the conductivity of conductive parts, e.g. by alloying
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- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
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- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
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- Y10S148/015—Capping layer
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超LSIに用いられる金属配線の腐食を抑える
ための半導体装置の製造方法に関するものである。
ための半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術 第５図に従来の方法による半導体装置の製造工程図を示
す。第５図（ａ）では、シリコン基板１内に所望の半導
体装置を形成した後、シリコン基板１上に酸化膜２を形
成する。第５図（ｂ）では、酸化膜２上に数％のシリコ
ンと銅を含むアルミ合金膜３を堆積する。アルミ合金膜
３を堆積すると表面に薄い不均一な酸化膜（不動態層）
４が形成される。その後、発煙硝酸で洗い、水洗、乾燥
を行なう。第５図（ｃ）では、この後、フォトリソグラ
フィの技術を用いてアルミ合金膜３上に配線パターン６
を形成し、アルミ合金膜３をドライエッチングしてアル
ミ配線3aを形成する。第５図（ｄ）では、アルミ配線3a
上に残ったレジスト６を酸素プラズマを用いてアッシン
グし、発煙硝酸を用いて有機残渣物を除去する。
す。第５図（ａ）では、シリコン基板１内に所望の半導
体装置を形成した後、シリコン基板１上に酸化膜２を形
成する。第５図（ｂ）では、酸化膜２上に数％のシリコ
ンと銅を含むアルミ合金膜３を堆積する。アルミ合金膜
３を堆積すると表面に薄い不均一な酸化膜（不動態層）
４が形成される。その後、発煙硝酸で洗い、水洗、乾燥
を行なう。第５図（ｃ）では、この後、フォトリソグラ
フィの技術を用いてアルミ合金膜３上に配線パターン６
を形成し、アルミ合金膜３をドライエッチングしてアル
ミ配線3aを形成する。第５図（ｄ）では、アルミ配線3a
上に残ったレジスト６を酸素プラズマを用いてアッシン
グし、発煙硝酸を用いて有機残渣物を除去する。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の方法ではアルミ合金膜を堆積すると表面
に薄い酸化膜（不動態）が形成されるが、それが不均一
に形成されるため、その後の発煙硝酸を用いた洗浄では
第５図（ａ）中の矢印Ａ及び第５図（ｄ）中の矢印Ｂに
おける腐食により小さな穴（食孔）が形成される。ま
た、本発明者等の研究により食孔は発煙硝酸中では発生
せずその後の水洗中で発生することがわかった。異種金
属を含んだアルミ系合金膜は洗浄中に異種金属間の電池
効果により腐食が発生しやすくアルミ系合金配線の欠損
につながる。
に薄い酸化膜（不動態）が形成されるが、それが不均一
に形成されるため、その後の発煙硝酸を用いた洗浄では
第５図（ａ）中の矢印Ａ及び第５図（ｄ）中の矢印Ｂに
おける腐食により小さな穴（食孔）が形成される。ま
た、本発明者等の研究により食孔は発煙硝酸中では発生
せずその後の水洗中で発生することがわかった。異種金
属を含んだアルミ系合金膜は洗浄中に異種金属間の電池
効果により腐食が発生しやすくアルミ系合金配線の欠損
につながる。
本発明は、かかる点に鑑み、アルミ系合金膜の表面を改
質し洗浄による腐食発生を抑えるための半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
質し洗浄による腐食発生を抑えるための半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は異種金属を含むアルミ系合金配線膜を形成後洗
浄する前に、酸素ガスのプラズマによるアルミ系合金膜
の表面処理を行う半導体装置の製造方法である。また本
発明はプラズマ発生用ガスとして酸素と少なくとも窒素
を含むガス種を使用する。さらに本発明はプラズマの表
面処理を基板温度100℃〜300℃で行なう。
浄する前に、酸素ガスのプラズマによるアルミ系合金膜
の表面処理を行う半導体装置の製造方法である。また本
発明はプラズマ発生用ガスとして酸素と少なくとも窒素
を含むガス種を使用する。さらに本発明はプラズマの表
面処理を基板温度100℃〜300℃で行なう。
作用 本発明は、上述の構成により、酸素系ガスによるプラズ
マを用いて表面を強制的に酸化（不動態化）することに
より、アルミ系合金配線膜形成時に形成される酸化膜の
欠陥を減少させ、腐食に対して強くすることができる。
また、窒素及び基板温度の効果の物理的理由は不明であ
るが、表面の耐腐食性を向上させることができる。
マを用いて表面を強制的に酸化（不動態化）することに
より、アルミ系合金配線膜形成時に形成される酸化膜の
欠陥を減少させ、腐食に対して強くすることができる。
また、窒素及び基板温度の効果の物理的理由は不明であ
るが、表面の耐腐食性を向上させることができる。
実施例 （実施例１） 第１図は本実施例で用いた半導体装置の製造工程図であ
る。第１図（ａ）では、シリコン基板１内に所望の半導
体装置、例えばMOSトランジスタを形成した後、シリコ
ン基板１上にシリコン酸化膜２を700nm形成する。第１
図（ｂ）では、酸化膜２上に数％のシリコンと銅を含む
アルミ合金膜３をマグネトロンスパッタ法を用いて800n
m堆積する。アルミ合金膜３を堆積すると表面に薄い不
均一な酸化膜（不動態層）４が形成される。
る。第１図（ａ）では、シリコン基板１内に所望の半導
体装置、例えばMOSトランジスタを形成した後、シリコ
ン基板１上にシリコン酸化膜２を700nm形成する。第１
図（ｂ）では、酸化膜２上に数％のシリコンと銅を含む
アルミ合金膜３をマグネトロンスパッタ法を用いて800n
m堆積する。アルミ合金膜３を堆積すると表面に薄い不
均一な酸化膜（不動態層）４が形成される。
第１図（ｃ）では、酸素系ガスによるプラズマ処理をダ
ウンストリーム型の装置を使用して行った。酸素系ガス
によるプラズマ処理は、基板温度200℃、酸素とN2Oを1
2:1の割合で混合し、圧力532Paで100秒間行なった。こ
の処理により不均一な不動態層４を均一な不動態層５に
替えた。この均一な不動態層５は洗浄時の腐食に対して
強い。その後、この膜を濃度98％の発煙硝酸の溶液に10
分間つけて有機物を除去し、その後20分間のQDR（quick
dump rince）水洗を行なう。QDR水洗とは純水をある時
間オーバーフローさせて、その後水洗槽に付いているバ
ルブを開けて中の水を一気に排水する水洗方法のこと
で、これを繰り返すことにより純水の比抵抗を速く回復
させることができる。その後乾燥を行なう。この洗浄時
にはアルミ系合金膜３の腐食は起こらない。
ウンストリーム型の装置を使用して行った。酸素系ガス
によるプラズマ処理は、基板温度200℃、酸素とN2Oを1
2:1の割合で混合し、圧力532Paで100秒間行なった。こ
の処理により不均一な不動態層４を均一な不動態層５に
替えた。この均一な不動態層５は洗浄時の腐食に対して
強い。その後、この膜を濃度98％の発煙硝酸の溶液に10
分間つけて有機物を除去し、その後20分間のQDR（quick
dump rince）水洗を行なう。QDR水洗とは純水をある時
間オーバーフローさせて、その後水洗槽に付いているバ
ルブを開けて中の水を一気に排水する水洗方法のこと
で、これを繰り返すことにより純水の比抵抗を速く回復
させることができる。その後乾燥を行なう。この洗浄時
にはアルミ系合金膜３の腐食は起こらない。
第１図（ｄ）では、フォトリソグラフィの技術を用いて
アルミ合金膜３上に配線パターン６を形成し、アルミ合
金膜３を塩素系ガスを用いてドライエッチングしアルミ
配線3aを形成する。第１図（ｅ）では、アルミ配線3a上
に残ったレジスト６を酸素プラズマを用いてアッシング
し、もう一度同一条件で酸素系ガスによるプラズマ処理
をダインストリーム型の装置を使用して行い、アルミ配
線3aの側面に均一な不動態膜７を形成した。その後発煙
硝酸を用いて有機残渣物を除去する。この洗浄時にもア
ルミ配線3aの腐食は起こらない。
アルミ合金膜３上に配線パターン６を形成し、アルミ合
金膜３を塩素系ガスを用いてドライエッチングしアルミ
配線3aを形成する。第１図（ｅ）では、アルミ配線3a上
に残ったレジスト６を酸素プラズマを用いてアッシング
し、もう一度同一条件で酸素系ガスによるプラズマ処理
をダインストリーム型の装置を使用して行い、アルミ配
線3aの側面に均一な不動態膜７を形成した。その後発煙
硝酸を用いて有機残渣物を除去する。この洗浄時にもア
ルミ配線3aの腐食は起こらない。
従来の方法により作成したアルミ系合金膜の洗浄後の表
面暗視野像と、本実施例での洗浄後の膜表面の暗視野像
を比較すると、従来の方法でははっきりと食孔（白い輝
点）が見られるのに対して本実施例の方法では腐食はみ
られない。このように発煙硝酸洗浄の工程を行なう前に
酸素系ガスによるプラズマ処理を行ない、完全に不動態
化させることにより、腐食を減少させることができる。
面暗視野像と、本実施例での洗浄後の膜表面の暗視野像
を比較すると、従来の方法でははっきりと食孔（白い輝
点）が見られるのに対して本実施例の方法では腐食はみ
られない。このように発煙硝酸洗浄の工程を行なう前に
酸素系ガスによるプラズマ処理を行ない、完全に不動態
化させることにより、腐食を減少させることができる。
第２図はアルミ系合金膜をフォトリソグラフィおよびド
ライエッチング技術を用いて0.8μｍの配線パターンを
形成し、ウエハ内の断線不良による歩留りを洗浄回数で
プロットしたものである。
ライエッチング技術を用いて0.8μｍの配線パターンを
形成し、ウエハ内の断線不良による歩留りを洗浄回数で
プロットしたものである。
酸素系ガスによるプラズマ処理の効果を確かめるため
に、酸素系ガスによるプラズマ処理＋発煙硝酸洗浄を３
回繰り返して酸素系ガスによるプラズマ処理をせずに発
煙硝酸洗浄を繰り返したウエハと比較した。酸素プラズ
マ処理を施した本実施例では初期の歩留りのままである
が、酸素プラズマ処理をしなかった従来例では歩留りが
３回目で急激に約25％まで低下した。第３図は酸素系ガ
スによるプラズマ処理をしなかったウエハのSEM（電子
顕微鏡）写真を示す表面図である。配線の一部が発煙硝
酸洗浄によりＶ字状に欠けたアルミ欠損20が観察され、
最後には断線し歩留り低下の原因になる。一方、本実施
例では均一な不動態層5,7のためアルミ欠損20が観察さ
れず、歩留まりは初期歩留まりのままで非常に高い。以
上のように本実施例によれば、酸素系ガスによるプラズ
マ処理により洗浄によるアルミ欠損を防ぐとができる。
に、酸素系ガスによるプラズマ処理＋発煙硝酸洗浄を３
回繰り返して酸素系ガスによるプラズマ処理をせずに発
煙硝酸洗浄を繰り返したウエハと比較した。酸素プラズ
マ処理を施した本実施例では初期の歩留りのままである
が、酸素プラズマ処理をしなかった従来例では歩留りが
３回目で急激に約25％まで低下した。第３図は酸素系ガ
スによるプラズマ処理をしなかったウエハのSEM（電子
顕微鏡）写真を示す表面図である。配線の一部が発煙硝
酸洗浄によりＶ字状に欠けたアルミ欠損20が観察され、
最後には断線し歩留り低下の原因になる。一方、本実施
例では均一な不動態層5,7のためアルミ欠損20が観察さ
れず、歩留まりは初期歩留まりのままで非常に高い。以
上のように本実施例によれば、酸素系ガスによるプラズ
マ処理により洗浄によるアルミ欠損を防ぐとができる。
（実施例２） 第１図と同様の工程で処理を行い、実施例１では処理ガ
スとして酸素とN2Oを用いたが、本実施例では酸素だけ
で表面処理を行った。酸素系ガスによるプラズマ処理は
基板温度60℃〜140℃で、圧力を0.3Torr〜0.7Tprr、酸
素ガス流量を100sccm〜600sccmの範囲で変化させ、処理
時間５分で行なった。
スとして酸素とN2Oを用いたが、本実施例では酸素だけ
で表面処理を行った。酸素系ガスによるプラズマ処理は
基板温度60℃〜140℃で、圧力を0.3Torr〜0.7Tprr、酸
素ガス流量を100sccm〜600sccmの範囲で変化させ、処理
時間５分で行なった。
第４図は酸素系ガスによるプラズマ処理の処理条件と発
煙硝酸洗浄後の面積360μm2中の平均腐食孔数の一覧表
である。腐食孔数はウエハ内３点の平均であり、腐食を
意図的に捜しているため、個数が１個とあるところは腐
食が無いとみて差し支えない。基板温度が高いほど腐食
に対する効果が高いが、圧力、流量にはほとんど依存し
ていない（第４図（ａ），（ｂ））。しかし、酸素系ガ
スによるプラズマ処理をしないものに比べて格段の差が
ある（第４図（ｃ））。
煙硝酸洗浄後の面積360μm2中の平均腐食孔数の一覧表
である。腐食孔数はウエハ内３点の平均であり、腐食を
意図的に捜しているため、個数が１個とあるところは腐
食が無いとみて差し支えない。基板温度が高いほど腐食
に対する効果が高いが、圧力、流量にはほとんど依存し
ていない（第４図（ａ），（ｂ））。しかし、酸素系ガ
スによるプラズマ処理をしないものに比べて格段の差が
ある（第４図（ｃ））。
以上のように本実施例によれば基板温度を100℃以上に
することにより腐食に対する効果がある。また、基板温
度が高いとドライエッチ後の残留塩素を飛ばすこともで
きる。さらに、基板温度が300℃では腐食はみられない
もののヒロックらしきものがみられ、表面モフォロジを
変化させ、上層配線との短絡を発生するため使用できな
いことがわかった。つまりプラズマの表面処理を基板温
度100℃〜300℃で行なうことが望ましい。
することにより腐食に対する効果がある。また、基板温
度が高いとドライエッチ後の残留塩素を飛ばすこともで
きる。さらに、基板温度が300℃では腐食はみられない
もののヒロックらしきものがみられ、表面モフォロジを
変化させ、上層配線との短絡を発生するため使用できな
いことがわかった。つまりプラズマの表面処理を基板温
度100℃〜300℃で行なうことが望ましい。
なお、本発明ではダウンストリーム型のプラズマ発生装
置を用いたが、酸素プラズマが得られれば、他のタイプ
の装置でも同様の効果が得られる。また、本実施例では
異種金属として銅を用いたが、パラジユウム、チタン等
の異種金属並びにそれらを混合した異種金属に対しても
同様の効果が期待できる。
置を用いたが、酸素プラズマが得られれば、他のタイプ
の装置でも同様の効果が得られる。また、本実施例では
異種金属として銅を用いたが、パラジユウム、チタン等
の異種金属並びにそれらを混合した異種金属に対しても
同様の効果が期待できる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、異種金属を含ん
だアルミ合金膜を腐食なく安定的に配線を形成でき、そ
の実用的効果は大きい。
だアルミ合金膜を腐食なく安定的に配線を形成でき、そ
の実用的効果は大きい。
第１図は本発明の実施例１における半導体装置の製造工
程図、第２図は本発明により作成した配線の歩留り推移
図、第３図はアルミ配線欠損の表面図、第４図は本発明
の実施例２における処理条件と腐食数の一覧を示した
図、第５図は従来の方法による半導体装置の製造工程図
である。 １……シリコン基板、２……酸化膜、３……銅を含むア
ルミ合金膜、４……不均一な不動態膜、5,7……均一な
不動態膜。
程図、第２図は本発明により作成した配線の歩留り推移
図、第３図はアルミ配線欠損の表面図、第４図は本発明
の実施例２における処理条件と腐食数の一覧を示した
図、第５図は従来の方法による半導体装置の製造工程図
である。 １……シリコン基板、２……酸化膜、３……銅を含むア
ルミ合金膜、４……不均一な不動態膜、5,7……均一な
不動態膜。
Claims (3)
- 【請求項１】基板の表面上に異種金属を含むアルミ系合
金配線膜を形成する工程と、このアルミ系合金配線膜を
酸素ガスのプラズマにより表面処理する工程と、その後
前記基板を洗浄する工程とを備えた半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】プラズマ発生用ガスとして酸素と少なくと
も窒素を含むガス種を使用することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】プラズマの表面処理を基板温度100℃〜300
℃で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011341A JPH0787189B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/642,474 US5134093A (en) | 1990-01-19 | 1991-01-17 | Method of fabricating a semiconductor device including a protective layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011341A JPH0787189B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8206777A Division JPH098043A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214729A JPH03214729A (ja) | 1991-09-19 |
| JPH0787189B2 true JPH0787189B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=11775333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011341A Expired - Lifetime JPH0787189B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5134093A (ja) |
| JP (1) | JPH0787189B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| US5204285A (en) * | 1989-12-01 | 1993-04-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for patterning a metal layer |
| JP2794678B2 (ja) | 1991-08-26 | 1998-09-10 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 |
| KR960001611B1 (ko) | 1991-03-06 | 1996-02-02 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 | 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법 |
| USRE36314E (en) * | 1991-03-06 | 1999-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices having a LDD region and an anodic oxide film of a gate electrode |
| JP2717237B2 (ja) | 1991-05-16 | 1998-02-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 |
| US6624450B1 (en) | 1992-03-27 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US5462892A (en) * | 1992-06-22 | 1995-10-31 | Vlsi Technology, Inc. | Semiconductor processing method for preventing corrosion of metal film connections |
| US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
| TW297142B (ja) * | 1993-09-20 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| KR0163526B1 (ko) * | 1995-05-17 | 1999-02-01 | 김광호 | 자외선/오존을 조사하여 접속패드에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법 |
| US5674357A (en) * | 1995-08-30 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor substrate cleaning process |
| US6370502B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-04-09 | America Online, Inc. | Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec |
| US6682659B1 (en) * | 1999-11-08 | 2004-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming corrosion inhibited conductor layer |
| CA2525205C (en) * | 2004-11-08 | 2013-06-25 | Ecolab Inc. | Foam cleaning and brightening composition, and methods |
| CN105489670A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-13 | 何晨旭 | 晶硅太阳能电池表面钝化用氧化铝浆料和钝化膜制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3585461A (en) * | 1968-02-19 | 1971-06-15 | Westinghouse Electric Corp | High reliability semiconductive devices and integrated circuits |
| DE2621956A1 (de) * | 1975-05-19 | 1976-12-02 | Nat Semiconductor Corp | Verfahren zur passivierung einer aluminiumschicht auf einem halbleiter- schaltungsbaustein |
| JPS56133847A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-20 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Metal processing |
| US4351696A (en) * | 1981-10-28 | 1982-09-28 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Corrosion inhibition of aluminum or aluminum alloy film utilizing bromine-containing plasma |
| US4412885A (en) * | 1982-11-03 | 1983-11-01 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of aluminum and aluminum alloys |
| US4561168A (en) * | 1982-11-22 | 1985-12-31 | Siliconix Incorporated | Method of making shadow isolated metal DMOS FET device |
| JPS59178681A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| US4592800A (en) * | 1984-11-02 | 1986-06-03 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method of inhibiting corrosion after aluminum etching |
| JPH0788570B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1995-09-27 | 昭和電工株式会社 | 透明性アルミナ膜の生成方法 |
| US4997746A (en) * | 1988-11-22 | 1991-03-05 | Greco Nancy A | Method of forming conductive lines and studs |
-
1990
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-
1991
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| Publication number | Publication date |
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