JPH078840B2 - フッ素化生成物の処理方法 - Google Patents
フッ素化生成物の処理方法Info
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- JPH078840B2 JPH078840B2 JP18370488A JP18370488A JPH078840B2 JP H078840 B2 JPH078840 B2 JP H078840B2 JP 18370488 A JP18370488 A JP 18370488A JP 18370488 A JP18370488 A JP 18370488A JP H078840 B2 JPH078840 B2 JP H078840B2
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- Japan
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- hydrogen fluoride
- fluorinated product
- fluorination
- perfluorotrialkylamine
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トリアルキルアミンのフツ素化により得られ
たパーフルオロトリアルキルアミンを含むフツ素化生成
物を特定の温度で加熱処理することによってフツ化水素
の発生の少ないパーフルオロトリアルキルアミンを得る
方法に関する。
たパーフルオロトリアルキルアミンを含むフツ素化生成
物を特定の温度で加熱処理することによってフツ化水素
の発生の少ないパーフルオロトリアルキルアミンを得る
方法に関する。
トリアルキルアミンのフツ素化により得られたパーフル
オロトリアルキルアミンは、化学的に安定であり、熱伝
導性が高く、不燃性であり、また無毒であるため、電子
部品信頼性テスト用媒体，電子機器の直接冷却の為の媒
体，気相ハンダ付け用熱媒体等として利用されている。
しかしながら、パーフルオロトリアルキルアミンを気相
ハンダ付け用熱媒体等として用いるためにその沸点まで
加熱して気化させるか、又は紫外線を照射すると、フツ
化水素が発生するという問題があった。加熱した場合の
フツ化水素の発生量は加熱初期に多く、その後、徐々に
減少するが、ある程度まで減少すると沸点での加熱を長
時間行なっても最早それ以上は減少しない。フツ化水素
は腐食性が高いために極わずか発生しても電子部品の損
傷や装置材質の腐食の原因となるため、フツ化水素の発
生しないパーフルオロトリアルキルアミンが求められて
いた。
オロトリアルキルアミンは、化学的に安定であり、熱伝
導性が高く、不燃性であり、また無毒であるため、電子
部品信頼性テスト用媒体，電子機器の直接冷却の為の媒
体，気相ハンダ付け用熱媒体等として利用されている。
しかしながら、パーフルオロトリアルキルアミンを気相
ハンダ付け用熱媒体等として用いるためにその沸点まで
加熱して気化させるか、又は紫外線を照射すると、フツ
化水素が発生するという問題があった。加熱した場合の
フツ化水素の発生量は加熱初期に多く、その後、徐々に
減少するが、ある程度まで減少すると沸点での加熱を長
時間行なっても最早それ以上は減少しない。フツ化水素
は腐食性が高いために極わずか発生しても電子部品の損
傷や装置材質の腐食の原因となるため、フツ化水素の発
生しないパーフルオロトリアルキルアミンが求められて
いた。
そこで、本発明者らは、沸点まで加熱してもフツ化水素
が発生せず、気相ハンダ付け用熱媒体等として好適に使
用し得るパーフルオロトリアルキルアミンを得ることを
目的として鋭意研究を続けてきた。その結果、トリアル
キルアミンのフツ素化で得られたフツ素化生成物を特定
の温度範囲で加熱処理することによって上記の目的を達
成し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
が発生せず、気相ハンダ付け用熱媒体等として好適に使
用し得るパーフルオロトリアルキルアミンを得ることを
目的として鋭意研究を続けてきた。その結果、トリアル
キルアミンのフツ素化で得られたフツ素化生成物を特定
の温度範囲で加熱処理することによって上記の目的を達
成し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、トリアルキルアミンのフツ素化により
得られたパーフルオロトリアルキルアミンを含むフツ素
化生成物を、次式 を満足する温度に加熱することを特徴とするフツ素化生
成物の処理方法である。
得られたパーフルオロトリアルキルアミンを含むフツ素
化生成物を、次式 を満足する温度に加熱することを特徴とするフツ素化生
成物の処理方法である。
本発明で使用し得るトリアルキルアミンは、公知のもの
が何ら制限なく使用し得る。一般にフツ素化によって得
られるパーフルオロトリアルキルアミンを電子機器の直
接冷却の為の媒体や気相ハンダ付け用熱媒体等として用
いる場合には沸点を適当な値とするために、トリアルキ
ルアミンの炭素数は４〜21,さらに９〜18であることが
好ましい。本発明に於いて好適に用いられるトリアルキ
ルアミンを具体的に示すと、例えば、トリプロピルアミ
ン，ジプロピルブチルアミン，プロピルジブチルアミ
ン，トリブチルアミン，ジブチルペンチルアミン，ブチ
ルジペンチルアミン，ジブチルエチルアミン，トリペン
チルアミン，ジペンチルヘキシルアミン，ペンチルジヘ
キシルアミン，ジペンチルメチルアミン，トリヘキシル
アミン等である。
が何ら制限なく使用し得る。一般にフツ素化によって得
られるパーフルオロトリアルキルアミンを電子機器の直
接冷却の為の媒体や気相ハンダ付け用熱媒体等として用
いる場合には沸点を適当な値とするために、トリアルキ
ルアミンの炭素数は４〜21,さらに９〜18であることが
好ましい。本発明に於いて好適に用いられるトリアルキ
ルアミンを具体的に示すと、例えば、トリプロピルアミ
ン，ジプロピルブチルアミン，プロピルジブチルアミ
ン，トリブチルアミン，ジブチルペンチルアミン，ブチ
ルジペンチルアミン，ジブチルエチルアミン，トリペン
チルアミン，ジペンチルヘキシルアミン，ペンチルジヘ
キシルアミン，ジペンチルメチルアミン，トリヘキシル
アミン等である。
上記したトリアルキルアミンのフツ素化方法としては、
パーフルオロトリアルキルアミンを生成することのでき
る公知のフツ素化方法が何ら制限なく採用することがで
きる。例えば、フツ素ガスによる直接フツ素化方法，電
解フツ素化方法及び高原子価金属フツ素化物によるフツ
素化方法，或いは、これらを適宜組合わせたフツ素化方
法等が好適に採用される。
パーフルオロトリアルキルアミンを生成することのでき
る公知のフツ素化方法が何ら制限なく採用することがで
きる。例えば、フツ素ガスによる直接フツ素化方法，電
解フツ素化方法及び高原子価金属フツ素化物によるフツ
素化方法，或いは、これらを適宜組合わせたフツ素化方
法等が好適に採用される。
本発明に於いては、こうして得られたフツ素化生成物、
好ましくはさらに中和，蒸留或いは公知の方法により精
製されたフツ素化生成物が加熱の対象となる。加熱の温
度は、次式 を満足する温度である。上記の下限温度よりも低い場合
には、フツ化水素発生の問題が解決できず、逆に高い場
合には、パーフルオロトリアルキルアミンの分解を生じ
るために好ましくない。さらにフツ化水素発生の低減及
びパーフルオロトリアルキルアミンの分解防止の観点か
ら、加熱の温度は次式 14N＋60≦Ｔ≦380 〔ここで、Ｔ及びＮは前記式と同様である。〕 で示される温度範囲であることが好ましい。
好ましくはさらに中和，蒸留或いは公知の方法により精
製されたフツ素化生成物が加熱の対象となる。加熱の温
度は、次式 を満足する温度である。上記の下限温度よりも低い場合
には、フツ化水素発生の問題が解決できず、逆に高い場
合には、パーフルオロトリアルキルアミンの分解を生じ
るために好ましくない。さらにフツ化水素発生の低減及
びパーフルオロトリアルキルアミンの分解防止の観点か
ら、加熱の温度は次式 14N＋60≦Ｔ≦380 〔ここで、Ｔ及びＮは前記式と同様である。〕 で示される温度範囲であることが好ましい。
例えば、加熱処理の対象が、パーフルオロトリペンチル
アミンを含むフツ素化生成物の場合には、加熱温度は、
240〜420℃の範囲でなければならず、270〜380℃の範囲
であることが好ましい。
アミンを含むフツ素化生成物の場合には、加熱温度は、
240〜420℃の範囲でなければならず、270〜380℃の範囲
であることが好ましい。
加熱の時間は特に制限されず、通常は数秒〜数十時間の
範囲から選択される。
範囲から選択される。
加熱の方法は特に制限されず、圧力容器を用いて処理対
象のフツ素化生成物を液状態で加熱しても良く、また、
処理対象のフツ素化生成物を気化させて気体状態で加熱
しても良い。加熱時の雰囲気は特に制限されず、N2ガス
やArガスなどを用いた不活性雰囲気で加熱しても良く、
また、空気等を用いた酸化性雰囲気で加熱しても良い。
象のフツ素化生成物を液状態で加熱しても良く、また、
処理対象のフツ素化生成物を気化させて気体状態で加熱
しても良い。加熱時の雰囲気は特に制限されず、N2ガス
やArガスなどを用いた不活性雰囲気で加熱しても良く、
また、空気等を用いた酸化性雰囲気で加熱しても良い。
トリアルキルアミンのフツ素化により得られたパーフル
オロトリアルキルアミンを含むフツ素化生成物をそのま
ま沸点まで加熱するか又は紫外線を照射するとフツ化水
素が発生し、沸点での加熱や紫外線の照射を長時間続け
てもフツ化水素は発生し続ける。ところが、本発明の方
法により加熱処理されたフツ素化生成物は、沸点までの
加熱や光の照射によってもほとんどフツ化水素を発生し
ない。この理由は明確ではないが、本発明者らは次のよ
うに推測している。即ち、トリアルキルアミンのフツ素
化により得られたフツ素化生成物中にはパーフルオロト
リアルキルアミンのみならず不完全フツ素化物も含まれ
ており、フツ素化生成物を沸点まで加熱すると、この不
完全フツ素化物が分解してフツ化水素が発生するが、本
発明の方法により加熱処理することにより不完全フツ素
化物のほとんどが分解し、そのためにフツ化水素の発生
が低減されるものと思われる。
オロトリアルキルアミンを含むフツ素化生成物をそのま
ま沸点まで加熱するか又は紫外線を照射するとフツ化水
素が発生し、沸点での加熱や紫外線の照射を長時間続け
てもフツ化水素は発生し続ける。ところが、本発明の方
法により加熱処理されたフツ素化生成物は、沸点までの
加熱や光の照射によってもほとんどフツ化水素を発生し
ない。この理由は明確ではないが、本発明者らは次のよ
うに推測している。即ち、トリアルキルアミンのフツ素
化により得られたフツ素化生成物中にはパーフルオロト
リアルキルアミンのみならず不完全フツ素化物も含まれ
ており、フツ素化生成物を沸点まで加熱すると、この不
完全フツ素化物が分解してフツ化水素が発生するが、本
発明の方法により加熱処理することにより不完全フツ素
化物のほとんどが分解し、そのためにフツ化水素の発生
が低減されるものと思われる。
フツ素化生成物が、炭素数５以上のアルキル基を分子中
に有するパーフルオロトリアルキルアミンを含む場合、
沸点での加熱により毒性化合物であるパーフルオロイソ
ブテンを発生するが、本発明の方法で加熱処理を行なう
ことにより、その発生を完全に防止することができる。
に有するパーフルオロトリアルキルアミンを含む場合、
沸点での加熱により毒性化合物であるパーフルオロイソ
ブテンを発生するが、本発明の方法で加熱処理を行なう
ことにより、その発生を完全に防止することができる。
本発明の方法により処理されたフツ素化生成物は、フツ
化水素の発生がほとんどないため、気相ハンダ付用熱媒
体等として好適に使用し得る他、電子部品の試験用媒体
や電子機器の絶縁冷却剤等としても使用することができ
る。
化水素の発生がほとんどないため、気相ハンダ付用熱媒
体等として好適に使用し得る他、電子部品の試験用媒体
や電子機器の絶縁冷却剤等としても使用することができ
る。
本発明をさらに具体的に説明するために以下実施例及び
比較例を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
比較例を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
実施例１ 無水フツ化水素酸とトリペンチルアミンを原料とし、後
者の濃度を10重量％として、ニツケル製電解槽（電極面
積10dm2，電流20A,容量3.5l）を用いて電解フツ素化を
開始した。無水フツ化水素酸とトリペンチルアミンを連
続的に供給しながら、生成するフツ素化物を電解槽の下
部より間欠的に抜きだした。これを40重量％のカセイソ
ーダ水溶液とジイソブチルアミンの等容量混合物中で12
0時間還流して脱フツ化水素し、水洗後蒸留を行なうこ
とにより、パーフルオロトリペンチルアミンを主体とす
るフツ素化生成物を得た。
者の濃度を10重量％として、ニツケル製電解槽（電極面
積10dm2，電流20A,容量3.5l）を用いて電解フツ素化を
開始した。無水フツ化水素酸とトリペンチルアミンを連
続的に供給しながら、生成するフツ素化物を電解槽の下
部より間欠的に抜きだした。これを40重量％のカセイソ
ーダ水溶液とジイソブチルアミンの等容量混合物中で12
0時間還流して脱フツ化水素し、水洗後蒸留を行なうこ
とにより、パーフルオロトリペンチルアミンを主体とす
るフツ素化生成物を得た。
得られたフツ素化生成物200gを400ml容量のSUS製オート
クレーブに入れ、窒素ガスにより不活性雰囲気としたの
ち、表１に示す条件で加熱処理した。なお、300℃で加
熱処理した時、容器内部の圧力は4.5kg/cm2となった。
クレーブに入れ、窒素ガスにより不活性雰囲気としたの
ち、表１に示す条件で加熱処理した。なお、300℃で加
熱処理した時、容器内部の圧力は4.5kg/cm2となった。
加熱処理したフツ素化生成物100gを、還流器を上部に配
した200mlのナス型フラスコにいれて液を加熱し、５時
間大気圧下で沸騰させた。液温度は215℃であった。こ
の間、80ml/mm流量の窒素ガスを液に吹き込み、発生す
るフツ化水素を150mlの0.01mol/l水酸化カリウム水溶液
に吸収させた。この水酸化カリウム水溶液に含まれるフ
ツ素イオン濃度をイオンクロマトアナライザー（横河北
辰電機製，モデルIC100）で測定することによりフツ化
水素発生量を求め、フツ素化生成物単位重量当りのフツ
化水素発生量〔mg−（HF）/kg−（フツ素化生成物）〕
に換算した。結果を表１に記した。なお、この値を沸騰
時フツ化水素発生量と呼ぶことにする。
した200mlのナス型フラスコにいれて液を加熱し、５時
間大気圧下で沸騰させた。液温度は215℃であった。こ
の間、80ml/mm流量の窒素ガスを液に吹き込み、発生す
るフツ化水素を150mlの0.01mol/l水酸化カリウム水溶液
に吸収させた。この水酸化カリウム水溶液に含まれるフ
ツ素イオン濃度をイオンクロマトアナライザー（横河北
辰電機製，モデルIC100）で測定することによりフツ化
水素発生量を求め、フツ素化生成物単位重量当りのフツ
化水素発生量〔mg−（HF）/kg−（フツ素化生成物）〕
に換算した。結果を表１に記した。なお、この値を沸騰
時フツ化水素発生量と呼ぶことにする。
表１には比較のために本発明の温度範囲外で加熱した場
合の結果も併せて記した。なお、比較例No.2〜No.4は大
気圧下の沸点（215℃）で加熱処理したものである。ま
た、比較例No.5は加熱処理することなく、沸騰時フツ化
水素発生量を求めた結果である。
合の結果も併せて記した。なお、比較例No.2〜No.4は大
気圧下の沸点（215℃）で加熱処理したものである。ま
た、比較例No.5は加熱処理することなく、沸騰時フツ化
水素発生量を求めた結果である。
また、表１の実施例No.3及び、比較例No.5における沸騰
時フツ化水素発生量の測定において、測定開始３時間後
の窒素ガス中に含まれるパーフルオロイソブテンの濃度
を電子捕獲型検出器付きガスクロマトグラフ（柳本製作
所,G-2800EN）にて測定したところ、実施例No.3の場合
には検出限界値（0.001ppm）以下であり、比較例No.5の
場合には0.05ppmであった。
時フツ化水素発生量の測定において、測定開始３時間後
の窒素ガス中に含まれるパーフルオロイソブテンの濃度
を電子捕獲型検出器付きガスクロマトグラフ（柳本製作
所,G-2800EN）にて測定したところ、実施例No.3の場合
には検出限界値（0.001ppm）以下であり、比較例No.5の
場合には0.05ppmであった。
さらに、表１の実施例No.3の加熱処理条件で得たフツ素
化生成物6gと加熱処理前のフツ素化生成物6gを各々1cm
角の透明石英セルに入れ、紫外線照射器（ウシオ電機製
USH-250D,20万LX）を用いて二つ同時に紫外線を照射し
た。24時間後に各々の石英セルを観察したところ、加熱
処理したフツ素化生成物を入れた石英セルは何等の変化
も認められなかったのに対し、加熱処理前のフツ素化生
成物を入れた石英セルはフツ化水素の発生により白濁し
た。
化生成物6gと加熱処理前のフツ素化生成物6gを各々1cm
角の透明石英セルに入れ、紫外線照射器（ウシオ電機製
USH-250D,20万LX）を用いて二つ同時に紫外線を照射し
た。24時間後に各々の石英セルを観察したところ、加熱
処理したフツ素化生成物を入れた石英セルは何等の変化
も認められなかったのに対し、加熱処理前のフツ素化生
成物を入れた石英セルはフツ化水素の発生により白濁し
た。
実施例２ 反応原料としてトリブチルアミンを用いたほかは実施例
１と同様にして電解フツ素化、及び、後処理を行ないパ
ーフルオロトリブチルアミンを主体とするフツ素化生成
物を得た。これを実施例１と同様な装置で270℃にて７
時間加熱処理したところ、回収率は98.6％，沸騰時フツ
化水素発生量は0.1mg−（HF）/kg−（フツ素化生成物）
以下であった。
１と同様にして電解フツ素化、及び、後処理を行ないパ
ーフルオロトリブチルアミンを主体とするフツ素化生成
物を得た。これを実施例１と同様な装置で270℃にて７
時間加熱処理したところ、回収率は98.6％，沸騰時フツ
化水素発生量は0.1mg−（HF）/kg−（フツ素化生成物）
以下であった。
実施例３ 反応原料としてトリヘキシルアミンを用いたほかは実施
例１と同様にして電解フツ素化、及び、後処理を行ない
パーフルオロトリヘキシルアミンを主体とするフツ素化
生成物を得た。これを空気を用いた雰囲気下で330℃に
て７時間加熱処理したところ、回収率は98.7％，沸騰時
フツ化水素発生量は0.1mg−（HF）/kg−（フツ素化生成
物）であった。
例１と同様にして電解フツ素化、及び、後処理を行ない
パーフルオロトリヘキシルアミンを主体とするフツ素化
生成物を得た。これを空気を用いた雰囲気下で330℃に
て７時間加熱処理したところ、回収率は98.7％，沸騰時
フツ化水素発生量は0.1mg−（HF）/kg−（フツ素化生成
物）であった。
Claims (1)
- 【請求項１】トリアルキルアミンのフツ素化により得ら
れたパーフルオロトリアルキルアミンを含むフツ素化生
成物を、次式 を満足する温度に加熱することを特徴とするフツ素化生
成物の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18370488A JPH078840B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | フッ素化生成物の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18370488A JPH078840B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | フッ素化生成物の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236155A JPH0236155A (ja) | 1990-02-06 |
| JPH078840B2 true JPH078840B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=16140494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18370488A Expired - Fee Related JPH078840B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | フッ素化生成物の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH078840B2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18370488A patent/JPH078840B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236155A (ja) | 1990-02-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |