JPH0792046A - 容量性トランスデューサとトランスデューサ素子のプロフィールを制御する方法 - Google Patents
容量性トランスデューサとトランスデューサ素子のプロフィールを制御する方法Info
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G—PHYSICS
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- G01—MEASURING; TESTING
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 静電力によりフィードバック制御される容量
性トランスデューサとトランスデューサを制御するため
の方法に関する。 【構成】 トランスデューサは、測定変数に感応する動
的可動トランスデューサ素子を支持する本体部８を含
む。トランスデューサ素子は、トランスデューサの第一
電極９を形成するために少なくともその表面では電気的
に伝導性である。トランスデューサは、更に、少なくと
も二つの第二の、平坦な電極５、６を含み、これらは、
トランスデューサ素子９の同じ側に配置される。第二電
極５、６は、トランスデューサ素子９のプロフィールを
測定し、トランスデューサ素子９を正確に定められた形
状の状態に制御するために、少なくともほぼ等しい有効
面積を有す。
性トランスデューサとトランスデューサを制御するため
の方法に関する。 【構成】 トランスデューサは、測定変数に感応する動
的可動トランスデューサ素子を支持する本体部８を含
む。トランスデューサ素子は、トランスデューサの第一
電極９を形成するために少なくともその表面では電気的
に伝導性である。トランスデューサは、更に、少なくと
も二つの第二の、平坦な電極５、６を含み、これらは、
トランスデューサ素子９の同じ側に配置される。第二電
極５、６は、トランスデューサ素子９のプロフィールを
測定し、トランスデューサ素子９を正確に定められた形
状の状態に制御するために、少なくともほぼ等しい有効
面積を有す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電力によりフィードバ
ック制御される容量性トランスデューサに関する。本発
明は、また、静電力によりフィードバック制御されるト
ランスデューサに於けるトランスデューサ素子のプロフ
ィールを制御する方法に関する。
ック制御される容量性トランスデューサに関する。本発
明は、また、静電力によりフィードバック制御されるト
ランスデューサに於けるトランスデューサ素子のプロフ
ィールを制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の説明に関し以下の従来技術が引
用されている。 米国特許 ［ｐ１］米国特許番号４，２５７，２７４（シマダ（Sh
imada）他） ［ｐ２］米国特許番号４，３８６，４５３（ジアンチノ
（Gianchino）他） ［ｐ３］米国特許番号４，３３２，０００（ピーターセ
ン（Petersen）） ［ｐ４］米国特許番号４，３９０，９２５（フロイド
（Freud）） ［ｐ５］米国特許番号３，３９７，２７８（ポメランツ
（Pomerantz）） ［ｐ６］米国特許番号４，５８９，０５４（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ７］米国特許番号４，６２８，４０３（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ８］米国特許番号４，５９４，６３９（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ９］米国特許番号４，８３１，４９２（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ１０］米国特許番号４，９９６，６２７（ジアス
（Zias）他） ［ｐ１１］米国特許番号５，０１９，７８３（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１２］米国特許番号５，０２８，８７６（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１３］米国特許番号５，０４８，１６５（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１４］米国特許番号４，６７９，４３４（スチュワ
ート（Steward）） ［ｐ１５］米国特許番号５，０９５，７５０（スズキ
（Suzuki）他）
用されている。 米国特許 ［ｐ１］米国特許番号４，２５７，２７４（シマダ（Sh
imada）他） ［ｐ２］米国特許番号４，３８６，４５３（ジアンチノ
（Gianchino）他） ［ｐ３］米国特許番号４，３３２，０００（ピーターセ
ン（Petersen）） ［ｐ４］米国特許番号４，３９０，９２５（フロイド
（Freud）） ［ｐ５］米国特許番号３，３９７，２７８（ポメランツ
（Pomerantz）） ［ｐ６］米国特許番号４，５８９，０５４（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ７］米国特許番号４，６２８，４０３（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ８］米国特許番号４，５９４，６３９（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ９］米国特許番号４，８３１，４９２（キスマ（Ku
isma）） ［ｐ１０］米国特許番号４，９９６，６２７（ジアス
（Zias）他） ［ｐ１１］米国特許番号５，０１９，７８３（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１２］米国特許番号５，０２８，８７６（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１３］米国特許番号５，０４８，１６５（カドウエ
ル（Cadwell）他） ［ｐ１４］米国特許番号４，６７９，４３４（スチュワ
ート（Steward）） ［ｐ１５］米国特許番号５，０９５，７５０（スズキ
（Suzuki）他）
【０００３】研究論文 ［ａ１］ケイ・ウォーレン（K.Warren）、ナビゲーショ
ン（Navigation）３８、９１（１９９１） ［ａ２］ケイ・ディー・ワイズ（K.D.Wise）、アナログ
回路設計に於けるワークショップの進歩に関する紀要、
カソリエケ ウニベルシタイト ロイベン、１９９３年
４月（K.D.Wise, in Proceedings of the Workship Adv
ances in Analogue Circuit Design, Katholieke Unive
rsiteit Leuven, April 1993） ［ａ３］ワイ・デクーロン他（Y.de Coulon et al）、
デジタル出力の高精度サーボ加速度計の設計と試験、半
導体センサ及びアクチュエータに関する第七回国際会議
紀要、ページ８３２−８３５、１９９３（Design and T
est of a Precision Servoaccelerometer with Digital
Output, The Proceedings of the 7th International
Conference on Solid-State Sensors and Actuators, p
p.832-835,1993）
ン（Navigation）３８、９１（１９９１） ［ａ２］ケイ・ディー・ワイズ（K.D.Wise）、アナログ
回路設計に於けるワークショップの進歩に関する紀要、
カソリエケ ウニベルシタイト ロイベン、１９９３年
４月（K.D.Wise, in Proceedings of the Workship Adv
ances in Analogue Circuit Design, Katholieke Unive
rsiteit Leuven, April 1993） ［ａ３］ワイ・デクーロン他（Y.de Coulon et al）、
デジタル出力の高精度サーボ加速度計の設計と試験、半
導体センサ及びアクチュエータに関する第七回国際会議
紀要、ページ８３２−８３５、１９９３（Design and T
est of a Precision Servoaccelerometer with Digital
Output, The Proceedings of the 7th International
Conference on Solid-State Sensors and Actuators, p
p.832-835,1993）
【０００４】引用の従来技術［ｐ１〜ｐ１０］では、ト
ランスデューサ電極として動作するシリコン膜が、固定
金属電極に対して柔軟性をもつ容量性圧力トランスデュ
ーサ構造が説明されている。引用の従来技術［ｐ１、ｐ
１０］は、特に、膜の異なった側に動作する圧力により
トランスデューサにかかる圧力差を測定するのに適する
トランスデューサ構造を開示している。そのようなトラ
ンスデューサ構造は、差圧トランスデューサと呼ばれ
る。
ランスデューサ電極として動作するシリコン膜が、固定
金属電極に対して柔軟性をもつ容量性圧力トランスデュ
ーサ構造が説明されている。引用の従来技術［ｐ１、ｐ
１０］は、特に、膜の異なった側に動作する圧力により
トランスデューサにかかる圧力差を測定するのに適する
トランスデューサ構造を開示している。そのようなトラ
ンスデューサ構造は、差圧トランスデューサと呼ばれ
る。
【０００５】従来技術の差圧トランスデューサの構造
は、非対称型構造及び対称型構造に分けられる。非対称
型構造［ｐ１、ｐ８参照］では、容量変化は、感圧膜と
単一金属電極との間でのみ測定される。対称型構造［ｐ
１、ｐ４、ｐ１０参照］では、容量測定は、感圧膜と感
圧膜の両側に配置された金属電極との間で実行され、こ
の構造により容量差測定が可能となる。
は、非対称型構造及び対称型構造に分けられる。非対称
型構造［ｐ１、ｐ８参照］では、容量変化は、感圧膜と
単一金属電極との間でのみ測定される。対称型構造［ｐ
１、ｐ４、ｐ１０参照］では、容量測定は、感圧膜と感
圧膜の両側に配置された金属電極との間で実行され、こ
の構造により容量差測定が可能となる。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】圧力下の感圧膜のた
わみに基づく構造に於て、温度依存性は、ほぼ、膜のた
わみの線形関数となる。対称型差圧トランスデューサ構
造に於ける温度依存性の主要部分は、シリコン膜と基板
の熱膨張定数の差により形成される。差圧トランスデュ
ーサが使用されている計測回路は、従来の容量計測によ
る。多数の計測技術が知られている。対称型差圧トラン
スデューサを使用した計測回路では、得られた伝達関数
は、容量差に比例する。その効果は、非対称トランスデ
ューサ構造に比較し、ゼロ点付近で得られる大幅に改善
された線形性である。
わみに基づく構造に於て、温度依存性は、ほぼ、膜のた
わみの線形関数となる。対称型差圧トランスデューサ構
造に於ける温度依存性の主要部分は、シリコン膜と基板
の熱膨張定数の差により形成される。差圧トランスデュ
ーサが使用されている計測回路は、従来の容量計測によ
る。多数の計測技術が知られている。対称型差圧トラン
スデューサを使用した計測回路では、得られた伝達関数
は、容量差に比例する。その効果は、非対称トランスデ
ューサ構造に比較し、ゼロ点付近で得られる大幅に改善
された線形性である。
【０００７】引用の従来技術は、力の釣り合いの原理を
使用したシリコン微細構造用の計測システム［ｐ１４、
ｐ１５、ａ１］に付き説明している。トランスデューサ
に働く機械的力は、静電気的に制御される力で相殺され
る。二つの電極間の電場により発生する相互の引力は、
次式により計算できる。
使用したシリコン微細構造用の計測システム［ｐ１４、
ｐ１５、ａ１］に付き説明している。トランスデューサ
に働く機械的力は、静電気的に制御される力で相殺され
る。二つの電極間の電場により発生する相互の引力は、
次式により計算できる。
【数１】 ここで、Ｕは、電極間の電位差であり、ｄは、電極間の
距離であり、ｄＡは、電極表面の微小平面であり、εo
εrは絶縁物の誘電率である。電圧−力伝達関数は、フ
ィードバック電圧に対して非線形である。しかし、対称
構造に於ては、伝達関数は、二つの異なった技術を利用
して、原則的に線形化が可能である。金属電極７４が、
印加電圧７２（Ｖbias）及び７３（−Ｖbias）により図
７ｂで示されているようにバイアスがかけられ、フィー
ドバック電圧７１（Ｖ）は、中央電極７５に印加され、
得られた正味静電力は、以下のようになる。
距離であり、ｄＡは、電極表面の微小平面であり、εo
εrは絶縁物の誘電率である。電圧−力伝達関数は、フ
ィードバック電圧に対して非線形である。しかし、対称
構造に於ては、伝達関数は、二つの異なった技術を利用
して、原則的に線形化が可能である。金属電極７４が、
印加電圧７２（Ｖbias）及び７３（−Ｖbias）により図
７ｂで示されているようにバイアスがかけられ、フィー
ドバック電圧７１（Ｖ）は、中央電極７５に印加され、
得られた正味静電力は、以下のようになる。
【数２】
【０００８】中央電極７５の電圧は、更なる処理のため
に前置増幅器へ送られる。測定信号の高域フィルタがＲ
Ｃ回路７８により形成される。
に前置増幅器へ送られる。測定信号の高域フィルタがＲ
Ｃ回路７８により形成される。
【０００９】図７ａで示されている実施例では、バイア
ス電圧７２（Ｖbias）及び７３（−Ｖbias）が金属電極
７４に接続され、静電力フィードバック電圧７１（Ｖ）
を電極に対して加算し、フィードバック電圧７１が電極
に印加され、中央電極７５は、抵抗７７によりアース電
位とされている。結果は、最初の構成と全く同一であ
り、静電的に作用する力は、電極間に印加された電圧の
線形関数となる。前置増幅器７６の出力電圧は、フィー
ドバック回路（図不指示）へ送られる。フィードバック
回路は、出力電圧をゼロに制御するように構成されてい
る。
ス電圧７２（Ｖbias）及び７３（−Ｖbias）が金属電極
７４に接続され、静電力フィードバック電圧７１（Ｖ）
を電極に対して加算し、フィードバック電圧７１が電極
に印加され、中央電極７５は、抵抗７７によりアース電
位とされている。結果は、最初の構成と全く同一であ
り、静電的に作用する力は、電極間に印加された電圧の
線形関数となる。前置増幅器７６の出力電圧は、フィー
ドバック回路（図不指示）へ送られる。フィードバック
回路は、出力電圧をゼロに制御するように構成されてい
る。
【００１０】フィードバック静電力は、また、パルス電
圧により発生可能である。印加電圧のパルスレートは、
動特性遮断周波数（即ち、トランスデューサの最低固有
周波数）より実質的に高く、トランスデューサ電極は、
以下の平均静電力下に置かれる。
圧により発生可能である。印加電圧のパルスレートは、
動特性遮断周波数（即ち、トランスデューサの最低固有
周波数）より実質的に高く、トランスデューサ電極は、
以下の平均静電力下に置かれる。
【数３】 ここでＵpulseは、パルス波高であり、Ｔpulseは、パル
ス幅であり、ｆpulseは、パルス制御電圧の周波数（繰
り返しレート）である。フィードバック静電力は、パル
ス波高、パルス幅及びパルスレート又はそのいずれかを
変調することによって制御可能である。パルス幅か又は
パルスレート変調された定振幅パルスを用いる場合、線
形関係は、パルス幅又はパルスレートと平均静電力との
間で維持される［ａ３、Ｐ．１５参照］。本発明による
トランスデューサのフィードバックの構成は、ＤＣ電圧
か又はパルス電圧を使用して実現できる。パルス制御電
圧によるフィードバックは、線形伝達関数を容易に実現
する非対称構造に特に有効に利用できる。
ス幅であり、ｆpulseは、パルス制御電圧の周波数（繰
り返しレート）である。フィードバック静電力は、パル
ス波高、パルス幅及びパルスレート又はそのいずれかを
変調することによって制御可能である。パルス幅か又は
パルスレート変調された定振幅パルスを用いる場合、線
形関係は、パルス幅又はパルスレートと平均静電力との
間で維持される［ａ３、Ｐ．１５参照］。本発明による
トランスデューサのフィードバックの構成は、ＤＣ電圧
か又はパルス電圧を使用して実現できる。パルス制御電
圧によるフィードバックは、線形伝達関数を容易に実現
する非対称構造に特に有効に利用できる。
【００１１】静電力フィードバックは、機械的微小加速
トランスデューサを中心に形成された計測回路に適応さ
れた。同様な概念は、差圧トランスデューサを中心に形
成された計測回路にも適応可能であることは明らかであ
る。対称型トランスデューサを力が釣り合うように制御
するためには、出力電圧は、以下のようになる。
トランスデューサを中心に形成された計測回路に適応さ
れた。同様な概念は、差圧トランスデューサを中心に形
成された計測回路にも適応可能であることは明らかであ
る。対称型トランスデューサを力が釣り合うように制御
するためには、出力電圧は、以下のようになる。
【数４】 ここでΔｐは、膜を横切って動作する差圧であり、ｇ
は、電極間の間隔である。使用可能制御電圧の範囲が±
１０Ｖであり、希望差圧計測範囲が±５００Ｐａとする
と、電極間隔は、２μｍ以下である。実際には、要求さ
れるそのような微小な大きさ及び得られる狭い差圧範囲
は、静電力フィードバック制御差圧トランスデューサを
応用範囲を狭める。しかし、力の釣り合いによる制御に
基づく差圧トランスデューサは、膜プロフィールがフィ
ードバックによりたわまないようにすることが可能なの
で、線形性及び低温度依存性により優れている。
は、電極間の間隔である。使用可能制御電圧の範囲が±
１０Ｖであり、希望差圧計測範囲が±５００Ｐａとする
と、電極間隔は、２μｍ以下である。実際には、要求さ
れるそのような微小な大きさ及び得られる狭い差圧範囲
は、静電力フィードバック制御差圧トランスデューサを
応用範囲を狭める。しかし、力の釣り合いによる制御に
基づく差圧トランスデューサは、膜プロフィールがフィ
ードバックによりたわまないようにすることが可能なの
で、線形性及び低温度依存性により優れている。
【００１２】上述の式は、理想トランスデューサ構造の
みの場合に有効である。即ち、トランスデューサ感圧膜
７５の両電極７４に対する間隔が等しくなければならな
い。膜の電極に対する間隔が等しくなければ、容量差Δ
Ｃ＝Ｃ1−Ｃ2のゼロ位置は、トランスデューサ膜の非た
わみ位置と一致しないことになる。理想状態からの偏差
は、トランスデューサのより高い温度依存性と、非線形
性を引き起こす。
みの場合に有効である。即ち、トランスデューサ感圧膜
７５の両電極７４に対する間隔が等しくなければならな
い。膜の電極に対する間隔が等しくなければ、容量差Δ
Ｃ＝Ｃ1−Ｃ2のゼロ位置は、トランスデューサ膜の非た
わみ位置と一致しないことになる。理想状態からの偏差
は、トランスデューサのより高い温度依存性と、非線形
性を引き起こす。
【００１３】フィードバック制御微小トランスデューサ
に於ては、二つの分離金属電極が使用されるのが好まし
い。第一の電極は、フィードバック用であり、第二電極
は、容量計測用である［ｐ１５、ａ２］。この構成は、
フィードバック電圧と測定信号を互いに分離することに
よってより直接的な回路を目指したものである。
に於ては、二つの分離金属電極が使用されるのが好まし
い。第一の電極は、フィードバック用であり、第二電極
は、容量計測用である［ｐ１５、ａ２］。この構成は、
フィードバック電圧と測定信号を互いに分離することに
よってより直接的な回路を目指したものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、静電力
によるフィードバック容量性トランスデューサの全く新
規の種類を提供し、トランスデューサの能動素子のプロ
フィールを制御する方法を提供することにある。
によるフィードバック容量性トランスデューサの全く新
規の種類を提供し、トランスデューサの能動素子のプロ
フィールを制御する方法を提供することにある。
【００１５】本発明は、トランスデューサ素子のプロフ
ィールを計測し、そのトランスデューサ素子を正確に定
められた形状のプロフィールに制御するために使用され
る第二固定副電極が少なくともほぼ等しい面積を有すよ
うに形成されることに基づく。
ィールを計測し、そのトランスデューサ素子を正確に定
められた形状のプロフィールに制御するために使用され
る第二固定副電極が少なくともほぼ等しい面積を有すよ
うに形成されることに基づく。
【００１６】同様に、本発明による方法は、トランスデ
ューサ素子を正確に定められた形状のプロフィールに制
御することに基づく。
ューサ素子を正確に定められた形状のプロフィールに制
御することに基づく。
【００１７】より具体的には、本発明によるトランスデ
ューサは、請求項１の特徴部分により記述されるている
部分により特徴付けられる。
ューサは、請求項１の特徴部分により記述されるている
部分により特徴付けられる。
【００１８】更に、本発明による方法は、請求項１２の
特徴部分により記述されている部分により特徴付けられ
る。
特徴部分により記述されている部分により特徴付けられ
る。
【００１９】本発明の効果を次に説明する。トランスデ
ューサ素子をたわまない状態に制御することによって、
容量性トランスデューサの不要な対温度感度が最小化さ
れる。トランスデューサ素子プロフィールの制限無しの
制御によりどの主な誤差源の効果をも望むように最小に
することが可能である。トランスデューサ素子プロフィ
ールを制御するための、本発明によるフィードバックシ
ステムは、更に、トランスデューサ材料の誘電特性の変
化がフィードバック制御計測機構の形状に影響を与えな
いようにしている。
ューサ素子をたわまない状態に制御することによって、
容量性トランスデューサの不要な対温度感度が最小化さ
れる。トランスデューサ素子プロフィールの制限無しの
制御によりどの主な誤差源の効果をも望むように最小に
することが可能である。トランスデューサ素子プロフィ
ールを制御するための、本発明によるフィードバックシ
ステムは、更に、トランスデューサ材料の誘電特性の変
化がフィードバック制御計測機構の形状に影響を与えな
いようにしている。
【００２０】本発明によれば、トランスデューサ本体部
に形成された第二固定金属電極は、副電極の二つの組に
別れ、フィードバック信号は、副電極の全ての組に共通
に印加され、検出計測信号は、希望する相互位相差シフ
ト及び振幅を使用して異なった副電極に印加される。検
出計測信号の位相差及び振幅の制御は、トランスデュー
サ膜の異なった部分の適当な重み付けを実行する伝達関
数を実現することを可能とする。特別な例として、膜表
面が、同じ面積を有する二つの同心ゾーンに分割されて
いる場合を考える。図１、２及び３に於ては、そのよう
な金属電極形状は、円形及び正方形として示されてい
る。
に形成された第二固定金属電極は、副電極の二つの組に
別れ、フィードバック信号は、副電極の全ての組に共通
に印加され、検出計測信号は、希望する相互位相差シフ
ト及び振幅を使用して異なった副電極に印加される。検
出計測信号の位相差及び振幅の制御は、トランスデュー
サ膜の異なった部分の適当な重み付けを実行する伝達関
数を実現することを可能とする。特別な例として、膜表
面が、同じ面積を有する二つの同心ゾーンに分割されて
いる場合を考える。図１、２及び３に於ては、そのよう
な金属電極形状は、円形及び正方形として示されてい
る。
【００２１】図１の実施例では、円形中央電極２が環状
電極１により囲まれている。電極１及び電極２は、同じ
面積を有す。この面積は、加工公差内でのばらつきを有
すことは勿論である。
電極１により囲まれている。電極１及び電極２は、同じ
面積を有す。この面積は、加工公差内でのばらつきを有
すことは勿論である。
【００２２】図２に示される実施例は、正方形中央電極
４がフレーム形状電極３により囲まれている。
４がフレーム形状電極３により囲まれている。
【００２３】本発明の電極構造の第三の実施例が、図４
に示され、これは、図１と同様な円形中央電極２２を有
し、この円形電極は、円形内周と正方形外周を有す電極
２１により同心的に囲まれている。この形状は、中央電
極を支持する方形トランスデューサ膜（図不指示）を有
する構造に於ける計測変数に対して中央電極２２の感度
を最大とする。
に示され、これは、図１と同様な円形中央電極２２を有
し、この円形電極は、円形内周と正方形外周を有す電極
２１により同心的に囲まれている。この形状は、中央電
極を支持する方形トランスデューサ膜（図不指示）を有
する構造に於ける計測変数に対して中央電極２２の感度
を最大とする。
【００２４】図３は、計測の接続を示し、検出信号ｅs
を、同相か異相にある図示の電極構造に印加することに
よって、三つの異なった伝達関数が実現できる。異なっ
た伝達関数を次に示す。
を、同相か異相にある図示の電極構造に印加することに
よって、三つの異なった伝達関数が実現できる。異なっ
た伝達関数を次に示す。
【数５】 ここで、ｅsは、検出信号の振幅、Ｃ6は固定電極端子６
と出力電極端子１０との間の容量、Ｃ8は、固定電極端
子８と出力電極端子１０との間の容量、Ｃ5は、固定電
極端子５と出力端子１０との間の容量、Ｃ7は、固定電
極端子７と出力端子１０との間の容量である。検出計測
信号が電極端子６及び５に同相で、電極端子８及び７に
異相で取り込まれた場合(1)、検出計測信号が電極端子
６及び７に同相で、電極端子５及び８に異相で取り込ま
れた場合(2)、検出計測信号が、電極端子６及び８に同
相で、電極端子５及び７に異相で取り込まれた場合が上
式で示される。
と出力電極端子１０との間の容量、Ｃ8は、固定電極端
子８と出力電極端子１０との間の容量、Ｃ5は、固定電
極端子５と出力端子１０との間の容量、Ｃ7は、固定電
極端子７と出力端子１０との間の容量である。検出計測
信号が電極端子６及び５に同相で、電極端子８及び７に
異相で取り込まれた場合(1)、検出計測信号が電極端子
６及び７に同相で、電極端子５及び８に異相で取り込ま
れた場合(2)、検出計測信号が、電極端子６及び８に同
相で、電極端子５及び７に異相で取り込まれた場合が上
式で示される。
【００２５】以上述べた金属電極構造に加えられる静電
力フィードバック信号を、電極構造の異なった部分へ異
なった制御電圧レベルで印加してもよい。このようにす
ると、検出電極の形状の制御がより広い範囲で容易とな
る。
力フィードバック信号を、電極構造の異なった部分へ異
なった制御電圧レベルで印加してもよい。このようにす
ると、検出電極の形状の制御がより広い範囲で容易とな
る。
【００２６】電極構成により、感圧シリコン膜９は、膜
の両側のコンデンサ空洞部分が間隔が例え異なっても、
たわまないように維持することが可能である。更に、電
極構造は、非対称型トランスデューサに於ける膜のプロ
フィールの制御を容易にする。こうして、トランスデュ
ーサの温度依存性は、膜をたわみなしの状態に制御する
ことにより最小とすることが可能である。本発明の好適
な実施例によれば、金属電極は、図１、２及び４に示さ
れるように、等しい面積を有す二つの同心領域に分割さ
れる。電極の容量Ｃ6、Ｃ5、又はＣ8及びＣ7の簡単な測
定により、いつ膜の両側に於ける容量が等しく、膜が固
定金属電極に平行となるかを検出可能である。膜が、圧
力下でたわむと、中央領域の容量の圧力に対する感度
は、外周領域でのそれより高く、従って、容量差は、検
出可能である。
の両側のコンデンサ空洞部分が間隔が例え異なっても、
たわまないように維持することが可能である。更に、電
極構造は、非対称型トランスデューサに於ける膜のプロ
フィールの制御を容易にする。こうして、トランスデュ
ーサの温度依存性は、膜をたわみなしの状態に制御する
ことにより最小とすることが可能である。本発明の好適
な実施例によれば、金属電極は、図１、２及び４に示さ
れるように、等しい面積を有す二つの同心領域に分割さ
れる。電極の容量Ｃ6、Ｃ5、又はＣ8及びＣ7の簡単な測
定により、いつ膜の両側に於ける容量が等しく、膜が固
定金属電極に平行となるかを検出可能である。膜が、圧
力下でたわむと、中央領域の容量の圧力に対する感度
は、外周領域でのそれより高く、従って、容量差は、検
出可能である。
【００２７】図６ａでは、膜に対する差圧の関数として
の容量Ｃ6、Ｃ5、Ｃ8、Ｃ7及びそれらの差（Ｃ6−Ｃ5）
−（Ｃ8−Ｃ7）及び（Ｃ6−Ｃ5）＋（Ｃ8−Ｃ7）が、膜
の両側で理想的に等しいコンデンサ間隔として示されて
いる。図６ｂでは、非対称の場合の同じ関数が示され
る。非対称は、１００ｎｍである。容量差（Ｃ6−Ｃ5）
−（Ｃ8−Ｃ7）は、膜がたわみゼロの場合にゼロとな
る。容量差（Ｃ6−Ｃ5）＋（Ｃ8−Ｃ7）の最小値及びそ
のその微分のゼロ交差点は、膜のたわみなしの状態と一
致する。以上のシステムの伝達関数(2)及び伝達関数(3)
の値は、膜が金属電極と平行であるときゼロとなる。更
に、伝達関数(2)は、単調であり、膜のたわみの指標と
して適切である。
の容量Ｃ6、Ｃ5、Ｃ8、Ｃ7及びそれらの差（Ｃ6−Ｃ5）
−（Ｃ8−Ｃ7）及び（Ｃ6−Ｃ5）＋（Ｃ8−Ｃ7）が、膜
の両側で理想的に等しいコンデンサ間隔として示されて
いる。図６ｂでは、非対称の場合の同じ関数が示され
る。非対称は、１００ｎｍである。容量差（Ｃ6−Ｃ5）
−（Ｃ8−Ｃ7）は、膜がたわみゼロの場合にゼロとな
る。容量差（Ｃ6−Ｃ5）＋（Ｃ8−Ｃ7）の最小値及びそ
のその微分のゼロ交差点は、膜のたわみなしの状態と一
致する。以上のシステムの伝達関数(2)及び伝達関数(3)
の値は、膜が金属電極と平行であるときゼロとなる。更
に、伝達関数(2)は、単調であり、膜のたわみの指標と
して適切である。
【００２８】図で示されるトランスデューサは、図２で
示される形状の正方形の金属電極である。トランスデュ
ーサ膜の直径は、２．４ｍｍであり、厚みは１０μｍで
あり、コンデンサ空洞の間隔は、両側に於て２μｍであ
る。金属電極の外周直径は、２．２ｍｍであり、内周
は、約１．５ｍｍである。
示される形状の正方形の金属電極である。トランスデュ
ーサ膜の直径は、２．４ｍｍであり、厚みは１０μｍで
あり、コンデンサ空洞の間隔は、両側に於て２μｍであ
る。金属電極の外周直径は、２．２ｍｍであり、内周
は、約１．５ｍｍである。
【００２９】フィードバック制御からみたトランスデュ
ーサの構造での最も重要なパラメタは、コンデンサ空洞
の間隔である。可能な制御電圧の範囲を±１５Ｖとす
る。２μｍの間隔を有すコンデンサ空洞を有すそのよう
なトランスデューサ構造は、±１０００Ｐａの範囲で圧
力測定を可能とする。圧力範囲は、制御電圧に二乗に比
例し、コンデンサ空洞の間隔の二乗に逆比例する。コン
デンサ空洞間隔は、フィードバック制御電圧を妥当な値
に限定し、同時に十分に大きい測定ダイナミックレンジ
を実現するために、４μｍより狭くしなければならな
い。膜の直径は、一般に、１から４ｍｍの範囲にあり、
膜厚は、４０μｍより小さい。
ーサの構造での最も重要なパラメタは、コンデンサ空洞
の間隔である。可能な制御電圧の範囲を±１５Ｖとす
る。２μｍの間隔を有すコンデンサ空洞を有すそのよう
なトランスデューサ構造は、±１０００Ｐａの範囲で圧
力測定を可能とする。圧力範囲は、制御電圧に二乗に比
例し、コンデンサ空洞の間隔の二乗に逆比例する。コン
デンサ空洞間隔は、フィードバック制御電圧を妥当な値
に限定し、同時に十分に大きい測定ダイナミックレンジ
を実現するために、４μｍより狭くしなければならな
い。膜の直径は、一般に、１から４ｍｍの範囲にあり、
膜厚は、４０μｍより小さい。
【００３０】トランスデューサ形状を変えることによっ
て、加速度トランスデューサや、移動素子に基づいた他
の微小メカニカルトランスデューサの計測回路設計に応
用できる。図５は、曲げ片持ちばり３７により支持され
る基準質量塊３６を有す加速度トランスデューサを示し
ている。差圧トランスデューサとは異なり、検出電極構
造は、互いに隣り合う二つの同面積部分３１、３２及び
３３、３４を含む。共通の出力電極３５を通じて、基準
質量塊３６に対する電極３１、３２、３３、３４の容量
差を測定することによって、はりの同じ側から測定され
た二つのコンデンサの容量差（例えば、Ｃ31−Ｃ32）が
ゼロとなるとき、曲げがないということが可能である。
て、加速度トランスデューサや、移動素子に基づいた他
の微小メカニカルトランスデューサの計測回路設計に応
用できる。図５は、曲げ片持ちばり３７により支持され
る基準質量塊３６を有す加速度トランスデューサを示し
ている。差圧トランスデューサとは異なり、検出電極構
造は、互いに隣り合う二つの同面積部分３１、３２及び
３３、３４を含む。共通の出力電極３５を通じて、基準
質量塊３６に対する電極３１、３２、３３、３４の容量
差を測定することによって、はりの同じ側から測定され
た二つのコンデンサの容量差（例えば、Ｃ31−Ｃ32）が
ゼロとなるとき、曲げがないということが可能である。
【００３１】図５ｂでは、基準質量塊３６上の同じ側の
電極３１、３２が、基準質量塊支持はりの長手方向の中
心軸に対して対称に配列されていなければならない。
電極３１、３２が、基準質量塊支持はりの長手方向の中
心軸に対して対称に配列されていなければならない。
【００３２】図７ａ及び７ｂは、フィードバック制御シ
リコン差圧トランスデューサのフィードバック制御回路
の基本回路図である。トランスデューサ膜７５の両側に
一つの電極７４を有すこの回路図の電極構造は、本発明
による実際の構成に適用するには適切ではないことは留
意しなければならない。従って、この回路図は、フィー
ドバックの原理の説明用として理解されなければならな
い。検出コンデンサの差に比例した電圧がトランスデュ
ーサから検出される。検出電圧は、フィードバック制御
回路に印加され、その出力電圧は、トランスデューサに
戻される。力の釣り合った状態で、電場により発生した
力は、トランスデューサ膜上の差圧により力学的な力と
相殺する。この原理は、既に、本明細書の一般説明の部
分で詳細に説明した。
リコン差圧トランスデューサのフィードバック制御回路
の基本回路図である。トランスデューサ膜７５の両側に
一つの電極７４を有すこの回路図の電極構造は、本発明
による実際の構成に適用するには適切ではないことは留
意しなければならない。従って、この回路図は、フィー
ドバックの原理の説明用として理解されなければならな
い。検出コンデンサの差に比例した電圧がトランスデュ
ーサから検出される。検出電圧は、フィードバック制御
回路に印加され、その出力電圧は、トランスデューサに
戻される。力の釣り合った状態で、電場により発生した
力は、トランスデューサ膜上の差圧により力学的な力と
相殺する。この原理は、既に、本明細書の一般説明の部
分で詳細に説明した。
【００３３】図８ａ及び８ｂでは、ＡＣ電圧が、駆動信
号源８８から非対称型構造８０の固定電極８５、８４に
印加される。電極８４へ印加される信号の極性は、反転
増幅器８６により反転される。トランスデューサ膜８３
は、抵抗８７によりアース電位に落とされる。トランス
デューサ膜８３と、電極８５及び８４との間に形成され
たコンデンサの容量差は、位相検波器により検出され、
その出力９１は、トランスデューサ膜８３を希望する形
状に制御するのに適するフィードバック回路（図不指
示）に送られる。
号源８８から非対称型構造８０の固定電極８５、８４に
印加される。電極８４へ印加される信号の極性は、反転
増幅器８６により反転される。トランスデューサ膜８３
は、抵抗８７によりアース電位に落とされる。トランス
デューサ膜８３と、電極８５及び８４との間に形成され
たコンデンサの容量差は、位相検波器により検出され、
その出力９１は、トランスデューサ膜８３を希望する形
状に制御するのに適するフィードバック回路（図不指
示）に送られる。
【００３４】図８ｂでは、検出用電圧を電極８４、８５
に供給するために、電気パルス発生器９０が使用されて
いて、電極８４へのパルス極性は、反転増幅器により反
転される。容量Ｃ83、84、Ｃ83、85の差は、蓄電増幅器
８９により検出され、その出力９１は、容量の蓄電差に
比例した電圧を与え、この出力電圧情報が、トランスデ
ューサ素子に加わる静電力によりトランスデューサ８０
のフィードバック制御に使用される。
に供給するために、電気パルス発生器９０が使用されて
いて、電極８４へのパルス極性は、反転増幅器により反
転される。容量Ｃ83、84、Ｃ83、85の差は、蓄電増幅器
８９により検出され、その出力９１は、容量の蓄電差に
比例した電圧を与え、この出力電圧情報が、トランスデ
ューサ素子に加わる静電力によりトランスデューサ８０
のフィードバック制御に使用される。
【００３５】本発明による技術の、トランスデューサ膜
のプロフィールのより複雑な制御への応用例が、波状膜
として図９ａ、９ｂに示されている。波は、初期状態で
は平坦な膜に発生する。このような構成は、基本的に二
つの異なった方法で実現可能である： （１）図９ａのシステムでは、コンデンサ間隔が周期的
に蛇行している。膜９７が周期的な波状に制御されると
き、端子９３及び９４（又は、端子９５及び９６）で測
定される容量は、等しくなる。膜プロフィール制御に於
て、電極グループ９３、９４及び９５、９６に印加され
る差電圧は、フィードバック制御される。図９ａでは、
そのような状態は、電極９４、９５に高い電圧を、電極
９３、９６に低い電圧を印加することにより実現でき
る。電極の有効面積の比は、コンデンサ間隔の蛇行の深
度の比により決定される。コンデンサにより囲まれる膜
は、容量の差を測定することにより希望プロフィールに
フィードバック制御される。 （２）図９ｂでは、電極の有効面積を計測回路伝達関数
の伝達関数を通じて制御することによって以上述べたと
同様なことが実現できる。差電圧制御は、図９ａで説明
されたと同様な方法でフィードバック回路で使用され
る。膜９７の波形状は、膜の張力状態の制御に使用され
る。例えば、膜は、初期状態で圧縮応力下に置かれると
想定可能である。膜９７の波状のたわみは、圧縮応力を
相殺する引張応力を発生する。膜上に動作する応力は、
こうして相殺されるか、膜に対し引張応力を過剰に動作
させるような過剰相殺される。
のプロフィールのより複雑な制御への応用例が、波状膜
として図９ａ、９ｂに示されている。波は、初期状態で
は平坦な膜に発生する。このような構成は、基本的に二
つの異なった方法で実現可能である： （１）図９ａのシステムでは、コンデンサ間隔が周期的
に蛇行している。膜９７が周期的な波状に制御されると
き、端子９３及び９４（又は、端子９５及び９６）で測
定される容量は、等しくなる。膜プロフィール制御に於
て、電極グループ９３、９４及び９５、９６に印加され
る差電圧は、フィードバック制御される。図９ａでは、
そのような状態は、電極９４、９５に高い電圧を、電極
９３、９６に低い電圧を印加することにより実現でき
る。電極の有効面積の比は、コンデンサ間隔の蛇行の深
度の比により決定される。コンデンサにより囲まれる膜
は、容量の差を測定することにより希望プロフィールに
フィードバック制御される。 （２）図９ｂでは、電極の有効面積を計測回路伝達関数
の伝達関数を通じて制御することによって以上述べたと
同様なことが実現できる。差電圧制御は、図９ａで説明
されたと同様な方法でフィードバック回路で使用され
る。膜９７の波形状は、膜の張力状態の制御に使用され
る。例えば、膜は、初期状態で圧縮応力下に置かれると
想定可能である。膜９７の波状のたわみは、圧縮応力を
相殺する引張応力を発生する。膜上に動作する応力は、
こうして相殺されるか、膜に対し引張応力を過剰に動作
させるような過剰相殺される。
【００３６】以上説明した制御機構に於て、有効面積と
いう用語は、トランスデューサ構造の固定電極に適応す
る。二つのコンデンサＣ1、Ｃ2の容量差を測定するため
の電子回路は、αＣ1−βＣ2の形の伝達関数を有すとす
ることが可能であり、この場合、係数α、βは、計測回
路構成とコンデンサ間隔により決定される。容量Ｃ1、
Ｃ2がコンデンサの面積Ａ１、Ａ２に直接比例するとす
ると、コンデンサの有効面積は、αＡ1及びβＡ2とな
る。図１、２及び４に示されている二重ゾーンコンデン
サ構造は、αＣ1−βＣ2＝０の条件が満足されると、等
しい有効面積の状態になる。
いう用語は、トランスデューサ構造の固定電極に適応す
る。二つのコンデンサＣ1、Ｃ2の容量差を測定するため
の電子回路は、αＣ1−βＣ2の形の伝達関数を有すとす
ることが可能であり、この場合、係数α、βは、計測回
路構成とコンデンサ間隔により決定される。容量Ｃ1、
Ｃ2がコンデンサの面積Ａ１、Ａ２に直接比例するとす
ると、コンデンサの有効面積は、αＡ1及びβＡ2とな
る。図１、２及び４に示されている二重ゾーンコンデン
サ構造は、αＣ1−βＣ2＝０の条件が満足されると、等
しい有効面積の状態になる。
【図１】本発明による電極構成の上面図である。
【図２】本発明による他の電極構成の上面図である。
【図３】本発明による対称トランスデューサ構造の概略
側面図である。
側面図である。
【図４】本発明による電極構成の第三の実施例の上面図
である。
である。
【図５ａ】本発明による対称型加速トランスデューサ構
造の概略側面図である。
造の概略側面図である。
【図５ｂ】図５ａで示された対称型加速トランスデュー
サ構造を上部電極レベルで見た図である。
サ構造を上部電極レベルで見た図である。
【図６ａ】トランスデューサに加わった差圧の関数とし
て、本発明によるトランスデューサの容量を説明する図
である。
て、本発明によるトランスデューサの容量を説明する図
である。
【図６ｂ】トランスデューサに加わった差圧の関数とし
て、本発明によるトランスデューサの容量を説明する図
である。
て、本発明によるトランスデューサの容量を説明する図
である。
【図７ａ】本発明による対称型トランスデューサのフィ
ードバック電子回路の実施例のブロック図である。
ードバック電子回路の実施例のブロック図である。
【図７ｂ】本発明による対称型トランスデューサのフィ
ードバック電子回路の実施例のブロック図である。
ードバック電子回路の実施例のブロック図である。
【図８ａ】本発明による非対称型トランスデューサの計
測回路を実現するための実施例のブロック図である。
測回路を実現するための実施例のブロック図である。
【図８ｂ】本発明による非対称型トランスデューサの計
測回路を実現するための実施例のブロック図である。
測回路を実現するための実施例のブロック図である。
【図９ａ】本発明によるマトリックス電極構造を実現す
るための実施例の側面図である。
るための実施例の側面図である。
【図９ｂ】本発明によるマトリックス電極構造を実現す
るための実施例の側面図である。
るための実施例の側面図である。
８ 本体部分 ９，３７ トランスデューサ素子
Claims (14)
- 【請求項１】 静電力によりフィードバック制御される
容量性トランスデューサであって、 本体部分（８）と、 測定変数に対して感応する動的に可動なトランスデュー
サ素子と、前記素子は、前記本体部（８）に取付けら
れ、前記トランスデューサ素子は、膜（９）か、あるい
は曲げはり（３７）により支持される基準質量塊（３
６）により形成され、前記トランスデューサ素子は、更
に、前記トランスデューサの第一電極（９、３６）を形
成するために少なくともその表面が導電性であり、 前記トランスデューサ素子（９、３７）とほぼ平行に配
置され、前記トランスデューサ素子（９、３７）につい
て同じ側に配置された、少なくとも二つの第二電極
（５、６）とを含み、 前記第二電極（５、６）は、前記トランスデューサ素子
（９、３７）のプロフィールを測定し、前記トランスデ
ューサ素子（９、３７）を正確に定められた形状の状態
に制御するために、少なくともほぼ等しい有効面積を有
すことを特徴とするトランスデューサ。 - 【請求項２】 両側に加えられる差圧に感応するほぼ平
坦な膜（９）を含み、第二の平坦な電極（５、６）がほ
ぼ同心に配列されることを特徴とする請求項１記載のト
ランスデューサ。 - 【請求項３】 前記第二の平坦な電極（５、６）は、少
なくともほぼ等しい面積を有すことを特徴とする請求項
１及び２のいずれか１項記載のトランスデューサ。 - 【請求項４】 前記第二の平坦な電極（１、２）は、円
形中央電極（２）と、前記中央電極を囲む少なくとも一
つの環状電極（１）により構成されることを特徴とする
前記請求項のいずれか１項に記載のトランスデューサ。 - 【請求項５】 前記第二の平坦な電極（３、４）は、少
なくとも一つのフレーム形状電極（３）により囲まれる
正方形中央電極（４）を含むことを特徴とする請求項
１、２及び３のいずれか１項記載のトランスデューサ。 - 【請求項６】 前記第二電極（２１、２２）は、円形内
周と正方形外周とを有す少なくとも一つの電極（２１）
により囲まれる円形中央電極（２２）を含むことを特徴
とする請求項１、２及び３のいずれか１項記載のトラン
スデューサ。 - 【請求項７】 前記第二電極（５、６及び７、８）は、
前記トランスデューサ素子（９）に対してその両側に配
置されていることを特徴とする前記請求項のいずれか１
項記載のトランスデューサ。 - 【請求項８】 曲げ片持ちばり（３７）により支持され
る基準質量塊（３６）を含み、前記基準質量塊（３６）
は、自身に作用する加速度に感応して前記はり（３７）
をたわませ、前記第二電極（３１、３２）は、前記基準
質量塊を支持するはりの長手方向の中心軸（３８）に添
い、前記中心軸（３８）に対してほぼ対称的に配置され
ていることを特徴とする請求項１記載のトランスデュー
サ。 - 【請求項９】 前記第二電極（３１、３２）は、少なく
ともほぼ等しい有効面積を有すことと特徴とする請求項
１及び８にいずれか１項記載のトランスデューサ。 - 【請求項１０】 前記第二電極（３１、３２及び３３、
３４）は、前記はり（３７）及び前記基準質量塊（３
６）の両側に配置されていることを特徴とする請求項
１、８及び９のいずれか１項記載のトランスデューサ。 - 【請求項１１】 前記第二電極は、多重素子マトリック
スに形成され、前記多重素子マトリックスは、電気接続
により、ほぼ等しい有効面積を有す副電極の少なくとも
二つの組に構成されることを特徴とする請求項１記載の
トランスデューサ。 - 【請求項１２】 静電力によりフィードバック制御する
に適するトランスデューサを制御する方法であって、前
記トランスデューサは、 本体部分（８）と、 測定変数に対して感応する動的に可動なトランスデュー
サ素子と、前記トランスデューサ素子は、前記本体部
（８）に取付けられ、前記トランスデューサ素子は、膜
（９）か、あるいは曲げはり（３７）により支持される
基準質量塊（３６）により形成され、前記トランスデュ
ーサ素子は、更に、前記トランスデューサの第一電極
（９）を形成するために少なくともその表面が導電性で
あり、 前記トランスデューサ素子（９、３７）とほぼ平行に配
置され、前記トランスデューサ素子（９）について同じ
側に配置された、少なくとも二つの第二電極（５、６）
とを含み、 前記方法は、前記トランスデューサ素子（９、３７）を
非たわみ位置に制御することを含み、 前記トランスデューサ素子（９、３７）のプロフィール
が測定され、正確に定められた形状の状態に制御される
ことを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 前記トランスデューサ素子のプロフィ
ールを測定し、前記トランスデューサ素子（９、３７）
と前記第二電極（５、６）との間に作用する静電力のフ
ィードバック制御のため前記プロフィール測定情報を使
用することによって前記トランスデューサの前記トラン
スデューサ素子（９、３７）を非たわみ状態に維持する
ことを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 前記第二電極（５、６）を等しい面積
を有すように適応し、前記第二電極（５、６）と前記ト
ランスデューサ素子（９、３７）の間に作用する相互容
量（Ｃ5、Ｃ6）を測定し、前記トランスデューサ素子
（９、３７）と前記第二電極（５、６）との間に作用す
る静電力をフィードバック制御する手段により前記容量
を等しい値に制御することを含むことを特徴とする請求
項１２記載の方法。
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