JPH0792062A - 透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその場作製および観察 方法並びにその装置 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその場作製および観察 方法並びにその装置Info
- Publication number
- JPH0792062A JPH0792062A JP5067341A JP6734193A JPH0792062A JP H0792062 A JPH0792062 A JP H0792062A JP 5067341 A JP5067341 A JP 5067341A JP 6734193 A JP6734193 A JP 6734193A JP H0792062 A JPH0792062 A JP H0792062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron microscope
- sample
- transmission electron
- thin film
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料の特定局所領
域の薄膜化を該顕微鏡内で試料を観察しながらその場で
高精度に作製する。難加工材料の透過型電子顕微鏡試料
の作製を容易にして透過型電子顕微鏡の観察を効率化す
る。 【構成】 集束イオンビーム照射装置を透過型電子顕微
鏡の試料室の前方斜め上方から取付け、サブミクロンオ
ーダー領域の精密な研磨が可能になるようにビーム径は
約０．１５μｍまで絞る手段を設ける。電子顕微鏡で観
察しながら研磨できるように電子線とＦＩＢを試料上の
同一場所に来るように調整する手段を設ける。透過型電
子顕微鏡の走査系および２次電子検出器を集束イオンビ
ーム照射装置の試料の微細研磨加工手段に兼用する。
域の薄膜化を該顕微鏡内で試料を観察しながらその場で
高精度に作製する。難加工材料の透過型電子顕微鏡試料
の作製を容易にして透過型電子顕微鏡の観察を効率化す
る。 【構成】 集束イオンビーム照射装置を透過型電子顕微
鏡の試料室の前方斜め上方から取付け、サブミクロンオ
ーダー領域の精密な研磨が可能になるようにビーム径は
約０．１５μｍまで絞る手段を設ける。電子顕微鏡で観
察しながら研磨できるように電子線とＦＩＢを試料上の
同一場所に来るように調整する手段を設ける。透過型電
子顕微鏡の走査系および２次電子検出器を集束イオンビ
ーム照射装置の試料の微細研磨加工手段に兼用する。
Description
【産業上の利用分野】この発明は、透過型電子顕微鏡用
の薄膜試料の作製および観察方法並びにその装置に関す
るものである。さらに詳しくは、この発明は、これまで
経験に頼って行っていた試料の特定局所領域の薄膜化
を、該顕微鏡内で試料を観察しながらその場で高精度に
実施可能にしたもので、難加工材料の透過型電子顕微鏡
試料の作製を容易とすることのできる新しい方法とその
ための装置に関するものである。
の薄膜試料の作製および観察方法並びにその装置に関す
るものである。さらに詳しくは、この発明は、これまで
経験に頼って行っていた試料の特定局所領域の薄膜化
を、該顕微鏡内で試料を観察しながらその場で高精度に
実施可能にしたもので、難加工材料の透過型電子顕微鏡
試料の作製を容易とすることのできる新しい方法とその
ための装置に関するものである。
【従来の技術とその装置】透過型電子顕微鏡用の薄膜試
料はこれまで電解研磨やイオン研磨などによって作製さ
れてきたが、これらの方法では試料研磨中は試料の観察
が出来ず、従って、試料の出来具合は経験に頼らざるを
得ず、また、研磨が終了して作製された薄膜試料を観察
のため電子顕微鏡内に挿入載置するまでに、該薄膜試料
は溶液や大気に必ず触れるため、表面の清浄な薄膜試料
を電子顕微鏡内に挿入設置することは大変困難であっ
た。一方、集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩ
Ｂ）は、マスクレス注入やリソグラフィへの応用が図ら
れている。そしてこのＦＩＢの応用に際しては、ビーム
スポット内での研磨速度の差やスパッタ粒子の再デポジ
ッションにより、研磨周辺領域には複雑なミクロ組織変
化が起こるため、これらのミクロ組織変化を観察するこ
とが望まれていた。しかしながら、上記の通り、試料を
観察のために電子顕微鏡内に挿入設置する場合、薄膜試
料の表面は汚れるために観察は実際上困難であった。こ
の発明は、以上の通りの従来技術の問題点を一気に解決
するためになされたものであり、作製された薄膜試料が
溶液や大気に触れて汚染される心配をなくし、透過型電
子顕微鏡観察においてサブミクロンオーダーの高精度の
薄膜試料を効率よくＦＩＢで研磨して作製すると共にこ
れを観察することのできる、新しい方法とその装置を提
供することを目的としている。
料はこれまで電解研磨やイオン研磨などによって作製さ
れてきたが、これらの方法では試料研磨中は試料の観察
が出来ず、従って、試料の出来具合は経験に頼らざるを
得ず、また、研磨が終了して作製された薄膜試料を観察
のため電子顕微鏡内に挿入載置するまでに、該薄膜試料
は溶液や大気に必ず触れるため、表面の清浄な薄膜試料
を電子顕微鏡内に挿入設置することは大変困難であっ
た。一方、集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩ
Ｂ）は、マスクレス注入やリソグラフィへの応用が図ら
れている。そしてこのＦＩＢの応用に際しては、ビーム
スポット内での研磨速度の差やスパッタ粒子の再デポジ
ッションにより、研磨周辺領域には複雑なミクロ組織変
化が起こるため、これらのミクロ組織変化を観察するこ
とが望まれていた。しかしながら、上記の通り、試料を
観察のために電子顕微鏡内に挿入設置する場合、薄膜試
料の表面は汚れるために観察は実際上困難であった。こ
の発明は、以上の通りの従来技術の問題点を一気に解決
するためになされたものであり、作製された薄膜試料が
溶液や大気に触れて汚染される心配をなくし、透過型電
子顕微鏡観察においてサブミクロンオーダーの高精度の
薄膜試料を効率よくＦＩＢで研磨して作製すると共にこ
れを観察することのできる、新しい方法とその装置を提
供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明は、作製すべき試料を透過型電子顕微鏡
内に観察状態に挿入設置し、電子線を走査して試料を観
察しながら試料の観察領域に集束イオンビームを照射し
て該集束イオンビームで該試料面を研磨すると共にこれ
を観察する方法を提供する。また、この発明は、透過型
電子顕微鏡用の試料に電子顕微鏡内で研磨加工すること
ができるように集束イオンビーム照射装置を透過型電子
顕微鏡に設け、サブミクロンオーダー領域の精密な研磨
が可能になるようにビーム径は約０．１５μｍまで絞る
手段を設け、実際に電子顕微鏡で観察しながら研磨でき
るように電子線とＦＩＢを試料上の同一場所に来るよう
に調整する手段を設けた装置をも提供する。さらにま
た、集束イオンビーム照射装置を透過型電子顕微鏡の試
料室の前方斜め上方から透過型電子顕微鏡に取付け、透
過型電子顕微鏡の走査系および２次電子検出器を集束イ
オンビーム照射装置の試料の微細研磨加工手段に兼用す
ることとした装置をその一つの態様としてもいる。
めに、この発明は、作製すべき試料を透過型電子顕微鏡
内に観察状態に挿入設置し、電子線を走査して試料を観
察しながら試料の観察領域に集束イオンビームを照射し
て該集束イオンビームで該試料面を研磨すると共にこれ
を観察する方法を提供する。また、この発明は、透過型
電子顕微鏡用の試料に電子顕微鏡内で研磨加工すること
ができるように集束イオンビーム照射装置を透過型電子
顕微鏡に設け、サブミクロンオーダー領域の精密な研磨
が可能になるようにビーム径は約０．１５μｍまで絞る
手段を設け、実際に電子顕微鏡で観察しながら研磨でき
るように電子線とＦＩＢを試料上の同一場所に来るよう
に調整する手段を設けた装置をも提供する。さらにま
た、集束イオンビーム照射装置を透過型電子顕微鏡の試
料室の前方斜め上方から透過型電子顕微鏡に取付け、透
過型電子顕微鏡の走査系および２次電子検出器を集束イ
オンビーム照射装置の試料の微細研磨加工手段に兼用す
ることとした装置をその一つの態様としてもいる。
【作用】すなわち、この発明は透過型電子顕微鏡の中で
電子顕微鏡用試料を観察しながら研磨するという、斬新
な発想に基いて行われたものであり、これまで類をみな
いほどの微小領域を研磨することを可能とし、高精度の
薄膜試料の作製および観察並びに、透過型顕微鏡内に載
置された薄膜試料を汚染されることなく清浄に保つこと
を可能としている。
電子顕微鏡用試料を観察しながら研磨するという、斬新
な発想に基いて行われたものであり、これまで類をみな
いほどの微小領域を研磨することを可能とし、高精度の
薄膜試料の作製および観察並びに、透過型顕微鏡内に載
置された薄膜試料を汚染されることなく清浄に保つこと
を可能としている。
【実施例】図１は、この発明の装置の一例を示したもの
である。この図１において、２００ｋＶの走査透過型電
子顕微鏡（ＪＥＭ−２００ＣＸ）の試料室の前面斜め上
方に２５ｋＶのＦＩＢカラム（１）を取付け、走査透過
型電子顕微鏡の対物ポールピース（２）の斜め上方から
試料位置にたとえばＧａビームを導入できる構造とす
る。走査透過型電子顕微鏡の分解能を低下させないよう
に配慮して、ＦＩＢカラム（１）の取付け角度は水平面
から５５度斜め上方とした。この結果、ＦＩＢの作動距
離は９７．５mmとなった。ＦＩＢによる描画は走査透過
型電子顕微鏡の走査系・二次電子検出器を兼用する構成
とする。ついで、上記図１の構成とした走査透過型顕微
鏡の試料室にイオン研磨して予め作製したＳｉの単結晶
薄膜を設置し、Ｓｉの単結晶薄膜に電子線を照射してリ
アルタイムで観察しながら観察下にあるＳｉの単結晶薄
膜に前方斜め上方のＦＩＢカラム（１）から２５ｋｅＶ
のＧａ−ＦＩＢを照射し、該ＦＩＢのビーム径（最小
０．１５μｍ ）を調節することで研磨領域を自由に設
定し、スキャン速度を調節することで研磨速度を自由に
調節して、試料面を高精度に微細に研磨して観察可能な
領域を増やすことに成功した。この場合、ＦＩＢの作動
距離からビーム径は約０．１５μｍであり、２５ｋｅＶ
での動作では、対物ポールピース（２）中で磁場の影響
はほとんど無かった。図２は、実際にＳｉ（１００）を
Ｇａ−ＦＩＢで研磨した透過型電子顕微鏡用の薄膜試料
の全体の電子顕微鏡像を示したものである。図２（ａ）
はａｒｅａ・ｓｃａｎをして観察に適した薄い領域を作
りだしたところであり、図２（ｂ）はｌｉｎｅ・ｓｃａ
ｎをして観察領域のごく一部（幅０．１５μｍ程度）だ
けを研磨したものである。
である。この図１において、２００ｋＶの走査透過型電
子顕微鏡（ＪＥＭ−２００ＣＸ）の試料室の前面斜め上
方に２５ｋＶのＦＩＢカラム（１）を取付け、走査透過
型電子顕微鏡の対物ポールピース（２）の斜め上方から
試料位置にたとえばＧａビームを導入できる構造とす
る。走査透過型電子顕微鏡の分解能を低下させないよう
に配慮して、ＦＩＢカラム（１）の取付け角度は水平面
から５５度斜め上方とした。この結果、ＦＩＢの作動距
離は９７．５mmとなった。ＦＩＢによる描画は走査透過
型電子顕微鏡の走査系・二次電子検出器を兼用する構成
とする。ついで、上記図１の構成とした走査透過型顕微
鏡の試料室にイオン研磨して予め作製したＳｉの単結晶
薄膜を設置し、Ｓｉの単結晶薄膜に電子線を照射してリ
アルタイムで観察しながら観察下にあるＳｉの単結晶薄
膜に前方斜め上方のＦＩＢカラム（１）から２５ｋｅＶ
のＧａ−ＦＩＢを照射し、該ＦＩＢのビーム径（最小
０．１５μｍ ）を調節することで研磨領域を自由に設
定し、スキャン速度を調節することで研磨速度を自由に
調節して、試料面を高精度に微細に研磨して観察可能な
領域を増やすことに成功した。この場合、ＦＩＢの作動
距離からビーム径は約０．１５μｍであり、２５ｋｅＶ
での動作では、対物ポールピース（２）中で磁場の影響
はほとんど無かった。図２は、実際にＳｉ（１００）を
Ｇａ−ＦＩＢで研磨した透過型電子顕微鏡用の薄膜試料
の全体の電子顕微鏡像を示したものである。図２（ａ）
はａｒｅａ・ｓｃａｎをして観察に適した薄い領域を作
りだしたところであり、図２（ｂ）はｌｉｎｅ・ｓｃａ
ｎをして観察領域のごく一部（幅０．１５μｍ程度）だ
けを研磨したものである。
【発明の効果】これまでの電子顕微鏡用試料製作方法で
は、試料を電子顕微鏡の中に挿入するまでに必ず大気中
あるいは溶液中にさらす瞬間があるため、清浄な表面を
得ることはほぼ不可能であった。しかしながら、この発
明は走査透過型電子顕微鏡に試料を挿入してから研磨を
行うので表面が汚染されていた試料でも観察する直前に
削り取ってしまうことができる。また、研磨の精度とし
て、従来では作製された薄膜試料の状態は実際に電子顕
微鏡で観察してみなければわからず、それで失敗すれば
終わりであったが、この発明では、試料を電子顕微鏡内
に設置して電子顕微鏡で実際に観察しながら研磨するの
で、たとえ電子顕微鏡外で作るのに失敗した試料でも製
作者自身の希望する試料の局所場所あるいは形状にサブ
ミクロンのオーダーで研磨することが可能となる。以上
の長所を持つ本装置は微小領域研磨装置として広く普及
することが期待される。
は、試料を電子顕微鏡の中に挿入するまでに必ず大気中
あるいは溶液中にさらす瞬間があるため、清浄な表面を
得ることはほぼ不可能であった。しかしながら、この発
明は走査透過型電子顕微鏡に試料を挿入してから研磨を
行うので表面が汚染されていた試料でも観察する直前に
削り取ってしまうことができる。また、研磨の精度とし
て、従来では作製された薄膜試料の状態は実際に電子顕
微鏡で観察してみなければわからず、それで失敗すれば
終わりであったが、この発明では、試料を電子顕微鏡内
に設置して電子顕微鏡で実際に観察しながら研磨するの
で、たとえ電子顕微鏡外で作るのに失敗した試料でも製
作者自身の希望する試料の局所場所あるいは形状にサブ
ミクロンのオーダーで研磨することが可能となる。以上
の長所を持つ本装置は微小領域研磨装置として広く普及
することが期待される。
【図１】ＦＩＢカラムを取り付けた２００ｋＶ走査透過
型電子顕微鏡の試料室の概要を示す構成図である。斜め
上方５５度に集束イオンビームカラムを取付、試料まで
の距離を９７．５ｍｍとした。
型電子顕微鏡の試料室の概要を示す構成図である。斜め
上方５５度に集束イオンビームカラムを取付、試料まで
の距離を９７．５ｍｍとした。
【図２】Ｇａ−ＦＩＢでＳｉ（１００）の微小領域を研
磨した透過型電子顕微鏡用の薄膜を表わした図面に代わ
る写真である。ａ）はａｒｅａ ｓｃａｎしたもので、
ｂ）はｌｉｎｅ ｓｃａｎしたものである。Ｓｉ薄膜表
面は均一に研磨されており、Ｌｉｎｅ走査モードでの微
細加工線幅は最小で０．１５μｍ程度である。
磨した透過型電子顕微鏡用の薄膜を表わした図面に代わ
る写真である。ａ）はａｒｅａ ｓｃａｎしたもので、
ｂ）はｌｉｎｅ ｓｃａｎしたものである。Ｓｉ薄膜表
面は均一に研磨されており、Ｌｉｎｅ走査モードでの微
細加工線幅は最小で０．１５μｍ程度である。
１ ＦＩＢカラム ２ 対物ポールピース
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその
場作製および観察方法並びにその装置
場作製および観察方法並びにその装置
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
Claims (3)
- 【請求項１】 透過型電子顕微鏡で観察中の試料に対し
集束イオンビームを照射し、該試料の特定の局所領域を
研磨すると同時に観察することを特徴とする透過型電子
顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法。 - 【請求項２】 薄膜試料を電子顕微鏡内で微細研磨する
ように集束イオンビーム照射装置を透過型電子顕微鏡に
取付け、電子線と集束イオンビームを試料上の同一場所
に照射し、薄膜試料を観察しながら研磨することを特徴
とする透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製およ
び観察装置。 - 【請求項３】 集束イオンビーム照射装置を透過型電子
顕微鏡の試料室の前方斜め上方から透過型電子顕微鏡に
取付け、透過型電子顕微鏡の走査系および２次電子検出
器を集束イオンビーム照射装置の試料の微細研磨加工手
段に兼用することを特徴とする請求項２の透過型電子顕
微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067341A JP2987417B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法並びにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067341A JP2987417B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法並びにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792062A true JPH0792062A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2987417B2 JP2987417B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=13342232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067341A Expired - Lifetime JP2987417B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法並びにその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2987417B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005644A1 (de) * | 1995-07-25 | 1997-02-13 | Nmi Naturwissenschaftliches Und Medizinisches Institut An Der Universität Tübingen In Reutlingen | Verfahren und vorrichtung zur ionendünnung in einem hochauflösenden transmissionselektronenmikroskop |
| KR20010006414A (ko) * | 1998-03-03 | 2001-01-26 | 게스레이 마크 | 다용도 주사전자현미경으로써 사용되는 전자-빔 마이크로칼럼 |
| KR100671156B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-01-17 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 주사 전자 현미경의 디텍터 베이직 유닛 및 광증폭기튜브의 어셈블리 |
| US7928377B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-04-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and sample manufacturing method |
| CN112730006A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-04-30 | 上海市计量测试技术研究院 | 一种孔面离子通道衬度试样的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299495A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-20 | Hitachi Ltd | Machining apparatus in use of ion beam |
| JPS60185352A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-09-20 | デユビリエ ピ−エルシ− | 荷電粒子光学システム |
| JPS61176764U (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | ||
| JPS6312153U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-26 | ||
| JPH02132345A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜試料の作製方法 |
| JPH0623172A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-01 | Mamoru Shimizu | 立体縫製の合致端部保持方法 |
| JPH06231719A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Seiko Instr Inc | 断面加工観察用荷電ビーム装置および加工方法 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP5067341A patent/JP2987417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299495A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-20 | Hitachi Ltd | Machining apparatus in use of ion beam |
| JPS60185352A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-09-20 | デユビリエ ピ−エルシ− | 荷電粒子光学システム |
| JPS61176764U (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | ||
| JPS6312153U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-26 | ||
| JPH02132345A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜試料の作製方法 |
| JPH0623172A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-01 | Mamoru Shimizu | 立体縫製の合致端部保持方法 |
| JPH06231719A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Seiko Instr Inc | 断面加工観察用荷電ビーム装置および加工方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005644A1 (de) * | 1995-07-25 | 1997-02-13 | Nmi Naturwissenschaftliches Und Medizinisches Institut An Der Universität Tübingen In Reutlingen | Verfahren und vorrichtung zur ionendünnung in einem hochauflösenden transmissionselektronenmikroskop |
| US6218663B1 (en) | 1995-07-25 | 2001-04-17 | Nmi Naturwissenschaftliches Und Medizinisches | Process and device for ion thinning in a high resolution transmission electron microscope |
| KR20010006414A (ko) * | 1998-03-03 | 2001-01-26 | 게스레이 마크 | 다용도 주사전자현미경으로써 사용되는 전자-빔 마이크로칼럼 |
| US7928377B2 (en) | 2004-10-27 | 2011-04-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and sample manufacturing method |
| KR100671156B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-01-17 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 주사 전자 현미경의 디텍터 베이직 유닛 및 광증폭기튜브의 어셈블리 |
| CN112730006A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-04-30 | 上海市计量测试技术研究院 | 一种孔面离子通道衬度试样的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2987417B2 (ja) | 1999-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3957750B2 (ja) | 電子顕微鏡法のためのイオンビーム準備装置 | |
| US6300631B1 (en) | Method of thinning an electron transparent thin film membrane on a TEM grid using a focused ion beam | |
| US5035787A (en) | Method for repairing semiconductor masks and reticles | |
| US6417512B1 (en) | Sample distortion removing method in thin piece forming | |
| CN104217910B (zh) | 在透射电子显微镜中使用相位片的方法 | |
| US7375352B2 (en) | Photomask defect correction method employing a combined device of a focused electron beam device and an atomic force microscope | |
| JP4654216B2 (ja) | 荷電粒子線装置用試料ホールダ | |
| JP2009025133A (ja) | 試料作製方法及び試料作製装置 | |
| JP2842083B2 (ja) | 試料ホルダー、これを用いた試料加工観察システム、試料観察方法、透過形電子顕微鏡及びイオンビーム装置 | |
| JPH0792062A (ja) | 透過型電子顕微鏡用薄膜試料のその場作製および観察 方法並びにその装置 | |
| JPS6251134A (ja) | 電界電離型ガスイオン源 | |
| JP4219715B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP3106846U (ja) | 荷電粒子線装置用試料ホールダ | |
| TWI813629B (zh) | 試料製造裝置及試料片的製造方法 | |
| JPH07296756A (ja) | 微細加工方法およびその装置 | |
| JP4199996B2 (ja) | 荷電粒子線装置用試料ホールダ | |
| JP5862405B2 (ja) | 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 | |
| JP3260356B2 (ja) | 集束イオンビーム加工方法 | |
| JP2000010260A (ja) | マスク修正装置の黒欠陥修正方法 | |
| JPH01503580A (ja) | 最適化した集束イオンビーム装置を用いたマスク修復 | |
| JP3531323B2 (ja) | イオンビーム加工方法および装置 | |
| Heard et al. | Comparison of focused ion beam and laser techniques for optical mask repair | |
| JP2003100245A (ja) | 集束イオンビーム加工観察装置用試料ホールダ | |
| JP3064335B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡 | |
| JPH1068683A (ja) | 透過電子顕微鏡用薄膜試料の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |