JPH0793234B2 - セラミツクコンデンサ - Google Patents
セラミツクコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0793234B2 JPH0793234B2 JP62126268A JP12626887A JPH0793234B2 JP H0793234 B2 JPH0793234 B2 JP H0793234B2 JP 62126268 A JP62126268 A JP 62126268A JP 12626887 A JP12626887 A JP 12626887A JP H0793234 B2 JPH0793234 B2 JP H0793234B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic capacitor
- oxide
- dielectric
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波において、広い温度範囲にわたって、
Ｑ値の優れたセラミックコンデンサに関するものであ
る。
Ｑ値の優れたセラミックコンデンサに関するものであ
る。
従来の技術 従来のセラミックコンデンサとして、酸化チタン、チタ
ン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カル
シウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物、およびそれらの化合
物焼結体などに、Ag、Pt、Pd他の電極材料を、ペースト
状として塗布し、焼き付けたものが知られている。
ン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カル
シウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物、およびそれらの化合
物焼結体などに、Ag、Pt、Pd他の電極材料を、ペースト
状として塗布し、焼き付けたものが知られている。
これらのセラミックコンデンサは、大きな誘電率を有
し、また誘電体損失（tanδ）が小さく、コンデンサと
して優れた性質を有している。
し、また誘電体損失（tanδ）が小さく、コンデンサと
して優れた性質を有している。
発明が解決しようとする問題点 しかし、これらのセラミックコンデンサも、10GHz以上
の高周波では、その性能に問題がある。特性上最も問題
となるのは、高周波における損失の増大、すなわち、共
振のＱ値の低下である。高周波におけるＱ値は、誘電体
および電極の両者が関与するものであり、その組合せの
最適化が最も重要である。
の高周波では、その性能に問題がある。特性上最も問題
となるのは、高周波における損失の増大、すなわち、共
振のＱ値の低下である。高周波におけるＱ値は、誘電体
および電極の両者が関与するものであり、その組合せの
最適化が最も重要である。
近年、高周波トランジスタとして、２次元電子ガスを用
いた、高移動度トランジスタが開発されており、このト
ランジスタの特性は、温度が低いほど優れている。した
がって、衛星通信などのように、高周波でかつ微弱な電
波を扱うような用途では、システム全体を低温に保って
おくような工夫もなされている。しかし、従来のセラミ
ックコンデンサでは、これによって高周波のＱ値が、大
幅に向上するようなものはない。
いた、高移動度トランジスタが開発されており、このト
ランジスタの特性は、温度が低いほど優れている。した
がって、衛星通信などのように、高周波でかつ微弱な電
波を扱うような用途では、システム全体を低温に保って
おくような工夫もなされている。しかし、従来のセラミ
ックコンデンサでは、これによって高周波のＱ値が、大
幅に向上するようなものはない。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、高周波におい
て、しかも広い温度範囲で、Ｑ値の優れたセラミックコ
ンデンサを提供することを目的としている。
て、しかも広い温度範囲で、Ｑ値の優れたセラミックコ
ンデンサを提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため層状ペロブスカイト
構造型酸化物超電導体焼結体粉末粒子40〜83重量％、ガ
ラス成分２〜22重量％と、金属成分15〜38重量％からな
る電極を有し、誘電体として酸化物焼結体を用いたセラ
ミックコンデンサを提供するものである。
構造型酸化物超電導体焼結体粉末粒子40〜83重量％、ガ
ラス成分２〜22重量％と、金属成分15〜38重量％からな
る電極を有し、誘電体として酸化物焼結体を用いたセラ
ミックコンデンサを提供するものである。
作用 本発明は、前記した構造により、広い温度範囲におい
て、高周波におけるＱ値の大きい、セラミックコンデン
サを得ることができる。
て、高周波におけるＱ値の大きい、セラミックコンデン
サを得ることができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
（実施例１） 酸化イットリウム（Y2O3）、酸化バリウム（BaO）と酸
化銅（CuO）を、Y1Ba2Cu3の比で含むようそれぞれ秤量
し、混合の後、950℃の空気中で５時間焼成する。これ
をもう一度粉砕、混合した後、950℃の空気中で10時間
焼成する。これを再度粉砕し、830℃の空気中で１時間
焼成して焼結体粉末粒子を得る。
化銅（CuO）を、Y1Ba2Cu3の比で含むようそれぞれ秤量
し、混合の後、950℃の空気中で５時間焼成する。これ
をもう一度粉砕、混合した後、950℃の空気中で10時間
焼成する。これを再度粉砕し、830℃の空気中で１時間
焼成して焼結体粉末粒子を得る。
次に上記焼結体粉末粒子40〜83重量％と、硼珪酸鉛ガラ
ス粉末２〜22重量％と、金属成分として銀粉末15〜38重
量％を、増粘剤を含む溶剤とまぜ、三段ローラーで混練
しペースト状とする。増粘剤および溶剤は、ペーストの
焼付時に飛散するものであれば特に制限はない。本実施
例では、エチルセルローズをターピネオールに溶解した
ものを用いた。固形物の55〜95重量％に対して、増粘剤
を含む溶剤が５〜45重量％の間の範囲が好ましい。
ス粉末２〜22重量％と、金属成分として銀粉末15〜38重
量％を、増粘剤を含む溶剤とまぜ、三段ローラーで混練
しペースト状とする。増粘剤および溶剤は、ペーストの
焼付時に飛散するものであれば特に制限はない。本実施
例では、エチルセルローズをターピネオールに溶解した
ものを用いた。固形物の55〜95重量％に対して、増粘剤
を含む溶剤が５〜45重量％の間の範囲が好ましい。
次に、あらかじめ1200〜1450℃で焼結させた、酸化チタ
ン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル
酸バリウムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物（Ba（Zn1/3
Ta2/3）O3 −Ba（Zn1/3 Nb2/3）O3）からなる６種類
の、直径5mm、厚み2mmの円板状焼結体に、前記ペースト
を、スクリーン印刷法によって印刷し、約20μｍの厚膜
をそれぞれの円板状焼結体両面に形成した。その後、80
0℃の空気中で10分間焼き付け処理を行い電極とした。
ン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル
酸バリウムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物（Ba（Zn1/3
Ta2/3）O3 −Ba（Zn1/3 Nb2/3）O3）からなる６種類
の、直径5mm、厚み2mmの円板状焼結体に、前記ペースト
を、スクリーン印刷法によって印刷し、約20μｍの厚膜
をそれぞれの円板状焼結体両面に形成した。その後、80
0℃の空気中で10分間焼き付け処理を行い電極とした。
このようにして得られたセラミックコンデンサの14GHz
におけるＱ値を、77Kで測定した。また比較のために、
それぞれの材料について、従来の銀電極を用いたセラミ
ックコンデンサのＱ値も測定した。その結果、従来の銀
電極（実施例と同一厚み）を用いたものでは、14GHzに
おいては、誘電体の損失よりも、電極での損失の方が圧
倒的に大きく、どの誘電体材料についても、ほぼ電極の
損失に対応したＱ値となっており、いずれも100以下で
あった。一方、本実施例では、77Kで電極は超電導状態
にあり、電極に係わる損失は、誘電体の損失よりもはる
かに少ないものとなっており、ほぼ誘電体の損失にのみ
対応するＱ値が得られ、酸化チタン、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムで50
0以上、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物（Ba（Zn1/3 Ta2/3）O
3 −Ba（Zn1/3 Nb2/3）O3）では1000以上のＱ値が得ら
れた。
におけるＱ値を、77Kで測定した。また比較のために、
それぞれの材料について、従来の銀電極を用いたセラミ
ックコンデンサのＱ値も測定した。その結果、従来の銀
電極（実施例と同一厚み）を用いたものでは、14GHzに
おいては、誘電体の損失よりも、電極での損失の方が圧
倒的に大きく、どの誘電体材料についても、ほぼ電極の
損失に対応したＱ値となっており、いずれも100以下で
あった。一方、本実施例では、77Kで電極は超電導状態
にあり、電極に係わる損失は、誘電体の損失よりもはる
かに少ないものとなっており、ほぼ誘電体の損失にのみ
対応するＱ値が得られ、酸化チタン、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムで50
0以上、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物（Ba（Zn1/3 Ta2/3）O
3 −Ba（Zn1/3 Nb2/3）O3）では1000以上のＱ値が得ら
れた。
室温におけるＱ値は、従来のものに比べ遜色なかった。
銀の量が、15重量％以下になると、室温におけるＱ値が
低下した。これは室温における電極の抵抗値が高くなる
ためによると考えられる。また38重量％以上になると、
77KにおけるＱ値が低下した。これは超電導特性に悪影
響を及ぼすためと考えられる。したがって、銀の量とし
ては15〜38重量％の範囲が望ましい。すなわちこの範囲
であれば、室温においては、従来の特性を保持し、超電
導臨界温度以下では、従来のものよりも、はるかに優れ
たＱ値を有するコンデンサが得られる。
銀の量が、15重量％以下になると、室温におけるＱ値が
低下した。これは室温における電極の抵抗値が高くなる
ためによると考えられる。また38重量％以上になると、
77KにおけるＱ値が低下した。これは超電導特性に悪影
響を及ぼすためと考えられる。したがって、銀の量とし
ては15〜38重量％の範囲が望ましい。すなわちこの範囲
であれば、室温においては、従来の特性を保持し、超電
導臨界温度以下では、従来のものよりも、はるかに優れ
たＱ値を有するコンデンサが得られる。
本実施例で用いられた電極の酸化物は、Ｘ線解析で調べ
たところ、層状ペロブスカイト構造を示していた。
たところ、層状ペロブスカイト構造を示していた。
第１図は本発明の構造の一実施例を示したものである。
第１図において、１は酸化物焼結体誘電体、２は酸化物
超電導体と銀からなる電極である。
第１図において、１は酸化物焼結体誘電体、２は酸化物
超電導体と銀からなる電極である。
第２図は、本実施例における電極超電導体の結晶構造の
構成要素である、ペロブスカイト構造を示したものであ
る。図において、３にCu、４にＯ、５にＹまたはBaが入
ったもので、この構成要素がある周期をもって、層状に
積み重なったものである。実際の超電導体では、この構
造から、適当に酸素のぬけた酸素欠損型の構造になって
いると考えられる。
構成要素である、ペロブスカイト構造を示したものであ
る。図において、３にCu、４にＯ、５にＹまたはBaが入
ったもので、この構成要素がある周期をもって、層状に
積み重なったものである。実際の超電導体では、この構
造から、適当に酸素のぬけた酸素欠損型の構造になって
いると考えられる。
ガラス粉末の量が２重量％よりも少ないと電極の結合力
が弱く、強度的に実用的なものが得られなかった。また
22重量％を越えると、電極として、室温および超電導臨
界温度以下の広い温度範囲にわたって、損失の小さいも
のを得るのが困難となった。したがって、ガラス成分
は、22〜２重量％の範囲が好ましい。この範囲では焼き
付けた電極はいずれも77Kで超電導状態にあり、超電導
状態にある限り、Ｑ値に関し同一の結果が得られた。
が弱く、強度的に実用的なものが得られなかった。また
22重量％を越えると、電極として、室温および超電導臨
界温度以下の広い温度範囲にわたって、損失の小さいも
のを得るのが困難となった。したがって、ガラス成分
は、22〜２重量％の範囲が好ましい。この範囲では焼き
付けた電極はいずれも77Kで超電導状態にあり、超電導
状態にある限り、Ｑ値に関し同一の結果が得られた。
ガラス成分として、硼珪酸鉛ガラス以外に、硼珪酸鉛亜
鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラスおよび硼珪酸バリウム
ガラスで本実施例と同様の結果が得られた。すなわちガ
ラスとしては、焼き付け温度で、溶融し接着の作用が有
り、焼き付け温度で電極材料と反応して、電極の超伝導
特性を損なうようなものでなければ良い。
鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラスおよび硼珪酸バリウム
ガラスで本実施例と同様の結果が得られた。すなわちガ
ラスとしては、焼き付け温度で、溶融し接着の作用が有
り、焼き付け温度で電極材料と反応して、電極の超伝導
特性を損なうようなものでなければ良い。
金属材料として、銀以外に、白金、パラジウム、金で本
実施例と同様の結果が得られた。すなわち、金属材料と
して、焼き付け温度で、電極材料と反応して、電極の超
伝導特性を損なうようなものでなければ良い。
実施例と同様の結果が得られた。すなわち、金属材料と
して、焼き付け温度で、電極材料と反応して、電極の超
伝導特性を損なうようなものでなければ良い。
（実施例２） 酸化ランタン（La2O3）、酸化バリウム（BaO）と酸化銅
（CuO）を、La1.84、Ba0.16Cu1の比で含むようそれぞれ
秤量し、混合の後、実施例１と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
（CuO）を、La1.84、Ba0.16Cu1の比で含むようそれぞれ
秤量し、混合の後、実施例１と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
次に、この原料粉末を電極材料として用いて、実施例１
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのＱ値を30Kと室
温で測定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施
例１と同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、
電極は臨界温度以下で超電導体となっており、本実施例
のものでは、電極損失が極めて低くなっており、良好な
Ｑ値が得られた。
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのＱ値を30Kと室
温で測定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施
例１と同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、
電極は臨界温度以下で超電導体となっており、本実施例
のものでは、電極損失が極めて低くなっており、良好な
Ｑ値が得られた。
焼結体粉末粒子とガラス成分および金属成分の比を変え
て作成した結果は、やはり実施例１と同様であった。ま
たガラスの種類および金属の種類を変えた場合の結果も
同様であった。
て作成した結果は、やはり実施例１と同様であった。ま
たガラスの種類および金属の種類を変えた場合の結果も
同様であった。
電極の酸化物は、実施例１と同様、層状ペロブスカイト
構造である。
構造である。
（実施例３） 希土類酸化物（Yb、Er、Ho、Dyの酸化物）、酸化バリウ
ム（BaO）と酸化銅（CuO）を、酸化銅１に対し、希土類
酸化物と酸化物バリウムが0.3および0.7になるよう種々
秤量し、混合の後、実施例１と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
ム（BaO）と酸化銅（CuO）を、酸化銅１に対し、希土類
酸化物と酸化物バリウムが0.3および0.7になるよう種々
秤量し、混合の後、実施例１と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
次に、この原料粉末を電極材料として用いて、実施例１
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのＱ値を50Kと室
温で測定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施
例１と同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、
電極は臨界温度以下で超電導体となっており、本実施例
のものでは、電極損失が極めて低くなっており、良好な
Ｑ値が得られた。
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのＱ値を50Kと室
温で測定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施
例１と同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、
電極は臨界温度以下で超電導体となっており、本実施例
のものでは、電極損失が極めて低くなっており、良好な
Ｑ値が得られた。
焼結体粉末粒子とガラス成分および金属成分の比を変え
て作成した結果は、やはり実施例１と同様であった。ま
たガラスの種類および金属の種類を変えた場合の結果も
同様であった。
て作成した結果は、やはり実施例１と同様であった。ま
たガラスの種類および金属の種類を変えた場合の結果も
同様であった。
電極の酸化物は、実施例１と同様、層状ペロブスカイト
構造である。
構造である。
以上述べた如く、本発明の方法によれば、広い温度範囲
において、高周波のＱ値の大きいセラミックコンデンサ
を得ることができる。
において、高周波のＱ値の大きいセラミックコンデンサ
を得ることができる。
第２図は、実施例１の電極用超電導体の結晶構造につい
て、示したものであるが、実施例２〜３の場合の層状ペ
ロブスカイト構造は、この構造において、Ｙ、Baの代り
に、それぞれの実施例で用いられた、Cu、Ｏ以外の元素
で置き代えたものである。
て、示したものであるが、実施例２〜３の場合の層状ペ
ロブスカイト構造は、この構造において、Ｙ、Baの代り
に、それぞれの実施例で用いられた、Cu、Ｏ以外の元素
で置き代えたものである。
本実施例の構造では、誘電体、超電導体電極ともに酸化
物であり、金属材料は貴金属である。そのため電極焼き
付けを、酸素を含む雰囲気、例えば空気中で行うことが
でき、電極としての超電導特性、および誘電体としての
誘電特性を損なうことなく作ることができる。
物であり、金属材料は貴金属である。そのため電極焼き
付けを、酸素を含む雰囲気、例えば空気中で行うことが
でき、電極としての超電導特性、および誘電体としての
誘電特性を損なうことなく作ることができる。
また誘電体が酸化物焼結体であり、また電極も酸化物焼
結体を主成分とすることから、電極焼き付け時の誘電体
焼結体と電極とのなじみが極めて良く、焼き付け時の電
極剥離やクラック発生による、電極の超伝導臨界温度の
低下などの問題がみられなかった。このことから本実施
例の製造方法によれば、酸化物焼結体誘電体および層状
ペロブスカイト構造型酸化物超電導体の組合せについて
は、いずれの材料についても適用できるものである。例
えば、チタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムの化
合物、チタン酸ストロンチウムとチタン酸カルシウムの
化合物を誘電体として用いた場合も、同様の結果の得ら
れるものである。
結体を主成分とすることから、電極焼き付け時の誘電体
焼結体と電極とのなじみが極めて良く、焼き付け時の電
極剥離やクラック発生による、電極の超伝導臨界温度の
低下などの問題がみられなかった。このことから本実施
例の製造方法によれば、酸化物焼結体誘電体および層状
ペロブスカイト構造型酸化物超電導体の組合せについて
は、いずれの材料についても適用できるものである。例
えば、チタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムの化
合物、チタン酸ストロンチウムとチタン酸カルシウムの
化合物を誘電体として用いた場合も、同様の結果の得ら
れるものである。
また本実施例では、誘電体の厚み、および電極用酸化物
超電導体の厚みとして特定の値を用いたが、誘電体の厚
みは任意であり、また電極の厚みは、ペーストの粘度、
印刷に使うスクリーンの目の粗さなどを変えることによ
り数μｍから1000μｍ程度の厚みが任意に得られる。
超電導体の厚みとして特定の値を用いたが、誘電体の厚
みは任意であり、また電極の厚みは、ペーストの粘度、
印刷に使うスクリーンの目の粗さなどを変えることによ
り数μｍから1000μｍ程度の厚みが任意に得られる。
また実施例では、いずれの実施例においても、酸化物焼
結体粉末の結晶構造をＸ線解析した結果、粉末の状態で
すでに層状ペロブスカイト構造を有しており、また磁化
率の測定から、反磁性が観測され、すでに超電導体状態
の粉末粒子となっていることがわかった。そのため焼き
付け温度は低く、また焼き付け時間も短く、これによ
り、ガラス成分が、超電導体成分に悪影響を及ぼすこと
なく、酸化物超電導体電極が得られている。
結体粉末の結晶構造をＸ線解析した結果、粉末の状態で
すでに層状ペロブスカイト構造を有しており、また磁化
率の測定から、反磁性が観測され、すでに超電導体状態
の粉末粒子となっていることがわかった。そのため焼き
付け温度は低く、また焼き付け時間も短く、これによ
り、ガラス成分が、超電導体成分に悪影響を及ぼすこと
なく、酸化物超電導体電極が得られている。
本発明のセラミックコンデンサは、広い温度範囲におい
て、高周波におけるＱ値が極めて優れており、２次元電
子ガスを用いた、高移動度トランジスタを用いた、高周
波トランジスタ等と組合せて使用することにより、きわ
めて性能の良い、増幅器、発振器等を構成できるもので
ある。
て、高周波におけるＱ値が極めて優れており、２次元電
子ガスを用いた、高移動度トランジスタを用いた、高周
波トランジスタ等と組合せて使用することにより、きわ
めて性能の良い、増幅器、発振器等を構成できるもので
ある。
発明の効果 以上述べた如く、本発明は、層状ペロブスカイト構造型
酸化物超電導体焼結粉末粒子40〜83重量％と、ガラス成
分２〜22重量％と、金属成分15〜38重量％からなる電極
を有し、誘電体として酸化物焼結体を用いたセラミック
コンデンサを提供するものである。
酸化物超電導体焼結粉末粒子40〜83重量％と、ガラス成
分２〜22重量％と、金属成分15〜38重量％からなる電極
を有し、誘電体として酸化物焼結体を用いたセラミック
コンデンサを提供するものである。
第１図は本発明の構造の一実施例を示す構造図、第２図
は本発明に用いた酸化物超電導体の結晶構造である層状
ペロブスカイト構造の、構成要素であるペロブスカイト
構造を示した構造図である。 １……酸化物焼結体誘電体、２……酸化物超電導体を含
む電極、３……Cu、４……Ｏ、５……ＹまたはBa。
は本発明に用いた酸化物超電導体の結晶構造である層状
ペロブスカイト構造の、構成要素であるペロブスカイト
構造を示した構造図である。 １……酸化物焼結体誘電体、２……酸化物超電導体を含
む電極、３……Cu、４……Ｏ、５……ＹまたはBa。
Claims (5)
- 【請求項１】層状ペロブスカイト構造型酸化物超電導体
焼結体粉末粒子40〜83重量％と、ガラス成分２〜22重量
％と、金属成分15〜38重量％からなる電極を有し、誘電
体として酸化物焼結体を用いたことを特徴とするセラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項２】層状ペロブスカイト構造型酸化物超電導体
焼結体粉末粒子として、Ａ−Ba−Cu酸化物（但しＡは、
Ｙ、希土類）を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のセラミックコンデンサ。 - 【請求項３】希土類として、La、Yb、Er、Ho、Dyを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載のセ
ラミックコンデンサ。 - 【請求項４】ガラス成分として、硼珪酸鉛ガラス、硼珪
酸鉛亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス、硼珪酸バリウ
ムガラスを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のセラミックコンデンサ。 - 【請求項５】酸化物焼結体誘電体として、酸化チタン、
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バ
リウムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物、およびそれらの
化合物を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のセラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126268A JPH0793234B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126268A JPH0793234B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289918A JPS63289918A (ja) | 1988-11-28 |
| JPH0793234B2 true JPH0793234B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=14930981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62126268A Expired - Lifetime JPH0793234B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793234B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119918B2 (en) | 1995-03-06 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Communication apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2893704B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1999-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US6690567B1 (en) | 2002-09-26 | 2004-02-10 | Ceramphysics, Inc. | Capacitive energy storage device |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62126268A patent/JPH0793234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119918B2 (en) | 1995-03-06 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Communication apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63289918A (ja) | 1988-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5292694A (en) | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3 | |
| JP3305626B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とこの誘電体磁器組成物を用いたセラミック電子部品 | |
| US6631070B2 (en) | Ceramic capacitor with czt dielectric | |
| JPH03193657A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品 | |
| US5750452A (en) | Dielectric ceramic composition for microwave | |
| CN114823135B (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| US5798052A (en) | Piezoelectric ceramic composition | |
| JPS63289918A (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| JPH0793233B2 (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| EP0663375A1 (en) | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide | |
| KR910001347B1 (ko) | 초저온에서 소결되는 세라믹 조성물 및 그 제조방법 | |
| JPS61193419A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JPH0793225B2 (ja) | セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| KR0165557B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JPH0521266A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器物質の製造方法 | |
| JP2576605B2 (ja) | 磁器組成物の製造方法 | |
| JP2677631B2 (ja) | 厚膜コンデンサの製造方法 | |
| KR910001344B1 (ko) | 다층 세라믹 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| JP2900687B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2622292B2 (ja) | 誘電体ペースト | |
| JP2984115B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JP2642390B2 (ja) | 厚膜コンデンサ | |
| JP2866503B2 (ja) | 酸化物超電導構造体の製造方法 | |
| JPS63293909A (ja) | セラミックコンデンサとその製造方法 |