JPH0793719A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0793719A JPH0793719A JP5239652A JP23965293A JPH0793719A JP H0793719 A JPH0793719 A JP H0793719A JP 5239652 A JP5239652 A JP 5239652A JP 23965293 A JP23965293 A JP 23965293A JP H0793719 A JPH0793719 A JP H0793719A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性を向上させる事ができる磁気抵抗効果
型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する事を目的とす
る。 【構成】 磁気抵抗効果膜７上に反強磁性膜８を成膜
し、その上に酸化防止用の保護膜１７を設けた。この事
によって、反強磁性膜８の腐食を防止できるので、特性
劣化等を防止でき、信頼性を向上させる事ができる。
型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する事を目的とす
る。 【構成】 磁気抵抗効果膜７上に反強磁性膜８を成膜
し、その上に酸化防止用の保護膜１７を設けた。この事
によって、反強磁性膜８の腐食を防止できるので、特性
劣化等を防止でき、信頼性を向上させる事ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等の磁
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び
その製造方法に関するものである。
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録分野における小型化・大容量化
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、 １．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１００メガ
バイトと言われている。
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、 １．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１００メガ
バイトと言われている。
【０００３】これらの要求に応えるため磁気ディスクと
して高保磁力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有す
る金属薄膜ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタ
ルインギャップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性
膜を積層した積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
して高保磁力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有す
る金属薄膜ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタ
ルインギャップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性
膜を積層した積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
【０００４】しかし、これらの磁気ヘッドは全て電磁誘
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ド，磁気ディスク間相対速度に比例する。そのため、さ
らに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な再
生出力を得ることが出来なくなっている。そのため、現
在磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を感
磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略
す）が提案されている。
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ド，磁気ディスク間相対速度に比例する。そのため、さ
らに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な再
生出力を得ることが出来なくなっている。そのため、現
在磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を感
磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略
す）が提案されている。
【０００５】ここで、図１３は従来のＭＲヘッドを示す
正面図である。図中１はＡｌ2 Ｏ3ＴｉＣ等のセラミッ
ク材からなる基板であり、２はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等
からなる絶縁層、３はＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる下
部シールド層、４はＡｌ2 Ｏ 3 ，ＳｉＯ2 等からなり下
部再生ギャップとなる絶縁層、５はアモルファス合金，
ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜７（以下ＭＲ膜と略
す）に横バイアス磁界を与えるための軟磁性膜、６はＴ
ａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2 等からなり軟磁性膜５とＭＲ膜７と
を磁気的に分離する中間層、８はＦｅＭｎ系合金等から
なりＭＲ膜７の磁区を制御するための反強磁性膜、９は
例えばＡｕ，Ｗ等のリード層、１０はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 等からなり上部再生ギャップとなる絶縁層、１１は
ＮｉＦｅ等からなる上部シールド層、１２はＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等からなり再生ヘッドであるＭＲヘッドと
記録ヘッドとを分離する絶縁層、１３はＮｉＦｅ等から
なり記録ヘッドの下部コアとなる軟磁性層、１４はＡｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり記録ギャップとなる絶縁
層、１５はＮｉＦｅ等からなり記録ヘッドの上部コアと
なる軟磁性層、１６はＡｌ2 Ｏ3 等からなり全体の保護
層となる絶縁層である。
正面図である。図中１はＡｌ2 Ｏ3ＴｉＣ等のセラミッ
ク材からなる基板であり、２はＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等
からなる絶縁層、３はＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる下
部シールド層、４はＡｌ2 Ｏ 3 ，ＳｉＯ2 等からなり下
部再生ギャップとなる絶縁層、５はアモルファス合金，
ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜７（以下ＭＲ膜と略
す）に横バイアス磁界を与えるための軟磁性膜、６はＴ
ａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2 等からなり軟磁性膜５とＭＲ膜７と
を磁気的に分離する中間層、８はＦｅＭｎ系合金等から
なりＭＲ膜７の磁区を制御するための反強磁性膜、９は
例えばＡｕ，Ｗ等のリード層、１０はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 等からなり上部再生ギャップとなる絶縁層、１１は
ＮｉＦｅ等からなる上部シールド層、１２はＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等からなり再生ヘッドであるＭＲヘッドと
記録ヘッドとを分離する絶縁層、１３はＮｉＦｅ等から
なり記録ヘッドの下部コアとなる軟磁性層、１４はＡｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり記録ギャップとなる絶縁
層、１５はＮｉＦｅ等からなり記録ヘッドの上部コアと
なる軟磁性層、１６はＡｌ2 Ｏ3 等からなり全体の保護
層となる絶縁層である。
【０００６】このヘッドの場合、記録のトラック幅と再
生のトラック幅とを個別に設定できるため、ワイドライ
ト−ナローリード（広く記録して狭く再生する。）が可
能となっている。また、出力の線形性を保つための横バ
イアス方式としてＳＡＬ（Ｓｏｆｔ−Ａｄｊａｃｅｎｔ
−Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれる方法を用いてお
り、ＭＲ膜７に流れるセンス電流により発生する磁界で
軟磁性膜５を磁化させ、軟磁性膜５の磁化から発生する
磁界によりＭＲ膜７にバイアス磁界を印加するものであ
る。また、反強磁性膜８はＭＲヘッド特有のバルクハウ
ゼンノイズを抑制するためにＭＲ膜７の磁区を制御する
ためのものであり、ＭＲ膜７との間に働く交換結合磁界
によりトラック幅方向（図中矢印で示す）に抑制磁界を
与えＭＲ膜７を単磁区化するものである。
生のトラック幅とを個別に設定できるため、ワイドライ
ト−ナローリード（広く記録して狭く再生する。）が可
能となっている。また、出力の線形性を保つための横バ
イアス方式としてＳＡＬ（Ｓｏｆｔ−Ａｄｊａｃｅｎｔ
−Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれる方法を用いてお
り、ＭＲ膜７に流れるセンス電流により発生する磁界で
軟磁性膜５を磁化させ、軟磁性膜５の磁化から発生する
磁界によりＭＲ膜７にバイアス磁界を印加するものであ
る。また、反強磁性膜８はＭＲヘッド特有のバルクハウ
ゼンノイズを抑制するためにＭＲ膜７の磁区を制御する
ためのものであり、ＭＲ膜７との間に働く交換結合磁界
によりトラック幅方向（図中矢印で示す）に抑制磁界を
与えＭＲ膜７を単磁区化するものである。
【０００７】このような構成のＭＲヘッドの動作を簡単
に説明する。記録ヘッドにより磁気記録媒体に記録され
た磁化から発生する磁界がＭＲ膜７のトラック部に流入
するとその磁束の大きさによって電気抵抗が変化する。
このとき、ＭＲ膜７にはセンス電流を流しているため電
気抵抗の変化を電圧変化として検出することが出来る。
に説明する。記録ヘッドにより磁気記録媒体に記録され
た磁化から発生する磁界がＭＲ膜７のトラック部に流入
するとその磁束の大きさによって電気抵抗が変化する。
このとき、ＭＲ膜７にはセンス電流を流しているため電
気抵抗の変化を電圧変化として検出することが出来る。
【０００８】この時、軟磁性膜５の膜厚や飽和磁束密度
の大きさを変えることによりバイアス磁界の大きさを変
え最適バイアスを与えるようにする。
の大きさを変えることによりバイアス磁界の大きさを変
え最適バイアスを与えるようにする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、反強磁性膜８は一般的に腐食し易い材料で
構成されるために、反強磁性膜８を形成した直後に腐食
することがあり、その結果ＭＲヘッドの特性が劣化した
り、また形成直後に腐食しなくても長期間使用すること
によって、反強磁性膜８が次第に腐食し、やはりＭＲヘ
ッドの特性が劣化することがあった。このＭＲヘッドの
特性の劣化の原因として、例えば、反強磁性膜８が腐食
することによってリード層９との間の電気抵抗が大きく
なり、サーマルノイズが発生し、反強磁性膜８そのもの
の機能が低下する等が考えられる。
の構成では、反強磁性膜８は一般的に腐食し易い材料で
構成されるために、反強磁性膜８を形成した直後に腐食
することがあり、その結果ＭＲヘッドの特性が劣化した
り、また形成直後に腐食しなくても長期間使用すること
によって、反強磁性膜８が次第に腐食し、やはりＭＲヘ
ッドの特性が劣化することがあった。このＭＲヘッドの
特性の劣化の原因として、例えば、反強磁性膜８が腐食
することによってリード層９との間の電気抵抗が大きく
なり、サーマルノイズが発生し、反強磁性膜８そのもの
の機能が低下する等が考えられる。
【００１０】また、反強磁性膜８は温度の上昇に対し反
強磁性体から常磁性体へと徐々に変化していく傾向にあ
るために図１４に示すようにＭＲ膜７の磁区を制御する
ための磁界（交換結合磁界）は徐々に減少してゆく。従
ってＭＲヘッドの温度がリード層等の発熱によって温度
が上がった場合、磁区を制御するための磁界の向きと異
なる方向に外部から磁界が加わると、温度が低下した時
に磁区を制御するための磁界の向きが変化してしまい、
そのためデータ再生中にバルクハウゼンノイズが発生し
データの読み取りエラーが生じてしまうことがあった。
強磁性体から常磁性体へと徐々に変化していく傾向にあ
るために図１４に示すようにＭＲ膜７の磁区を制御する
ための磁界（交換結合磁界）は徐々に減少してゆく。従
ってＭＲヘッドの温度がリード層等の発熱によって温度
が上がった場合、磁区を制御するための磁界の向きと異
なる方向に外部から磁界が加わると、温度が低下した時
に磁区を制御するための磁界の向きが変化してしまい、
そのためデータ再生中にバルクハウゼンノイズが発生し
データの読み取りエラーが生じてしまうことがあった。
【００１１】従って上述の様に従来の構成では、反強磁
性膜８の腐食や、反強磁性膜８の温度上昇によって生じ
るＭＲヘッドの特性劣化が生じることがあり、信頼性が
低いという問題点があった。
性膜８の腐食や、反強磁性膜８の温度上昇によって生じ
るＭＲヘッドの特性劣化が生じることがあり、信頼性が
低いという問題点があった。
【００１２】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、信頼性を向上させることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的として
いる。
で、信頼性を向上させることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的として
いる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、磁気抵抗効果膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁区を制
御するためにＦｅＭｎ系合金等の反強磁性膜を設け、さ
らに前記反強磁性膜上にＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ
等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギーが小さい金
属のうち少なくとも１種の金属あるいはアモルファス合
金からなる保護膜を前記反強磁成膜時から真空を破るこ
となく連続して設けるようにした。また、磁気抵抗効果
膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁区を制御するためにＦｅ
Ｍｎ系合金等の反強磁性膜を設け、さらに前記反強磁性
膜上にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣ
ｒＰｔ，ＣｏＮｉ等の硬質磁性体を設けるようにした。
場合によっては前記反強磁性膜と前記硬質磁性体との間
にＣｒからなる下地層を設けるようにした。
に、磁気抵抗効果膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁区を制
御するためにＦｅＭｎ系合金等の反強磁性膜を設け、さ
らに前記反強磁性膜上にＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ
等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギーが小さい金
属のうち少なくとも１種の金属あるいはアモルファス合
金からなる保護膜を前記反強磁成膜時から真空を破るこ
となく連続して設けるようにした。また、磁気抵抗効果
膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁区を制御するためにＦｅ
Ｍｎ系合金等の反強磁性膜を設け、さらに前記反強磁性
膜上にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣ
ｒＰｔ，ＣｏＮｉ等の硬質磁性体を設けるようにした。
場合によっては前記反強磁性膜と前記硬質磁性体との間
にＣｒからなる下地層を設けるようにした。
【００１４】
【作用】本発明は上記構成により、低電気抵抗化を達成
することができＭＲヘッドの信頼性を向上し、かつサー
マルノイズを低減することができる。また、ＭＲヘッド
の動作時のデータ読み取りの信頼性を向上することがで
き高性能のＭＲヘッドを得ることができる。
することができＭＲヘッドの信頼性を向上し、かつサー
マルノイズを低減することができる。また、ＭＲヘッド
の動作時のデータ読み取りの信頼性を向上することがで
き高性能のＭＲヘッドを得ることができる。
【００１５】
（実施例１）図１は本発明の一実施例における磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを示す正面図である。図１において、
１は基板、２は絶縁層、３は下部シールド層、４は絶縁
層、５は軟磁性膜、６は中間層、７はＭＲ膜、８は反強
磁性膜、９はリード層、１０は絶縁層、１１は上部シー
ルド層、１２は絶縁層、１３は軟磁性層、１４は絶縁
層、１５は軟磁性層、１６は絶縁層でこれらは従来の構
成と同じである。
効果型磁気ヘッドを示す正面図である。図１において、
１は基板、２は絶縁層、３は下部シールド層、４は絶縁
層、５は軟磁性膜、６は中間層、７はＭＲ膜、８は反強
磁性膜、９はリード層、１０は絶縁層、１１は上部シー
ルド層、１２は絶縁層、１３は軟磁性層、１４は絶縁
層、１５は軟磁性層、１６は絶縁層でこれらは従来の構
成と同じである。
【００１６】１７は反強磁性膜８とリード層９との間に
設けられた保護膜で、保護膜１７はＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｃｕ等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギー
が小さい金属のうち少なくとも１種の金属あるいはアモ
ルファス合金から構成されている。アモルファス合金と
して、本実施例ではＣｏＮｂＺｒＴａを用いたが、アモ
ルファス合金は耐食性に優れているので、他の組成でも
同等の効果を得ることができる。この保護膜１７を腐食
し易い反強磁性膜８上に設けることによって、反強磁性
膜８の腐食を防止できるので、ＭＲヘッドの特性劣化を
防止することができる。なお、本実施例では保護膜１７
は反強磁性膜８上にしか設けなかったが、反強磁性膜８
を挟む様に保護膜１７を設けると、更に耐食性を向上さ
せることができる。
設けられた保護膜で、保護膜１７はＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｃｕ等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギー
が小さい金属のうち少なくとも１種の金属あるいはアモ
ルファス合金から構成されている。アモルファス合金と
して、本実施例ではＣｏＮｂＺｒＴａを用いたが、アモ
ルファス合金は耐食性に優れているので、他の組成でも
同等の効果を得ることができる。この保護膜１７を腐食
し易い反強磁性膜８上に設けることによって、反強磁性
膜８の腐食を防止できるので、ＭＲヘッドの特性劣化を
防止することができる。なお、本実施例では保護膜１７
は反強磁性膜８上にしか設けなかったが、反強磁性膜８
を挟む様に保護膜１７を設けると、更に耐食性を向上さ
せることができる。
【００１７】次に以上の様に構成されたＭＲヘッドにつ
いて以下その製造方法を図５〜図１２を用いて説明す
る。
いて以下その製造方法を図５〜図１２を用いて説明す
る。
【００１８】まず、図５に示す様にＡｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＣ
等のセラミック材よりなる基板１上にスパッタリング法
等によって、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなる絶縁層２
を２〜３μｍ程度成膜し、その上にスパッタリング法ま
たは鍍金法等によってＮｉＦｅ，ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁
性材料より構成される下部シールド層３を所定の形状と
なるように形成する。この時下部シールド層３の厚みは
２μｍ程度で形成した。また下部シールド層３を所定の
形状にするためには、予め絶縁層２の上にレジスト等を
用いてパターンを形成した後に成膜したり、成膜した後
にミリング等によって所定の形状に加工を行う。
等のセラミック材よりなる基板１上にスパッタリング法
等によって、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなる絶縁層２
を２〜３μｍ程度成膜し、その上にスパッタリング法ま
たは鍍金法等によってＮｉＦｅ，ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁
性材料より構成される下部シールド層３を所定の形状と
なるように形成する。この時下部シールド層３の厚みは
２μｍ程度で形成した。また下部シールド層３を所定の
形状にするためには、予め絶縁層２の上にレジスト等を
用いてパターンを形成した後に成膜したり、成膜した後
にミリング等によって所定の形状に加工を行う。
【００１９】次に図６に示す様に下部シールド層３の上
にスパッタリング法等によってＡｌ 2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等
からなり、下部再生ギャップとなる絶縁層４を１０００
〜２０００Å程度成膜し、更に絶縁層４の上にスパッタ
リング法または真空蒸着法等によってＮｉＦｅＲｈ，ア
モルファス合金等の横バイアス磁界を与えるための軟磁
性膜５を２００〜３００Å程度の膜厚で形成し、更に軟
磁性膜５の上にスパッタリング法及び真空蒸着法によっ
てＴａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2 等からなる中間層６を１００〜
３００Å程度の膜厚で形成し、次に中間層６の上にスパ
ッタリング法または真空蒸着法等によってＮｉＦｅ等か
らなるＭＲ膜７を膜厚２００〜５００Åの膜厚で形成す
る。
にスパッタリング法等によってＡｌ 2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等
からなり、下部再生ギャップとなる絶縁層４を１０００
〜２０００Å程度成膜し、更に絶縁層４の上にスパッタ
リング法または真空蒸着法等によってＮｉＦｅＲｈ，ア
モルファス合金等の横バイアス磁界を与えるための軟磁
性膜５を２００〜３００Å程度の膜厚で形成し、更に軟
磁性膜５の上にスパッタリング法及び真空蒸着法によっ
てＴａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2 等からなる中間層６を１００〜
３００Å程度の膜厚で形成し、次に中間層６の上にスパ
ッタリング法または真空蒸着法等によってＮｉＦｅ等か
らなるＭＲ膜７を膜厚２００〜５００Åの膜厚で形成す
る。
【００２０】その後、図７に示す様に、フォトレジスト
２１によって反強磁性膜８及びリード層９を所定の形状
に形成するパターンを作製する。
２１によって反強磁性膜８及びリード層９を所定の形状
に形成するパターンを作製する。
【００２１】その後、図８に示す様にスパッタリング法
等によってＦｅＭｎ系合金からなる反強磁性膜８を２０
０〜３００Å程度の膜厚で成膜し、真空を破る事なく連
続して保護膜１７を成膜する。ここで、真空を破ること
なく成膜を行える装置としては連続スパッタ装置等が考
えられる。保護膜１７の形成膜厚としては、５０〜５０
０Åの範囲が望ましく、好ましくは１００〜３００Åの
範囲がよい。本実施例ではＴａを２００Åの膜厚で成膜
した。
等によってＦｅＭｎ系合金からなる反強磁性膜８を２０
０〜３００Å程度の膜厚で成膜し、真空を破る事なく連
続して保護膜１７を成膜する。ここで、真空を破ること
なく成膜を行える装置としては連続スパッタ装置等が考
えられる。保護膜１７の形成膜厚としては、５０〜５０
０Åの範囲が望ましく、好ましくは１００〜３００Åの
範囲がよい。本実施例ではＴａを２００Åの膜厚で成膜
した。
【００２２】次に図９に示す様に真空蒸着法等を用いて
Ａｕ等からなるリード層９を１０００〜２０００Åの膜
厚で成膜する。
Ａｕ等からなるリード層９を１０００〜２０００Åの膜
厚で成膜する。
【００２３】次に図１０に示す様にリフトオフ等を施し
てフォトレジスト２１を除去することでＭＲ膜７に電流
を供給するリード層９が形成される。
てフォトレジスト２１を除去することでＭＲ膜７に電流
を供給するリード層９が形成される。
【００２４】その後に図１１に示す様にスパッタリング
法等によってＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2等から構成される上
部再生ギャップとなる絶縁層１０を１０００〜２０００
Å程度の膜厚で形成する。その上にスパッタリング法ま
たは鍍金法等によってＮｉＦｅ等から構成される上部シ
ールド層１１を所定の形状で、しかも膜厚１〜３μｍで
形成する。
法等によってＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2等から構成される上
部再生ギャップとなる絶縁層１０を１０００〜２０００
Å程度の膜厚で形成する。その上にスパッタリング法ま
たは鍍金法等によってＮｉＦｅ等から構成される上部シ
ールド層１１を所定の形状で、しかも膜厚１〜３μｍで
形成する。
【００２５】次に図１２に示す様にスパッタリング法等
によってＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり、再生ヘッド
であるＭＲヘッドと記録ヘッドを分離する絶縁層１２を
約１μｍ程度成膜し、その後に記録ヘッドの下部コアと
なる軟磁性層１３を形成する。次に軟磁性層１３の上に
記録ギャップとなる絶縁層１４を介して記録ヘッドの上
部コアとなる軟磁性層１５を形成する。軟磁性層１３，
１５はそれぞれＮｉＦｅ等の軟磁性材料をスパッタリン
グ法や鍍金法等の薄膜形成技術を施す事によって膜厚２
〜４μｍで形成される。さらに絶縁層１４はＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等の非磁性材料にスパッタリング法等を施
すことによって膜厚０．６μｍ程度で形成される。最後
にＡｌ2 Ｏ3 等にスパッタリング法等を施す事によって
保護膜となる絶縁層１６を成膜する。
によってＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等からなり、再生ヘッド
であるＭＲヘッドと記録ヘッドを分離する絶縁層１２を
約１μｍ程度成膜し、その後に記録ヘッドの下部コアと
なる軟磁性層１３を形成する。次に軟磁性層１３の上に
記録ギャップとなる絶縁層１４を介して記録ヘッドの上
部コアとなる軟磁性層１５を形成する。軟磁性層１３，
１５はそれぞれＮｉＦｅ等の軟磁性材料をスパッタリン
グ法や鍍金法等の薄膜形成技術を施す事によって膜厚２
〜４μｍで形成される。さらに絶縁層１４はＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等の非磁性材料にスパッタリング法等を施
すことによって膜厚０．６μｍ程度で形成される。最後
にＡｌ2 Ｏ3 等にスパッタリング法等を施す事によって
保護膜となる絶縁層１６を成膜する。
【００２６】以上の様に構成されたＭＲヘッド（膜厚等
は上述の条件）について従来例との電気抵抗の比較を行
った。ヘッドはトラック幅４μｍとしてＭＲ素子部の高
さが２μｍとなるように加工して、その時の電気抵抗を
測定した。２０個の測定結果を（表１）に示す。
は上述の条件）について従来例との電気抵抗の比較を行
った。ヘッドはトラック幅４μｍとしてＭＲ素子部の高
さが２μｍとなるように加工して、その時の電気抵抗を
測定した。２０個の測定結果を（表１）に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】従来例ではおそらく酸化の程度が異なるた
めと推察されるが、電気抵抗が高くそのばらつきも大き
い。しかし、実施例では電気抵抗が低くほぼ理論値通り
の値となっておりそのばらつきも小さくなっている。
めと推察されるが、電気抵抗が高くそのばらつきも大き
い。しかし、実施例では電気抵抗が低くほぼ理論値通り
の値となっておりそのばらつきも小さくなっている。
【００２９】なお、リード層９をＡｕ，Ｗ等の単層膜で
はなく下地層を持つような複合膜で形成した場合、例え
ば保護膜１７をＴａとしてリード層９をＴａ／Ａｕの２
層膜とするように保護膜１７とリード層９の下地層とを
同一の材料とすることによりさらに効果が大きくなる。
はなく下地層を持つような複合膜で形成した場合、例え
ば保護膜１７をＴａとしてリード層９をＴａ／Ａｕの２
層膜とするように保護膜１７とリード層９の下地層とを
同一の材料とすることによりさらに効果が大きくなる。
【００３０】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
におけるＭＲヘッドを示す正面図である。図１で示した
ものと同一の番号は同一の機能を示すものであり説明は
省略する。本実施例では反強磁性膜８で規制された幅と
リード層１８（製法、構成材料等はリード層９とほぼ同
じ）で規制された幅（即ちトラック幅）が異なる構成と
なっている。本実施例の場合、ＦｅＭｎ系合金を成膜し
た後に再度フォトレジスト等によりリード層１８を成膜
するためのパターンを形成する必要がある。従って、Ｆ
ｅＭｎ系合金はこのパターンを形成する工程を通ること
になり、当然現像液や純水等に浸漬されるため、保護膜
１７を設ける効果は実施例１に比べて大きくなる。特
に、この場合腐食等によりＦｅＭｎ系合金の機能が低下
することを防げる効果がある。
におけるＭＲヘッドを示す正面図である。図１で示した
ものと同一の番号は同一の機能を示すものであり説明は
省略する。本実施例では反強磁性膜８で規制された幅と
リード層１８（製法、構成材料等はリード層９とほぼ同
じ）で規制された幅（即ちトラック幅）が異なる構成と
なっている。本実施例の場合、ＦｅＭｎ系合金を成膜し
た後に再度フォトレジスト等によりリード層１８を成膜
するためのパターンを形成する必要がある。従って、Ｆ
ｅＭｎ系合金はこのパターンを形成する工程を通ること
になり、当然現像液や純水等に浸漬されるため、保護膜
１７を設ける効果は実施例１に比べて大きくなる。特
に、この場合腐食等によりＦｅＭｎ系合金の機能が低下
することを防げる効果がある。
【００３１】本実施例のＭＲヘッドと比較例として本実
施例の構成で保護膜１７がないＭＲヘッドとの記録再生
特性の比較を行った。記録再生は各々１０個のＭＲヘッ
ドについて３．５インチの薄膜磁気ディスクを用い、周
速８ｍ／ｓ，記録周波数６ＭＨｚで行った。測定方法は
６ＭＨｚの信号を連続して１０回記録再生を行い、その
平均値（ｘ）とばらつき（σ）を求め、記録再生の安定
度の指標としてσ／ｘを求めた。１０個のヘッドについ
てのσ／ｘの平均値とばらつきを（表２）に示す（膜厚
等は実施例１と同じ）。
施例の構成で保護膜１７がないＭＲヘッドとの記録再生
特性の比較を行った。記録再生は各々１０個のＭＲヘッ
ドについて３．５インチの薄膜磁気ディスクを用い、周
速８ｍ／ｓ，記録周波数６ＭＨｚで行った。測定方法は
６ＭＨｚの信号を連続して１０回記録再生を行い、その
平均値（ｘ）とばらつき（σ）を求め、記録再生の安定
度の指標としてσ／ｘを求めた。１０個のヘッドについ
てのσ／ｘの平均値とばらつきを（表２）に示す（膜厚
等は実施例１と同じ）。
【００３２】
【表２】
【００３３】比較例においては平均値、ばらつきとも大
きくなっておりＭＲ膜７の磁区の制御にばらつきがある
のに対し、本実施例ではσ／ｘの平均値、ばらつきとも
に小さくなっていることがわかる。
きくなっておりＭＲ膜７の磁区の制御にばらつきがある
のに対し、本実施例ではσ／ｘの平均値、ばらつきとも
に小さくなっていることがわかる。
【００３４】（実施例３）図３は本発明の第３の実施例
における磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面図であ
る。１９は反強磁性膜８とリード層１８の間に設けられ
た硬質磁性体であり、その他の構成は（実施例２）と同
様である。硬質磁性体１９としてＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種
を用いることができる。更に硬質磁性体１９の膜厚によ
って発生する磁界の大きさを制御することができるが、
あまり厚くすると再生ギャップが厚くなるため好ましく
ない。従って硬質磁性体１９の膜厚としては１００〜１
０００Å、好ましくは２００〜５００Åの範囲で選択す
ることが好ましい。本実施例では例えば１５０℃以上に
温度が上昇して反強磁性膜８が反強磁性体から常磁性体
へと変化したとしても、反強磁性膜８の上に設けている
硬質磁性体１９により磁界がトラック幅方向に加わって
いるため、磁区を制御する磁界の方向が外部の磁界によ
って乱されることがないため安定してＭＲ膜７の磁区を
制御することができる。また、付随する効果として硬質
磁性体１９から発生する磁界により、ＭＲ膜７や下部シ
ールド層３，上部シールド層１１の磁区を制御すること
も可能である。
における磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面図であ
る。１９は反強磁性膜８とリード層１８の間に設けられ
た硬質磁性体であり、その他の構成は（実施例２）と同
様である。硬質磁性体１９としてＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種
を用いることができる。更に硬質磁性体１９の膜厚によ
って発生する磁界の大きさを制御することができるが、
あまり厚くすると再生ギャップが厚くなるため好ましく
ない。従って硬質磁性体１９の膜厚としては１００〜１
０００Å、好ましくは２００〜５００Åの範囲で選択す
ることが好ましい。本実施例では例えば１５０℃以上に
温度が上昇して反強磁性膜８が反強磁性体から常磁性体
へと変化したとしても、反強磁性膜８の上に設けている
硬質磁性体１９により磁界がトラック幅方向に加わって
いるため、磁区を制御する磁界の方向が外部の磁界によ
って乱されることがないため安定してＭＲ膜７の磁区を
制御することができる。また、付随する効果として硬質
磁性体１９から発生する磁界により、ＭＲ膜７や下部シ
ールド層３，上部シールド層１１の磁区を制御すること
も可能である。
【００３５】本実施例のＭＲヘッドと比較例として本実
施例の構成で硬質磁性体１９がないＭＲヘッドとの記録
再生特性の比較を行った。この場合、硬質磁性体１９と
して４００ÅのＣｏＮｉＰｔを成膜している。
施例の構成で硬質磁性体１９がないＭＲヘッドとの記録
再生特性の比較を行った。この場合、硬質磁性体１９と
して４００ÅのＣｏＮｉＰｔを成膜している。
【００３６】記録再生は各々１０個のＭＲヘッドについ
て３．５インチの薄膜磁気ディスクを用い、周速８ｍ／
ｓ，記録周波数６ＭＨｚで行った。測定方法は６ＭＨｚ
の信号を連続して１０回記録再生を行い、その平均値
（ｘ）とばらつき（σ）を求め、記録再生の安定度の指
標としてσ／ｘを求めた。１０個のヘッドについてのσ
／ｘの平均値とばらつきを（表３）に示す。さらにヘッ
ドを１６０℃雰囲気中でＭＲ膜７の磁区を制御する磁界
と直角の方向に外部磁界を印加して、その後の記録再生
を同様に測定した。結果を（表３）にあわせて示す。
て３．５インチの薄膜磁気ディスクを用い、周速８ｍ／
ｓ，記録周波数６ＭＨｚで行った。測定方法は６ＭＨｚ
の信号を連続して１０回記録再生を行い、その平均値
（ｘ）とばらつき（σ）を求め、記録再生の安定度の指
標としてσ／ｘを求めた。１０個のヘッドについてのσ
／ｘの平均値とばらつきを（表３）に示す。さらにヘッ
ドを１６０℃雰囲気中でＭＲ膜７の磁区を制御する磁界
と直角の方向に外部磁界を印加して、その後の記録再生
を同様に測定した。結果を（表３）にあわせて示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】本実施例では通常の測定においてもσ／ｘ
の平均値、ばらつきともに小さくなっているのは、硬質
磁性体１９が反強磁性膜８の腐食防止の効果も持ってい
るからである。さらに高温雰囲気を通した実験の結果で
は、比較例においては平均値、ばらつきとも通常実験よ
りも大きくなっているのに対し、本実施例では通常実験
とほぼ同じ結果となっていることがわかる。
の平均値、ばらつきともに小さくなっているのは、硬質
磁性体１９が反強磁性膜８の腐食防止の効果も持ってい
るからである。さらに高温雰囲気を通した実験の結果で
は、比較例においては平均値、ばらつきとも通常実験よ
りも大きくなっているのに対し、本実施例では通常実験
とほぼ同じ結果となっていることがわかる。
【００３９】（実施例４）図４は本発明の第４の実施例
における磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面図であ
る。本実施例の特長は（実施例３）で示した硬質磁性体
１９を単層構造から下地層２０を設けた２層構造として
いる点である。この場合、硬質磁性体１９として前述と
同様にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣ
ｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種を、下地層２０としてＣｒ
を用いている。前述した硬質磁性体１９はＣｒの上では
その保磁力が大きくなることから外部の磁界に対して磁
界の向きが変化されにくく、さらに効果が大きくなる。
における磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面図であ
る。本実施例の特長は（実施例３）で示した硬質磁性体
１９を単層構造から下地層２０を設けた２層構造として
いる点である。この場合、硬質磁性体１９として前述と
同様にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣ
ｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種を、下地層２０としてＣｒ
を用いている。前述した硬質磁性体１９はＣｒの上では
その保磁力が大きくなることから外部の磁界に対して磁
界の向きが変化されにくく、さらに効果が大きくなる。
【００４０】本実施例のＭＲヘッドも（実施例３）と同
様の効果が得られることを確認した。
様の効果が得られることを確認した。
【００４１】なお、上記実施例ではＭＲヘッドと書き込
みヘッドとが分離した構造を示したが、上部シールドと
下部コアとが一体になった構造でも効果があることは明
らかであるし、横バイアスの手段についてもここではＳ
ＡＬバイアスについて示したが、シャントバイアスや電
流バイアス、永久磁石バイアス等についても本実施例の
効果が得られることは明らかである。また、反強磁性膜
８自体の耐食性を向上させるためＣｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｎ
ｂ等を添加した場合でも同様の効果が得られる。
みヘッドとが分離した構造を示したが、上部シールドと
下部コアとが一体になった構造でも効果があることは明
らかであるし、横バイアスの手段についてもここではＳ
ＡＬバイアスについて示したが、シャントバイアスや電
流バイアス、永久磁石バイアス等についても本実施例の
効果が得られることは明らかである。また、反強磁性膜
８自体の耐食性を向上させるためＣｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｎ
ｂ等を添加した場合でも同様の効果が得られる。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、磁気抵抗効果膜上に前記磁気
抵抗効果膜の磁区を制御するためにＦｅＭｎ系合金等の
反強磁性膜を設け、さらに前記反強磁性膜上にＣｒ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成
エネルギーが小さい金属のうち少なくとも１種の金属あ
るいはアモルファス合金からなる保護膜を前記反強磁成
膜時から真空を破ることなく連続して設けるようにし
た。また、磁気抵抗効果膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁
区を制御するためにＦｅＭｎ系合金等の反強磁性膜を設
け、さらに前記反強磁性膜上にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉ等の硬質磁
性体を設けるようにした。場合によっては前記反強磁性
膜と前記硬質磁性体との間にＣｒからなる下地層を設け
るようにした。
抵抗効果膜の磁区を制御するためにＦｅＭｎ系合金等の
反強磁性膜を設け、さらに前記反強磁性膜上にＣｒ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ等のＦｅ，Ｍｎよりも酸化物形成
エネルギーが小さい金属のうち少なくとも１種の金属あ
るいはアモルファス合金からなる保護膜を前記反強磁成
膜時から真空を破ることなく連続して設けるようにし
た。また、磁気抵抗効果膜上に前記磁気抵抗効果膜の磁
区を制御するためにＦｅＭｎ系合金等の反強磁性膜を設
け、さらに前記反強磁性膜上にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉ等の硬質磁
性体を設けるようにした。場合によっては前記反強磁性
膜と前記硬質磁性体との間にＣｒからなる下地層を設け
るようにした。
【００４３】上記構成により、反強磁性膜の腐食を防止
できるとともに、反強磁性膜の温度上昇によって生じる
ＭＲヘッドの特性劣化を防止でき、信頼性が向上する。
できるとともに、反強磁性膜の温度上昇によって生じる
ＭＲヘッドの特性劣化を防止でき、信頼性が向上する。
【図１】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを示す正面図
ヘッドを示す正面図
【図２】本発明の第２の実施例における磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを示す正面図
磁気ヘッドを示す正面図
【図３】本発明の第３の実施例における磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを示す正面図
磁気ヘッドを示す正面図
【図４】本発明の第４の実施例における磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを示す正面図
磁気ヘッドを示す正面図
【図５】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法を示す工程図
ヘッドの製造方法を示す工程図
【図６】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法を示す工程図
ヘッドの製造方法を示す工程図
【図７】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法を示す工程図
ヘッドの製造方法を示す工程図
【図８】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法を示す工程図
ヘッドの製造方法を示す工程図
【図９】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法を示す工程図
ヘッドの製造方法を示す工程図
【図１０】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法を示す工程図
気ヘッドの製造方法を示す工程図
【図１１】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法を示す工程図
気ヘッドの製造方法を示す工程図
【図１２】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法を示す工程図
気ヘッドの製造方法を示す工程図
【図１３】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面
図
図
【図１４】温度と磁区を制御する磁界の大きさとの関係
を示すグラフ
を示すグラフ
１ 基板 ２，４，１０，１２，１４，１６ 絶縁層 ３ 下部シールド層 ５ 軟磁性膜 ６ 中間層 ７ 磁気抵抗効果膜 ８ 反強磁性膜 ９ リード層 １１ 上部シールド層 １３，１５ 軟磁性層 １７ 保護膜 １８ リード層 １９ 硬質磁性体 ２０ 下地層
Claims (15)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
接続されたリード層と、前記磁気抵抗効果膜上に設けら
れた反強磁性膜と、前記反強磁性膜上に設けられた保護
膜を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】反強磁性膜を構成する材料としてＦｅＭｎ
系合金を用いた事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】保護膜を構成する材料としてＦｅ，Ｍｎよ
りも酸化物形成エネルギーが小さい元素のうち少なくと
も１種の元素あるいはアモルファス合金を用いることを
特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】Ｆｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギーが
小さい元素がＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕであること
を特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
接続されたリード層と、前記磁気抵抗効果膜上に設けら
れた反強磁性膜と、前記反強磁性膜上に設けられた硬質
磁性体を備えた事を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】反強磁性膜としてＦｅＭｎ系合金を用いた
事を特徴とする請求項５記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】硬質磁性体としてＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種
を用いることを特徴とする請求項５記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項８】反強磁性膜上に下地層を介して硬質磁性体
を設けることを特徴とする請求項５記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項９】反強磁性膜としてＦｅＭｎ系合金を用いた
事を特徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１０】下地膜をＣｒで構成する事を特徴とする
請求項８記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１１】硬質磁性体としてＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種
を用いることを特徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項１２】基板上に磁気抵抗効果膜を形成し、前記
磁気抵抗効果膜上に反強磁性膜を積層し、前記反強磁性
膜上に保護膜を形成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法であって、反強磁性膜及び保護膜を真空中で成膜
するとともに、前記反強磁性膜を形成した後に、真空を
破る事なく引き続いて保護膜を形成することを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】強磁性膜を構成する材料としてＦｅＭｎ
系合金を用いた事を特徴とする請求項１２記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１４】保護膜を構成する材料としてＦｅ，Ｍｎ
よりも酸化物形成エネルギーが小さい元素のうち少なく
とも１種の元素あるいはアモルファス合金を用いること
を特徴とする請求項１３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１５】Ｆｅ，Ｍｎよりも酸化物形成エネルギー
が小さい元素がＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕであるこ
とを特徴とする請求項１４記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965293A JP3367161B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965293A JP3367161B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793719A true JPH0793719A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3367161B2 JP3367161B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=17047893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965293A Expired - Lifetime JP3367161B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367161B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061729B2 (en) * | 2002-05-16 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Protective cap in lead overlay magnetic sensors |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23965293A patent/JP3367161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061729B2 (en) * | 2002-05-16 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Protective cap in lead overlay magnetic sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3367161B2 (ja) | 2003-01-14 |
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