JPH0794036A - フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム - Google Patents
フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルムInfo
- Publication number
- JPH0794036A JPH0794036A JP6108930A JP10893094A JPH0794036A JP H0794036 A JPH0794036 A JP H0794036A JP 6108930 A JP6108930 A JP 6108930A JP 10893094 A JP10893094 A JP 10893094A JP H0794036 A JPH0794036 A JP H0794036A
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- JP
- Japan
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- film
- flat cable
- electromagnetic wave
- wave shielding
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- Pending
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- Insulated Conductors (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラットケーブルの電磁波遮蔽（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏ ＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ；以
下ＥＭＩと略称する）作業において作業性のよいフラッ
トケーブル用ＥＭＩ性組成物またはフイルムの提供。 【構成】 ヒートシール性を有する熱可塑性合成樹脂を
主成分とするフイルム形成材料と銀粒子および／または
銅粒子とを含有することを特徴とするフラットケーブル
用電磁波遮蔽性組成物。
ｒｏ ＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ；以
下ＥＭＩと略称する）作業において作業性のよいフラッ
トケーブル用ＥＭＩ性組成物またはフイルムの提供。 【構成】 ヒートシール性を有する熱可塑性合成樹脂を
主成分とするフイルム形成材料と銀粒子および／または
銅粒子とを含有することを特徴とするフラットケーブル
用電磁波遮蔽性組成物。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、フラットケーブル用電磁波遮蔽
性組成物またはそれを用いたフイルムに関する。
性組成物またはそれを用いたフイルムに関する。
【０００２】
【従来技術】コンピューターと周辺機器などを電気的に
接続したり、コンピューター内の種々の配線のためにフ
ラットケーブルがさかんに使用されている。しかしなが
ら、今日のように種々の電波、電磁波などが発生する環
境においては、フラットケーブルがこれらに影響を受
け、コンピューターの誤作動の原因になることが多くな
っている。そのため、フラットケーブルを金属箔で包ん
だり、フラットケーブルの全面をアルミニウム蒸着など
をすることにより、シールドを行っていた。しかしなが
ら、金属箔によるシールドは柔軟性やヒートシール性が
ないので、シールドのための作業性が極めて悪く、また
アルミニウム蒸着によるシールドは抵抗値が高く、抵抗
値の小さい銀ではコストがかかりすぎるなどの問題点を
有している。
接続したり、コンピューター内の種々の配線のためにフ
ラットケーブルがさかんに使用されている。しかしなが
ら、今日のように種々の電波、電磁波などが発生する環
境においては、フラットケーブルがこれらに影響を受
け、コンピューターの誤作動の原因になることが多くな
っている。そのため、フラットケーブルを金属箔で包ん
だり、フラットケーブルの全面をアルミニウム蒸着など
をすることにより、シールドを行っていた。しかしなが
ら、金属箔によるシールドは柔軟性やヒートシール性が
ないので、シールドのための作業性が極めて悪く、また
アルミニウム蒸着によるシールドは抵抗値が高く、抵抗
値の小さい銀ではコストがかかりすぎるなどの問題点を
有している。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、フラットケーブルの電磁波遮
蔽（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆ
ｅｒｅｎｃｅ；以下ＥＭＩと略称する）作業において作
業性のよいフラットケーブル用ＥＭＩ性組成物またはフ
イルムを提供することにある。
蔽（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆ
ｅｒｅｎｃｅ；以下ＥＭＩと略称する）作業において作
業性のよいフラットケーブル用ＥＭＩ性組成物またはフ
イルムを提供することにある。
【０００４】
【構成】本発明の第一は、ヒートシール性を有する熱可
塑性合成樹脂を主成分とするフイルム形成材料と銀粒子
および／または銅粒子とを含有することを特徴とするフ
ラットケーブル用ＥＭＩ性組成物に関する。本発明の第
二は、請求項１記載の組成物よりなるフラットケーブル
用ＥＭＩ性フイルムに関する。本発明の第三は、電気絶
縁性ベースフイルムとその上に形成された請求項１記載
の組成物層を有するフラットケーブル用ＥＭＩ性フイル
ムに関する。本発明の第四は、電気絶縁性ベースフイル
ム、その上に形成された金属薄膜、さらにその上に形成
された請求項１記載の組成物層とを有するフラットケー
ブル用ＥＭＩ性フイルムに関する。
塑性合成樹脂を主成分とするフイルム形成材料と銀粒子
および／または銅粒子とを含有することを特徴とするフ
ラットケーブル用ＥＭＩ性組成物に関する。本発明の第
二は、請求項１記載の組成物よりなるフラットケーブル
用ＥＭＩ性フイルムに関する。本発明の第三は、電気絶
縁性ベースフイルムとその上に形成された請求項１記載
の組成物層を有するフラットケーブル用ＥＭＩ性フイル
ムに関する。本発明の第四は、電気絶縁性ベースフイル
ム、その上に形成された金属薄膜、さらにその上に形成
された請求項１記載の組成物層とを有するフラットケー
ブル用ＥＭＩ性フイルムに関する。
【０００５】本発明における前記銀粒子および銅粒子
は、フレーク状、針状、繊維状、粒状など任意の形状を
採ることができるが、とくにフレーク状、針状または繊
維状のものであることが好ましい。フレーク状、針状ま
たは繊維状の粒子は、球状の粒子に較べて、層を薄くす
ることができる上、粒子と粒子の接触状態も、球と球の
接触状態に較べて電気的にはるかに優れている。前記フ
レーク状、針状または繊維状のものは、厚さ（または直
径）０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３μｍ、と
くに好ましくは０．８〜１．５μｍ、長さ１〜２０μ
ｍ、好ましくは２〜１５μｍである。
は、フレーク状、針状、繊維状、粒状など任意の形状を
採ることができるが、とくにフレーク状、針状または繊
維状のものであることが好ましい。フレーク状、針状ま
たは繊維状の粒子は、球状の粒子に較べて、層を薄くす
ることができる上、粒子と粒子の接触状態も、球と球の
接触状態に較べて電気的にはるかに優れている。前記フ
レーク状、針状または繊維状のものは、厚さ（または直
径）０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３μｍ、と
くに好ましくは０．８〜１．５μｍ、長さ１〜２０μ
ｍ、好ましくは２〜１５μｍである。
【０００６】ヒートシール性を有する熱可塑性合成樹脂
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルな
どを挙げることができる。
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルな
どを挙げることができる。
【０００７】電気絶縁性ベースフイルムとしては、可撓
性と電気絶縁性のあるもの、例えば各種の合成樹脂フイ
ルムなどが使用できるが、とくに耐熱性のものが一層好
ましい。このような材料としては、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートなどを挙げることができる。電気絶縁性ベ
ースフイルムの厚みは通常４〜２５μｍ、好ましくは６
〜１２μｍである。
性と電気絶縁性のあるもの、例えば各種の合成樹脂フイ
ルムなどが使用できるが、とくに耐熱性のものが一層好
ましい。このような材料としては、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートなどを挙げることができる。電気絶縁性ベ
ースフイルムの厚みは通常４〜２５μｍ、好ましくは６
〜１２μｍである。
【０００８】第四の発明に用いる金属薄膜は、銀粒子や
銅粒子と一体になって導電性を付与するものであり、
銅、アルミニウム、ニッケルなどの銀のようにコストが
高くなく、できるだけ導電性の高いものを使用すること
ができる。薄膜は、箔でも蒸着膜でもよく、ニーズにあ
わせて選択することができる。薄膜の厚いほどフラット
ケーブル用電磁波遮蔽性フィルムは硬いものとなり、シ
ールド性も高いものとなり、一方、薄膜が薄いほどフラ
ットケーブル用電磁波遮蔽性フィルムはやわらかいもの
となり、シールド性はやや低いものとなる。蒸着膜の形
成方法は、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法、ｐ−
ＣＶＤ法などを使用することができる。金属薄膜の厚み
は０．０４〜２．０μｍ、好ましくは０．０５〜１．０
μｍとすることができる。
銅粒子と一体になって導電性を付与するものであり、
銅、アルミニウム、ニッケルなどの銀のようにコストが
高くなく、できるだけ導電性の高いものを使用すること
ができる。薄膜は、箔でも蒸着膜でもよく、ニーズにあ
わせて選択することができる。薄膜の厚いほどフラット
ケーブル用電磁波遮蔽性フィルムは硬いものとなり、シ
ールド性も高いものとなり、一方、薄膜が薄いほどフラ
ットケーブル用電磁波遮蔽性フィルムはやわらかいもの
となり、シールド性はやや低いものとなる。蒸着膜の形
成方法は、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法、ｐ−
ＣＶＤ法などを使用することができる。金属薄膜の厚み
は０．０４〜２．０μｍ、好ましくは０．０５〜１．０
μｍとすることができる。
【０００９】
実施例１ 厚さ９μｍのポリフェニレンサルファイドフイルム上
に、厚さ１．０μｍの銅蒸着膜を形成し、さらにその上
に下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ１
５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリエ
チレンテレフタレート５重量％、銀フレーク（平均厚さ
１μｍ、寸法分布２〜１５μｍで、１００メッシュパス
のもの）６０重量％、トルエン／メチルエチルケトン
１：１混合溶剤３５重量％である。得られたシールド用
フイルムの表面抵抗値は２×１０-1Ω／□以下であっ
た。このようにして製造されたシールド用フイルムはロ
ール状に巻きとり移送することができる。このフイルム
を用いてフラットケーブルをシールドするには、フラッ
トケーブルのアース線の端部を露出させ、前記シールド
フイルムの導電性面をフラットケーブル側にしてフラッ
トケーブルをつつみ込み、アース線の端部に融着し、ま
た全体を融着して一体化した。このものは、完壁なシー
ルド効果を示した。
に、厚さ１．０μｍの銅蒸着膜を形成し、さらにその上
に下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ１
５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリエ
チレンテレフタレート５重量％、銀フレーク（平均厚さ
１μｍ、寸法分布２〜１５μｍで、１００メッシュパス
のもの）６０重量％、トルエン／メチルエチルケトン
１：１混合溶剤３５重量％である。得られたシールド用
フイルムの表面抵抗値は２×１０-1Ω／□以下であっ
た。このようにして製造されたシールド用フイルムはロ
ール状に巻きとり移送することができる。このフイルム
を用いてフラットケーブルをシールドするには、フラッ
トケーブルのアース線の端部を露出させ、前記シールド
フイルムの導電性面をフラットケーブル側にしてフラッ
トケーブルをつつみ込み、アース線の端部に融着し、ま
た全体を融着して一体化した。このものは、完壁なシー
ルド効果を示した。
【００１０】実施例２ 厚さ９μｍのポリフェニレンサルファイドフイルム上
に、厚さ１．０μｍの銅蒸着膜を形成し、さらにその上
に下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ１
５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリエ
チレンテレフタレート５重量％、樹枝状の銅粉末７０重
量％、トルエン／メチルエチルケトン１：１混合溶剤２
５重量％である。得られたシールド用フイルムの表面抵
抗値は２×１０-1Ω／□以下であった。このようにして
製造されたシールド用フイルムはロール状に巻きとり移
送することができる。このフイルムを用いてフラットケ
ーブルをシールドするには、フラットケーブルのアース
線の端部を露出させ、前記シールドフイルムの導電性面
をフラットケーブル側にしてフラットケーブルをつつみ
込み、アース線の端部に融着し、また全体を融着して一
体化した。このものは、完壁なシールド効果を示した。
に、厚さ１．０μｍの銅蒸着膜を形成し、さらにその上
に下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ１
５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリエ
チレンテレフタレート５重量％、樹枝状の銅粉末７０重
量％、トルエン／メチルエチルケトン１：１混合溶剤２
５重量％である。得られたシールド用フイルムの表面抵
抗値は２×１０-1Ω／□以下であった。このようにして
製造されたシールド用フイルムはロール状に巻きとり移
送することができる。このフイルムを用いてフラットケ
ーブルをシールドするには、フラットケーブルのアース
線の端部を露出させ、前記シールドフイルムの導電性面
をフラットケーブル側にしてフラットケーブルをつつみ
込み、アース線の端部に融着し、また全体を融着して一
体化した。このものは、完壁なシールド効果を示した。
【００１１】実施例３ 厚さ９μｍのポリフェニレンサルファイドフイルム上
に、下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ
３５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリ
エチレンテレフタレート５重量％、樹枝状の銅粉末７０
重量％、トルエン／メチルエチルケトン１：１混合溶剤
２５重量％である。得られたシールド用フイルムの表面
抵抗値は２×１０-1Ω／□以下であった。このようにし
て製造されたシールド用フイルムはロール状に巻きとり
移送することができる。このフイルムを用いてフラット
ケーブルをシールドするには、フラットケーブルのアー
ス線の端部を露出させ、前記シールドフイルムの導電性
面をフラットケーブル側にしてフラットケーブルをつつ
み込み、アース線の端部に融着し、また全体を融着して
一体化した。このものは、完壁なシールド効果を示し
た。
に、下記組成の導電性ペーストを用いた導電性層（厚さ
３５μｍ）を形成した。導電性ペーストの組成は、ポリ
エチレンテレフタレート５重量％、樹枝状の銅粉末７０
重量％、トルエン／メチルエチルケトン１：１混合溶剤
２５重量％である。得られたシールド用フイルムの表面
抵抗値は２×１０-1Ω／□以下であった。このようにし
て製造されたシールド用フイルムはロール状に巻きとり
移送することができる。このフイルムを用いてフラット
ケーブルをシールドするには、フラットケーブルのアー
ス線の端部を露出させ、前記シールドフイルムの導電性
面をフラットケーブル側にしてフラットケーブルをつつ
み込み、アース線の端部に融着し、また全体を融着して
一体化した。このものは、完壁なシールド効果を示し
た。
【００１２】
【効果】本発明の組成物よりなるフイルムによるシール
ドは、従来のアルミニウム箔によるシールドに較べて電
気抵抗が小さいのでシールド効果が大きい。本発明のシ
ールド用フイルムは、フラットケーブルに溶着させると
同時にアース回路と接続できるので、作業能率を向上す
ることができる。電気絶縁性ベースフイルムを用いたと
きは、本発明のシールド用フイルムでシールドしたフラ
ットケーブルは表面が絶縁性になるという効果が生じ
る。
ドは、従来のアルミニウム箔によるシールドに較べて電
気抵抗が小さいのでシールド効果が大きい。本発明のシ
ールド用フイルムは、フラットケーブルに溶着させると
同時にアース回路と接続できるので、作業能率を向上す
ることができる。電気絶縁性ベースフイルムを用いたと
きは、本発明のシールド用フイルムでシールドしたフラ
ットケーブルは表面が絶縁性になるという効果が生じ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】 ヒートシール性を有する熱可塑性合成樹
脂を主成分とするフイルム形成材料と銀粒子および／ま
たは銅粒子とを含有することを特徴とするフラットケー
ブル用電磁波遮蔽性組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の組成物よりなるフラット
ケーブル用電磁波遮蔽性フイルム。 - 【請求項３】 電気絶縁性ベースフイルムとその上に形
成された請求項１記載の組成物層を有するフラットケー
ブル用電磁波遮蔽性フイルム。 - 【請求項４】 電気絶縁性ベースフイルム、その上に形
成された金属薄膜、さらにその上に形成された請求項１
記載の組成物層とを有するフラットケーブル用電磁波遮
蔽性フイルム。 - 【請求項５】 前記銀粒子および銅粒子がフレーク状、
針状または繊維状のものである請求項２、３または４記
載のフラットケーブル用電磁波遮蔽性フイルム。 - 【請求項６】 前記銀粒子および銅粒子が厚さ（または
直径）０．１〜１０μｍ、長さ２〜２０μｍのフレーク
である請求項５記載のフラットケーブル用電磁波遮蔽性
フイルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6108930A JPH0794036A (ja) | 1993-07-27 | 1994-04-25 | フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-204771 | 1993-07-27 | ||
| JP20477193 | 1993-07-27 | ||
| JP6108930A JPH0794036A (ja) | 1993-07-27 | 1994-04-25 | フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794036A true JPH0794036A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=26448753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6108930A Pending JPH0794036A (ja) | 1993-07-27 | 1994-04-25 | フラットケーブル用電磁波遮蔽性組成物およびそれを用いたフイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794036A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11120831A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | シールドフラットケーブル |
| US6770820B2 (en) | 2000-07-12 | 2004-08-03 | Kabushiki Kaisha Bridgestone | Shielded flat cable |
| US8865027B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-10-21 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowires-based transparent conductors |
| US10749048B2 (en) | 2006-10-12 | 2020-08-18 | Cambrios Film Solutions Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP6108930A patent/JPH0794036A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11120831A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | シールドフラットケーブル |
| US6770820B2 (en) | 2000-07-12 | 2004-08-03 | Kabushiki Kaisha Bridgestone | Shielded flat cable |
| US8865027B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-10-21 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowires-based transparent conductors |
| US9899123B2 (en) | 2005-08-12 | 2018-02-20 | Jonathan S. Alden | Nanowires-based transparent conductors |
| US10749048B2 (en) | 2006-10-12 | 2020-08-18 | Cambrios Film Solutions Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |