JPH0794548A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置のボンディングパッド部の構造を
改善し、ワイヤボンディング時におけるワイヤと周辺の
保護膜との干渉による破損を防止する。 【構成】 半導体基板１０１の上に下層絶縁膜１０２を
設け、この下層絶縁膜１０２の上にかつボンディングパ
ッド開口部１２０内となる領域に下層金属薄膜１１０を
形成する。下層金属薄膜１１０及びその周辺の下層絶縁
膜１０２の表面上で、かつ上記ボンディングパッド開口
部１２０内となる領域に、中間層絶縁膜１０３を設け
る。また、中間層絶縁膜１０３及びその周辺の下層絶縁
膜１０２の表面上に、かつ中間層絶縁膜１０３の上側で
上方に突出したボンディングパッド部となる上層金属薄
膜１１１を設ける。ボンディングパッド開口部１２０周
辺の保護用絶縁膜１０４の上端をボンディングパッド部
よりも下方となるようにする。これにより、保護用絶縁
膜１０４とボンディングワイヤとの干渉を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に係り、特に、ボンディングワイヤとボンディン
グパッド周辺の保護膜との干渉の防止対策に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置を用いた電子機器の広
範な普及と低価格化に伴い、半導体装置の高集積化及び
低価格化に対する要求が強まってきており、チップサイ
ズに占める割合の比較的大きいボンディングパッドサイ
ズの縮小が重要な課題となりつつある。

【０００３】以下、図面を参照しながら、従来の半導体
装置の一例について説明する。図５は従来の半導体装置
内に配置されたボンディングパッドの断面図を示すもの
である。図５において、１０１は半導体基板、１０２は
下層絶縁膜、１０３は中間層絶縁膜、１０４は最上層の
保護用絶縁膜、１１０は配線として機能する下層金属薄
膜、１１１は配線として機能する上層金属薄膜、１２０
は保護用絶縁膜１０４に開口されたボンディングパッド
開口部である。図５における各部の厚さは、下層絶縁膜
１０２が２００ｎｍ、上層絶縁膜１０３が７００ｎｍ、
保護用絶縁膜１０４が１０００ｎｍ、下層金属薄膜１１
０が５５０ｎｍ、上層金属薄膜１１１が８５０ｎｍであ
る。ここで、保護用絶縁膜１０４の最上面は上層金属薄
膜１１１のボンディングパッド部よりも上方に突出して
おり、両者の差ｈは１７００ｎｍ（１．７μｍ）であ
る。また、開口部１２０の幅は１００μｍ程度である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のようなボンディングパッド部の構成では、ボンディ
ングパッド開口部１２０がボンディングワイヤ径に対し
て十分に大きい場合は問題ないが、ボンディングパッド
開口部１２０の大きさがボンディングワイヤ径の４倍以
下になると、ワイヤ先端のボールが保護用絶縁膜１０４
の最上部Ａに当たるため、保護用絶縁膜１０４の破損に
よる信頼性の低下や、ワイヤと上層金属薄膜１１１との
密着強度の低下による組立不良の発生を引き起こすとい
う問題点を有していた。

【０００５】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、上層配線のボンディングパッド部を
周辺の保護膜よりも上方に突出させた構造とする手段を
講ずることにより、ワイヤボンディング工程におけるワ
イヤと周辺の保護膜との干渉を防止し、もって、信頼性
の向上を図ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、具体的に請求項１の発明の講じた手段は、半導体基
板の上方に、下層金属薄膜及び上層金属薄膜からなる二
層配線と、上記上層金属薄膜を保護するための保護用絶
縁膜とを備え、該保護用絶縁膜の一部にボンディングパ
ッド開口領域を有する半導体装置を対象とする。

【０００７】そして、上記半導体基板の上方かつ上記保
護用絶縁膜の下方に下層絶縁膜を設け、上記下層金属薄
膜を、上記下層絶縁膜の表面上に、かつボンディングパ
ッド開口領域内となる領域に形成する。

【０００８】また、上記下層金属薄膜及びその周辺の下
層絶縁膜の表面上で、かつ上記ボンディングパッド開口
領域内となる領域に、中間層絶縁膜を設け、上記上層金
属薄膜を、上記中間層絶縁膜及びその周辺の下層絶縁膜
の表面上に、かつ上記中間層絶縁膜の上側で上方に突出
したボンディングパッド部となるように形成する。

【０００９】さらに、上記保護用絶縁膜を、上記上層金
属薄膜及びその周辺の下層絶縁膜の表面上にかつ上記ボ
ンディングパッド開口領域内で上層金属薄膜のボンディ
ングパッド部を露出させるように形成するとともに、そ
の上端面の高さを上層金属薄膜のボンディングパッド部
よりも下方となるように形成したものである。

【００１０】請求項２の発明の講じた手段は、半導体基
板の上方に、半導体基板にオーミック接触するオーミッ
ク金属薄膜と、該オーミック金属薄膜の上に設けられた
下層金属薄膜と上層金属薄膜とからなる二層配線と、上
記上層金属薄膜の上に設けられた保護用絶縁膜とを備
え、該保護用絶縁膜の一部にボンディングパッド開口領
域を有する半導体装置を対象とする。

【００１１】そして、上記オーミック金属薄膜を、上記
ボンディングパッド開口領域内に形成し、上記オーミッ
ク金属薄膜及びその周辺の下層絶縁膜の表面上で、かつ
上記ボンディングパッド開口領域内となる領域に、第１
中間層絶縁膜を設け、上記下層金属薄膜を、上記第１中
間層絶縁膜及びその周辺の半導体基板の表面上に形成す
る。

【００１２】また、上記下層金属薄膜及びその周辺の半
導体基板の表面上に、第２中間層絶縁膜を設け、上記上
層金属薄膜を、上記第２中間層絶縁膜及びその周辺の下
層絶縁膜の表面上に、かつ少なくとも上記第１中間層絶
縁膜の上側では上方に突出したボンディングパッド部を
有するように形成する。

【００１３】さらに、上記保護用絶縁膜を、上層金属薄
膜及びその周辺の半導体基板の表面上にかつ上記ボンデ
ィングパッド開口領域内で上層金属薄膜のボンディング
パッド部を露出させるように形成するとともに、その上
端面をボンディングパッド部よりも下方となる高さに形
成するようにしたものである。

【００１４】請求項３の発明の講じた手段は、上記請求
項１又は２の発明において、上記上層金属薄膜を、上記
下層金属薄膜と電気的に接続するように形成したもので
ある。

【００１５】請求項４の発明の講じた手段は、半導体基
板の上方に、下層金属薄膜及び上層金属薄膜からなる二
層配線と、上記上層金属薄膜を保護するための保護用絶
縁膜とを備え、該保護用絶縁膜の一部にボンディングパ
ッド開口領域を有する半導体装置の製造方法を対象とす
る。

【００１６】そして、半導体基板の上方に下層絶縁膜を
形成する工程と、上記保護用絶縁膜の表面上で、かつ上
記ボンディングパッド開口領域内となる領域に上記下層
金属薄膜を形成する工程と、上記下層金属薄膜及びその
周辺の下層絶縁膜の表面上で、かつ上記ボンディングパ
ッド開口領域内となる領域に中間層絶縁膜を形成する工
程と、上記中間層絶縁膜及びその周辺の下層絶縁膜の表
面上に上記上層金属薄膜を形成する工程と、上記上層金
属薄膜及び下層絶縁膜の表面上に保護用絶縁膜を堆積し
た後、該保護用絶縁膜に上記ボンディング開口領域を形
成して、保護用絶縁膜の上端が上層金属薄膜のボンディ
ングパッド部よりも下方となるようにボンディングパッ
ド部を露出させる工程とを設ける方法である。

【００１７】請求項５の発明の講じた手段は、半導体基
板の上方に、半導体基板にオーミック接触するオーミッ
ク金属薄膜と、下層金属薄膜及び上層金属薄膜からなる
二層配線と、上記上層金属薄膜を保護するための保護用
絶縁膜とを備え、該保護用絶縁膜の一部にボンディング
パッド開口領域を有する半導体装置の製造方法を対象と
する。

【００１８】そして、半導体基板の表面上の上記ボンデ
ィングパッド開口領域内となる領域にオーミック金属薄
膜を形成する工程と、上記オーミック金属薄膜及びその
周辺の半導体基板の表面上で、かつ上記ボンディングパ
ッド開口領域内となる領域に第１中間層絶縁膜を形成す
る工程と、上記第１中間層絶縁膜及びその周辺の半導体
基板の表面上で、かつ上記ボンディングパッド開口領域
内となる領域に上記下層金属薄膜を堆積する工程と、上
記下層金属薄膜及びその周辺の半導体基板の表面上に第
２中間層絶縁膜を堆積する工程と、上記第２中間層絶縁
膜及びその周辺の半導体基板の表面上に上記上層金属薄
膜を形成する工程と、上記上層金属薄膜及び半導体基板
の表面上に保護用絶縁膜を堆積した後、該保護用絶縁膜
に上記ボンディング開口領域を形成して、保護用絶縁膜
の上端が上層金属薄膜のボンディングパッド部よりも下
方となるようにボンディングパッド部を露出させる工程
とを設けた方法である。

【００１９】

【作用】以上の構成又は方法により、請求項１又は４の
発明では、二層配線構造を有する半導体装置において、
保護用絶縁膜のボンディングパッド開口領域において、
上層金属薄膜のボンディングパッド部が、下層金属薄膜
の上に積層された中間絶縁膜の上で上方に突出した形状
に設けられ、ボンディングパッド部が保護用絶縁膜のボ
ンディングパッド周辺部の上端よりも高くなっているの
で、ワイヤボンディング時にワイヤが保護用絶縁膜に干
渉するのが阻止され、保護用絶縁膜の破損等が防止され
ることになる。

【００２０】請求項２又は５の発明では、半導体基板に
オーミック接触するオーミック金属薄膜と二層配線構造
とを有する半導体装置においても、上記請求項１の発明
と同様の作用により、ワイヤボンディング時におけるワ
イヤと保護用絶縁膜との干渉が阻止されることになる。

【００２１】請求項３の発明では、上層金属薄膜と下層
金属薄膜とが電気的に接続されているので、半導体基板
内の素子等と配線との接続を下層金属薄膜を介して行う
ことが可能となり、配線構造の段差が低減されることに
なる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００２３】（実施例１）まず、実施例１について、図
１及び図２に基づき説明する。図１は二層金属配線構造
を有する半導体装置のボンディングパッド部付近におけ
る構造を示す断面図である。図１において、１０１は半
導体基板、１０２は請求項１又は請求項３の発明にいう
下層絶縁膜に相当する第１層絶縁膜、１０３は請求項１
又は請求項３の発明にいう中間層絶縁膜に相当する第２
層絶縁膜、１０４は保護用絶縁膜、１１０は下層配線と
して機能する下層金属薄膜、１１１は上層配線として機
能する上層金属薄膜、１２０は上記保護用絶縁膜１０４
のボンディングパッド開口部である。図１における各膜
の厚さは、第１層絶縁膜１０２が２００ｎｍ、第２層絶
縁膜１０３が７００ｎｍ、保護用絶縁膜１０４が１００
０ｎｍ、下層金属薄膜１１０が５５０ｎｍ、上層金属薄
膜１１１が８５０ｎｍである。

【００２４】図２（ａ）〜（ｅ）は、実施例１のボンデ
ィングパッド製造工程を示す断面図である。図２におい
て、１３０はフォトレジスト膜であり、他の部材は図１
と共通の符号で表されている。

【００２５】まず、同図（ａ）に示すように、半導体基
板１０１の表面上に第１層絶縁膜１０２を堆積し、次
に、第１層絶縁膜１０２の表面上に下層金属薄膜１１０
を形成する。金属はＡｕを用い、厚さは５５０ｎｍであ
る。その後、ボンディングパッド開口部１２０内に含ま
れる所定領域のみを覆うレジストパターンを形成した
後、イオンミリング等の方法を用いてフォトレジストで
覆われていない部分の下層金属薄膜１１０を除去して、
ボンディングパッド開口部１２０内の所定領域に下層金
属薄膜１１０を形成する。

【００２６】次に、同図（ｂ）に示すように、上記下層
金属薄膜１１０及び第１層絶縁膜１０２の表面上に第２
層絶縁膜１０３を堆積した後、フォトレジストパターン
を用いて、ドライエッチング法等によりフォトレジスト
で覆われている領域以外の第２層絶縁膜１０３を除去す
る。すなわち、第２層絶縁膜１０３は、上記ボンディン
グパッド開口部１２０内に形成されている。この第２層
絶縁膜１０３を構成する材料としては窒化シリコンを用
い、その厚さは７００ｎｍである。

【００２７】次に、同図（ｃ）に示すように、第２層絶
縁膜１０３及び第１層絶縁膜１０２の表面上に上層金属
薄膜１１１を堆積し、レジストパターンを用いて、イオ
ンミリング等により、第２層絶縁膜１０３及びその周辺
の第１層絶縁膜１０２の上側となる部分のみ残して上層
金属薄膜１１を形成する。上層金属薄膜１１１を構成す
る金属はＡｕであり、その厚さは８５０ｎｍである。す
なわち、この上層金属薄膜１１１は、第２層絶縁膜１０
３の上側で、上方に突出した形状となっている。

【００２８】さらに、同図（ｄ）に示すように、上層金
属薄膜１１１及び第１層絶縁膜１０２の表面上に保護用
絶縁膜１０４を堆積する。保護用絶縁膜１０４を構成す
る材料には窒化シリコンを用い、その厚さは１０００ｎ
ｍである。その後、フォトレジストを全面に塗布した
後、露光，現像を行って、ボンディングパッド開口部１
２０が開口されてなるフォトレジストパターン１３０を
形成する。

【００２９】最後に、同図（ｅ）に示すように、フォト
レジストパターン１３０を用いて、ドライエッチング法
等により保護用絶縁膜１０４を開口し、ボンディングパ
ッド部の上層金属薄膜１１１を露出させてから、フォト
レジストパターン１３０を除去する。この時、保護用絶
縁膜１０４のボンディングパッド周辺部の第１層絶縁膜
１０２からの高さは１８５０ｎｍであり、上層金属薄膜
１１１のボンディングパッド部の第１層絶縁膜１０２か
らの高さは２１００ｎｍであって、上層金属薄膜１１１
のボンディングパッド部の方が周辺の保護用絶縁膜１０
４よりも高い構造となっている。

【００３０】したがって、上記実施例１では、上層金属
薄膜１１１のボンディングパッド部と周辺の保護用絶縁
膜１０４の最上面との差ｈ’は２５０ｎｍ（０．２５μ
ｍ）であり、ボンディングパッド部の方が高い。すなわ
ち、下層金属薄膜１１０及びその周辺の第１層絶縁膜１
０２の表面上に、かつボンディングパッド開口部１２０
内の領域に第２層絶縁膜１０３が形成され、その上に上
層金属薄膜１１１が形成され、この上層金属薄膜１１１
がボンディングパッド部で周辺の保護用絶縁膜１０４よ
りも上方に突出した形状となっているので、ワイヤーボ
ンディング時にワイヤが保護用絶縁膜１０４に干渉する
ことがない。したがって、半導体装置の縮小化にともな
い保護用絶縁膜１０４の破損や、ボンディング不良を有
効に防止することができ、信頼性の向上を図ることがで
きる。

【００３１】しかも、上記実施例１の製造方法では、ボ
ンディングパッド形成のための専用の工程は必要でな
く、通常の多層配線形成工程を利用して形成することが
できる。つまり、層間絶縁膜−金属配線を交互に設ける
工程と同じ手順で形成し得るからである。したがって、
コストの増大を招くことなく、信頼性の向上を図ること
ができるのである。

【００３２】（実施例２）次に、オーミック電極構造を
有する半導体装置に係る実施例２について、図３及び図
４に基づき説明する。図３は、半導体装置のボンディン
グパッド部付近における断面図である。図３において、
上記実施例１における部材と同じ符号を付した部材は、
構成材料及び厚み共に実施例１と同様であるので説明を
省略する。ただし、実施例２では、第１層絶縁膜１０２
は請求項２又は請求項４の発明にいう第１中間層絶縁膜
に相当し、第２層絶縁膜１０３は請求項２又は請求項４
の発明にいう第２中間層絶縁膜に相当する。また、半導
体基板１０１にオーミック接触するオーミック金属薄膜
であるオーミック電極１１２が設けられており、その厚
みは２００ｎｍである。

【００３３】すなわち、本実施例２では、オーミック電
極１１２を有する配線構造の場合、オーミック電極１１
２が半導体基板１０１の上で、かつボンディングパッド
開口部１２０内となる領域に形成され、その上及び周辺
の半導体基板１０１の上に第１層絶縁膜１０２がボンデ
ィングパッド開口部１２０内の領域に形成され、これら
の上に上記実施例１と同様の下層金属薄膜１１０，第２
層絶縁膜１０３，上層絶縁膜１１１及び保護用絶縁膜１
０４が順次形成されていて、ボンディングパッド開口部
１２０内に露出した上層金属薄膜１１１のボンディング
パッド部が周辺の保護用絶縁膜１０４の上端よりも高く
なっている。

【００３４】次に、この半導体装置の製造工程につい
て、図４（ａ）〜（ｅ）の断面図に基づき説明する。

【００３５】まず、同図（ａ）に示すように、半導体基
板１０１上にフォトレジストを全面に塗布し、ボンディ
ングパッド部に相当する部分を露光現像し、その部分が
開口したパターンを有するフォトレジスト膜１４０を形
成する。その後、全面にオーミック電極１１２用の金属
を堆積する。この金属にはＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕを用い
その厚さは２００ｎｍである。

【００３６】次に、同図（ｂ）に示すように、リフトオ
フ法によりフォトレジスト膜１４０を全て除去すると、
所定領域のオーミック電極１１２のみが残るようにパタ
ーニングされる。そして、このパターニングされたオー
ミック電極１１２の上及びその周辺の上で、かつボンデ
ィングパッド開口部１２０内の領域にのみ第１層絶縁膜
１０２を形成する。

【００３７】次に、同図（ｃ）に示すように、上記第１
層絶縁膜１０２及びその周辺の半導体基板１０１の上
で、かつボンディングパッド開口部１２０内となる領域
に下層金属薄膜１１０を形成した後、さらに、この下層
金属薄膜１１０及びその周辺の半導体基板１０１の上
で、かつボンディングパッド開口部１２０内となる領域
に第２層絶縁膜１０３を形成する。

【００３８】次に、同図（ｄ），（ｅ）に示すように、
上記実施例１における図２（ｄ），（ｅ）の工程と同様
にして、ボンディングパッド開口部１２０を有する保護
用絶縁膜１０４を形成し、上層金属薄膜１１１のボンデ
ィングパッド部を露出させる。

【００３９】したがって、上記実施例２では、保護用絶
縁膜１０４の最上面は上層金属薄膜１１１のボンディン
グパッド部よりも低く、両者の差ｈ″は１２５００ｎｍ
（１．２５μｍ）となっている。すなわち、本実施例２
においても、上記実施例１と同様の効果が得られること
になる。

【００４０】なお、上記実施例１及び２では、上層金属
薄膜１１１と下層金属薄膜１１０とを電気的に接続して
いる構造としたが、本発明はかかる実施例に限定される
ものではない。ただし、上下金属薄膜を電気的に接続さ
せる構造とすることで、下方の素子との接続を下層金属
薄膜１１０を介して行うことができ、上層金属薄膜１１
１を介して素子との接続を行う場合よりも段差を低減す
ることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、二層金属配線構造を有し、保護用絶縁膜の一部
にボンディングパッド開口領域を有する半導体装置の構
造として、ボンディングパッド開口領域内に、下層金属
薄膜及び中間層絶縁膜を順次積層しておき、ボンディン
グパッド開口領域内で上層金属薄膜のボンディングパッ
ド部を上方に突出した形状とし、ボンディングパッド周
辺の保護用絶縁膜の上端が上層金属薄膜のボンディング
パッド部よりも低くなる構造としたので、半導体装置が
縮小化された場合でも、ワイヤーボンディング時におけ
るワイヤと保護用絶縁膜との干渉を防止することがで
き、よって、信頼性の向上を図ることができる。

【００４２】請求項２の発明によれば、オーミック電極
と二層金属配線構造とを有し、保護用絶縁膜の一部にボ
ンディングパッド開口領域を有する半導体装置の構造と
して、ボンディングパッド開口領域内に、オーミック電
極，第１中間層絶縁膜，下層金属薄膜及び第２中間層絶
縁膜を積層しておき、ボンディングパッド開口領域内で
上層金属薄膜のボンディングパッド部を上方に突出した
形状とし、ボンディングパッド周辺の保護用絶縁膜の上
端が上層金属薄膜のボンディングパッド部よりも低くな
るように形成したので、ワイヤーボンディング時におけ
るワイヤと保護用絶縁膜との干渉を防止することがで
き、信頼性の向上を図ることができる。

【００４３】請求項３の発明によれば、上記請求項１又
は２の発明において、上層金属薄膜と下層金属薄膜とを
電気的に接続させる構造としたので、多層配線構造にお
ける段差の低減を図ることができる。

【００４４】請求項４の発明によれば、二層金属配線構
造を有し、保護用絶縁膜の一部にボンディングパッド開
口領域を有する半導体装置の製造方法として、ボンディ
ングパッド開口領域に相当する部分に、下層金属薄膜及
び中間層絶縁膜を順次形成し、ボンディングパッド開口
領域内で上層金属薄膜のボンディングパッド部を上方に
突出するように形成して、ボンディングパッド周辺の保
護用絶縁膜の上端が上層金属薄膜のボンディングパッド
部よりも低くなるように形成したので、別途専用のボン
ディングパッド形成のための工程を付加することなく、
通常の二層金属配線構造を形成する工程中で信頼性の高
いボンディングパッド部を形成することができる。

【００４５】請求項５の発明によれば、オーミック電極
と二層金属配線構造とを有し、保護用絶縁膜の一部にボ
ンディングパッド開口領域を有する半導体装置の製造方
法として、ボンディングパッド開口領域内に、オーミッ
ク電極，第１中間層絶縁膜，下層金属薄膜及び第２中間
層絶縁膜を順次形成し、ボンディングパッド開口領域内
で上層金属薄膜のボンディングパッド部を上方に突出し
た形状とし、ボンディングパッド周辺の保護用絶縁膜の
上端が上層金属薄膜のボンディングパッド部よりも低く
なるように形成したので、別途専用のボンディングパッ
ド形成のための工程を付加することなく、通常のオーミ
ック電極，二層金属配線構造を形成する工程中で信頼性
の高いボンディングパッド部を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る半導体装置のボンディングパッ
ド部における断面図である。

【図２】実施例１に係る半導体装置のボンディングパッ
ド部の製造方法を示す断面図である。

【図３】実施例２に係る半導体装置のボンディングパッ
ド部における断面図である。

【図４】実施例２に係る半導体装置のボンディングパッ
ド部の製造方法を示す断面図である。

【図５】従来の半導体装置のボンディングパッド部にお
ける断面図である。

【符号の説明】

１０１ 半導体基板 １０２ 第１層絶縁膜（下層絶縁膜又は第１中間層絶縁
膜） １０３ 第２層絶縁膜（中間層絶縁膜又は第２中間層絶
縁膜） １０４ 保護用絶縁膜 １１０ 下層金属薄膜 １１１ 上層金属薄膜 １１２ オーミック電極 １２０ ボンディングパッド開口部 １３０，１４０，１５０ フォトレジストパターン

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の上方に、下層金属薄膜及び
   上層金属薄膜からなる二層配線と、上記上層金属薄膜を
   保護するための保護用絶縁膜とを備え、該保護用絶縁膜
   の一部にボンディングパッド開口領域を有する半導体装
   置において、 上記半導体基板の上方かつ上記保護用絶縁膜の下方に下
   層絶縁膜が設けられ、 上記下層金属薄膜は、上記下層絶縁膜の表面上に、かつ
   ボンディングパッド開口領域内となる領域に形成され、 上記下層金属薄膜及びその周辺の下層絶縁膜の表面上
   で、かつ上記ボンディングパッド開口領域内となる領域
   には、中間層絶縁膜が設けられ、 上記上層金属薄膜は、上記中間層絶縁膜及びその周辺の
   下層絶縁膜の表面上に、かつ上記中間層絶縁膜の上側で
   上方に突出したボンディングパッド部となるように形成
   されており、 上記保護用絶縁膜は、上記上層金属薄膜及びその周辺の
   下層絶縁膜の表面上にかつ上記ボンディングパッド開口
   領域内で上層金属薄膜のボンディングパッド部を露出さ
   せるように形成されているとともに、その上端面の高さ
   が上層金属薄膜のボンディングパッド部よりも下方とな
   るように形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体基板の上方に、半導体基板にオー
   ミック接触するオーミック金属薄膜と、該オーミック金
   属薄膜の上に設けられた下層金属薄膜と上層金属薄膜と
   からなる二層配線と、上記上層金属薄膜の上に設けられ
   た保護用絶縁膜とを備え、該保護用絶縁膜の一部にボン
   ディングパッド開口領域を有する半導体装置において、 上記オーミック金属薄膜は、上記ボンディングパッド開
   口領域内に形成されており、 上記オーミック金属薄膜及びその周辺の下層絶縁膜の表
   面上で、かつ上記ボンディングパッド開口領域内となる
   領域には、第１中間層絶縁膜が設けられ、 上記下層金属薄膜は、上記第１中間層絶縁膜及びその周
   辺の半導体基板の表面上に形成されており、 上記下層金属薄膜及びその周辺の半導体基板の表面上に
   は、第２中間層絶縁膜が設けられ、 上記上層金属薄膜は、上記第２中間層絶縁膜及びその周
   辺の下層絶縁膜の表面上に、かつ少なくとも上記第１中
   間層絶縁膜の上側では上方に突出したボンディングパッ
   ド部を有するように形成されており、 上記保護用絶縁膜は、上層金属薄膜及びその周辺の半導
   体基板の表面上にかつ上記ボンディングパッド開口領域
   内で上層金属薄膜のボンディングパッド部を露出させる
   ように形成されているとともに、その上端面がボンディ
   ングパッド部よりも下方となる高さに形成されているこ
   とを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置におい
   て、 上記上層金属薄膜は、上記下層金属薄膜とは電気的に接
   続するように形成されていることを特徴とする半導体装
   置。
4. 【請求項４】 半導体基板の上方に、下層金属薄膜及び
   上層金属薄膜からなる二層配線と、上記上層金属薄膜を
   保護するための保護用絶縁膜とを備え、該保護用絶縁膜
   の一部にボンディングパッド開口領域を有する半導体装
   置の製造方法であって、 半導体基板の上方に下層絶縁膜を形成する工程と、 上記保護用絶縁膜の表面上で、かつ上記ボンディングパ
   ッド開口領域内となる領域に上記下層金属薄膜を形成す
   る工程と、 上記下層金属薄膜及びその周辺の下層絶縁膜の表面上
   で、かつ上記ボンディングパッド開口領域内となる領域
   に中間層絶縁膜を形成する工程と、 上記中間層絶縁膜及びその周辺の下層絶縁膜の表面上に
   上記上層金属薄膜を形成する工程と、 上記上層金属薄膜及び下層絶縁膜の表面上に保護用絶縁
   膜を堆積した後、該保護用絶縁膜に上記ボンディング開
   口領域を形成して、保護用絶縁膜の上端が上層金属薄膜
   のボンディングパッド部よりも下方となるようにボンデ
   ィングパッド部を露出させる工程とを含むことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体基板の上方に、半導体基板にオー
   ミック接触するオーミック金属薄膜と、下層金属薄膜及
   び上層金属薄膜からなる二層配線と、上記上層金属薄膜
   を保護するための保護用絶縁膜とを備え、該保護用絶縁
   膜の一部にボンディングパッド開口領域を有する半導体
   装置の製造方法であって、 半導体基板の表面上の上記ボンディングパッド開口領域
   内となる領域にオーミック金属薄膜を形成する工程と、 上記オーミック金属薄膜及びその周辺の半導体基板の表
   面上で、かつ上記ボンディングパッド開口領域内となる
   領域に第１中間層絶縁膜を形成する工程と、 上記第１中間層絶縁膜及びその周辺の半導体基板の表面
   上で、かつ上記ボンディングパッド開口領域内となる領
   域に上記下層金属薄膜を堆積する工程と、 上記下層金属薄膜及びその周辺の半導体基板の表面上に
   第２中間層絶縁膜を堆積する工程と、 上記第２中間層絶縁膜及びその周辺の半導体基板の表面
   上に上記上層金属薄膜を形成する工程と、 上記上層金属薄膜及び半導体基板の表面上に保護用絶縁
   膜を堆積した後、該保護用絶縁膜に上記ボンディング開
   口領域を形成して、保護用絶縁膜の上端が上層金属薄膜
   のボンディングパッド部よりも下方となるようにボンデ
   ィングパッド部を露出させる工程とを含むことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。