JPH0794692A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0794692A JPH0794692A JP5236841A JP23684193A JPH0794692A JP H0794692 A JPH0794692 A JP H0794692A JP 5236841 A JP5236841 A JP 5236841A JP 23684193 A JP23684193 A JP 23684193A JP H0794692 A JPH0794692 A JP H0794692A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｔｉ系反射防止膜やＴｉ系バリアメタルを設
ける場合に、Ｔｉ化合物における水素吸着を抑止して、
基板界面の水素化処理工程において界面準位を充分減少
させるようにして、スミアの抑制及び暗電流の低減化を
はかる。 【構成】 基板１上に、電荷転送領域４、ゲート電極５
及びセンサ部６を形成した後、転送領域４上に、Ｔｉ系
反射防止膜８及び遮光膜９を形成する固体撮像装置の製
造方法において、Ｔｉ系反射防止膜８を被着する工程以
後に、このＴｉ系反射防止膜８に水素を過飽和状態とす
る水素供給工程を設ける。
ける場合に、Ｔｉ化合物における水素吸着を抑止して、
基板界面の水素化処理工程において界面準位を充分減少
させるようにして、スミアの抑制及び暗電流の低減化を
はかる。 【構成】 基板１上に、電荷転送領域４、ゲート電極５
及びセンサ部６を形成した後、転送領域４上に、Ｔｉ系
反射防止膜８及び遮光膜９を形成する固体撮像装置の製
造方法において、Ｔｉ系反射防止膜８を被着する工程以
後に、このＴｉ系反射防止膜８に水素を過飽和状態とす
る水素供給工程を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にＡｌ等の遮光膜の
下にＴｉ系反射防止膜が設けられた固体撮像装置の製造
方法に係わる。
下にＴｉ系反射防止膜が設けられた固体撮像装置の製造
方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばセンサ部と電荷転送部とが独立し
て形成されたいわゆるインターライン固体撮像装置は、
その一例の略線的拡大断面図を図８に示すように、Ｓｉ
等の例えばｐ型の基板１の所定領域上に、Ｐ（リン）、
Ａｓ等のイオン注入されたｎ型の電荷転送領域４、光電
変換を行ういわゆるセンサ部６が設けられ、ゲート絶縁
膜２を介して多結晶Ｓｉ等より成るゲート５、平坦化絶
縁膜７が設けられ、更に転送領域上に光が漏れていわゆ
るスミアが発生することを防ぐために、この転送領域上
にはＡｌ等より成る遮光膜９が設けられ、センサ部６の
みに矢印Ｌi で示すように光が入射されるようになされ
ている。
て形成されたいわゆるインターライン固体撮像装置は、
その一例の略線的拡大断面図を図８に示すように、Ｓｉ
等の例えばｐ型の基板１の所定領域上に、Ｐ（リン）、
Ａｓ等のイオン注入されたｎ型の電荷転送領域４、光電
変換を行ういわゆるセンサ部６が設けられ、ゲート絶縁
膜２を介して多結晶Ｓｉ等より成るゲート５、平坦化絶
縁膜７が設けられ、更に転送領域上に光が漏れていわゆ
るスミアが発生することを防ぐために、この転送領域上
にはＡｌ等より成る遮光膜９が設けられ、センサ部６の
みに矢印Ｌi で示すように光が入射されるようになされ
ている。
【０００３】このＡｌ遮光膜９を設ける場合、矢印Ｌn
で示すように遮光膜９の下側面と基板表面とで乱反射さ
れた光が電荷転送領域４に漏れてしまうとスミアの原因
となる恐れがあることから、遮光膜９の直下にＴｉＯＮ
やＴｉＮ等のＴｉ系反射防止膜８を設けるようになされ
ている。
で示すように遮光膜９の下側面と基板表面とで乱反射さ
れた光が電荷転送領域４に漏れてしまうとスミアの原因
となる恐れがあることから、遮光膜９の直下にＴｉＯＮ
やＴｉＮ等のＴｉ系反射防止膜８を設けるようになされ
ている。
【０００４】一方、例えばその周辺回路部におけるコン
タクト部において、例えば図９にその一例の略線的拡大
断面図を示すように、Ａｌ合金等より成る配線層１８を
Ｓｉ等の基板１のコンタクト部１６に接続する場合、Ａ
ｌ合金中にＳｉが入り込むいわゆる吸い上げや、Ａｌ合
金中のＳｉがコンタクトホール内に析出して接触抵抗を
増大させたり、Ｓｉ基板中にＡｌ合金が入り込むいわゆ
るアロイスパイクにより拡散層突き抜け等の不都合が生
じる恐れがあり、これを防ぐためにＴｉＮ／Ｔｉ積層膜
等のＴｉ系バリアメタル１７を介在させて配線層１８を
コンタクト部１６に接合するようになされている。
タクト部において、例えば図９にその一例の略線的拡大
断面図を示すように、Ａｌ合金等より成る配線層１８を
Ｓｉ等の基板１のコンタクト部１６に接続する場合、Ａ
ｌ合金中にＳｉが入り込むいわゆる吸い上げや、Ａｌ合
金中のＳｉがコンタクトホール内に析出して接触抵抗を
増大させたり、Ｓｉ基板中にＡｌ合金が入り込むいわゆ
るアロイスパイクにより拡散層突き抜け等の不都合が生
じる恐れがあり、これを防ぐためにＴｉＮ／Ｔｉ積層膜
等のＴｉ系バリアメタル１７を介在させて配線層１８を
コンタクト部１６に接合するようになされている。
【０００５】そしてこのような構成により形成した固体
撮像装置においては、例えば工程中のエッチング等で生
じたダメージを回復し、基板表面の界面準位を低下させ
るために、各部を形成した後パッシベーション膜を形成
する前に水素ガス中の熱処理、いわゆるフォーミングア
ニールを行って基板と酸化膜との間の界面準位を減少さ
せ、これにより暗電流の抑制をはかっている。
撮像装置においては、例えば工程中のエッチング等で生
じたダメージを回復し、基板表面の界面準位を低下させ
るために、各部を形成した後パッシベーション膜を形成
する前に水素ガス中の熱処理、いわゆるフォーミングア
ニールを行って基板と酸化膜との間の界面準位を減少さ
せ、これにより暗電流の抑制をはかっている。
【０００６】しかしながら上述したようにＴｉ系反射防
止膜やＴｉ系バリアメタルを設ける場合、このＴｉを含
む化合物が水素を吸着する作用があることから、このフ
ォーミングアニールの過程において基板界面に水素を充
分供給することができず、界面準位を充分減少させるこ
とができなくなって暗電流が増加してしまうという問題
があった。
止膜やＴｉ系バリアメタルを設ける場合、このＴｉを含
む化合物が水素を吸着する作用があることから、このフ
ォーミングアニールの過程において基板界面に水素を充
分供給することができず、界面準位を充分減少させるこ
とができなくなって暗電流が増加してしまうという問題
があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うにＴｉ系反射防止膜やＴｉ系バリアメタルを設ける場
合に界面準位を充分減少させるようにして、スミアの抑
制及び暗電流の低減化をはかることを目的とする。
うにＴｉ系反射防止膜やＴｉ系バリアメタルを設ける場
合に界面準位を充分減少させるようにして、スミアの抑
制及び暗電流の低減化をはかることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明製造方法は、図１
及び図２にその一例の製造工程図を示すように、基板１
上に、電荷転送領域４、ゲート電極５及びセンサ部６を
形成した後、転送領域４上に、Ｔｉ系反射防止膜８及び
遮光膜９を形成する固体撮像装置の製造方法において、
Ｔｉ系反射防止膜８を被着する工程以後に、このＴｉ系
反射防止膜８に水素を過飽和状態とする水素供給工程を
設ける。
及び図２にその一例の製造工程図を示すように、基板１
上に、電荷転送領域４、ゲート電極５及びセンサ部６を
形成した後、転送領域４上に、Ｔｉ系反射防止膜８及び
遮光膜９を形成する固体撮像装置の製造方法において、
Ｔｉ系反射防止膜８を被着する工程以後に、このＴｉ系
反射防止膜８に水素を過飽和状態とする水素供給工程を
設ける。
【０００９】また本発明は、上述の水素供給工程とし
て、プラズマ処理を行う。更にまた本発明は、上述のＴ
ｉ系反射防止膜８を被着した直後に水素供給を行う。ま
た本発明は、周辺回路部におけるコンタクト部１６のＴ
ｉ系バリアメタル１７と同時に、上述のＴｉ系反射防止
膜８を形成する。
て、プラズマ処理を行う。更にまた本発明は、上述のＴ
ｉ系反射防止膜８を被着した直後に水素供給を行う。ま
た本発明は、周辺回路部におけるコンタクト部１６のＴ
ｉ系バリアメタル１７と同時に、上述のＴｉ系反射防止
膜８を形成する。
【００１０】
【作用】上述したように本発明においては、Ｔｉ系反射
防止膜８を被着した後に、このＴｉ系反射防止膜８が水
素過飽和状態となるように水素供給を行うことから、こ
の上に遮光膜９等を形成した後のフォーミングアニール
工程において界面準位を充分減少させることができ、暗
電流の抑制をはかることができる。
防止膜８を被着した後に、このＴｉ系反射防止膜８が水
素過飽和状態となるように水素供給を行うことから、こ
の上に遮光膜９等を形成した後のフォーミングアニール
工程において界面準位を充分減少させることができ、暗
電流の抑制をはかることができる。
【００１１】特に、水素供給工程として水素プラズマ処
理を施すことにより、確実に水素過飽和とすることがで
きると共に、基板表面の界面準位の減少をもはかること
ができる。またこの水素プラズマ処理等の水素供給を、
Ｔｉ系反射防止膜８を被着した直後に行うことによっ
て、より効率良く水素過飽和状態とすることができると
共に、センサ部６へダメージを与えることを回避して輝
点を増加させる等の不都合を抑制できる。
理を施すことにより、確実に水素過飽和とすることがで
きると共に、基板表面の界面準位の減少をもはかること
ができる。またこの水素プラズマ処理等の水素供給を、
Ｔｉ系反射防止膜８を被着した直後に行うことによっ
て、より効率良く水素過飽和状態とすることができると
共に、センサ部６へダメージを与えることを回避して輝
点を増加させる等の不都合を抑制できる。
【００１２】更にまた、このＴｉ系反射防止膜８と同時
に、周辺回路部におけるコンタクト部のＴｉ系バリアメ
タル１７をスパッタリング等により被着し、この後水素
供給を行って水素が過飽和状態となるようにすることに
よって、同様にこのコンタクト部における界面準位の低
減化を確実に行うことができる。
に、周辺回路部におけるコンタクト部のＴｉ系バリアメ
タル１７をスパッタリング等により被着し、この後水素
供給を行って水素が過飽和状態となるようにすることに
よって、同様にこのコンタクト部における界面準位の低
減化を確実に行うことができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明実施例及びその作用効果を確認す
るための実験結果を図面を参照して詳細に説明する。
るための実験結果を図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】先ず本発明により作製した固体撮像装置の
製造方法の一例を図１Ａ〜Ｄ、図２Ａ〜Ｃを参照して説
明する。この例においては、フォトダイオード等より成
る光電変換センサ部と電荷転送部とが独立して形成され
たいわゆるインターライン転送形の固体撮像装置に適用
した場合を示すが、本発明製造方法はセンサ部と電荷転
送部が一つになったいわゆるフレーム転送形の固体撮像
装置にも適用し得る。
製造方法の一例を図１Ａ〜Ｄ、図２Ａ〜Ｃを参照して説
明する。この例においては、フォトダイオード等より成
る光電変換センサ部と電荷転送部とが独立して形成され
たいわゆるインターライン転送形の固体撮像装置に適用
した場合を示すが、本発明製造方法はセンサ部と電荷転
送部が一つになったいわゆるフレーム転送形の固体撮像
装置にも適用し得る。
【００１５】先ず図１Ａに示すように、例えばｐ型のＳ
ｉ等より成る基板１を用意し、この上に熱酸化等により
薄いゲート絶縁膜２を形成する。次に図１Ｂに示すよう
に、例えばレジストマスク等を利用して、基板とは逆導
電型のこの場合ｎ型の不純物、ＰやＡｓ等をイオン注入
してチャンネルストップ領域３及び電荷転送領域４を形
成する。
ｉ等より成る基板１を用意し、この上に熱酸化等により
薄いゲート絶縁膜２を形成する。次に図１Ｂに示すよう
に、例えばレジストマスク等を利用して、基板とは逆導
電型のこの場合ｎ型の不純物、ＰやＡｓ等をイオン注入
してチャンネルストップ領域３及び電荷転送領域４を形
成する。
【００１６】次に図１Ｃに示すように、多結晶Ｓｉ等よ
り成るゲート電極５を例えばＣＶＤ（化学的気相成長
法）により被着した後フォトリソグラフィ等によって所
定のパターンに形成する。
り成るゲート電極５を例えばＣＶＤ（化学的気相成長
法）により被着した後フォトリソグラフィ等によって所
定のパターンに形成する。
【００１７】そして図１Ｄに示すように、ゲート電極５
の間の領域にわたって例えばｎ型のＰ，Ａｓ等の不純物
を選択的にイオン注入して光電変換領域即ちセンサ部６
を形成する。
の間の領域にわたって例えばｎ型のＰ，Ａｓ等の不純物
を選択的にイオン注入して光電変換領域即ちセンサ部６
を形成する。
【００１８】次に図２Ａに示すように、ＳｉＯ2 等より
成る平坦化絶縁膜７をＣＶＤ等により被着し、この上に
図２Ｂに示すようにＴｉＯＮ、ＴｉＮ等より成るＴｉ系
反射防止膜８をスパッタリング等により被着する。
成る平坦化絶縁膜７をＣＶＤ等により被着し、この上に
図２Ｂに示すようにＴｉＯＮ、ＴｉＮ等より成るＴｉ系
反射防止膜８をスパッタリング等により被着する。
【００１９】そして特に本発明においては、このＴｉ系
反射防止膜８を被着した後の工程で、このＴｉ系反射防
止膜８が水素過飽和状態となるように水素を供給する。
この例においては、このＴｉ系反射防止膜８の被着直後
に水素プラズマ処理を施し、プラズマ中で形成されたイ
オンを例えば矢印ｐで示すように基板１に照射して、Ｔ
ｉ系反射防止膜８を水素過飽和状態とすると共に、基板
１中のＳｉのダングリングボンドを水素イオンで埋め、
界面準位を減少させる。
反射防止膜８を被着した後の工程で、このＴｉ系反射防
止膜８が水素過飽和状態となるように水素を供給する。
この例においては、このＴｉ系反射防止膜８の被着直後
に水素プラズマ処理を施し、プラズマ中で形成されたイ
オンを例えば矢印ｐで示すように基板１に照射して、Ｔ
ｉ系反射防止膜８を水素過飽和状態とすると共に、基板
１中のＳｉのダングリングボンドを水素イオンで埋め、
界面準位を減少させる。
【００２０】また更に、図３Ａ及びＢにこのときの周辺
回路部のコンタクト部の断面構造を示すように、例えば
コンタクト部１６上のＴｉ系バリアメタルを上述のＴｉ
系反射防止膜のスパッタリング等により被着と同時に形
成し、更にこの後水素プラズマ処理等の水素供給を行う
ことによって、このＴｉ系バリアメタル１７をも水素過
飽和状態とすると共に、この下の基板表面の界面準位を
減少させることができる。図３Ａ及びＢにおいて１は基
板、１５は絶縁層を示す。
回路部のコンタクト部の断面構造を示すように、例えば
コンタクト部１６上のＴｉ系バリアメタルを上述のＴｉ
系反射防止膜のスパッタリング等により被着と同時に形
成し、更にこの後水素プラズマ処理等の水素供給を行う
ことによって、このＴｉ系バリアメタル１７をも水素過
飽和状態とすると共に、この下の基板表面の界面準位を
減少させることができる。図３Ａ及びＢにおいて１は基
板、１５は絶縁層を示す。
【００２１】そしてこの後、転送領域においては図２Ｃ
に示すようにＡｌ等より成る遮光膜９をスパッタリング
等により被着した後フォトリソグラフィ等の適用によっ
てセンサ部６を露出させる開口部１０を形成し、更にＳ
ｉＮX 等のパッシベーション膜１１をプラズマＣＶＤ等
により形成する。一方コンタクト部においてはＴｉ系バ
リアメタル１７の上にＡｌ等より成る配線層１８をスパ
ッタリング等により被着する。
に示すようにＡｌ等より成る遮光膜９をスパッタリング
等により被着した後フォトリソグラフィ等の適用によっ
てセンサ部６を露出させる開口部１０を形成し、更にＳ
ｉＮX 等のパッシベーション膜１１をプラズマＣＶＤ等
により形成する。一方コンタクト部においてはＴｉ系バ
リアメタル１７の上にＡｌ等より成る配線層１８をスパ
ッタリング等により被着する。
【００２２】尚この場合、上述のパッシベーション膜１
１を形成する前にエッチング工程等において受けたダメ
ージを回復するためのフォーミングアニールを行わなく
ても、基板１の表面の界面準位を充分に減少させ、暗電
流の低減化をはかることができる。しかしながらより確
実に界面準位を減少させるために、フォーミングアニー
ルを行ってもよい。
１を形成する前にエッチング工程等において受けたダメ
ージを回復するためのフォーミングアニールを行わなく
ても、基板１の表面の界面準位を充分に減少させ、暗電
流の低減化をはかることができる。しかしながらより確
実に界面準位を減少させるために、フォーミングアニー
ルを行ってもよい。
【００２３】更に本発明は、上述の例に限ることなく、
例えば水素供給のための水素プラズマ処理を他の工程に
おいて行うこともできる。一例としてその製造工程を図
４Ａ及びＢに示す。即ち前述の図２Ｃにおいて説明した
センサ部６を露出するための窓部１０を形成した後、図
４Ａに示すように全面的に水素供給のための例えば水素
プラズマ処理を行い、プラズマ中で形成されたイオンを
矢印ｐで示すように全面的に照射、その後図４Ｂに示す
ようにパッシベーション膜１１を被着することもでき
る。
例えば水素供給のための水素プラズマ処理を他の工程に
おいて行うこともできる。一例としてその製造工程を図
４Ａ及びＢに示す。即ち前述の図２Ｃにおいて説明した
センサ部６を露出するための窓部１０を形成した後、図
４Ａに示すように全面的に水素供給のための例えば水素
プラズマ処理を行い、プラズマ中で形成されたイオンを
矢印ｐで示すように全面的に照射、その後図４Ｂに示す
ようにパッシベーション膜１１を被着することもでき
る。
【００２４】しかしながらこの場合、センサ部６にイオ
ンが照射されてダメージを与える恐れがあり、輝点の発
生を招く恐れがある。従って、センサ部６上の窓部１０
を開口する前、望ましくはＴｉ系反射防止膜を形成した
直後に水素供給を行うことが望ましい。
ンが照射されてダメージを与える恐れがあり、輝点の発
生を招く恐れがある。従って、センサ部６上の窓部１０
を開口する前、望ましくはＴｉ系反射防止膜を形成した
直後に水素供給を行うことが望ましい。
【００２５】次に、このような水素過飽和処理による界
面準位の低減化の効果を調べるために、図５に示すよう
な試料を作製して、水素プラズマ処理を行った場合と未
処理の場合とにおいて、その界面準位密度の最小値を測
定した。
面準位の低減化の効果を調べるために、図５に示すよう
な試料を作製して、水素プラズマ処理を行った場合と未
処理の場合とにおいて、その界面準位密度の最小値を測
定した。
【００２６】図５に示すように、この場合Ｓｉより成る
基板１を酸素雰囲気中で熱処理し、厚さ１００ｎｍのＳ
ｉ酸化膜より成る絶縁層３１を形成し、さらにこの上に
バリヤメタル又は反射防止膜としてのＴｉ化合物層３
２、この場合ＴｉＮを反応性スパッタリング装置により
厚さ４０ｎｍ成膜した。
基板１を酸素雰囲気中で熱処理し、厚さ１００ｎｍのＳ
ｉ酸化膜より成る絶縁層３１を形成し、さらにこの上に
バリヤメタル又は反射防止膜としてのＴｉ化合物層３
２、この場合ＴｉＮを反応性スパッタリング装置により
厚さ４０ｎｍ成膜した。
【００２７】この試料に対し、図６に示す水素供給装
置、この場合水素プラズマ装置によりプラズマ処理を行
った。図６において２０は真空容器で、この中に基板載
置台を兼ね、高周波電源２３により高周波電力を印加す
ることのできるカソード２１と、これに対向して設けら
れたアノード２４が配置される。２３はヒータを示す。
また真空容器２０には、水素等のガスを供給するガス導
入口２５が設けられ、また排気口を通じて真空ポンプ等
の排気手段２６が接続されて容器内の圧力を設定値に保
持するようになされている。
置、この場合水素プラズマ装置によりプラズマ処理を行
った。図６において２０は真空容器で、この中に基板載
置台を兼ね、高周波電源２３により高周波電力を印加す
ることのできるカソード２１と、これに対向して設けら
れたアノード２４が配置される。２３はヒータを示す。
また真空容器２０には、水素等のガスを供給するガス導
入口２５が設けられ、また排気口を通じて真空ポンプ等
の排気手段２６が接続されて容器内の圧力を設定値に保
持するようになされている。
【００２８】このような装置において、排気手段２６に
より所定の圧力まで充分に排気した後水素ガスをガス導
入口２５から所定の圧力に達するまで導入し、カソード
２１に高周波電力を印加してカソード２１とアノード２
４との間に水素プラズマを生じさせると、プラズマ中で
イオン化した水素イオンが、電界によって加速されて試
料上のＴｉ化合物層１３中に取り込まれる。
より所定の圧力まで充分に排気した後水素ガスをガス導
入口２５から所定の圧力に達するまで導入し、カソード
２１に高周波電力を印加してカソード２１とアノード２
４との間に水素プラズマを生じさせると、プラズマ中で
イオン化した水素イオンが、電界によって加速されて試
料上のＴｉ化合物層１３中に取り込まれる。
【００２９】この場合、上述したようにＴｉ化合物とし
てＴｉＮ層を被着した試料２７に対し、上述の装置によ
り１００％水素雰囲気中で水素供給処理を行った。この
ときの処理条件は、水素ガス圧力を０．１Ｔｏｒｒ、カ
ソード２１に印加したＲＦ電力を２００Ｗ、試料の基板
温度を２５０℃、処理時間を５分間とした。
てＴｉＮ層を被着した試料２７に対し、上述の装置によ
り１００％水素雰囲気中で水素供給処理を行った。この
ときの処理条件は、水素ガス圧力を０．１Ｔｏｒｒ、カ
ソード２１に印加したＲＦ電力を２００Ｗ、試料の基板
温度を２５０℃、処理時間を５分間とした。
【００３０】そしてこの後、スパッタリング等により遮
光膜又は配線層に対応するＡｌ金属層３３を成膜し、フ
ォトリソグラフィによりパターニングを行った後、最後
に窒素雰囲気中で３８０℃、１０分間の熱処理を行っ
た。
光膜又は配線層に対応するＡｌ金属層３３を成膜し、フ
ォトリソグラフィによりパターニングを行った後、最後
に窒素雰囲気中で３８０℃、１０分間の熱処理を行っ
た。
【００３１】このようにして作製したＭＯＳキャパシタ
構成の試料を用いて、界面準位密度の最小値を電圧に対
する容量の変化を測定するいわゆるＣ−Ｖ測定方法によ
り測定したところ、図７においてａ1 及びａ2 で示すよ
うに１０10ｅＶ-1・ｃｍ-2程度に抑制することができ
た。これに対し水素プラズマ処理を行わない場合は図７
においてｂ1 及びｂ2 で示すように、５〜６倍程度に界
面準位密度の最小値が大きくなってしまうことがわか
る。
構成の試料を用いて、界面準位密度の最小値を電圧に対
する容量の変化を測定するいわゆるＣ−Ｖ測定方法によ
り測定したところ、図７においてａ1 及びａ2 で示すよ
うに１０10ｅＶ-1・ｃｍ-2程度に抑制することができ
た。これに対し水素プラズマ処理を行わない場合は図７
においてｂ1 及びｂ2 で示すように、５〜６倍程度に界
面準位密度の最小値が大きくなってしまうことがわか
る。
【００３２】尚、上述の各例においては、水素供給装置
として平行平板型イオンエッチング装置と同様の構造の
水素プラズマ処理装置を用いたが、この他ダウンフロー
型のプラズマ処理装置でも可能であることはいうまでも
ない。
として平行平板型イオンエッチング装置と同様の構造の
水素プラズマ処理装置を用いたが、この他ダウンフロー
型のプラズマ処理装置でも可能であることはいうまでも
ない。
【００３３】また更に、水素をＴｉ系反射防止層やＴｉ
系バリアメタルに過飽和状態まで取り込むためには、イ
オン注入装置を用いて水素イオンを注入するとか、或い
は高濃度の水素ガス中での熱処理を行うことによっても
達成できる。また、水素に限ることなくＳｉ中のダング
リングボンドを埋めることのできる元素を含んでいれ
ば、同様に界面準位密度の低減化をはかることができ
る。
系バリアメタルに過飽和状態まで取り込むためには、イ
オン注入装置を用いて水素イオンを注入するとか、或い
は高濃度の水素ガス中での熱処理を行うことによっても
達成できる。また、水素に限ることなくＳｉ中のダング
リングボンドを埋めることのできる元素を含んでいれ
ば、同様に界面準位密度の低減化をはかることができ
る。
【００３４】
【発明の効果】上述したように、本発明によればスミア
を低減化するためのＴｉ系反射防止膜を設ける場合にお
いても、このＴｉ系反射防止膜における水素吸着を回避
することができ、熱処理によるダメージ回復の阻害を防
止することができて、暗電流を低減化し、固体撮像装置
の特性の向上をはかることができる。
を低減化するためのＴｉ系反射防止膜を設ける場合にお
いても、このＴｉ系反射防止膜における水素吸着を回避
することができ、熱処理によるダメージ回復の阻害を防
止することができて、暗電流を低減化し、固体撮像装置
の特性の向上をはかることができる。
【００３５】特に水素供給を水素プラズマ処理により行
うことによって、水素過飽和状態とすると共に、界面準
位の減少をはかることもできる。
うことによって、水素過飽和状態とすると共に、界面準
位の減少をはかることもできる。
【００３６】更にまた、上述の水素供給をＴｉ系反射防
止膜の形成直後に行うことによって確実に水素過飽和状
態とすることができると共に、その後の工程の例えばセ
ンサ部開口後に行う場合と比較して他部へのダメージ、
例えばセンサ部等に与えるダメージを回避して、輝点の
発生等の不都合を抑制できる。
止膜の形成直後に行うことによって確実に水素過飽和状
態とすることができると共に、その後の工程の例えばセ
ンサ部開口後に行う場合と比較して他部へのダメージ、
例えばセンサ部等に与えるダメージを回避して、輝点の
発生等の不都合を抑制できる。
【００３７】また、Ｔｉ系バリアメタルを上述のＴｉ系
反射防止膜と同時に被着し、水素供給も同様に行うこと
によって、この部分における界面準位の減少をもはかる
ことができる。
反射防止膜と同時に被着し、水素供給も同様に行うこと
によって、この部分における界面準位の減少をもはかる
ことができる。
【図１】Ａは本発明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。
【図２】Ａは本発明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。
【図３】Ａは本発明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。
【図４】Ａは本発明の他の実施例の一製造工程図であ
る。Ｂは本発明の他の実施例の一製造工程図である。
る。Ｂは本発明の他の実施例の一製造工程図である。
【図５】測定試料の略線的拡大断面図である。
【図６】水素供給装置の一例の構成図である。
【図７】各試料の界面準位密度の最小値を示す図であ
る。
る。
【図８】固体撮像装置の一例の要部の略線的拡大断面図
である。
である。
【図９】コンタクト部の略線的拡大断面図である。
１ 基板 ２ ゲート絶縁膜 ４ 電荷転送領域 ５ ゲート電極 ６ センサ部 ８ Ｔｉ系反射防止膜 ９ 遮光膜 １６ コンタクト部 １７ Ｔｉ系バリアメタル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】Ａは本発明の一実施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。Ｄは本発明の一実
施例の一製造工程図である。
Ｂは本発明の一実施例の一製造工程図である。Ｃは本発
明の一実施例の一製造工程図である。Ｄは本発明の一実
施例の一製造工程図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、転送領域、ゲート電極及びセ
ンサ部を形成した後、上記転送領域上に、Ｔｉ系反射防
止膜及び遮光膜を形成する固体撮像装置の製造方法にお
いて、 上記Ｔｉ系反射防止膜被着以後に、これに水素を過飽和
状態とする水素供給工程を有することを特徴とする固体
撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記水素供給工程として、プラズマ処理
を行うことを特徴とする上記請求項１に記載の固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記Ｔｉ系反射防止膜被着直後に水素供
給工程を有することを特徴とする上記請求項１又は２に
記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 周辺回路部におけるコンタクト部のＴｉ
系バリアメタルと同時に、上記Ｔｉ系反射防止膜を形成
することを特徴とする上記請求項１又は２又は３に記載
の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236841A JPH0794692A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236841A JPH0794692A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794692A true JPH0794692A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17006590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236841A Pending JPH0794692A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794692A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007216095A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | National Institutes Of Natural Sciences | 水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法及び水素化方法 |
| JP2008172056A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010153884A (ja) * | 2010-02-01 | 2010-07-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法及びｃｍｏｓイメージセンサ |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5236841A patent/JPH0794692A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007216095A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | National Institutes Of Natural Sciences | 水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法及び水素化方法 |
| JP2008172056A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010153884A (ja) * | 2010-02-01 | 2010-07-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法及びｃｍｏｓイメージセンサ |
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