JPH0794712B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0794712B2 JPH0794712B2 JP62133143A JP13314387A JPH0794712B2 JP H0794712 B2 JPH0794712 B2 JP H0794712B2 JP 62133143 A JP62133143 A JP 62133143A JP 13314387 A JP13314387 A JP 13314387A JP H0794712 B2 JPH0794712 B2 JP H0794712B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に被処理基板に
CVD膜を形成するプラズマCVD装置に好適なプラズマ処理
装置に関する。
CVD膜を形成するプラズマCVD装置に好適なプラズマ処理
装置に関する。
（従来の技術） 一般に、プラズマ処理装置は、半導体装置の製造工程等
において、CVD装置、アッシング装置、エッチング装置
等として利用されている。
において、CVD装置、アッシング装置、エッチング装置
等として利用されている。
このようなプラズマ処理装置のうち、例えばプラズマCV
D装置では、反応チャンバ内を所定の真空度とし、この
反応チャンバ内に配置され被処理基板を保持する載置台
と、この載置台に対向して配置された電極との間に例え
ば13.56MHz等の高周波電圧を印加するとともに、この電
極と被処理基板の間に所定流量で所定の反応ガスを流通
させる。
D装置では、反応チャンバ内を所定の真空度とし、この
反応チャンバ内に配置され被処理基板を保持する載置台
と、この載置台に対向して配置された電極との間に例え
ば13.56MHz等の高周波電圧を印加するとともに、この電
極と被処理基板の間に所定流量で所定の反応ガスを流通
させる。
そして、載置台と電極との間に生じる放電により反応ガ
スをプラズマ化して、被処理基板上に所定のCVD膜を形
成する。
スをプラズマ化して、被処理基板上に所定のCVD膜を形
成する。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来のプラズマ処理装置で
は、例えば被処理基板が大型化し、載置台およびこの載
置台に対向する電極が大型化した場合、載置台と電極と
の間に放電を生じさせることが困難になる。
は、例えば被処理基板が大型化し、載置台およびこの載
置台に対向する電極が大型化した場合、載置台と電極と
の間に放電を生じさせることが困難になる。
したがって、載置台と電極との間に印加する電圧の周波
数を低くしたり、反応チャンバ内の真空度を高く（圧力
を低く）する等の必要があった。
数を低くしたり、反応チャンバ内の真空度を高く（圧力
を低く）する等の必要があった。
このため、生成されたプラズマの運動エネルギが高く、
かつ温度が低くなり、プラズマ化したガス分子が被処理
基板に衝突し被処理基板に損傷を与えるという問題、分
解した反応ガスが重合し粒子状になって被処理基板上に
付着し、不良が発生するという問題がある。
かつ温度が低くなり、プラズマ化したガス分子が被処理
基板に衝突し被処理基板に損傷を与えるという問題、分
解した反応ガスが重合し粒子状になって被処理基板上に
付着し、不良が発生するという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に比べて反応ガスの重合による粒子の発生を減
少させることができ、かつ、プラズマ化したガス分子の
衝突による被処理基板の損傷を低減することのできるプ
ラズマ処理装置を提供しようとするものである。
で、従来に比べて反応ガスの重合による粒子の発生を減
少させることができ、かつ、プラズマ化したガス分子の
衝突による被処理基板の損傷を低減することのできるプ
ラズマ処理装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板を収容する反応チャンバ
と、 スリット状の開口から前記反応チャンバに交流電圧によ
る放電によりプラズマ化した第１のガスを導入する第１
のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに第２のガ
スを導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された第１のガスにより、前記第２のガ
スをプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施
すことを特徴とするプラズマ処理装置。
と、 スリット状の開口から前記反応チャンバに交流電圧によ
る放電によりプラズマ化した第１のガスを導入する第１
のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに第２のガ
スを導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された第１のガスにより、前記第２のガ
スをプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施
すことを特徴とするプラズマ処理装置。
また、特許請求の範囲第２項の発明は、被処理基板を収
容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに反応ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに反応ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
また、特許請求の範囲第３項の発明は、被処理基板を収
容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバにSiH4ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバにSiH4ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
（作用） 本発明のプラズマ処理装置では、第１のガス導入手段に
よって、交流電圧による放電によるプラズマ化した第１
のガスを反応チャンバに導入し、第２のガス導入手段に
よって、反応チャンバに導入した第２のガスを、プラズ
マ化した第１のガスによりプラズマ化して、被処理基板
に所定の処理を施す。
よって、交流電圧による放電によるプラズマ化した第１
のガスを反応チャンバに導入し、第２のガス導入手段に
よって、反応チャンバに導入した第２のガスを、プラズ
マ化した第１のガスによりプラズマ化して、被処理基板
に所定の処理を施す。
したがって、被処理基板が大型の場合でも、交流電圧に
よる放電の放電面積を小さくすることができる。このた
め、従来に比べて高い周波数の交流電圧で放電を生起さ
せることができ、運動エネルギが低く均一で、かつ、温
度の高い良質なプラズマを生起させることができ、プラ
ズマ化したガス分子の衝突による被処理基板の損傷を低
減することができる。また、低い真空度（高い圧力）で
放電を生起させることができるので、分解した反応ガス
の重合により発生する粒子数を減少させることができ
る。
よる放電の放電面積を小さくすることができる。このた
め、従来に比べて高い周波数の交流電圧で放電を生起さ
せることができ、運動エネルギが低く均一で、かつ、温
度の高い良質なプラズマを生起させることができ、プラ
ズマ化したガス分子の衝突による被処理基板の損傷を低
減することができる。また、低い真空度（高い圧力）で
放電を生起させることができるので、分解した反応ガス
の重合により発生する粒子数を減少させることができ
る。
さらに、ガス導入手段の開口が近接して配置されている
ので、効率良く処理を行うことができ、また、被処理基
板と開口とを相対的に移動させることにより、大型の基
板でも均一に処理することができる。
ので、効率良く処理を行うことができ、また、被処理基
板と開口とを相対的に移動させることにより、大型の基
板でも均一に処理することができる。
（実施例） 以下本発明をプラズマCVD装置に適用した実施例を、第
１図および第２図を参照して説明する。
１図および第２図を参照して説明する。
反応チャンバ１内には、例えばアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成するためのガラス基板等、大型の被
処理基板２が載置される載置台３が配置されている。こ
の載置台３は、例えばレール4aおよびモータ4b等からな
る駆動装置４を備えており、図示矢印方向に移動自在に
構成されている。また、この載置台３は、イオン引き込
み用のバイアス電源５に接続されており、載置台３内に
は、被処理基板２を加熱するためのヒータ６が配置され
ている。
液晶表示装置を構成するためのガラス基板等、大型の被
処理基板２が載置される載置台３が配置されている。こ
の載置台３は、例えばレール4aおよびモータ4b等からな
る駆動装置４を備えており、図示矢印方向に移動自在に
構成されている。また、この載置台３は、イオン引き込
み用のバイアス電源５に接続されており、載置台３内に
は、被処理基板２を加熱するためのヒータ６が配置され
ている。
また、載置台３の上部には、この載置台３と例えば数ミ
リ〜数センチ程度の間隔を設けて、細長いスリット状の
開口部7aを形成するガス導入路７と、このガス導入路７
を挟むように開口部8aを形成し、開口部7aから導入され
るガス中に反応ガスを供給する反応ガス導入路８が配置
されている。なお、第２図にも示すように、上記開口部
7aおよび開口部8aは、その長手方向の長さが、被処理基
板２の幅とほぼ等しく構成されている。
リ〜数センチ程度の間隔を設けて、細長いスリット状の
開口部7aを形成するガス導入路７と、このガス導入路７
を挟むように開口部8aを形成し、開口部7aから導入され
るガス中に反応ガスを供給する反応ガス導入路８が配置
されている。なお、第２図にも示すように、上記開口部
7aおよび開口部8aは、その長手方向の長さが、被処理基
板２の幅とほぼ等しく構成されている。
そして、ガス導入路７には、例えばこのガス導入路７を
挟む如く配置された例えば細長い帯状の電極対9a、これ
らの電極対9aに高周波電圧を供給する高周波電源9b、直
流成分除去用のコンデンサ9c等からなる放電生起手段が
配置されている。
挟む如く配置された例えば細長い帯状の電極対9a、これ
らの電極対9aに高周波電圧を供給する高周波電源9b、直
流成分除去用のコンデンサ9c等からなる放電生起手段が
配置されている。
なお、反応チャンバ１の下部等には、図示しない排気装
置に接続された排気配管10が接続されている。
置に接続された排気配管10が接続されている。
上記構成のこの実施例のプラズマCVD装置では、例えば
アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するための
ガラス基板等、大型の被処理基板２を載置台３上に配
置、ヒータ６により加熱する。
アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するための
ガラス基板等、大型の被処理基板２を載置台３上に配
置、ヒータ６により加熱する。
また、排気配管10により排気し、反応チャンバ１内を例
えば10-1〜10-2Torr程度の所定の真空度とするととも
に、ガス導入路７から例えばAr、H2、NH3、N2等のガス
を導入し、反応ガス導入路８から、例えばSiH4等の所定
の反応ガスを導入する。この時、高周波電源9bから電極
対9aに例えば100MHz等の高周波電圧を印加し、上記Ar、
H2、NH3、N2等のガスを活性化（プラズマ化）し、この
活性化されたガスにより、SiH4等の所定の反応ガスを活
性化する。
えば10-1〜10-2Torr程度の所定の真空度とするととも
に、ガス導入路７から例えばAr、H2、NH3、N2等のガス
を導入し、反応ガス導入路８から、例えばSiH4等の所定
の反応ガスを導入する。この時、高周波電源9bから電極
対9aに例えば100MHz等の高周波電圧を印加し、上記Ar、
H2、NH3、N2等のガスを活性化（プラズマ化）し、この
活性化されたガスにより、SiH4等の所定の反応ガスを活
性化する。
そして、バイアス電源５から載置台３に例えば10KHz〜1
3.56MHz等のバイアス電圧を印加して、上記活性化され
た反応ガスを引き込み、駆動装置４により、載置台３を
図示矢印方向に移動させながら、被処理基板２にCVD膜
を形成する。
3.56MHz等のバイアス電圧を印加して、上記活性化され
た反応ガスを引き込み、駆動装置４により、載置台３を
図示矢印方向に移動させながら、被処理基板２にCVD膜
を形成する。
すなわち、この実施例のプラズマ処理装置では、放電面
積の小さな細長い帯状の電極対9aの間で放電を生起させ
るので、例えば100MHz等の周波数の高い電圧および例え
ば10-1〜10-3Torr程度の真空度の低い（高い圧力）状態
で放電を生起させることができる。
積の小さな細長い帯状の電極対9aの間で放電を生起させ
るので、例えば100MHz等の周波数の高い電圧および例え
ば10-1〜10-3Torr程度の真空度の低い（高い圧力）状態
で放電を生起させることができる。
したがって、エネルギが均一で、イオン温度の高いプラ
ズマを形成することができ、かつ、分解した反応ガスの
重合による粒子の発生を低減することができるので、被
処理基板２の損傷を低減し、かつ、良質なCVD膜を形成
することができる。
ズマを形成することができ、かつ、分解した反応ガスの
重合による粒子の発生を低減することができるので、被
処理基板２の損傷を低減し、かつ、良質なCVD膜を形成
することができる。
また、被処理基板２を開口部7aおよび開口部8aに対して
移動させながら成膜を行うので、被処理基板２が大型の
ものでも、均一にCVD膜を形成することができる。
移動させながら成膜を行うので、被処理基板２が大型の
ものでも、均一にCVD膜を形成することができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明のプラズマ処理装置では、被処理
基板が大型の場合でも、交流電圧による放電の放電面積
を小さくすることができる。このため、従来に比べて高
い周波数の交流電圧で放電を生起させることができ、運
動エネルギが低く均一で、かつ、温度の高い良質なプラ
ズマを生起させることができ、プラズマ化したガス分子
の衝突による被処理基板の損傷を低減することができ
る。また、低い真空度（高い圧力）で放電を生起させる
ことができるので、分解した反応ガスの重合により発生
する粒子数を減少させることができる。さらに、ガス導
入手段の開口が近接して配置されているので、効率良く
処理を行うことができ、また、被処理基板と開口とを相
対的に移動させることにより、大型の基板でも均一に処
理することができる。
基板が大型の場合でも、交流電圧による放電の放電面積
を小さくすることができる。このため、従来に比べて高
い周波数の交流電圧で放電を生起させることができ、運
動エネルギが低く均一で、かつ、温度の高い良質なプラ
ズマを生起させることができ、プラズマ化したガス分子
の衝突による被処理基板の損傷を低減することができ
る。また、低い真空度（高い圧力）で放電を生起させる
ことができるので、分解した反応ガスの重合により発生
する粒子数を減少させることができる。さらに、ガス導
入手段の開口が近接して配置されているので、効率良く
処理を行うことができ、また、被処理基板と開口とを相
対的に移動させることにより、大型の基板でも均一に処
理することができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ処理装置を示す正
面図、第２図は第１図の側面図である。 １……反応チャンバ、２……被処理基板、３……載置
台、４……駆動装置、７……ガス導入路、８……反応ガ
ス導入路、9a……電極対、9b……高周波電源、9c……コ
ンデンサ。
面図、第２図は第１図の側面図である。 １……反応チャンバ、２……被処理基板、３……載置
台、４……駆動装置、７……ガス導入路、８……反応ガ
ス導入路、9a……電極対、9b……高周波電源、9c……コ
ンデンサ。
Claims (3)
- 【請求項１】被処理基板を収容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに交流電圧によ
る放電によりプラズマ化した第１のガスを導入する第１
のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに第２のガ
スを導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された第１のガスにより、前記第２のガ
スをプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施
すことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】被処理基板を収容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバに反応ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】被処理基板を収容する反応チャンバと、 スリット状の開口から前記反応チャンバに高周波電力に
よる放電によりプラズマ化した不活性ガスを導入する第
１のガス導入手段と、 前記第１のガス導入手段の前記スリット状の開口を挟む
ように形成された開口から前記反応チャンバにSiH4ガス
を導入する第２のガス導入手段と、 前記被処理基板と、前記第１のガス導入手段のスリット
状の開口及び前記第２のガス導入手段の開口とを相対的
に移動させる手段とを有し、 前記プラズマ化された不活性ガスにより、前記反応ガス
をプラズマ化して、前記被処理基板に所定の処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62133143A JPH0794712B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62133143A JPH0794712B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297566A JPS63297566A (ja) | 1988-12-05 |
| JPH0794712B2 true JPH0794712B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=15097742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62133143A Expired - Fee Related JPH0794712B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794712B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4134741B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2008-08-20 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP2008052911A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Shinku Device:Kk | プラズマ照射装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189635A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS627859A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP62133143A patent/JPH0794712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63297566A (ja) | 1988-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |