JPH0794747A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタおよびその製造方法Info
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- JPH0794747A JPH0794747A JP23510193A JP23510193A JPH0794747A JP H0794747 A JPH0794747 A JP H0794747A JP 23510193 A JP23510193 A JP 23510193A JP 23510193 A JP23510193 A JP 23510193A JP H0794747 A JPH0794747 A JP H0794747A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光層が上に形成された薄膜トランジスタを
製造する。工程数を少なくする。エッチングによるダメ
ージが遮光膜樹脂に及ぶのを防ぐ。 【構成】 ＴＦＴを覆うようにして透明基板８の全面に
保護膜６および遮光膜樹脂７を順次形成する。遮光膜樹
脂７上にレジスト膜９を塗布し、露光、現像、パターニ
ングを行った後、一度のエッチングにより、保護膜６お
よび遮光膜樹脂７の不要部分を同時に除去する。
製造する。工程数を少なくする。エッチングによるダメ
ージが遮光膜樹脂に及ぶのを防ぐ。 【構成】 ＴＦＴを覆うようにして透明基板８の全面に
保護膜６および遮光膜樹脂７を順次形成する。遮光膜樹
脂７上にレジスト膜９を塗布し、露光、現像、パターニ
ングを行った後、一度のエッチングにより、保護膜６お
よび遮光膜樹脂７の不要部分を同時に除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶ディスプレ
イに使用される薄膜トランジスタおよびその製造方法に
関する。
イに使用される薄膜トランジスタおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の液晶ディスプレイに使用される
薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）においては、
透明基板の上に形成されたＴＦＴを保護膜で覆うと共
に、遮光膜で遮光する必要がある。
薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）においては、
透明基板の上に形成されたＴＦＴを保護膜で覆うと共
に、遮光膜で遮光する必要がある。
【０００３】ここで、遮光膜は、通常はＴＦＴ側ではな
くカラーフィルター側に配置されている。即ち、ＴＦＴ
が形成された透明基板側でなく、カラーフィルターが配
置され、ＴＦＴ側基板と貼り合わされるカラーフィルタ
ー側基板に配置されている。しかし、この構造だと、遮
光率が低いため、透過光やバックライトの光の回折等に
より、画素電極周辺の表示がコントロールできない部分
を通過する光は黒表示状態の品位を下げ、コントラスト
を低下させる。また、ＴＦＴに入射する光はＴＦＴチャ
ネル内に光励起によるリーク電流を発生させ、表示品位
を低下させる。
くカラーフィルター側に配置されている。即ち、ＴＦＴ
が形成された透明基板側でなく、カラーフィルターが配
置され、ＴＦＴ側基板と貼り合わされるカラーフィルタ
ー側基板に配置されている。しかし、この構造だと、遮
光率が低いため、透過光やバックライトの光の回折等に
より、画素電極周辺の表示がコントロールできない部分
を通過する光は黒表示状態の品位を下げ、コントラスト
を低下させる。また、ＴＦＴに入射する光はＴＦＴチャ
ネル内に光励起によるリーク電流を発生させ、表示品位
を低下させる。
【０００４】そのため、開口率の低下を余儀なくされ
る。また、ＴＦＴ側基板とカラーフィルター側基板とを
貼り合わせるときの、位置合わせ精度が厳に要求される
ため、歩留まりの低下を生じる。
る。また、ＴＦＴ側基板とカラーフィルター側基板とを
貼り合わせるときの、位置合わせ精度が厳に要求される
ため、歩留まりの低下を生じる。
【０００５】このような現状を考慮して、最近では、遮
光膜をＴＦＴの上に形成することが考えられて来てい
る。その一従来例として、特開平４−７４４７６号公報
に開示された薄膜トランジスタの製造方法がある。この
製造方法を図３により説明する。
光膜をＴＦＴの上に形成することが考えられて来てい
る。その一従来例として、特開平４−７４４７６号公報
に開示された薄膜トランジスタの製造方法がある。この
製造方法を図３により説明する。
【０００６】ガラス基板からなる透明基板８の上に、ゲ
ート電極１、ゲート絶縁膜２、アモルファスシリコン膜
３、Ｎ+型アモルファスシリコン膜４および絵素電極５
を順次積層形成し、これにより透明基板８上にＴＦＴを
作製する。
ート電極１、ゲート絶縁膜２、アモルファスシリコン膜
３、Ｎ+型アモルファスシリコン膜４および絵素電極５
を順次積層形成し、これにより透明基板８上にＴＦＴを
作製する。
【０００７】続いて、ＴＦＴを覆うようにして、透明基
板８の全面上に保護膜６を塗布し、更に、その上に遮光
膜樹脂（遮光膜）７を塗布する。そして、この遮光膜樹
脂７をマスク代わりに利用して、露光、現像を行ってパ
ターニングにより遮光樹脂膜７に覆われていない領域の
保護膜６を除去する。
板８の全面上に保護膜６を塗布し、更に、その上に遮光
膜樹脂（遮光膜）７を塗布する。そして、この遮光膜樹
脂７をマスク代わりに利用して、露光、現像を行ってパ
ターニングにより遮光樹脂膜７に覆われていない領域の
保護膜６を除去する。
【０００８】また、他の製造方法として、ＴＦＴの保護
膜を塗布、露光、パターニングして形成した後、その上
に、遮光膜樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ工程によ
り遮光膜樹脂をパターニングする方法が知られている。
膜を塗布、露光、パターニングして形成した後、その上
に、遮光膜樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ工程によ
り遮光膜樹脂をパターニングする方法が知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平４−７
４４７６号公報に開示された製造方法では、遮光膜樹脂
７の材質によっては、それ自身をレジスト代りにしてエ
ッチング、特にエッチングとしてドライエッチングを採
用する場合は、遮光膜樹脂自身がエッチングされるおそ
れがある。遮光膜樹脂７がエッチングされると、遮光率
が低下するために、表示品位が低下し、ＴＦＴの上に遮
光膜樹脂７を形成した意味が薄れてしまう。
４４７６号公報に開示された製造方法では、遮光膜樹脂
７の材質によっては、それ自身をレジスト代りにしてエ
ッチング、特にエッチングとしてドライエッチングを採
用する場合は、遮光膜樹脂自身がエッチングされるおそ
れがある。遮光膜樹脂７がエッチングされると、遮光率
が低下するために、表示品位が低下し、ＴＦＴの上に遮
光膜樹脂７を形成した意味が薄れてしまう。
【００１０】また、上記の他の製造方法による場合は、
工程数が多いため、製造効率が低下し、コストアップに
つながるという問題がある。
工程数が多いため、製造効率が低下し、コストアップに
つながるという問題がある。
【００１１】本発明は上記従来技術の問題を解決するも
のであり、その目的は、少ない工程数で製造でき、コス
トダウンが可能になると共に、耐ドライエッチング性を
有するため、遮光膜にダメージを与えるおそれがなく、
歩留りの向上が図れ、更には信頼性の向上が図れる薄膜
トランジスタおよびその製造方法を提供することにあ
る。
のであり、その目的は、少ない工程数で製造でき、コス
トダウンが可能になると共に、耐ドライエッチング性を
有するため、遮光膜にダメージを与えるおそれがなく、
歩留りの向上が図れ、更には信頼性の向上が図れる薄膜
トランジスタおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タは、透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体層および絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを
覆うようにして保護膜としての役割をも有する遮光膜が
積層されており、そのことにより上記目的が達成され
る。
タは、透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体層および絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを
覆うようにして保護膜としての役割をも有する遮光膜が
積層されており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１３】また、本発明の薄膜トランジスタは、透明
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層および
絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを覆うように
して保護膜が積層され、該保護膜の上に遮光膜が積層さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層および
絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを覆うように
して保護膜が積層され、該保護膜の上に遮光膜が積層さ
れており、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】また、本発明の薄膜トランジスタの製造方
法は、透明基板上に薄膜トランジスタを形成する工程
と、該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板
の全面に保護膜としての役割をも有する遮光膜樹脂を積
層する工程と、該遮光膜樹脂の不要部分を除去する工程
とを包含しており、そのことにより上記目的が達成され
る。
法は、透明基板上に薄膜トランジスタを形成する工程
と、該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板
の全面に保護膜としての役割をも有する遮光膜樹脂を積
層する工程と、該遮光膜樹脂の不要部分を除去する工程
とを包含しており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１５】また、本発明の薄膜トランジスタは、透明
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜ト
ランジスタを覆うようにして、該透明基板の全面に保護
膜を積層する工程と、該保護膜上に遮光膜樹脂を積層す
る工程と、該遮光膜樹脂の上にレジスト膜を塗布し、露
光、現像、パターニングを行った後、エッチングにより
該保護膜および該遮光樹脂膜の不要部分を一度に除去す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜ト
ランジスタを覆うようにして、該透明基板の全面に保護
膜を積層する工程と、該保護膜上に遮光膜樹脂を積層す
る工程と、該遮光膜樹脂の上にレジスト膜を塗布し、露
光、現像、パターニングを行った後、エッチングにより
該保護膜および該遮光樹脂膜の不要部分を一度に除去す
る工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
【００１６】
【作用】上記の第１の薄膜トランジスタの製造方法にお
いては、遮光膜が保護膜の役割をも有するので、保護膜
の形成工程が不要になる。従って、工程数の削減が図れ
る。
いては、遮光膜が保護膜の役割をも有するので、保護膜
の形成工程が不要になる。従って、工程数の削減が図れ
る。
【００１７】また、上記の第２の薄膜トランジスタの製
造方法においては、透明基板の全面に形成された保護膜
および遮光膜の不要部分を一度のエッチング工程で除去
できるので、保護膜用のフォトリソグラフィ工程を省略
できる。即ち、この方法によれば、工程数の削減が図れ
る。
造方法においては、透明基板の全面に形成された保護膜
および遮光膜の不要部分を一度のエッチング工程で除去
できるので、保護膜用のフォトリソグラフィ工程を省略
できる。即ち、この方法によれば、工程数の削減が図れ
る。
【００１８】加えて、保護膜および遮光膜の不要部分を
除去するにあたって、ＴＦＴ上の遮光膜をレジストで覆
うので、遮光膜にダメージを与えるおそれがない。
除去するにあたって、ＴＦＴ上の遮光膜をレジストで覆
うので、遮光膜にダメージを与えるおそれがない。
【００１９】このような方法によって製造された薄膜ト
ランジスタは、いずれも遮光層がＴＦＴの上に形成され
ているので、カラーフィルター側基板とＴＦＴ側基板と
の貼り合わせ精度の条件を緩和できる。従って、製造効
率の向上に寄与できる。また、開口率を向上できる。更
には、開口部である絵素部と遮光部である絵素部以外の
領域との区分けを明瞭に行うことができるので、表示コ
ントラストを向上できる。
ランジスタは、いずれも遮光層がＴＦＴの上に形成され
ているので、カラーフィルター側基板とＴＦＴ側基板と
の貼り合わせ精度の条件を緩和できる。従って、製造効
率の向上に寄与できる。また、開口率を向上できる。更
には、開口部である絵素部と遮光部である絵素部以外の
領域との区分けを明瞭に行うことができるので、表示コ
ントラストを向上できる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２１】（実施例１）図１は本発明の薄膜トランジ
スタの実施例１を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、保護膜６が
積層され、その上に遮光膜樹脂７が積層されている。即
ち、このＴＦＴは遮光層をＴＦＴ上に形成した構造にな
っている。
スタの実施例１を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、保護膜６が
積層され、その上に遮光膜樹脂７が積層されている。即
ち、このＴＦＴは遮光層をＴＦＴ上に形成した構造にな
っている。
【００２２】このような構造のＴＦＴによれば、遮光層
がＴＦＴの上に形成されているので、カラーフィルター
側基板とＴＦＴ側基板との貼り合わせ精度の条件を緩和
できる。また、開口率を向上できる。更には、開口部で
ある絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分け
を明瞭に行うことができるので、表示コントラストを向
上できる。
がＴＦＴの上に形成されているので、カラーフィルター
側基板とＴＦＴ側基板との貼り合わせ精度の条件を緩和
できる。また、開口率を向上できる。更には、開口部で
ある絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分け
を明瞭に行うことができるので、表示コントラストを向
上できる。
【００２３】次に、実施例１のＴＦＴの製造方法につい
て説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基
板からなる透明基板８の表面に、Ａｌ、Ｍｏ等の金属か
らなるゲート電極１をパターニングする。
て説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基
板からなる透明基板８の表面に、Ａｌ、Ｍｏ等の金属か
らなるゲート電極１をパターニングする。
【００２４】続いて、ゲート電極１を覆うようにして、
透明基板８の全面にＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲー
ト絶縁膜２を積層する。次に、ゲート絶縁膜２の上にア
モルファスシリコン膜３をパターニングし、その上に、
Ｎ+型アモルファスシリコン膜４をアイランド状にパタ
ーニングする。そして、一端部がＮ+型アモルファスシ
リコン膜４の端部に重畳するようにして、ＩＴＯからな
る透明導電膜をパターニングして絵素電極５を形成す
る。このようにしてＴＦＴが作製される。
透明基板８の全面にＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲー
ト絶縁膜２を積層する。次に、ゲート絶縁膜２の上にア
モルファスシリコン膜３をパターニングし、その上に、
Ｎ+型アモルファスシリコン膜４をアイランド状にパタ
ーニングする。そして、一端部がＮ+型アモルファスシ
リコン膜４の端部に重畳するようにして、ＩＴＯからな
る透明導電膜をパターニングして絵素電極５を形成す
る。このようにしてＴＦＴが作製される。
【００２５】次に、このようにしてＴＦＴが作製された
透明基板８の全面に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなり、
透明又は半透明のＴＦＴ保護膜６を積層する。続いて、
保護膜６の上に黒色染色基材、ブラックレジスト等の有
機物からなる遮光膜樹脂７を積層する。
透明基板８の全面に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなり、
透明又は半透明のＴＦＴ保護膜６を積層する。続いて、
保護膜６の上に黒色染色基材、ブラックレジスト等の有
機物からなる遮光膜樹脂７を積層する。
【００２６】続いて、遮光膜樹脂７の上に感光性のレジ
スト膜９を塗布し、露光、現像、パターニングをした
後、エッチングにより、一度の工程で保護膜６および遮
光膜樹脂７の不要部分を除去する（図１（Ｂ）参照）。
これにより、遮光膜７がその上に形成されたＴＦＴを得
ることができる。
スト膜９を塗布し、露光、現像、パターニングをした
後、エッチングにより、一度の工程で保護膜６および遮
光膜樹脂７の不要部分を除去する（図１（Ｂ）参照）。
これにより、遮光膜７がその上に形成されたＴＦＴを得
ることができる。
【００２７】このような本発明方法によれば、一度のエ
ッチング工程で、保護膜６および遮光膜樹脂７の不要部
分を取り除くことができるので、保護膜６の上にレジス
ト膜を塗布して、フォトリソグラフィ工程により保護膜
６をパターニングする工程が不要になる。従って、工程
数を削減でき、製造効率の向上が図れる。
ッチング工程で、保護膜６および遮光膜樹脂７の不要部
分を取り除くことができるので、保護膜６の上にレジス
ト膜を塗布して、フォトリソグラフィ工程により保護膜
６をパターニングする工程が不要になる。従って、工程
数を削減でき、製造効率の向上が図れる。
【００２８】また、遮光膜樹脂７は、レジスト膜９で覆
われているので、エッチングによるダメージを受けるこ
とがない。従って、歩留りの向上が図れる。また、信頼
性の向上が図れる。
われているので、エッチングによるダメージを受けるこ
とがない。従って、歩留りの向上が図れる。また、信頼
性の向上が図れる。
【００２９】（実施例２）図２は本発明の薄膜トランジ
スタの実施例２を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、遮光膜樹脂
７が積層されている。即ち、このＴＦＴも遮光層をＴＦ
Ｔ上に形成した構造になっている。それ故、上記実施例
１の薄膜トランジスタ同様の効果を奏する。
スタの実施例２を示す。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板からなる透明基板８上に、ゲート電極１、ゲート
絶縁膜２、アモルファスシリコン膜３、Ｎ+型アモルフ
ァスシリコン膜４および絵素電極５を順次積層形成した
構造になっている。そして、ＴＦＴ上には、遮光膜樹脂
７が積層されている。即ち、このＴＦＴも遮光層をＴＦ
Ｔ上に形成した構造になっている。それ故、上記実施例
１の薄膜トランジスタ同様の効果を奏する。
【００３０】次に、実施例２のＴＦＴの製造方法につい
て説明する。透明基板８の上にＴＦＴを作製するまでの
工程は、実施例１と同一であるので、以下にその後の工
程のみを説明する。
て説明する。透明基板８の上にＴＦＴを作製するまでの
工程は、実施例１と同一であるので、以下にその後の工
程のみを説明する。
【００３１】透明基板８上にＴＦＴが形成されると、図
２（Ａ）に示すように、ＴＦＴを覆うようにして、透明
基板８の全面に、例えば、エチルエトキシプロピオネー
ト等の保護膜を兼ねる遮光膜樹脂７を積層する。続い
て、遮光膜樹脂７を露光、現像して不要な部分を取り除
き、図２（Ｂ）に示すように、遮光層が上に形成された
構造のＴＦＴを得る。
２（Ａ）に示すように、ＴＦＴを覆うようにして、透明
基板８の全面に、例えば、エチルエトキシプロピオネー
ト等の保護膜を兼ねる遮光膜樹脂７を積層する。続い
て、遮光膜樹脂７を露光、現像して不要な部分を取り除
き、図２（Ｂ）に示すように、遮光層が上に形成された
構造のＴＦＴを得る。
【００３２】なお、遮光膜樹脂７として非感光性のもの
を用いる場合は、遮光膜樹脂７の上に感光性のレジスト
膜を塗布し、露光、現像によりパターニングした後、エ
ッチングにより余分の遮光膜樹脂７を取り除くことによ
り、図２（Ｂ）に示すＴＦＴを得ることができる。
を用いる場合は、遮光膜樹脂７の上に感光性のレジスト
膜を塗布し、露光、現像によりパターニングした後、エ
ッチングにより余分の遮光膜樹脂７を取り除くことによ
り、図２（Ｂ）に示すＴＦＴを得ることができる。
【００３３】いずれの製造方法による場合も、遮光膜樹
脂７が保護膜を兼ねるので、保護膜を形成する工程が不
要になる。従って、工程数を削減でき、製造効率の向上
が図れる。また、遮光膜樹脂７が感光性の場合はエッチ
ングを行わず、遮光膜樹脂７が非感光性の場合はこれを
レジスト膜で覆ってエッチングを行うので、エッチング
によるダメージが遮光膜樹脂７に及ぶことがない。従っ
て、歩留りの向上が図れる。また、信頼性を向上でき
る。
脂７が保護膜を兼ねるので、保護膜を形成する工程が不
要になる。従って、工程数を削減でき、製造効率の向上
が図れる。また、遮光膜樹脂７が感光性の場合はエッチ
ングを行わず、遮光膜樹脂７が非感光性の場合はこれを
レジスト膜で覆ってエッチングを行うので、エッチング
によるダメージが遮光膜樹脂７に及ぶことがない。従っ
て、歩留りの向上が図れる。また、信頼性を向上でき
る。
【００３４】
【発明の効果】以上の本発明によれば、ＴＦＴの上に遮
光層を形成するので、まず、第１に、遮光率を高めるこ
とができる。従って、開口率が大きくなり、同一輝度で
あれば、他の構造のＴＦＴに比べてバックライトの消費
電力を低減することが可能になる。また、開口部である
絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分けを明
瞭に行うことができるので、表示コントラストを向上で
きる。更には、ディスプレイに応用する場合は、ＴＦＴ
側基板とカラーフィルター側基板との貼り合わせ条件が
緩和されるので、歩留まりの向上が図れる。従って、デ
ィスプレイのコストダウンに大いに寄与できる。
光層を形成するので、まず、第１に、遮光率を高めるこ
とができる。従って、開口率が大きくなり、同一輝度で
あれば、他の構造のＴＦＴに比べてバックライトの消費
電力を低減することが可能になる。また、開口部である
絵素部と遮光部である絵素部以外の領域との区分けを明
瞭に行うことができるので、表示コントラストを向上で
きる。更には、ディスプレイに応用する場合は、ＴＦＴ
側基板とカラーフィルター側基板との貼り合わせ条件が
緩和されるので、歩留まりの向上が図れる。従って、デ
ィスプレイのコストダウンに大いに寄与できる。
【００３５】第２に、遮光膜樹脂にダメージを与えるお
それがなく、この点からも表示品位の向上が図られる。
それがなく、この点からも表示品位の向上が図られる。
【００３６】第３に、工程数を削減でき、製造効率の向
上が図れるので、上記効果を享受できる薄膜トランジス
タを安価に製造できる。
上が図れるので、上記効果を享受できる薄膜トランジス
タを安価に製造できる。
【図１】実施例１の薄膜トランジスタの製造方法を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施例２の薄膜トランジスタの製造方法を示す
断面図。
断面図。
【図３】従来の薄膜トランジスタの製造方法を説明する
ための断面図。
ための断面図。
１ ゲート電極 ２ ゲート絶縁膜 ３ アモルファスシリコン膜 ４ Ｎ+型アモルファスシリコン膜 ５ 絵素電極 ６ 保護膜 ７ 遮光膜樹脂 ８ 透明基板 ９ レジスト膜
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、半導体層および絵素電極がこの順に積層され、かつ
これらを覆うようにして保護膜としての役割をも有する
遮光膜が積層されている薄膜トランジスタ。 - 【請求項２】 透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、半導体層および絵素電極がこの順に積層され、かつ
これらを覆うようにして保護膜が積層され、該保護膜の
上に遮光膜が積層されている薄膜トランジスタ。 - 【請求項３】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程と、 該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板の全
面に保護膜としての役割をも有する遮光膜樹脂を積層す
る工程と、 該遮光膜樹脂の不要部分を除去する工程とを包含する薄
膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項４】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程と、 該薄膜トランジスタを覆うようにして、該透明基板の全
面に保護膜を積層する工程と、 該保護膜上に遮光膜樹脂を積層する工程と、 該遮光膜樹脂の上にレジスト膜を塗布し、露光、現像、
パターニングを行った後、エッチングにより該保護膜お
よび該遮光樹脂膜の不要部分を一度に除去する工程とを
包含する薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510193A JPH0794747A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510193A JPH0794747A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794747A true JPH0794747A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16981077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23510193A Withdrawn JPH0794747A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP23510193A patent/JPH0794747A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US7623193B2 (en) | 1995-12-29 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US8023057B2 (en) | 1995-12-29 | 2011-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
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