JPH0794764A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH0794764A JPH0794764A JP5233250A JP23325093A JPH0794764A JP H0794764 A JPH0794764 A JP H0794764A JP 5233250 A JP5233250 A JP 5233250A JP 23325093 A JP23325093 A JP 23325093A JP H0794764 A JPH0794764 A JP H0794764A
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- silicon
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】取扱い時および外部応力等の作用によるシリコ
ンセルの割れやクラックの発生率を低減する。 【構成】（１００）面を受光面とするシリコンセル１の
表面における外縁部近傍に無反射パターン２を形成しな
い部分９を構成するとともに、シリコン基板５の劈開方
向＜０１０＞，＜００１＞に一致しない４辺によりシリ
コンセル１の表面を構成する。シリコンセル１の端部に
おいて充分な厚みを確保することによってこの部分から
の割れやクラックの発生を防止するとともに、溶接方向
と劈開方向とが一致しないようにして溶接歪みの蓄積を
防止する。
ンセルの割れやクラックの発生率を低減する。 【構成】（１００）面を受光面とするシリコンセル１の
表面における外縁部近傍に無反射パターン２を形成しな
い部分９を構成するとともに、シリコン基板５の劈開方
向＜０１０＞，＜００１＞に一致しない４辺によりシリ
コンセル１の表面を構成する。シリコンセル１の端部に
おいて充分な厚みを確保することによってこの部分から
の割れやクラックの発生を防止するとともに、溶接方向
と劈開方向とが一致しないようにして溶接歪みの蓄積を
防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単一または複数の矩
形のシリコンセルによって構成した太陽電池等の光電変
換装置に関し、特に無反射表面構造を有した光電変換装
置に関する。
形のシリコンセルによって構成した太陽電池等の光電変
換装置に関し、特に無反射表面構造を有した光電変換装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高効率の太陽電池としてブラックセルが
知られている。このブラックセルは、入射光の反射を低
減し、また、基板内部での実効的な光路長を増加させる
べく、表面に多数の微小なピラミッド形状の凹凸を形成
したものである。さらに、この表面の凹凸形状として、
ピラミッドの頂点がセルの内側を向いた逆ピラミッドパ
ターンやＶ字型の溝からなるＶグルーブパターン等の開
発が進められている。これらは、ＮＲＳ（Ｎｏｎ−Ｒｅ
ｆｒｅｃｔｉｎｇ−Ｓｕｒｆａｃｅ：無反射表面形状）
と総称されている。ＮＲＳは、面方位が（１００）のシ
リコン単結晶板を、約摂氏８０度に加熱した弱アルカリ
性のエッチング液で数十分間エッチングすることにより
形成される。このエッチングにより図８および図９に示
すように、シリコンセル８１，９１の上面には例えば微
細なピラミッド形状８２やＶ字型の溝９２が表面電極８
３，９３の設置部分を除いて多数形成される。
知られている。このブラックセルは、入射光の反射を低
減し、また、基板内部での実効的な光路長を増加させる
べく、表面に多数の微小なピラミッド形状の凹凸を形成
したものである。さらに、この表面の凹凸形状として、
ピラミッドの頂点がセルの内側を向いた逆ピラミッドパ
ターンやＶ字型の溝からなるＶグルーブパターン等の開
発が進められている。これらは、ＮＲＳ（Ｎｏｎ−Ｒｅ
ｆｒｅｃｔｉｎｇ−Ｓｕｒｆａｃｅ：無反射表面形状）
と総称されている。ＮＲＳは、面方位が（１００）のシ
リコン単結晶板を、約摂氏８０度に加熱した弱アルカリ
性のエッチング液で数十分間エッチングすることにより
形成される。このエッチングにより図８および図９に示
すように、シリコンセル８１，９１の上面には例えば微
細なピラミッド形状８２やＶ字型の溝９２が表面電極８
３，９３の設置部分を除いて多数形成される。
【０００３】なお、シリコンセル８１，９１は、シリコ
ン基板の表面からリン等のＮ型不純物を拡散し、表面近
傍にはＰＮ接合が形成されている。表電極は入射光を妨
げず有効にキャリアを収集するために例えば櫛型電極８
３，９３を配置し、基板８５，９５の裏面にＰ型不純物
を拡散したＰ+ 拡散層８８，９８を形成するとともに全
面に裏電極８６，９６を備えて構成されている。一般
に、太陽電池モジュールは複数のシリコンセル８１，９
１をインタコネクタと呼ばれる金属片を介して並列また
は直列に電気的に接続して構成される。
ン基板の表面からリン等のＮ型不純物を拡散し、表面近
傍にはＰＮ接合が形成されている。表電極は入射光を妨
げず有効にキャリアを収集するために例えば櫛型電極８
３，９３を配置し、基板８５，９５の裏面にＰ型不純物
を拡散したＰ+ 拡散層８８，９８を形成するとともに全
面に裏電極８６，９６を備えて構成されている。一般
に、太陽電池モジュールは複数のシリコンセル８１，９
１をインタコネクタと呼ばれる金属片を介して並列また
は直列に電気的に接続して構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｎ
ＲＳを有するシリコンセルにおいて、ピラミッド形状や
Ｖ字型の溝等の無反射パターンの形成方向は、シリコン
セルの（１００）面内における＜０１０＞または＜００
１＞方向であり、結晶の劈開方向と同方向に形成され
る。このため、表面が平滑なシリコンセルに比べて取扱
い時に割れを発生しやすい問題があった。特に、従来の
ＮＲＳ構造のシリコンセルでは、無反射パターンが表面
の端部まで形成されていたため、この部分から割れやク
ラックを発生しやすい問題があった。
ＲＳを有するシリコンセルにおいて、ピラミッド形状や
Ｖ字型の溝等の無反射パターンの形成方向は、シリコン
セルの（１００）面内における＜０１０＞または＜００
１＞方向であり、結晶の劈開方向と同方向に形成され
る。このため、表面が平滑なシリコンセルに比べて取扱
い時に割れを発生しやすい問題があった。特に、従来の
ＮＲＳ構造のシリコンセルでは、無反射パターンが表面
の端部まで形成されていたため、この部分から割れやク
ラックを発生しやすい問題があった。
【０００５】また、図７（同図においてＮＲＳは省略し
ている。）に示すように従来のシリコンセル８１では、
表面の４辺のいずれかが劈開方向である無反射パターン
の形成方向に一致していたため、シリコンセル８１に接
続用のインタコネクタ８４を溶接する際に、劈開方向に
溶接方向が一致して溶接歪みが蓄積し、外部応力の増加
にともなってシリコンセルが脆弱化する問題がある。さ
らに、無反射パターンにより基板の厚さが薄い部分は熱
容量が小さいため、他の部分と比べて溶接時に急激に加
熱されることとなり、熱応力の発生によりクラックを生
じやすくなる問題があった。特に、インタコネクタの接
続強度を大きくするために溶接電力を上昇させるとクラ
ックの発生率が高くなり、歩留りが低下して生産コスト
の上昇を招く問題があった。
ている。）に示すように従来のシリコンセル８１では、
表面の４辺のいずれかが劈開方向である無反射パターン
の形成方向に一致していたため、シリコンセル８１に接
続用のインタコネクタ８４を溶接する際に、劈開方向に
溶接方向が一致して溶接歪みが蓄積し、外部応力の増加
にともなってシリコンセルが脆弱化する問題がある。さ
らに、無反射パターンにより基板の厚さが薄い部分は熱
容量が小さいため、他の部分と比べて溶接時に急激に加
熱されることとなり、熱応力の発生によりクラックを生
じやすくなる問題があった。特に、インタコネクタの接
続強度を大きくするために溶接電力を上昇させるとクラ
ックの発生率が高くなり、歩留りが低下して生産コスト
の上昇を招く問題があった。
【０００６】この発明の目的は、シリコンセルの表面の
外縁部において無反射パターンを形成しないようにする
とともに、表面の各辺がシリコンセルの劈開方向に一致
しないようにすることにより、シリコンセルの取扱い時
や溶接作業時における割れやクラックの発生率を低下さ
せ、作業性の向上およびコストの低廉化を実現できる光
電変換装置を提供することにある。
外縁部において無反射パターンを形成しないようにする
とともに、表面の各辺がシリコンセルの劈開方向に一致
しないようにすることにより、シリコンセルの取扱い時
や溶接作業時における割れやクラックの発生率を低下さ
せ、作業性の向上およびコストの低廉化を実現できる光
電変換装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、単一または複数の矩形のシリコンセルにより構成さ
れ、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状の無反射
パターンを連続して形成した光電変換装置において、シ
リコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パターン
を形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない４辺
によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とす
る。
は、単一または複数の矩形のシリコンセルにより構成さ
れ、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状の無反射
パターンを連続して形成した光電変換装置において、シ
リコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パターン
を形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない４辺
によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とす
る。
【０００８】請求項２に記載した発明は、前記シリコン
セルの表面の４辺が劈開方向となす角度を４５度とした
ものである。
セルの表面の４辺が劈開方向となす角度を４５度とした
ものである。
【０００９】
【作用】請求項１に記載した発明においては、光電変換
装置を構成する矩形のシリコンセルの表面の外縁部の所
定範囲において、無反射パターンが形成されず、また、
シリコンセルの表面の４辺はいずれも劈開方向に一致し
ない。したがって、シリコンセルの外縁部の所定範囲に
おいて充分な厚さが確保され、この部分から割れやクラ
ックが発生する確率が低くなる。また、溶接方向はシリ
コンセルの劈開方向に一致せず、溶接歪みによる内部応
力の蓄積に起因する割れやクラックの発生確率が低くな
る。
装置を構成する矩形のシリコンセルの表面の外縁部の所
定範囲において、無反射パターンが形成されず、また、
シリコンセルの表面の４辺はいずれも劈開方向に一致し
ない。したがって、シリコンセルの外縁部の所定範囲に
おいて充分な厚さが確保され、この部分から割れやクラ
ックが発生する確率が低くなる。また、溶接方向はシリ
コンセルの劈開方向に一致せず、溶接歪みによる内部応
力の蓄積に起因する割れやクラックの発生確率が低くな
る。
【００１０】請求項２に記載した発明においては、シリ
コンセルの表面の４片が劈開方向となす角度を４５度と
することにより、複数のシリコンセルによって構成され
るモジュール内の１枚のシリコンセルに割れを生じた場
合にも、モジュールの電気的接続の一部を維持できる可
能性が高くなる。
コンセルの表面の４片が劈開方向となす角度を４５度と
することにより、複数のシリコンセルによって構成され
るモジュール内の１枚のシリコンセルに割れを生じた場
合にも、モジュールの電気的接続の一部を維持できる可
能性が高くなる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明の実施例である光電変換装
置を構成するシリコンセルの平面図である。同図におい
てＮＲＳは省略されている。シリコンセル１の表面に
は、外縁部９を除く全面に渡って無反射パターンが形成
されている。このシリコンセル１の表面の一辺には表面
電極３が備えられており、この表面電極４にインタコネ
クタ４が溶接されている。面方位が（１００）のシリコ
ンセル１においてエッチングにより形成された無反射パ
ターンはシリコンセル１の＜０１０＞または＜００１＞
の劈開方向に連続的に形成される。シリコンセル１は表
面を構成する４辺がこの劈開方向に例えば４５度の角度
で交わるように単結晶ウエハから取り出される。
置を構成するシリコンセルの平面図である。同図におい
てＮＲＳは省略されている。シリコンセル１の表面に
は、外縁部９を除く全面に渡って無反射パターンが形成
されている。このシリコンセル１の表面の一辺には表面
電極３が備えられており、この表面電極４にインタコネ
クタ４が溶接されている。面方位が（１００）のシリコ
ンセル１においてエッチングにより形成された無反射パ
ターンはシリコンセル１の＜０１０＞または＜００１＞
の劈開方向に連続的に形成される。シリコンセル１は表
面を構成する４辺がこの劈開方向に例えば４５度の角度
で交わるように単結晶ウエハから取り出される。
【００１２】図２は、上記シリコンセルの要部の拡大斜
視図である。同図に示すように、シリコンセル１を構成
するシリコン基板５の表面には多数の逆ピラミッド状の
無反射パターン２が形成されている。この逆ピラミッド
形状の無反射パターン２は面方位（１００）における＜
０１０＞および＜００１＞の劈開方向と同方向に連続的
に形成されている。この無反射パターン２は基板５の表
面において表面電極３の設置部分およびセルの外縁部に
おいて形成されていない。
視図である。同図に示すように、シリコンセル１を構成
するシリコン基板５の表面には多数の逆ピラミッド状の
無反射パターン２が形成されている。この逆ピラミッド
形状の無反射パターン２は面方位（１００）における＜
０１０＞および＜００１＞の劈開方向と同方向に連続的
に形成されている。この無反射パターン２は基板５の表
面において表面電極３の設置部分およびセルの外縁部に
おいて形成されていない。
【００１３】図３は、この発明の別の実施例に係るシリ
コンセルの要部の拡大斜視図である。シリコンセル１１
を構成するシリコン基板１５の表面にはＶ字型の溝形状
の無反射パターン１２が多数形成されている。このＶ字
型の溝は＜０１０＞または＜００１＞の劈開方向と同方
向に連続して形成されている。このシリコンセル１１に
おいても前述のシリコンセル１と同様に、基板１５の表
面において表面電極１３の設置部およびセルの外縁部近
傍において無反射パターン１２は形成されていない。
コンセルの要部の拡大斜視図である。シリコンセル１１
を構成するシリコン基板１５の表面にはＶ字型の溝形状
の無反射パターン１２が多数形成されている。このＶ字
型の溝は＜０１０＞または＜００１＞の劈開方向と同方
向に連続して形成されている。このシリコンセル１１に
おいても前述のシリコンセル１と同様に、基板１５の表
面において表面電極１３の設置部およびセルの外縁部近
傍において無反射パターン１２は形成されていない。
【００１４】図４は、この発明の実施例である光電変換
装置を構成するシリコンセルの製造工程の一部を示す図
である。シリコン単結晶のウエハ４１は上面の面方位が
（１００）のものを用い、その上下両面に酸化膜４２を
形成する。次いでウエハ４１の上面に無反射パターンを
形成する部分の酸化膜４２をエッチングするためのフォ
トレジスト４３が載置される。このフォトレジスト４３
は、シリコンセルの表面に形成される無反射パターンを
構成する逆ピラミッド形状に対応した位置に窓開け部４
４が多数形成されている。このフォトレジスト４３はウ
エハ４１の上面の劈開方向＜０１０＞および＜００１＞
に対して所定角度θだけ傾けて載置される。この角度θ
は前述の例では４５度である。
装置を構成するシリコンセルの製造工程の一部を示す図
である。シリコン単結晶のウエハ４１は上面の面方位が
（１００）のものを用い、その上下両面に酸化膜４２を
形成する。次いでウエハ４１の上面に無反射パターンを
形成する部分の酸化膜４２をエッチングするためのフォ
トレジスト４３が載置される。このフォトレジスト４３
は、シリコンセルの表面に形成される無反射パターンを
構成する逆ピラミッド形状に対応した位置に窓開け部４
４が多数形成されている。このフォトレジスト４３はウ
エハ４１の上面の劈開方向＜０１０＞および＜００１＞
に対して所定角度θだけ傾けて載置される。この角度θ
は前述の例では４５度である。
【００１５】このようにして、無反射パターンを形成す
る位置において酸化膜をフォトリソグラフィにより除去
し、前述のアルカリ性のエッチング液でエッチングして
無反射パターンを形成する。続いて、表裏面の酸化膜を
別々に除去し、それぞれにＮ型およびＰ型の不純物を拡
散して表面近傍にＰＮ接合を形成し、フォトリソグラフ
ィにより表面に電極パターンを形成した後に、表面およ
び裏面の蒸着、表面に反射防止膜の蒸着を行い、ウエハ
をダイシングして複数のシリコンセルを得る。
る位置において酸化膜をフォトリソグラフィにより除去
し、前述のアルカリ性のエッチング液でエッチングして
無反射パターンを形成する。続いて、表裏面の酸化膜を
別々に除去し、それぞれにＮ型およびＰ型の不純物を拡
散して表面近傍にＰＮ接合を形成し、フォトリソグラフ
ィにより表面に電極パターンを形成した後に、表面およ
び裏面の蒸着、表面に反射防止膜の蒸着を行い、ウエハ
をダイシングして複数のシリコンセルを得る。
【００１６】なお、図５に示すようにウエハ４１の上面
に電極をフォトリソグラフィにより形成する際に用いら
れるフォトレジスト５４も、ウエハ４１の上面における
劈開方向＜０１０＞または＜００１＞に対して所定角度
θだけ傾けて載置される。
に電極をフォトリソグラフィにより形成する際に用いら
れるフォトレジスト５４も、ウエハ４１の上面における
劈開方向＜０１０＞または＜００１＞に対して所定角度
θだけ傾けて載置される。
【００１７】以上の工程により作成されたシリコンセル
を用いることにより、図６（Ａ）に示すように、複数の
シリコンセル１を直列に接続したモジュールにおいて、
１つのシリコンセル１ａに割れを生じた場合でも、シリ
コンセル１ａの上下辺と劈開方向とが傾斜しているた
め、シリコンセル８１の上下辺が劈開方向に一致する場
合（同図（Ｂ）参照）に比較して、シリコンセル１ａの
上下に位置するシリコンセル１ｂ，１ｃとの接続状態を
一部において維持することができる可能性が高くなる。
なお、図６においてＮＲＳは省略されている。
を用いることにより、図６（Ａ）に示すように、複数の
シリコンセル１を直列に接続したモジュールにおいて、
１つのシリコンセル１ａに割れを生じた場合でも、シリ
コンセル１ａの上下辺と劈開方向とが傾斜しているた
め、シリコンセル８１の上下辺が劈開方向に一致する場
合（同図（Ｂ）参照）に比較して、シリコンセル１ａの
上下に位置するシリコンセル１ｂ，１ｃとの接続状態を
一部において維持することができる可能性が高くなる。
なお、図６においてＮＲＳは省略されている。
【００１８】また、本願発明のシリコンセルを用いるこ
とにより、割れやクラックの発生率を低減するのみなら
ず、出力特性を改善することが可能となった。これは、
シリコンセルの表面の外縁部近傍９を平滑化することに
よる逆方向のリーク電流が低減され、曲線因子が改善さ
れるためである。
とにより、割れやクラックの発生率を低減するのみなら
ず、出力特性を改善することが可能となった。これは、
シリコンセルの表面の外縁部近傍９を平滑化することに
よる逆方向のリーク電流が低減され、曲線因子が改善さ
れるためである。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、シリコンセルの表面
の外縁部近傍の所定範囲を平滑化しておくことにより端
部からの割れやクラックの発生を防止することができ、
取扱い作業性が向上する利点がある。また、シリコンセ
ルの表面を構成する４辺は劈開方向に一致せず、インタ
コネクタ等の溶接時における溶接歪みおよび加熱による
割れやクラックの発生を防止することができる利点があ
る。さらに、並列または直列接続されたモジュールの一
部のシリコンセルにおいて劈開方向の割れが生じた場合
でも、その一部において左右または上下のシリコンセル
との接続状態を維持できる可能性が高く、特にシリコン
セルの表面を構成する４辺が劈開方向となす角度を４５
度とすることにより接続状態を維持できる可能性が極め
て大きくなり、モジュール内での発生電圧および発生電
流の不均一を生じることがなく、信頼性の向上を図るこ
とができる利点がある。加えて、１枚のウエハから複数
のシリコンセルをダイシングにより作成する場合、ウエ
ハ端部から割れを生じた場合にも、シリコンセルの表面
を構成する４辺を劈開方向に一致させた場合に比較して
シリコンセルの破損数を少なくすることができる可能性
が高く、歩留りを向上できる利点がある。
の外縁部近傍の所定範囲を平滑化しておくことにより端
部からの割れやクラックの発生を防止することができ、
取扱い作業性が向上する利点がある。また、シリコンセ
ルの表面を構成する４辺は劈開方向に一致せず、インタ
コネクタ等の溶接時における溶接歪みおよび加熱による
割れやクラックの発生を防止することができる利点があ
る。さらに、並列または直列接続されたモジュールの一
部のシリコンセルにおいて劈開方向の割れが生じた場合
でも、その一部において左右または上下のシリコンセル
との接続状態を維持できる可能性が高く、特にシリコン
セルの表面を構成する４辺が劈開方向となす角度を４５
度とすることにより接続状態を維持できる可能性が極め
て大きくなり、モジュール内での発生電圧および発生電
流の不均一を生じることがなく、信頼性の向上を図るこ
とができる利点がある。加えて、１枚のウエハから複数
のシリコンセルをダイシングにより作成する場合、ウエ
ハ端部から割れを生じた場合にも、シリコンセルの表面
を構成する４辺を劈開方向に一致させた場合に比較して
シリコンセルの破損数を少なくすることができる可能性
が高く、歩留りを向上できる利点がある。
【００２０】また、シリコンセル表面の外縁部近傍の所
定範囲を平滑化することとシリコンセルの表面を構成す
る４辺を劈開方向に一致させないこととの組み合わせに
より、セル外縁部からのリーク電流が低減され、シリコ
ンセル自身の出力特性が改善されるという利点がある。
定範囲を平滑化することとシリコンセルの表面を構成す
る４辺を劈開方向に一致させないこととの組み合わせに
より、セル外縁部からのリーク電流が低減され、シリコ
ンセル自身の出力特性が改善されるという利点がある。
【図１】この発明の実施例である光電変換装置を構成す
るシリコンセルの平面図である。
るシリコンセルの平面図である。
【図２】同シリコンセルの要部の拡大斜視図である。
【図３】この発明の別の実施例に係るシリコンセルの要
部の拡大斜視図である。
部の拡大斜視図である。
【図４】この発明の実施例に係るシリコンセルの製造工
程における状態を示す図である。
程における状態を示す図である。
【図５】同製造工程における状態を示す図である。
【図６】この発明の実施例に係る光電変換装置を構成す
るシリコンセルに割れが生じた場合を従来と比較して説
明する図である。
るシリコンセルに割れが生じた場合を従来と比較して説
明する図である。
【図７】従来の光電変換装置を構成するシリコンセルの
平面図である。
平面図である。
【図８】従来のシリコンセルの要部の拡大斜視図であ
る。
る。
【図９】同従来のシリコンセルの要部の拡大斜視図であ
る。
る。
１−シリコンセル ２−無反射パターン ３−表面電極 ５−シリコン基板 ９−無反射パターンの形成されない外縁部
Claims (2)
- 【請求項１】単一または複数の矩形のシリコンセルによ
り構成され、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状
の無反射パターンを連続して形成した光電変換装置にお
いて、 シリコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パター
ンを形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない４
辺によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とす
る光電変換装置。 - 【請求項２】前記シリコンセルの表面の４辺が劈開方向
となす角度を４５度とした請求項１に記載の光電変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233250A JP3026903B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233250A JP3026903B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794764A true JPH0794764A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3026903B2 JP3026903B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16952132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233250A Expired - Lifetime JP3026903B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026903B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6313397B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar battery cell |
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