JPH0794852A - 半田膜形成方法 - Google Patents
半田膜形成方法Info
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- JPH0794852A JPH0794852A JP23934493A JP23934493A JPH0794852A JP H0794852 A JPH0794852 A JP H0794852A JP 23934493 A JP23934493 A JP 23934493A JP 23934493 A JP23934493 A JP 23934493A JP H0794852 A JPH0794852 A JP H0794852A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半田濡れ性の劣化や溶融半田のブリッジによる
ショートがなく均一な膜厚の形成が容易で現在の微細な
ＳＭＴ部品の実装にも適用できる半田膜を無電解半田め
っきにより形成する。 【構成】プリント配線板の銅回路１上に半田めっきレジ
スト膜２を形成する工程と、半田めっきレジスト膜２が
形成されていない部分の銅回路１上に緻密質な構造を有
する第１の半田皮膜３を形成する工程と、半田めっきレ
ジスト膜２を除去する工程と、第１の半田皮膜３が形成
されていない部分の銅回路１上に多孔質な構造を有する
第２の半田皮膜４を形成する工程と、加熱により第１の
半田皮膜３と第２の半田皮膜４とを溶融一体化し銅回路
１上に半田膜５を形成する工程とを含む。
ショートがなく均一な膜厚の形成が容易で現在の微細な
ＳＭＴ部品の実装にも適用できる半田膜を無電解半田め
っきにより形成する。 【構成】プリント配線板の銅回路１上に半田めっきレジ
スト膜２を形成する工程と、半田めっきレジスト膜２が
形成されていない部分の銅回路１上に緻密質な構造を有
する第１の半田皮膜３を形成する工程と、半田めっきレ
ジスト膜２を除去する工程と、第１の半田皮膜３が形成
されていない部分の銅回路１上に多孔質な構造を有する
第２の半田皮膜４を形成する工程と、加熱により第１の
半田皮膜３と第２の半田皮膜４とを溶融一体化し銅回路
１上に半田膜５を形成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半田膜形成方法に関し、
特にプリント配線板における半田膜形成方法に関する。
特にプリント配線板における半田膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板の銅回路表面には、半田
付けや防食を目的として半田が被覆されている。従来の
プリント配線板の銅回路に半田を被覆する方法として
は、溶融半田めっき法が用いられている。この方法は、
一般的には、溶融半田浴に銅回路パターンが形成された
プリント配線板を浸漬した後、銅回路上に過剰に付着し
た半田を２４０℃程度に加熱された空気を吹き付けて除
去する方法である。
付けや防食を目的として半田が被覆されている。従来の
プリント配線板の銅回路に半田を被覆する方法として
は、溶融半田めっき法が用いられている。この方法は、
一般的には、溶融半田浴に銅回路パターンが形成された
プリント配線板を浸漬した後、銅回路上に過剰に付着し
た半田を２４０℃程度に加熱された空気を吹き付けて除
去する方法である。
【０００３】近年、表面実装技術の進展に伴い、プリン
ト配線板上に形成される半田膜は、均一かつ２０μｍ程
度の膜厚が要求されており、溶融半田のめっき膜厚が
０．５〜３０μｍの範囲で大きくばらつくことが大きな
問題点となっている。溶融半田めっき法で形成された半
田膜が薄い場合には、銅−スズの合金層が半田膜表面に
拡散し半田濡れを著るしく損ね、逆に半田膜が厚い場合
には、プリント配線板の回路間隔が狭い部分で溶融半田
のブリッジによるショート不具合が多発するという問題
点があった。
ト配線板上に形成される半田膜は、均一かつ２０μｍ程
度の膜厚が要求されており、溶融半田のめっき膜厚が
０．５〜３０μｍの範囲で大きくばらつくことが大きな
問題点となっている。溶融半田めっき法で形成された半
田膜が薄い場合には、銅−スズの合金層が半田膜表面に
拡散し半田濡れを著るしく損ね、逆に半田膜が厚い場合
には、プリント配線板の回路間隔が狭い部分で溶融半田
のブリッジによるショート不具合が多発するという問題
点があった。
【０００４】一方、プリント配線板のパターンめっき法
でエッチングレジストとして使用される電気半田めっき
皮膜を再溶融することによって半田を形成する方法が実
施されているが、この場合、半田めっき皮膜の厚みを１
０μｍ以上にすることは、めっきレジストの厚みの制限
等から難かしい。その改善方法として、特開昭６３−１
４２８９３号公報に電気半田めっき上に半田ペースト等
により補助半田膜を形成後、再溶融することによって充
分な膜厚を有する半田膜を形成する方法が開示されてい
るが、スクリーン印刷技術の技術的制限により０．５ｍ
ｍピッチのＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）部品パッドに対してこの技術を適用
することは難かしい。
でエッチングレジストとして使用される電気半田めっき
皮膜を再溶融することによって半田を形成する方法が実
施されているが、この場合、半田めっき皮膜の厚みを１
０μｍ以上にすることは、めっきレジストの厚みの制限
等から難かしい。その改善方法として、特開昭６３−１
４２８９３号公報に電気半田めっき上に半田ペースト等
により補助半田膜を形成後、再溶融することによって充
分な膜厚を有する半田膜を形成する方法が開示されてい
るが、スクリーン印刷技術の技術的制限により０．５ｍ
ｍピッチのＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）部品パッドに対してこの技術を適用
することは難かしい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した様に、従
来の溶融半田めっき方法は、均一な膜厚を有する半田膜
の形成が困難であり、半田濡れ性の劣化，溶融半田のブ
リッジによるショートといった問題点があった。
来の溶融半田めっき方法は、均一な膜厚を有する半田膜
の形成が困難であり、半田濡れ性の劣化，溶融半田のブ
リッジによるショートといった問題点があった。
【０００６】また、電気半田めっき法では、充分な半田
膜厚が得られないという問題点があり、充分な半田量を
半田ペースト等で補充する技術でも現在の微細なＳＭＴ
部品パッドには適用ができないという問題点があった。
膜厚が得られないという問題点があり、充分な半田量を
半田ペースト等で補充する技術でも現在の微細なＳＭＴ
部品パッドには適用ができないという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、半田濡れ性の劣化や溶融
半田のブリッジによるショートがなく均一な半田膜の形
成が容易で、現在の微細なＳＭＴ部品パッドにも適用で
きる半田膜形成方法を提供することにある。
半田のブリッジによるショートがなく均一な半田膜の形
成が容易で、現在の微細なＳＭＴ部品パッドにも適用で
きる半田膜形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半田膜形成方法
は、プリント配線板の銅回路上にドライフィルムレジス
トを含む感光性レジストよりなる半田めっきレジスト膜
を被覆する工程と、この半田めっきレジスト膜が被覆さ
れていない部分の前記銅回路上に緻密質な構造を有する
薄付用無電解半田めっきを施し第１の半田皮膜を形成す
る工程と、前記半田めっきレジスト膜を除去する工程
と、前記第１の半田皮膜が形成されていない部分の前記
銅回路上に多孔質な構造を有する厚付け用無電解半田め
っきを施し第２の半田皮膜を形成する工程と、加熱によ
り前記第１の半田皮膜と前記第２の半田皮膜とを溶融一
体化し前記銅回路上に半田膜を形成する工程とを含む。
は、プリント配線板の銅回路上にドライフィルムレジス
トを含む感光性レジストよりなる半田めっきレジスト膜
を被覆する工程と、この半田めっきレジスト膜が被覆さ
れていない部分の前記銅回路上に緻密質な構造を有する
薄付用無電解半田めっきを施し第１の半田皮膜を形成す
る工程と、前記半田めっきレジスト膜を除去する工程
と、前記第１の半田皮膜が形成されていない部分の前記
銅回路上に多孔質な構造を有する厚付け用無電解半田め
っきを施し第２の半田皮膜を形成する工程と、加熱によ
り前記第１の半田皮膜と前記第２の半田皮膜とを溶融一
体化し前記銅回路上に半田膜を形成する工程とを含む。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
１の実施例は、まず、図１（ａ）に示す様に、サブトラ
クティブ法等により幅０．３ｍｍの銅回路１を０．３ｍ
ｍのピッチで形成し、銅回路１間にスクリーン印刷等に
より半田保護膜６を印刷しプリント配線板を形成する。
次に、図１（ｂ）に示す様に、膜厚５０μｍの感光性ド
ライフィルムレジストをラミネートし、露光，現象によ
り銅回路中央部に幅０．２ｍｍの半田めっきレジスト膜
２を形成する。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
１の実施例は、まず、図１（ａ）に示す様に、サブトラ
クティブ法等により幅０．３ｍｍの銅回路１を０．３ｍ
ｍのピッチで形成し、銅回路１間にスクリーン印刷等に
より半田保護膜６を印刷しプリント配線板を形成する。
次に、図１（ｂ）に示す様に、膜厚５０μｍの感光性ド
ライフィルムレジストをラミネートし、露光，現象によ
り銅回路中央部に幅０．２ｍｍの半田めっきレジスト膜
２を形成する。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示す様に、このプリン
ト配線板に前処理として過酸化水素水溶液で３０℃、１
分間のエッチングを行い水洗処理後、液温５５℃の薄付
用無電解半田めっき液に約３０間浸漬し、約３μｍの緻
密質な構造を有する第１の半田皮膜３を得た。薄付用無
電解半田めっき液としては、チオ尿素１００ｇ／ｌ，ホ
ウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ，フッ化鉛０．０３ｍｏ
ｌ／ｌの組成のものを用いた。次に、図１（ｄ）に示す
様に、半田めっきレジスト膜２をドライフィルムレジス
ト剥離液により除去した後、厚付用無電解半田めっき液
に約１時間浸漬し約２０μｍの多孔質な第２の半田皮膜
４を得た。厚付用無電解半田めっき液としては、上村工
業（株）のビームソルダーＰＣを用いた。その後、図１
（ｅ）に示す様に、２００℃の溶融油に約２０秒間浸漬
し第１の半田皮膜３と第２の半田皮膜４を溶融一体化さ
せ２０μｍの膜厚を有する半田膜５を得た。
ト配線板に前処理として過酸化水素水溶液で３０℃、１
分間のエッチングを行い水洗処理後、液温５５℃の薄付
用無電解半田めっき液に約３０間浸漬し、約３μｍの緻
密質な構造を有する第１の半田皮膜３を得た。薄付用無
電解半田めっき液としては、チオ尿素１００ｇ／ｌ，ホ
ウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ，フッ化鉛０．０３ｍｏ
ｌ／ｌの組成のものを用いた。次に、図１（ｄ）に示す
様に、半田めっきレジスト膜２をドライフィルムレジス
ト剥離液により除去した後、厚付用無電解半田めっき液
に約１時間浸漬し約２０μｍの多孔質な第２の半田皮膜
４を得た。厚付用無電解半田めっき液としては、上村工
業（株）のビームソルダーＰＣを用いた。その後、図１
（ｅ）に示す様に、２００℃の溶融油に約２０秒間浸漬
し第１の半田皮膜３と第２の半田皮膜４を溶融一体化さ
せ２０μｍの膜厚を有する半田膜５を得た。
【００１２】この結果、図１（ｄ），（ｅ）に示す様
に、銅回路１の表面は凹状となり、凹部の半田膜５の厚
みは約２０μｍ，凹部肩部分の半田膜５の厚みは約３μ
ｍとなった。これは、第１の半田皮膜３が緻密質な構造
を有しているため、第２の半田皮膜４形成時にめっき液
が銅回路１の銅と置換反応を生じることがないため、第
２の半田皮膜４は第１の半田皮膜３に被覆されていな銅
回路１上のみに析出するためである。
に、銅回路１の表面は凹状となり、凹部の半田膜５の厚
みは約２０μｍ，凹部肩部分の半田膜５の厚みは約３μ
ｍとなった。これは、第１の半田皮膜３が緻密質な構造
を有しているため、第２の半田皮膜４形成時にめっき液
が銅回路１の銅と置換反応を生じることがないため、第
２の半田皮膜４は第１の半田皮膜３に被覆されていな銅
回路１上のみに析出するためである。
【００１３】図２（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
２の実施例は、図２（ａ）〜（ｅ）に示す様に、幅が
０．３ｍｍの銅回路１上に０．３ｍｍ幅の半田めっきレ
ジスト膜２を形成した以外は、図１（ａ）〜（ｅ）に示
す第１の実施例と同じである。第２の実施例では、図２
（ｄ），（ｅ）に示す様に、銅回路１の断面は長方形に
なり、厚み約１８μｍの半田膜５が銅回路１上に均一に
形成された。一方、第１の半田皮膜３と第２の半田皮膜
４の濡れ性が良いため、隣接する銅回路１同士のブリッ
ジによるショートや半田ボール等の不具合の発生は皆無
であった。
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
２の実施例は、図２（ａ）〜（ｅ）に示す様に、幅が
０．３ｍｍの銅回路１上に０．３ｍｍ幅の半田めっきレ
ジスト膜２を形成した以外は、図１（ａ）〜（ｅ）に示
す第１の実施例と同じである。第２の実施例では、図２
（ｄ），（ｅ）に示す様に、銅回路１の断面は長方形に
なり、厚み約１８μｍの半田膜５が銅回路１上に均一に
形成された。一方、第１の半田皮膜３と第２の半田皮膜
４の濡れ性が良いため、隣接する銅回路１同士のブリッ
ジによるショートや半田ボール等の不具合の発生は皆無
であった。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、銅回路上に
緻密質な構造を有する第１の半田皮膜と、第１の半田皮
膜が形成されていない銅回路上に多孔質な構造の第２の
半田皮膜を形成し、加熱により第１の半田皮膜と第２の
半田皮膜とを溶融一体化し銅回路上に半田膜を形成する
ことにより、半田濡れ性の劣化や溶融半田のブリッジに
よるショートがなく均一な半田膜の形成が容易で、現在
の微細なＳＭＴ部品の実装にも適用できる半田膜形成方
法を提供できるという効果がある。
緻密質な構造を有する第１の半田皮膜と、第１の半田皮
膜が形成されていない銅回路上に多孔質な構造の第２の
半田皮膜を形成し、加熱により第１の半田皮膜と第２の
半田皮膜とを溶融一体化し銅回路上に半田膜を形成する
ことにより、半田濡れ性の劣化や溶融半田のブリッジに
よるショートがなく均一な半田膜の形成が容易で、現在
の微細なＳＭＴ部品の実装にも適用できる半田膜形成方
法を提供できるという効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明
する工程順に示した断面図である。
する工程順に示した断面図である。
１ 銅回路 ２ 半田めっきレジスト膜 ３ 第１の半田皮膜 ４ 第２の半田皮膜 ５ 半田膜 ６ 半田保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 プリント配線板の銅回路上に半田めっき
レジスト膜を被覆する工程と、この半田めっきレジスト
膜が被覆されていない部分の前記銅回路上に薄付用無電
解半めっきを施し第１の半田皮膜を形成する工程と、前
記半田めっきレジスト膜を除去する工程と、前記第１の
半田被膜が形成されていない部分の前記銅回路上に厚付
用無電解半田めっきを施し第２の半田皮膜を形成する工
程と、加熱により前記第１の半田被膜と前記第２の半田
被膜とを溶融一体化し前記銅回路上に半田膜を形成する
工程とを含むことを特徴とする半田膜形成方法。 - 【請求項２】 前記半田めっきレジスト膜がドライフィ
ルムレジストを含む感光性レジストであることを特徴と
する請求項１記載の半田膜形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の半田皮膜が緻密質な構造を有
することを特徴とする請求項１記載の半田膜形成方法。 - 【請求項４】 前記第２の半田皮膜が多孔質な構造を有
することを特徴とする請求項１記載の半田膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239344A JP2531451B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半田膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239344A JP2531451B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半田膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794852A true JPH0794852A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2531451B2 JP2531451B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17043349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5239344A Expired - Fee Related JP2531451B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半田膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531451B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806939B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-10-19 | Seiko Instruments Inc. | Display device |
| CN116685069A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-01 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 一种精细线路短路的电化学修复方法 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP5239344A patent/JP2531451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806939B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-10-19 | Seiko Instruments Inc. | Display device |
| CN116685069A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-01 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 一种精细线路短路的电化学修复方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531451B2 (ja) | 1996-09-04 |
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