JPH0796094B2 - ガス流からのTiCL▲下4▼蒸気の除去方法 - Google Patents

ガス流からのTiCL▲下4▼蒸気の除去方法

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JPH0796094B2
JPH0796094B2 JP62069286A JP6928687A JPH0796094B2 JP H0796094 B2 JPH0796094 B2 JP H0796094B2 JP 62069286 A JP62069286 A JP 62069286A JP 6928687 A JP6928687 A JP 6928687A JP H0796094 B2 JPH0796094 B2 JP H0796094B2
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガス流からのTiCl4蒸気の除去方法に関する。
廃ガス流のようなガス流中にTiCl4が存在することは、
これらガスを大気中に放出する場合、重大な問題を生ず
る。文献にはいくつかのTiCl4蒸気除去方法が記載され
ている。
米国特許第2,682,930号明細書には、残留ガス混合物か
らTiCl4を吸着剤炭素の助けにより分離回収する方法が
記載されている。TiCl4は炭素から不完全に回収できる
が、使用温度は高くそしてプロセスは無水条件下で実施
される。
米国特許第4,474,587号明細書には、活性炭を使用して
廃ガス中のTiCl4を吸着する廃ガスの処理方法が記載さ
れている。炭素の欠点は、炭素からTiCl4を部分的に回
収後、炭素が未だ大量の反応性TiCl4を含有し、これを
尚破壊しそして中和しなければならないことである。
ソ連特許第990,273号明細書には、金属銅で被覆された
多孔質収着剤上に通すことによる工業廃ガスからのTiCl
4蒸気の除去方法が記載されている。収着剤の再生は複
雑である。
TiCl4蒸気含有廃ガスを水酸化カルシウム水溶液で、次
に水酸化ナトリウム水溶液で処理することも知られてい
る(米国特許第4,474,587号明細書参照)。出願人はTiC
l4蒸気の除去に苛性スクラバーを使用した場合、スクラ
バーオーバーヘツド系に酸性ミストが生じ、管路が閉塞
しそして操作上の問題があることを見出した。
米国特許第4,157,374号明細書には、15重量%までの気
状金属塩化物を含有する廃ガスを活性炭の床に通して金
属塩化物を除去し、該床にストリツピングガスを通し、
そしてストリツピングガスと連行された気状金属塩化物
を、水蒸気と接触させつつ、第IIA、IIIA、IVAまたはIV
B族の金属酸化物の床に通すことによる該廃ガスの精製
方法が開示されている。供給原料ガスからのおよび金属
塩化物の加水分解により遊離された塩化水素は水に吸収
される。この方法は、炭素吸着剤を生成させるに要する
熱およびガスの出費および古い活性炭を取りかえる必要
性のために高くつく(米国特許第4,209,496号明細書の
記載参照)。
米国特許第4,209,496号明細書には、廃ガスの改良され
た処理方法が開示されているが、金属酸化物の床を再生
しうるということは述べられていない。
出願人はここに、ガス流からのTiCl4蒸気の除去方法に
おいて、無水条件下にガス流を水酸基含有固体物質の床
上に導き、この間固体物質上にTiCl4を塩化水素の遊離
下に吸着し、そして次に水またはスチームでの処理によ
り固体物質を再生し、そして再生された固体物質床をガ
ス流からのTiCl4蒸気の除去に再使用することを含む前
記除去方法を見出した。
固体物質の再生は水またはスチームで、例えば120℃な
いし250℃の温度で実施される。
無水条件下でガス中の気状TiCl4は固体物質の水酸基と
反応して塩化水素を遊離する。固体物質は好ましくは金
属酸化物である。多くの金属酸化物は、焼後でも、そ
れらの表面上に未だ水酸基を含有する。例はアルミナ、
シリカおよび二酸化チタンである。TiCl4はO−原子を
経て金属酸化物表面と結合するが未だCl−原子は残り、
この後者は水またはスチームと反応して塩化水素の遊離
下に再び水酸基を形成させるであろう。この段階で固体
物質は再生される。
TiCl4を固体物質上に導くと同時に水またはスチームを
添加すると、固体物質床の急速な閉塞が起りそして圧力
降下が起りそしてこの方法をそれ以上実施するのを不適
当にする。
吸着剤は好ましくは、プロピレンとエチルベンゼンヒド
ロペルオキシドを反応させてプロピレンオキシドとアル
フア−フエニルエタノールを製造するためのシリカベー
スの二酸化チタン触媒の廃物である。
本発明による方法は、水酸基含有固体物質を何回も、例
えば10回(しかしそれ以上の回も除外されるものではな
い)再生し再使用しうるという利点を有する。この方法
は更にミストが形成されずそして閉塞が起らないという
利点を有する。
水酸基含有固体物質の床を通されたガス流は更に、遊離
した塩化水素を溶解し中和するために、水に、好ましく
は塩基性水溶液に通しうる。TiCl4も塩化水素も含有し
ないガス流を大気中に放出しうる。
一体化されたプロセスにおいては、水酸基含有物質はTi
Cl4含有ガスが生成する槽と酸性成分が捕集される苛性
スクラバーの間に設置された、ガスを大気中に放出し得
る前の保護床である。保護床は苛性スクラバー内のミス
トおよび固体の形成を防止する。保護床は操作が容易で
ある。
一般にTiCl4の吸収は大気圧または過圧で行なわれる。
吸収が行なわれる温度は室温20℃から300℃まで、好ま
しくは100℃ないし250℃の範囲でありうる。
例 液体TiCl4を含有するフラスコに窒素ガスを導通するこ
とによりTiCl4蒸気と窒素を含有するガス流を作つた。T
iCl4蒸気を含有するN2流を200℃の温度で110mlの保護床
に導通しそして更に1メートル長の充填されたガラスス
クラビング塔に通し、該スクラビング塔の頂部では水が
流下し底部で集められて再び塔の頂部に再循環されてい
た。保護床はシリカ上の二酸化チタン触媒廃物から成つ
た。合計2gのTiCl4を担持した40リツトルの窒素を、床
のTiCl4漏出を示す密なミストが現われる前に保護床に
通した。
実験を繰返したが、しかし漏出が起りうる直前に窒素流
を止めた。1時間でスチームの形の水40mlを200℃で保
護床に通し、しかる後床を乾燥純窒素で30分ストリツピ
ングした。
再び2gTiCl4含有窒素38リツトルを保護床に通すことが
できた。次にスチームの形の水40mlを保護床に通し、し
かる後床を乾燥窒素で再びストリツピングした。
該手順を繰返したが、しかしTiCl4を担持した窒素35リ
ツトルを保護床上に導通した後TiCl4の吸収を止め、そ
の後再生した。
担持と再生の14サイクル後、いつの時点でもスクラバー
内にミストの発生が観察されること無く、試験を終え
た。乾燥後、110mlの保護床(重量46g)は12gの重量増
を得たようであつた。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガス流からのTiCl4蒸気の除去方法におい
    て、無水条件下にガス流を水酸基含有固体物質の床上に
    導き、この間固体物質上にTiCl4を塩化水素の遊離下に
    吸着し、そして次に水またはスチームでの処理により固
    体物質を再生し、そして再生された固体物質の床をガス
    流からのTiCl4蒸気の除去に再使用することを含む前記
    除去方法。
  2. 【請求項2】TiCl4の吸収を20℃ないし300℃の温度で実
    施する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  3. 【請求項3】再生を120℃ないし250℃の温度でスチーム
    で実施する特許請求の範囲第1または2項記載の方法。
  4. 【請求項4】固体物質か金属酸化物である特許請求の範
    囲第1〜3項のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項5】固体物質がアルミナ、シリカまたは二酸化
    チタンである特許請求の範囲第4項記載の方法。
  6. 【請求項6】固体物質がシリカベースの二酸化チタン触
    媒廃物である特許請求の範囲第5項記載の方法。
  7. 【請求項7】塩化水素含有ガス流を、固体物質の床を離
    れた後、水に通す特許請求の範囲第1〜6項のいずれか
    に記載の方法。
  8. 【請求項8】ガス流を塩基性水溶液に通す特許請求の範
    囲第7項記載の方法。
JP62069286A 1986-03-27 1987-03-25 ガス流からのTiCL▲下4▼蒸気の除去方法 Expired - Fee Related JPH0796094B2 (ja)

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GB868607696A GB8607696D0 (en) 1986-03-27 1986-03-27 Removal of ticl4 vapour from gas-streams

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JPS62237928A JPS62237928A (ja) 1987-10-17
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AU (1) AU592418B2 (ja)
BR (1) BR8701372A (ja)
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AU592418B2 (en) 1990-01-11
KR870008606A (ko) 1987-10-19
EP0240064A1 (en) 1987-10-07
CN1009164B (zh) 1990-08-15
GB8607696D0 (en) 1986-04-30
EP0240064B1 (en) 1990-06-13
CN87102271A (zh) 1987-10-07
CA1304915C (en) 1992-07-14
AU7062987A (en) 1987-10-01
BR8701372A (pt) 1987-12-22
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