JPH079612B2 - Temperature control device - Google Patents
Temperature control deviceInfo
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- JPH079612B2 JPH079612B2 JP17656785A JP17656785A JPH079612B2 JP H079612 B2 JPH079612 B2 JP H079612B2 JP 17656785 A JP17656785 A JP 17656785A JP 17656785 A JP17656785 A JP 17656785A JP H079612 B2 JPH079612 B2 JP H079612B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、たとえば一般家庭において使用される電気
コタツなどの発熱体の通電を制御する温度制御装置に関
し、とくにその温度検出機構の改良に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a temperature control device for controlling energization of a heating element such as an electric kotatsu used in a general household, and particularly to improvement of a temperature detection mechanism thereof. .
(ロ)従来の技術 一般に、家庭用の電気コタツなどに使用される温度制御
装置としては、たとえば特開昭58−158722号公報や特開
昭58−165166号公報に記載されている発明が知られてい
る。(B) Prior Art Generally, as a temperature control device used for household electric kotatsu, the inventions described in, for example, JP-A-58-158722 and JP-A-58-165166 are known. Has been.
前者は、半導体ヒータへの送風量を送風手段であるファ
ンを駆動するモータへの通電を制御することによってお
こない、その送風量によって間接的に半導体ヒータへの
発熱量を制御しようとするものである。また後者は、ヒ
ータへの通電をON−OFFの制御にておこなうものであ
る。In the former, the amount of air blown to the semiconductor heater is controlled by controlling the energization of a motor that drives a fan that is a blowing means, and the amount of heat blown to the semiconductor heater is indirectly controlled by the amount of air blown. . In the latter case, the heater is energized by ON / OFF control.
さらに第8図および第9図に示すものもよく知られてい
る。Further, those shown in FIGS. 8 and 9 are also well known.
第8図のものは、電子制御式コタツの回路図で、たとえ
ばコントローラ(50)で「低」を設定すると、コントロ
ーラ(50)内のトライアック(24)の位相制御をおこな
い、設定に対応した通電率(W数小)にてヒータ(51)
を制御する。また第9図のものは、いわゆるマイコン制
御式半導体温風コタツの回路図で、半導体ヒータ(52)
を用い、マイクロコンピユータ(53)によって送風用の
モータ(54)と半導体ヒータ(52)とのそれぞれの通電
率を制御するとともに、半導体ヒータ(52)自体のワッ
ト数の変化とを交じり合わせてコタツ内部の温度の制御
するものである。すなわち第9図において、温度設定用
の可変抵抗器(55)と抵抗(56)(57)とコタツ内に設
けたサーミスタ(58)とでブリッジ回路を構成し、温度
検出手段として動作し、その出力信号はマイクロコンピ
ュータ(53)のA/D入力端子に入力される。なお(59)
は室温を検知するためのサーミスタで他のブリッジ回路
を構成している。上記出力信号により、すなわちA/D入
力によりコタツ内温度を判定し、コタツ内温度が設定温
度よりもかなり低い場合は、マイクロコンピュータ(5
3)のD2出力よりトランジスタ(60)を介してトライア
ック(61)をトリガしてモータ(54)に100%通電をす
るとともに、D0出力によりトランジスタ(62)を介して
トライアック(63)をトリガして半導体ヒータ(52)も
100%通電する。この後コタツ内温度が設定温度に達す
ると、半導体ヒータ(52)の通電率は50%に減少させら
れる。さらに設定温度にコタツ内の温度が達すると、モ
ータ(54)の通電率を50%に、かつ半導体ヒータ(52)
の通電率を10%にそれぞれ減少させて温度の制御をおこ
なうものである。したがって、設定温度に達するまで
(以下立ち上りと記す)の時間が短く、かつ設定温度に
達してから(以下安定と記す)のコタツ内温度変化幅が
極めて小さいコタツの温度制御ができる。The one shown in FIG. 8 is a circuit diagram of an electronically controlled kotatsu. For example, when "low" is set in the controller (50), the phase control of the triac (24) in the controller (50) is performed and the energization corresponding to the setting is performed. Heater (51) at a rate (small W)
To control. FIG. 9 is a circuit diagram of a so-called microcomputer-controlled semiconductor warm air kotatsu, which shows a semiconductor heater (52).
The micro computer (53) is used to control the energization rate of each of the blower motor (54) and the semiconductor heater (52), and the wattage of the semiconductor heater (52) itself is mixed with the kotatsu. It controls the internal temperature. That is, in FIG. 9, a bridge circuit is constituted by the variable resistor (55) for temperature setting, the resistors (56) and (57), and the thermistor (58) provided in the kotatsu, which operates as a temperature detecting means. The output signal is input to the A / D input terminal of the microcomputer (53). (59)
Is a thermistor for detecting room temperature and constitutes another bridge circuit. The temperature in the kotatsu is judged by the output signal, that is, the A / D input, and when the temperature in the kotatsu is considerably lower than the set temperature, the microcomputer (5
Trigger the triac (61) through transistor (60) from D 2 outputs with a 100% supplied to the motor (54) 3), via a transistor (62) by D 0 output triac (63) Trigger and semiconductor heater (52)
Energize 100%. After this, when the temperature inside the kotatsu reaches the set temperature, the duty ratio of the semiconductor heater (52) is reduced to 50%. When the temperature inside the kotatsu reaches the set temperature, the duty factor of the motor (54) becomes 50% and the semiconductor heater (52)
The temperature is controlled by reducing the current-carrying rate of each to 10%. Therefore, it is possible to control the temperature of kotatsu, which has a short time until reaching the set temperature (hereinafter referred to as rising) and has a very small variation range in the kotatsu after reaching the set temperature (hereinafter referred to as stable).
(ハ)発明が解決しようとする問題点 しかしながら、風量によって温度制御をおこなうものに
はランプヒータは使用できず、あるいはヒータをON-OFF
して温度制御をおこなう場合には、コタツ内部の温度が
安定した際にON時とOFF時との温度幅(ディファレンシ
ャル)が生じるとともに、ヒータをランプ式とした場合
ヒータOFFにおいてはランプが消灯してしまい、視覚的
な暖かさを欠いた感じを使用者に与えるものであった。(C) Problems to be solved by the invention However, the lamp heater cannot be used for those whose temperature is controlled by the air volume, or the heater is turned on and off.
When performing temperature control with the temperature inside the kotatsu stabilized, a temperature range (differential) between ON and OFF occurs, and when the heater is of the lamp type, the lamp goes off when the heater is OFF. This gives the user a feeling of lack of visual warmth.
また第8図に示すものでは、立ち上り時に目標温度(設
定温度)に到達するまでに時間がかかるという問題点が
あった。Further, the structure shown in FIG. 8 has a problem that it takes time to reach the target temperature (set temperature) at the time of rising.
さらに、第9図に示すものでは、半導体ヒータを用いて
いるので輻射熱がなく、ランプヒータに比べて通電初期
の体感的暖房感が劣るものであり、この回路にてランプ
ヒータを制御した場合には、位相制御の割合が100%、5
0%、および10%であるため、ランプに明暗が生じてNO
時とOFF時における温度幅が大きくなるといった問題点
があった。Further, in the case shown in FIG. 9, since the semiconductor heater is used, there is no radiant heat, and the sensation of warmth at the beginning of energization is inferior to that of the lamp heater. Therefore, when the lamp heater is controlled by this circuit, The phase control ratio is 100%, 5
Since it is 0% and 10%, there is light and dark in the lamp and NO
There was a problem that the temperature range between the time of turning off and the time of turning off increased.
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので発熱体に
ランプヒータを用いた場合に立ち上り時間が早く、かつ
安定時に発熱体周囲の温度幅を極めて小さくできる温度
制御装置を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a temperature control device in which a lamp heater is used for a heating element, the rise time is short, and the temperature range around the heating element can be extremely small when stable. Is.
(ニ)問題点を解決するための手段 この発明の構成は、発熱体と、発熱体による周囲温度の
変化を検知する感温手段とを具備し、感温手段の信号に
対応して発熱体の通電を制御する温度制御装置におい
て、一定周期で繰り返し充放電がなされるコンデンサ
と、そのコンデンサへの充電開始後所定の時間が経過し
た時点でその時点でのコンデンサの充電電圧と感温手段
の信号の電圧とを比較する判定手段と、判定のための前
記所定の時間を前記所定の時間経過後、1度前記充電電
圧が感温手段の信号の電圧と一致または小となった時点
で前記所定の時間をそれより短かい所定の時間に変更す
る時間変更手段とを具備し、判定手段からの出力信号に
よって発熱体の通電率を制御する通電率制御手段を発熱
体に電気的に接続して設けることを特徴とする温度制御
装置である。(D) Means for Solving the Problems The structure of the present invention includes a heating element and a temperature sensing means for detecting a change in ambient temperature due to the heating element, and the heating element responds to a signal from the temperature sensing means. In the temperature control device for controlling the energization of the capacitor, the capacitor that is repeatedly charged and discharged at a constant cycle, and the charging voltage of the capacitor at the time when a predetermined time has elapsed after the start of charging the capacitor and the temperature sensing means. A determination means for comparing the voltage of the signal with the determination means, and the predetermined time for the determination is determined when the charging voltage becomes equal to or smaller than the voltage of the signal of the temperature sensing means once after the predetermined time has elapsed. And a time change means for changing the predetermined time to a shorter predetermined time, and electrically connecting a duty ratio control means for controlling the duty ratio of the heating element by the output signal from the determination means to the heating element. Is provided by Temperature control device.
(ホ)作用 この発明は上記のように構成されているので、コンデン
サの充電電圧と感温手段の信号電圧とが、所定の時間経
過後判定手段にて比較され、判定手段の出力信号が所定
時間経過時に高電位レベルであるなら、通電率制御手段
は発熱体に約100%の通電を、逆に低電位レベルである
なら、高電位レベルになるタイミングにて発熱体への通
電を、位相制御によっておこなう。そして1度所定時間
後充電電圧が感温手段の信号電圧と一致または小となっ
た時点で、前記所定時間をそれより短かい所定の時間に
時間変更手段が変更し、判定する時点にヒステリシスを
設けランプヒータが明るくなったり暗くなったりするの
を防止するよう作用する。(E) Action Since the present invention is configured as described above, the charging voltage of the capacitor and the signal voltage of the temperature sensing means are compared by the determination means after a predetermined time has elapsed, and the output signal of the determination means is determined by the predetermined value. If a high potential level is reached over time, the duty ratio control means energizes the heating element at about 100%, and conversely if it is a low potential level, energizes the heating element at the timing when the high potential level is reached. It is done by control. Then, after a predetermined time once, when the charging voltage becomes equal to or smaller than the signal voltage of the temperature sensing means, the time changing means changes the predetermined time to a predetermined time shorter than the predetermined time, and a hysteresis is set at the time of judgment. It acts to prevent the provided lamp heater from becoming bright or dark.
(ヘ)実施例 以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
が以下の実施例に限定されるものではない。(F) Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.
第1図において、(1)はゼロクロスパルス発生回路
で、交流電源(2)の電圧(a)が0Vになった際にパル
ス信号(b)を出力する。(3)はディレイ回路で、ゼ
ロクロスパルス発生手段(1)に電気的に接続され、パ
ルス信号(a)を一定時間遅延させてのちパルス信号
(c)を出力する。(4)は時間変更手段で、ディレイ
回路(3)に接続されており、タイマ回路(4a)とタイ
マ回路(4a)の遅延信号(d)の時間幅を制御するため
に接続されるコンデンサ(4b)とそのコンデンサ(4b)
の充電時間を制御するトランジスタ(4c)および抵抗
(4d)(4e)とからなる。第1図Bに示すものは、タイ
マ回路(4a)にタイマIC555を用いたもので、スレッシ
ョルド端子に接続されたコンデンサ(4b)の充電時間
を、トランジスタ(4c)とトランジスタ(4c)のコレク
タに接続された抵抗(4e)と、トランジスタ(4c)と抵
抗(4e)との直列回路に並列に接続される抵抗(4d)と
で可変する。すなわち、トランジスタ(4c)がONするこ
とによって、抵抗(4d)と抵抗(4e)が並列接続とな
り、トランジスタ(4c)がOFFの場合より充電時間が短
かくなり、タイマ回路(4a)の出力する遅延信号(d)
の時間幅が短かくなる。(5)はコンデンサで、トラン
ジスタ(6)が並列に接続される。すなわち、コンデン
サ(5)の一方端にトランジスタ(6)のコレクタが、
他方端にはエミッタがそれぞれ接続されるとともに他方
端はグラウンドに接続される。またコンデンサ(5)の
一方端には可変抵抗器(7)が直流電源ラインとの間に
接続される。可変抵抗器(7)は温度調整用である。
(8)は感温手段で、たとえば負特性のサーミスタで、
抵抗(9)に直列に接続されて、コンデンサ(5)と可
変抵抗器(7)との直列回路とでブリッジ回路を構成す
る。(10)は比較回路で、その+入力端はコンデンサ
(5)と可変抵抗器(7)の接続点に、−入力端は感温
手段(8)と抵抗(9)との接続点にそれぞれ接続され
ている。(11)は判定手段で、たとえばJ・Kフリップ
フロッブで、そのJ入力端は比較回路(10)の出力端
に、またクロック(以下CLKと記す)入力端は時間変更
手段(4)の出力端にそれぞれ接続されている。さらに
判定手段(11)のQ出力端および出力端には抵抗(1
2)と発光ダイオード(13)との直列回路および抵抗(1
4)と発光ダイオード(15)との直列回路とがそれぞれ
接続されている。発光ダイオード(13)は低温状態であ
ることを、発光ダイオード(15)は適温状態であること
をそれぞれ発光して表示する。(16)は通電率制御手段
で、2つのAND回路(17)(18)とそのそれぞれの出力
端に接続されるダイオード(19)(20)およびそのそれ
ぞれのダイオード(19)(20)のカソードがベースに接
続されるトランジスタ(21)とで構成されるトリガ手段
(22)と、ランプヒータなどの発熱体(23)に直列に接
続される半導体制御手段(24)とで構成される。半導体
制御手段(24)としてはトライアックが好適である。そ
して発熱体(23)と半導体制御手段(24)との直列回路
が、交流電源(2)に並列に接続されている。In FIG. 1, (1) is a zero-cross pulse generation circuit, which outputs a pulse signal (b) when the voltage (a) of the AC power supply (2) becomes 0V. (3) is a delay circuit, which is electrically connected to the zero-cross pulse generating means (1), delays the pulse signal (a) for a predetermined time, and then outputs the pulse signal (c). (4) is a time changing means, which is connected to the delay circuit (3) and is connected to control the time width of the delay signal (d) of the timer circuit (4a) and the timer circuit (4a) ( 4b) and its capacitors (4b)
It is composed of a transistor (4c) and a resistor (4d) (4e) for controlling the charging time of. The one shown in FIG. 1B uses a timer IC 555 in the timer circuit (4a), and the charging time of the capacitor (4b) connected to the threshold terminal is set to the collectors of the transistor (4c) and the transistor (4c). It is variable by the connected resistance (4e) and the resistance (4d) connected in parallel to the series circuit of the transistor (4c) and the resistance (4e). That is, when the transistor (4c) is turned on, the resistor (4d) and the resistor (4e) are connected in parallel, the charging time becomes shorter than when the transistor (4c) is turned off, and the output of the timer circuit (4a) is output. Delay signal (d)
Becomes shorter. (5) is a capacitor, and the transistor (6) is connected in parallel. That is, the collector of the transistor (6) is at one end of the capacitor (5),
The emitters are connected to the other ends, and the other ends are connected to the ground. A variable resistor (7) is connected to the DC power supply line at one end of the capacitor (5). The variable resistor (7) is for temperature adjustment.
(8) is a temperature sensing means, for example, a thermistor having a negative characteristic,
Connected in series with the resistor (9), the capacitor (5) and the series circuit of the variable resistor (7) form a bridge circuit. (10) is a comparison circuit, the + input end of which is the connection point of the capacitor (5) and the variable resistor (7), and the − input end is the connection point of the temperature sensing means (8) and the resistor (9). It is connected. (11) is a judging means, for example, a JK flip-flop, whose J input terminal is the output terminal of the comparator circuit (10), and whose clock (hereinafter referred to as CLK) input terminal is the output of the time changing means (4). Connected to each end. Furthermore, the resistance (1
2) and light emitting diode (13) in series circuit and resistance (1
4) and the series circuit of the light emitting diode (15) are connected respectively. The light emitting diode (13) emits light indicating that the temperature is low, and the light emitting diode (15) emits light indicating that the temperature is proper. (16) is a duty ratio control means, and two AND circuits (17) (18), diodes (19) (20) connected to their respective output terminals, and cathodes of the respective diodes (19) (20). Is composed of a transistor (21) connected to the base and a semiconductor control means (24) connected in series to a heating element (23) such as a lamp heater. A triac is suitable as the semiconductor control means (24). A series circuit of the heating element (23) and the semiconductor control means (24) is connected in parallel to the AC power source (2).
またAND回路(17)の一方の入力端は、判定手段(11)
のQ出力端に、他方の入力端はワンショットマルチバイ
ブレータ(25)の出力端にそれぞれ接続される。またAN
D回路(18)の一方の入力端は、判定手段(11)の出
力端に、他方の入力端はワンショットマルチバイブレー
タ(26)の出力端にそれぞれ接続されている。ワンショ
ットマルチバイブレータ(25)の入力端はゼロクロスパ
ルス発生回路(1)の出力端に、またワンショットマル
チバイブレータ(26)の入力端は比較回路(10)の出力
端にそれぞれ接続されている。Further, one input terminal of the AND circuit (17) has a determination means (11).
Is connected to the Q output terminal and the other input terminal is connected to the output terminal of the one-shot multivibrator (25). Also AN
One input end of the D circuit (18) is connected to the output end of the judging means (11), and the other input end is connected to the output end of the one-shot multivibrator (26). The input end of the one-shot multivibrator (25) is connected to the output end of the zero-cross pulse generation circuit (1), and the input end of the one-shot multivibrator (26) is connected to the output end of the comparison circuit (10).
つぎに第2図A,Bを交えてこの実施例の動作について説
明する。Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS.
コンデンサ(5)はディレイ回路(3)が出力するパル
ス信号(c)によって、一定周期で充電と放電とが繰り
返しおこなわれる。すなわち、トランジスタ(6)がOF
Fの時に可変抵抗器(7)を介して充電がなされ、パル
ス信号(c)によってトランジスタ(8)がONの時に放
電がおこなわれる。この充放電時のコンデンサ(5)の
充電電圧を(g)とする。The capacitor (5) is repeatedly charged and discharged at a constant cycle by the pulse signal (c) output from the delay circuit (3). That is, the transistor (6) is OF
Charging is performed through the variable resistor (7) when F, and discharging is performed when the transistor (8) is ON by the pulse signal (c). The charging voltage of the capacitor (5) during this charging / discharging is (g).
いま、発熱体(23)の周囲温度が低いものとする。Now, it is assumed that the ambient temperature of the heating element (23) is low.
比較回路(10)は、充電電圧(g)と感温手段(8)と
抵抗(9)とで分圧された電圧(f)とを比較し、それ
ぞれの電圧が同一であれば高電位レベルの出力信号
(h)を出力する。出力信号(h)が、コンデンサ
(5)の充電開始後所定の時間が経過した時点で高電位
レベルであるなら、判定手段(11)のQ出力端から出力
信号(i)が出力される。この出力信号(i)によって
発光ダイオード(24)が発光し、低温状態であることを
表示する。また出力信号(i)はAND回路(17)に入力
されて、ワンショットマルチバイブレータ(25)がゼロ
クロスパルス発生回路(1)からのパルス信号(b)の
後縁でトリガされて出力するワンショットパルス信号
(e)のパルス幅時間だけAND回路(17)より出力信号
(j)として出力され、トランジスタ(21)をONさせ
る。トランジスタ(21)がONすることによって半導体制
御手段(24)がトリガされて発熱体(23)に通電され
る。半導体制御手段(24)がトリガされるタイミング
は、ワンショットパルス信号(e)に依存しているた
め、第2図Aからもわかるように、発熱体(23)へは約
100%の通電率(通電波形をmとし通電を実線で示す)
となる。なお上記の状態において、AND回路(18)は、
その一方の入力端に入力される判定手段(11)からの出
力信号(h)が“L"であるため、出力は“H"とならな
い。The comparison circuit (10) compares the charging voltage (g) with the voltage (f) divided by the temperature sensing means (8) and the resistor (9), and if the respective voltages are the same, the high potential level. Output signal (h). If the output signal (h) is at the high potential level when a predetermined time has elapsed after the start of charging the capacitor (5), the output signal (i) is output from the Q output terminal of the judging means (11). The output signal (i) causes the light emitting diode (24) to emit light, indicating that the temperature is low. Further, the output signal (i) is input to the AND circuit (17), and the one-shot multivibrator (25) is triggered by the trailing edge of the pulse signal (b) from the zero-cross pulse generation circuit (1) and outputs. The AND circuit (17) outputs the output signal (j) for the pulse width time of the pulse signal (e) to turn on the transistor (21). When the transistor (21) is turned on, the semiconductor control means (24) is triggered to energize the heating element (23). The timing at which the semiconductor control means (24) is triggered depends on the one-shot pulse signal (e). Therefore, as can be seen from FIG.
100% energization rate (the energization waveform is m and energization is shown by the solid line)
Becomes In the above state, the AND circuit (18)
Since the output signal (h) from the judging means (11) input to one of the input terminals is "L", the output does not become "H".
この後周囲温度が高くなると、第2図Bに示すように、
比較回路(10)の出力信号(h)が、充電開始後所定の
時間を経過したのち高電位レベルとなる。すなわち、温
度が高くなる(適温)になることによって、感温手段
(8)の抵抗値がさがり、したがって比較回路(10)の
−入力端へ印加される電圧(f)が上昇することによっ
て、充電電圧(g)が一致するまでに時間がかかるもの
である。判定手段(11)は、J入力端に入力される出力
信号(h)が所定の時間経過した時点で低電位レベルで
あるため、出力端から出力信号(k)を出力する。こ
の時出力信号(i)は“L"となる。したがって時間変更
手段(4)のトランジスタ(4c)はONとなり、抵抗(4
d)と抵抗(4e)とが並列接続されてコンデンサ(4b)
への充電時間が短かくなる(コンデンサ(4b)の充電電
圧波形を(n)として第2図Bに示す)。これにより時
間変更手段(4)の遅延信号(d)の時間幅は短かくな
る。ここで発熱体(23)の通電は、上記の100%通電か
ら充電電圧(g)と電圧(f)との交点角度によって位
相制御による通電に切り換った時点においては、その直
前まで100%通電していたものがほぼ50%の通電に変化
するため、第3図Aに点線αで示すように、急激に発熱
体(23)の周囲温度が低下してしまい、その後遅延信号
(d)の時間幅を短かくしておかない場合には、再度10
0%通電の状態となり、100%と50%との通電状態が繰り
返されることになる。しかしながらこの実施例では、遅
延信号(d)の時間幅を短かくすることによって、充電
電圧(g)と電圧(f)が一致する時間が早くなって
も、充電開始から所定の時間経過した時点で、一致して
おらず、100%通電には切り換らずに位相制御によって
通電の制御がなされる。After this, when the ambient temperature rises, as shown in FIG. 2B,
The output signal (h) of the comparison circuit (10) becomes a high potential level after a lapse of a predetermined time after the start of charging. That is, as the temperature rises (suitable temperature), the resistance value of the temperature sensing means (8) decreases, and therefore the voltage (f) applied to the-input terminal of the comparison circuit (10) rises, It takes time until the charging voltages (g) match. The determination means (11) outputs the output signal (k) from the output end because the output signal (h) input to the J input end is at the low potential level when a predetermined time has elapsed. At this time, the output signal (i) becomes "L". Therefore, the transistor (4c) of the time changing means (4) is turned on and the resistance (4c)
d) and resistor (4e) are connected in parallel to form a capacitor (4b)
The charging time to the battery becomes short (the charging voltage waveform of the capacitor (4b) is shown as (n) in FIG. 2B). As a result, the time width of the delay signal (d) of the time changing means (4) becomes short. Here, the energization of the heating element (23) is 100% until 100% immediately before the energization by the phase control depending on the intersection angle between the charging voltage (g) and the voltage (f) from the above 100% energization. Since what has been energized changes to approximately 50% of the energization, the ambient temperature of the heating element (23) drops sharply as indicated by the dotted line α in FIG. 3A, and then the delayed signal (d) If you do not keep the time width of
It becomes a state of 0% energization, and the energized state of 100% and 50% is repeated. However, in this embodiment, by shortening the time width of the delay signal (d), even when the time when the charging voltage (g) and the voltage (f) match becomes earlier, a time point when a predetermined time elapses from the start of charging. Therefore, they do not match, and the energization is controlled by the phase control without switching to 100% energization.
この点について第4図を用いて詳述する。This point will be described in detail with reference to FIG.
コンデンサ(5)の充電電圧(g)と感温手段(8)の
抵抗値変化に対応する電圧(f)とのレベル比較結果を
読み取る時点は、コンデンサ(5)の充電開始後所定の
時間(以下t1と記す)が経過した時点(以下I点と記
す)に設定している。通電当所は感温手段(8)の温度
は低いので、I点で充電電圧(g)と電圧(f)のレベ
ル比較結果を読み取ると(g)>(f)であるので、こ
の場合発熱体(23)に約100%(たとえば約500w)通電
させる。500wの通電により周囲温度は急激に上昇し、こ
れに伴なって電圧(f)も上昇しやがてI点において
(g)=(f)となる。この時点でI点を検出ポイント
II点に移行させる。すなわちコンデンサ(5)への充電
開始後t2の時間が経過した時点で充電電圧(g)と電圧
(f)とのレベル比較結果を読み取るように変更してし
まう。電圧(f)が充電電圧(g)に達すると検出ポイ
ントはII点に移るので(g)<(f)となり発熱体(2
3)への通電は充電電圧(g)と電圧(f)との交点角
度(250w)となり位相制御となる。この時点で周囲温度
は一旦下がり、感温手段(8)の温度も下がり電圧
(f)は電圧(f′)まで低下する。しかしながらこの
時点においても、検出ポイントがII点であるため、充電
電圧(g)が電圧(f′)より低く((g)<
(f′))、位相制御の状態が継続される。したがって
100%通電とはならず、電圧(f)から電圧(f′)に
下がるのに反比例してw数は上昇し、電圧(f′)では
350wの通電がなされ、温度に比例して電力がリニアに供
給されるものである。ちなみに検出ポイントをI点に固
定した場合を考えると、I点を境として周囲温度の変
化、すなわち電圧(f)の移動に伴なって、約100%の
通電と約50%の通電とが交互になされ、発熱体(23)に
ランプヒータを用いた場合には、明るくなったり暗くな
ったりを繰り返す結果となる。At the time of reading the level comparison result between the charging voltage (g) of the capacitor (5) and the voltage (f) corresponding to the resistance change of the temperature sensing means (8), a predetermined time ( It is set at a time point (hereinafter referred to as point I) after a lapse of time t 1 . Since the temperature of the temperature sensing means (8) is low at the current-carrying place, the result of level comparison between the charging voltage (g) and the voltage (f) at point I is (g)> (f). Energize (23) about 100% (eg about 500w). The ambient temperature rises rapidly due to the energization of 500 w, and the voltage (f) rises accordingly, and eventually (g) = (f) at point I. At this point, detect point I
Move to point II. That is, it is changed to read the level comparison result of the charging voltage (g) and the voltage (f) when the time t 2 has elapsed after the start of charging the capacitor (5). When the voltage (f) reaches the charging voltage (g), the detection point moves to point II, so (g) <(f) and the heating element (2
The energization to 3) becomes the intersection angle (250w) between the charging voltage (g) and the voltage (f), and the phase control is performed. At this point, the ambient temperature is once lowered, the temperature of the temperature sensing means (8) is also lowered, and the voltage (f) is lowered to the voltage (f '). However, even at this point, since the detection point is the II point, the charging voltage (g) is lower than the voltage (f ') ((g) <
(F ')), the state of phase control is continued. Therefore
It does not become 100% energized, and the number of w increases in inverse proportion to the decrease from voltage (f) to voltage (f '), and at voltage (f')
It is energized for 350w, and power is linearly supplied in proportion to temperature. By the way, considering the case where the detection point is fixed to point I, about 100% energization and about 50% energization alternate with the change of ambient temperature, that is, the movement of voltage (f), with the point I as the boundary. When a lamp heater is used for the heating element (23), brightening and darkening are repeated.
上記の動作を第1図Aおよび第2図Bにて説明すると、
出力信号(k)によって発光ダイオード(15)が点灯し
適温表示がなされるとともに、出力信号(k)はAND回
路(18)の一方の入力端に入力され、他方の入力端に入
力される出力信号(h)の前縁にてトリガされたワンシ
ョットマルチバイブレータ(26)が出力するワンショッ
トパルス信号(1)と論理積をとられて、AND回路から
出力信号(j)を出力する。そして上記の低温時と同
様、出力信号(j)によってトランジスタ(21)がON
し、このタイミングで半導体制御手段(24)が位相制御
されて発熱体(23)の通電が制御される。The above operation will be described with reference to FIGS. 1A and 2B.
The output signal (k) turns on the light emitting diode (15) to display an appropriate temperature, and the output signal (k) is input to one input terminal of the AND circuit (18) and input to the other input terminal. An output signal (j) is output from the AND circuit by being ANDed with the one-shot pulse signal (1) output by the one-shot multivibrator (26) triggered by the leading edge of the signal (h). Then, as in the case of the above low temperature, the transistor (21) is turned on by the output signal (j).
Then, at this timing, the semiconductor control means (24) is phase-controlled to control the energization of the heating element (23).
以上に述べたようにして発熱体(23)の通電が制御され
るが、さらに高い温度を必要とする場合あるいは温度を
低くしたい場合は、可変抵抗器(7)を操作して好みの
温度設定ができる。すなわち可変抵抗器(7)を操作す
ることによって抵抗値が可変され、したがってコンデン
サ(5)の充電電圧の立ち上り方が変って設定温度が変
えられるものである。たとえば温度設定「高」の場合に
は、可変抵抗器(7)の抵抗値VRをVR=0とし、逆に
「低」の場合にはVR=MAXとすれば、「高」では急激に
立ち上り、「低」では緩かに立ち上るものである。The energization of the heating element (23) is controlled as described above, but if a higher temperature is required or if a lower temperature is desired, the variable resistor (7) is operated to set the desired temperature. You can That is, the resistance value is changed by operating the variable resistor (7), and thus the way the charging voltage of the capacitor (5) rises is changed to change the set temperature. For example, when the temperature setting is “high”, the resistance value VR of the variable resistor (7) is set to VR = 0, and conversely, when VR is set to “low”, VR = MAX. , "Low" is a slow rise.
第3図Aに示すものは、この実施例における発熱体(2
3)の周囲温度の設定温度までの変化の状態を示すもの
で、第3図Bに示す発熱体(23)のワット数の変化に伴
なって、急激な温度変化なしに設定温度にまで制御され
ていることを示している。What is shown in FIG. 3A is the heating element (2
3) Shows the state of change in ambient temperature up to the set temperature. With the change in the wattage of the heating element (23) shown in FIG. 3B, control is performed up to the set temperature without sudden temperature change. It has been shown that.
つぎにこの発明の他実施例について第5〜7図にて説明
する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
第5図はこの発明の温度制御装置を使用した電子制御式
コタツの全体を示す回路図で、(27)はマイクロコンピ
ュータである。この他実施例では、判定手段、時間変更
手段および通電率制御手段にマイクロコンピュータ(2
7)を使用するものである。第6図は温度検知および半
導体制御手段(24)のトリガ信号を制御するこの発明の
特徴的な回路を抜粋したものである。以下この他実施例
の動作を第6図および第7図にて詳述する。FIG. 5 is a circuit diagram showing an entire electronically controlled kotatsu using the temperature control device of the present invention, and (27) is a microcomputer. In the other embodiment, the microcomputer (2
7) is used. FIG. 6 is an extract of a characteristic circuit of the present invention for controlling the temperature detection and the trigger signal of the semiconductor control means (24). The operation of the other embodiment will be described in detail below with reference to FIGS. 6 and 7.
第7図に示す波形図は、第6図の制御回路のそれぞれの
入・出力端子および各部の電圧の波形を示したものであ
る。The waveform diagram shown in FIG. 7 shows the waveforms of the voltages at the input / output terminals and the respective parts of the control circuit shown in FIG.
マイクロコンピュータ(27)がゼロクロスパルスPzを検
出し、その結果端子R4からリセットパルスPrを出力す
る。リセットパルスPrが“L"レベルになると、端子R1か
らの電圧により、可変抵抗器(29)、抵抗(30)を介し
てコンデンサ(5)に充電が開始される。ここで可変抵
抗器(29)は上記実施例の可変抵抗器(7)同様、温度
設定用の可変ボリュームであり、コンデンサ(5)への
充電抵抗の値を変化させ得るものである。この時の充電
電圧をVcとする。つぎにリセットパルスPrが“H"レベル
になると、トランジスタ(32)がONしコンデンサ(5)
の充電電圧Vcは放電される。The microcomputer (27) detects the zero-cross pulse Pz and, as a result, outputs the reset pulse Pr from the terminal R4. When the reset pulse Pr becomes "L" level, the voltage from the terminal R1 starts charging the capacitor (5) via the variable resistor (29) and the resistor (30). The variable resistor (29), like the variable resistor (7) of the above embodiment, is a variable volume for temperature setting and can change the value of the charging resistance to the capacitor (5). The charging voltage at this time is Vc. Next, when the reset pulse Pr becomes "H" level, the transistor (32) turns on and the capacitor (5)
The charging voltage Vc of is discharged.
一方コタツの内部温度を検出するため、コタツ内の所定
の位置に設置された感温手段(8)のたとえば負特性を
有するサーミスタ(以下サーミスタと記す)は、抵抗
(33)と直列に接続されているとともに、その接続が比
較回路(10)の−入力端に接続されている。したがって
コタツ内温度の上昇とともに上記接続点の電圧VThのレ
ベルが上昇する。On the other hand, in order to detect the internal temperature of the kotatsu, a thermistor having a negative characteristic (hereinafter referred to as the thermistor) of the temperature sensing means (8) installed at a predetermined position in the kotatsu is connected in series with the resistor (33). The connection is also connected to the-input terminal of the comparison circuit (10). Therefore, the level of the voltage V Th at the connection point rises as the temperature inside the kotatsu rises.
ここでコタツ温度が低い場合、すなわち温度設定「高」
の場合の動作について、第7図の第1部分を交えて説明
する。Here, when the kotatsu temperature is low, that is, the temperature setting is "high".
The operation in this case will be described with reference to the first part of FIG.
充電電圧Vcと電圧VThとは比較回路(10)にて比較され
る。この比較結果は、トランジスタ(34)を介してマイ
クロコンピュータ(27)の端子K4に入力される。マイク
ロコンピュータ(27)は、交流電圧波形の90゜ごとに比
較結果が“H"レベルであるかを判定し、この時点で比較
結果が“L"レベルであるなら、すなわち充電電圧Vc>電
圧VThならば、端子R2にパルス信号RR2を出力する。こ
のパルス信号PR2は発熱体(23)が約100%通電される
タイミングにて出力される。すなわち、ゼロクロスパル
スPzが出力された直後にこのパルス信号PR2を出力すれ
ば、比較回路(10)からの比較出力をコンデンサ(35)
を介して得られる、トリガパルスVBより早いタイミン
グでトランジスタ(36)のベースに印加できるためであ
る。このトランジスタ(36)のコレクタは、抵抗(37)
を介して半導体制御手段(24)のゲートに接続されてお
り、上記パルス信号PR2のタイミングで半導体制御手段
(24)はトリガされ、発熱体(23)への通電がなされ
る。The charging voltage Vc and the voltage V Th are compared by the comparison circuit (10). The comparison result is input to the terminal K4 of the microcomputer (27) via the transistor (34). The microcomputer (27) determines whether the comparison result is the “H” level at every 90 ° of the AC voltage waveform, and if the comparison result is the “L” level at this time, that is, the charging voltage Vc> the voltage V If Th , the pulse signal R R2 is output to the terminal R2. The pulse signal P R2 is output at the timing when the heating element (23) is energized by about 100%. That is, if the pulse signal P R2 is output immediately after the zero-cross pulse Pz is output, the comparison output from the comparison circuit (10) is converted into the capacitor (35).
This is because it can be applied to the base of the transistor (36) at a timing earlier than the trigger pulse V B obtained via The collector of this transistor (36) has a resistor (37)
It is connected to the gate of the semiconductor control means (24) via, and the semiconductor control means (24) is triggered at the timing of the pulse signal P R2 to energize the heating element (23).
つぎに温度設定「高」において、コタツ内温度が設定温
度に近づくと、第7図の第2部分および第3部分に示す
ように、交流電圧波形90゜の時点で充電電圧Vc<電圧V
Thとなり、したがってマイクロコンピュータ(27)の端
子K4には“H"レベルの信号が入力される。よってマイク
ロコンピュータ(27)は充電電圧Vcが電圧VThに達して
いないため、端子R2からパルス信号PR2を出力しない。
しかしながら、充電電圧Vcと電圧VThが一致した時点
で、比較手段(10)は高電位レベルの信号を出力し、端
子R1の電圧がコンデンサ(35)と抵抗(38)によって微
分されて、トリガパルスVBを得る。このトリガパルス
VBによってトランジスタ(36)がONして、Vc=VThの
交点角度にて半導体制御手段(24)にゲート信号が流
れ、発熱体(23)がONして位相制御される。この時点で
マイクロコンピュータ(27)は比較結果を判定する時点
を、交流電圧波形の90゜ごとからたとえば60゜ごとに移
行させる。すなわち所定の時間を短かくするものであ
る。したがって前記実施例同様、位相制御にかわった時
点で100%通電から50%通電に変ることによる温度変化
を最小にすることができる。そして一旦温度が下がった
後、判定する時点が前へずらされたことによって温度に
対応した位相制御が継続される。この時の通電率(w
数)は、コタツ内温度を維持安定させるw数よりも大き
いので、コタツ内温度は上昇しづつけ、したがって電圧
VThも増加しつづける。その結果充電電圧Vcと電圧VTh
との交点(一致点)は、第7図の第2部分と第3部分と
に示すように、右側に移行するので通電率は徐々に低下
する。第7図第3部分は、温度設定「高」でコタツ内温
度が設定温度に達した場合で、通電率(w数)が減少し
てコタツ内温度を維持し得るw数まで下がると、コタツ
内温度の上昇がとまるものである。Next, when the temperature inside the kotatsu approaches the set temperature at the temperature setting “high”, as shown in the second and third parts of FIG. 7, the charging voltage Vc <the voltage Vc at the time of the AC voltage waveform 90 °.
Th next, thus the terminal K4 of the microcomputer (27) "H" level signal is input. Therefore, the microcomputer (27) does not output the pulse signal P R2 from the terminal R 2 because the charging voltage Vc has not reached the voltage V Th .
However, when the charging voltage Vc and the voltage V Th match, the comparison means (10) outputs a high potential level signal, the voltage of the terminal R1 is differentiated by the capacitor (35) and the resistance (38), and the trigger is generated. Obtain the pulse V B. The transistor (36) is turned on by this trigger pulse V B , a gate signal flows to the semiconductor control means (24) at the intersection angle of Vc = V Th , and the heating element (23) is turned on and the phase is controlled. At this time, the microcomputer (27) shifts the time point for judging the comparison result from every 90 ° of the AC voltage waveform, for example, every 60 °. That is, the predetermined time is shortened. Therefore, similarly to the above-described embodiment, it is possible to minimize the temperature change due to the change from 100% energization to 50% energization when the phase control is replaced. Then, after the temperature has once dropped, the determination time is shifted forward, so that the phase control corresponding to the temperature is continued. Duty factor (w
Since the number) is larger than the w number that maintains and stabilizes the temperature in the kotatsu, the temperature in the kotatsu keeps increasing and therefore the voltage V Th also keeps increasing. As a result, the charging voltage Vc and the voltage V Th
The intersection (coincidence point) with shifts to the right side as shown in the second and third parts of FIG. 7, so the energization rate gradually decreases. The third part of FIG. 7 shows the case where the temperature inside the kotatsu reaches the set temperature when the temperature is set to "high", and when the duty factor (the number of w) decreases to a w number at which the temperature inside the kotatsu can be maintained, The rise in internal temperature stops.
また温度設定を「低」に変えた場合、第7図第3部分に
示すように、充電電圧Vcのピークが低下し、電圧VThと
の交点すなわち一致点がなくなり、発熱体(23)への通
電はなくなる。すなわち発熱体(23)がランプヒータの
場合には、ランプヒータは消灯状態となる。この場合
は、コタツ使用者が温度を下げたいために温度設定を
「低」側に変更したので、ランプヒータは消灯した方が
使用者にコタツ温度が下がったという感じを与え(実際
に温度も下がる)ので、消灯となるほうがよいものであ
る。そしてランプヒータが消灯しているのでコタツ内温
度は徐々に低下し、「低」の設定温度に近づくと、充電
電圧Vcと電圧VThとは一致(交差)するが、この交差角
度は通電率0%に近いのでコタツ内温度はさらに低下し
つづける。コタツ内温度の低下に伴なって充電電圧Vcと
電圧VThとの交点は、第6図において、左側に移行する
ので通電率が増加し、やがて「低」の設定設度を維持す
るのに必要なワット数にて安定する。なおこの他実施例
では、端子K4の入力を90゜および60゜で検出してるが、
マイクロコンピュータ処理しているため、コタツの大き
さ、発熱体(23)のw数に応じた検出角度に変えること
で、約100%の通電範囲をコタツ使用に見合った範囲に
容易に設定することができる。When the temperature setting is changed to “low”, as shown in the third part of FIG. 7, the peak of the charging voltage Vc decreases and the intersection point with the voltage V Th , that is, the coincidence point disappears, and the heating element (23) is reached. Is no longer energized. That is, when the heating element (23) is a lamp heater, the lamp heater is turned off. In this case, since the kotatsu user wanted to lower the temperature, the temperature setting was changed to the "low" side, so turning off the lamp heater gives the user a feeling that the kotatsu temperature has dropped (actually It goes down), so it's better to turn it off. Then, since the lamp heater is turned off, the temperature inside the kotatsu gradually decreases, and when approaching the "low" set temperature, the charging voltage Vc and the voltage V Th match (cross), but this crossing angle is the energization rate. Since it is close to 0%, the temperature inside the kotatsu continues to drop. The intersection of the charging voltage Vc and the voltage V Th shifts to the left side in FIG. 6 as the temperature in the kotatsu decreases, so that the duty factor increases and eventually the setting setting of “low” is maintained. Stable at required wattage. In other embodiments, the input of the terminal K4 is detected at 90 ° and 60 °,
Since it is processed by a microcomputer, by changing the detection angle according to the size of kotatsu and the w number of the heating element (23), it is possible to easily set the energization range of about 100% to the range suitable for kotatsu use. You can
(ト)発明の効果 この発明によれば、温度検出までの時間を短かく設定し
なおすことによるヒステリシスを設けることにより、発
熱体となるランプヒータが明るくなったり暗くなったり
するのを防止することができる温度制御装置が得られ
る。すなわち通電量が急激に変化する制御とならないた
めに、コタツに使用された場合には、その内部温度の急
激な変化が防止されるものである。(G) Effect of the Invention According to the present invention, it is possible to prevent the lamp heater, which is a heating element, from becoming bright or dark by providing a hysteresis by resetting the time until temperature detection is set short. A temperature control device capable of That is, since the control is not such that the energization amount changes abruptly, when used for kotatsu, abrupt change of the internal temperature is prevented.
第1図Aはこの発明の実施例回路図、第1図Bは実施例
の要部回路図、第2図A,Bはそれぞれ実施例の動作を説
明するための波形図、第3図AおよびBはそれぞれ、発
熱体の周囲温度の変化を示すグラフおよび発熱体のワッ
ト数の変化を示すグラフ、第4図は所定の時間の移行に
伴なう実施例の動作を説明するグラフ、第5図および第
6図はそれぞれ他実施例の全体回路図および要部回路
図、第7図は他実施例の動作を説明するための波形図、
第8図および第9図はそれぞれ従来例回路図である。 (4)……時間変更手段、(5)……コンデンサ、
(8)……感温手段、(11)……判定手段、(16)……
通電率制御手段、(23)……発熱体。FIG. 1A is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a circuit diagram of a main part of the embodiment, FIGS. 2A and 2B are waveform diagrams for explaining the operation of the embodiment, and FIG. And B are graphs showing changes in the ambient temperature of the heating element and graphs showing changes in the wattage of the heating element, respectively, and FIG. 4 is a graph for explaining the operation of the embodiment with the transition of a predetermined time. 5 and 6 are overall circuit diagrams and main circuit diagrams of another embodiment, respectively, and FIG. 7 is a waveform diagram for explaining the operation of the other embodiment.
8 and 9 are conventional circuit diagrams. (4) …… Time changing means, (5) …… Capacitor,
(8) …… Temperature sensing means, (11) …… Judgment means, (16) ……
Duty factor control means, (23) ... Heating element.
Claims (1)
化を検出する感温手段とを具備し、感温手段の信号に応
じて発熱体の通電を制御する温度制御装置において、電
源の零電位点を検出する零電位検出手段と、この該零電
位検出手段の出力に同期して繰り返し充放電がなされる
コンデンサと、このコンデンサの充電電圧と感温手段の
信号の電圧とを比較する比較器と、前記コンデンサへの
充電開始から比較器の出力が反転するまでのその時間中
は前記発熱体を全通電にするように定められた時間t1
と、その時間の経過後は位相制御に移行するようにあら
かじめ定められた所定時間t2を比較する判定手段と、該
判定手段の出力に応じt1<t2の時は前記発熱体を全通電
にして発熱させt1>t2の時は前記発熱体を位相制御で通
電を行う位相制御手段と、一度t1>t2となった時点で前
記所定時間t2をそれよりも短い所定の時間に変更する時
間変更手段とを具備したことを特徴とする温度制御装
置。1. A temperature control device comprising a heating element and a temperature sensing means for detecting a change in ambient temperature due to the heating element, wherein the temperature control device controls energization of the heating element according to a signal from the temperature sensing means. A zero potential detecting means for detecting a zero potential point, a capacitor which is repeatedly charged and discharged in synchronization with the output of the zero potential detecting means, and a charging voltage of this capacitor and a voltage of a signal of the temperature sensing means are compared. During the time from the start of charging of the comparator and the capacitor to the reversal of the output of the comparator, the time t1 determined to fully energize the heating element.
Then, after the lapse of that time, a determination means for comparing a predetermined time t2 so as to shift to phase control, and when t1 <t2 according to the output of the determination means, the heating element is fully energized. Phase control means for energizing the heating element by phase control when heat is generated and t1> t2, and time changing means for changing the predetermined time t2 to a predetermined time shorter than that when once t1> t2. A temperature control device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17656785A JPH079612B2 (en) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Temperature control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17656785A JPH079612B2 (en) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Temperature control device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221781A Division JPH056230A (en) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | Electronic control type kotatsu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237714A JPS6237714A (en) | 1987-02-18 |
| JPH079612B2 true JPH079612B2 (en) | 1995-02-01 |
Family
ID=16015824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17656785A Expired - Lifetime JPH079612B2 (en) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Temperature control device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079612B2 (en) |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP17656785A patent/JPH079612B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237714A (en) | 1987-02-18 |
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