JPH079612B2

JPH079612B2 - 温度制御装置

Info

Publication number: JPH079612B2
Application number: JP17656785A
Authority: JP
Inventors: 青戸　　一義
Original assignee: Tottori Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1985-08-10
Filing date: 1985-08-10
Publication date: 1995-02-01
Anticipated expiration: 2010-02-01
Also published as: JPS6237714A

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は、たとえば一般家庭において使用される電気
コタツなどの発熱体の通電を制御する温度制御装置に関
し、とくにその温度検出機構の改良に関する。

（ロ）従来の技術一般に、家庭用の電気コタツなどに使用される温度制御
装置としては、たとえば特開昭58−158722号公報や特開
昭58−165166号公報に記載されている発明が知られてい
る。

前者は、半導体ヒータへの送風量を送風手段であるファ
ンを駆動するモータへの通電を制御することによってお
こない、その送風量によって間接的に半導体ヒータへの
発熱量を制御しようとするものである。また後者は、ヒ
ータへの通電をON−OFFの制御にておこなうものであ
る。

さらに第８図および第９図に示すものもよく知られてい
る。

第８図のものは、電子制御式コタツの回路図で、たとえ
ばコントローラ（50）で「低」を設定すると、コントロ
ーラ（50）内のトライアック（24）の位相制御をおこな
い、設定に対応した通電率（Ｗ数小）にてヒータ（51）
を制御する。また第９図のものは、いわゆるマイコン制
御式半導体温風コタツの回路図で、半導体ヒータ（52）
を用い、マイクロコンピユータ（53）によって送風用の
モータ（54）と半導体ヒータ（52）とのそれぞれの通電
率を制御するとともに、半導体ヒータ（52）自体のワッ
ト数の変化とを交じり合わせてコタツ内部の温度の制御
するものである。すなわち第９図において、温度設定用
の可変抵抗器（55）と抵抗（56）（57）とコタツ内に設
けたサーミスタ（58）とでブリッジ回路を構成し、温度
検出手段として動作し、その出力信号はマイクロコンピ
ュータ（53）のA/D入力端子に入力される。なお（59）
は室温を検知するためのサーミスタで他のブリッジ回路
を構成している。上記出力信号により、すなわちA/D入
力によりコタツ内温度を判定し、コタツ内温度が設定温
度よりもかなり低い場合は、マイクロコンピュータ（5
3）のD₂出力よりトランジスタ（60）を介してトライア
ック（61）をトリガしてモータ（54）に100％通電をす
るとともに、D₀出力によりトランジスタ（62）を介して
トライアック（63）をトリガして半導体ヒータ（52）も
100％通電する。この後コタツ内温度が設定温度に達す
ると、半導体ヒータ（52）の通電率は50％に減少させら
れる。さらに設定温度にコタツ内の温度が達すると、モ
ータ（54）の通電率を50％に、かつ半導体ヒータ（52）
の通電率を10％にそれぞれ減少させて温度の制御をおこ
なうものである。したがって、設定温度に達するまで
（以下立ち上りと記す）の時間が短く、かつ設定温度に
達してから（以下安定と記す）のコタツ内温度変化幅が
極めて小さいコタツの温度制御ができる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点しかしながら、風量によって温度制御をおこなうものに
はランプヒータは使用できず、あるいはヒータをON-OFF
して温度制御をおこなう場合には、コタツ内部の温度が
安定した際にON時とOFF時との温度幅（ディファレンシ
ャル）が生じるとともに、ヒータをランプ式とした場合
ヒータOFFにおいてはランプが消灯してしまい、視覚的
な暖かさを欠いた感じを使用者に与えるものであった。

また第８図に示すものでは、立ち上り時に目標温度（設
定温度）に到達するまでに時間がかかるという問題点が
あった。

さらに、第９図に示すものでは、半導体ヒータを用いて
いるので輻射熱がなく、ランプヒータに比べて通電初期
の体感的暖房感が劣るものであり、この回路にてランプ
ヒータを制御した場合には、位相制御の割合が100％、5
0％、および10％であるため、ランプに明暗が生じてNO
時とOFF時における温度幅が大きくなるといった問題点
があった。

この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので発熱体に
ランプヒータを用いた場合に立ち上り時間が早く、かつ
安定時に発熱体周囲の温度幅を極めて小さくできる温度
制御装置を提供しようとするものである。

（ニ）問題点を解決するための手段この発明の構成は、発熱体と、発熱体による周囲温度の
変化を検知する感温手段とを具備し、感温手段の信号に
対応して発熱体の通電を制御する温度制御装置におい
て、一定周期で繰り返し充放電がなされるコンデンサ
と、そのコンデンサへの充電開始後所定の時間が経過し
た時点でその時点でのコンデンサの充電電圧と感温手段
の信号の電圧とを比較する判定手段と、判定のための前
記所定の時間を前記所定の時間経過後、１度前記充電電
圧が感温手段の信号の電圧と一致または小となった時点
で前記所定の時間をそれより短かい所定の時間に変更す
る時間変更手段とを具備し、判定手段からの出力信号に
よって発熱体の通電率を制御する通電率制御手段を発熱
体に電気的に接続して設けることを特徴とする温度制御
装置である。

（ホ）作用この発明は上記のように構成されているので、コンデン
サの充電電圧と感温手段の信号電圧とが、所定の時間経
過後判定手段にて比較され、判定手段の出力信号が所定
時間経過時に高電位レベルであるなら、通電率制御手段
は発熱体に約100％の通電を、逆に低電位レベルである
なら、高電位レベルになるタイミングにて発熱体への通
電を、位相制御によっておこなう。そして１度所定時間
後充電電圧が感温手段の信号電圧と一致または小となっ
た時点で、前記所定時間をそれより短かい所定の時間に
時間変更手段が変更し、判定する時点にヒステリシスを
設けランプヒータが明るくなったり暗くなったりするの
を防止するよう作用する。

（ヘ）実施例以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
が以下の実施例に限定されるものではない。

第１図において、（１）はゼロクロスパルス発生回路
で、交流電源（２）の電圧（ａ）が0Vになった際にパル
ス信号（ｂ）を出力する。（３）はディレイ回路で、ゼ
ロクロスパルス発生手段（１）に電気的に接続され、パ
ルス信号（ａ）を一定時間遅延させてのちパルス信号
（ｃ）を出力する。（４）は時間変更手段で、ディレイ
回路（３）に接続されており、タイマ回路（4a）とタイ
マ回路（4a）の遅延信号（ｄ）の時間幅を制御するため
に接続されるコンデンサ（4b）とそのコンデンサ（4b）
の充電時間を制御するトランジスタ（4c）および抵抗
（4d）（4e）とからなる。第１図Ｂに示すものは、タイ
マ回路（4a）にタイマIC555を用いたもので、スレッシ
ョルド端子に接続されたコンデンサ（4b）の充電時間
を、トランジスタ（4c）とトランジスタ（4c）のコレク
タに接続された抵抗（4e）と、トランジスタ（4c）と抵
抗（4e）との直列回路に並列に接続される抵抗（4d）と
で可変する。すなわち、トランジスタ（4c）がONするこ
とによって、抵抗（4d）と抵抗（4e）が並列接続とな
り、トランジスタ（4c）がOFFの場合より充電時間が短
かくなり、タイマ回路（4a）の出力する遅延信号（ｄ）
の時間幅が短かくなる。（５）はコンデンサで、トラン
ジスタ（６）が並列に接続される。すなわち、コンデン
サ（５）の一方端にトランジスタ（６）のコレクタが、
他方端にはエミッタがそれぞれ接続されるとともに他方
端はグラウンドに接続される。またコンデンサ（５）の
一方端には可変抵抗器（７）が直流電源ラインとの間に
接続される。可変抵抗器（７）は温度調整用である。
（８）は感温手段で、たとえば負特性のサーミスタで、
抵抗（９）に直列に接続されて、コンデンサ（５）と可
変抵抗器（７）との直列回路とでブリッジ回路を構成す
る。（10）は比較回路で、その＋入力端はコンデンサ
（５）と可変抵抗器（７）の接続点に、−入力端は感温
手段（８）と抵抗（９）との接続点にそれぞれ接続され
ている。（11）は判定手段で、たとえばＪ・Ｋフリップ
フロッブで、そのＪ入力端は比較回路（10）の出力端
に、またクロック（以下CLKと記す）入力端は時間変更
手段（４）の出力端にそれぞれ接続されている。さらに
判定手段（11）のＱ出力端および出力端には抵抗（1
2）と発光ダイオード（13）との直列回路および抵抗（1
4）と発光ダイオード（15）との直列回路とがそれぞれ
接続されている。発光ダイオード（13）は低温状態であ
ることを、発光ダイオード（15）は適温状態であること
をそれぞれ発光して表示する。（16）は通電率制御手段
で、２つのAND回路（17）（18）とそのそれぞれの出力
端に接続されるダイオード（19）（20）およびそのそれ
ぞれのダイオード（19）（20）のカソードがベースに接
続されるトランジスタ（21）とで構成されるトリガ手段
（22）と、ランプヒータなどの発熱体（23）に直列に接
続される半導体制御手段（24）とで構成される。半導体
制御手段（24）としてはトライアックが好適である。そ
して発熱体（23）と半導体制御手段（24）との直列回路
が、交流電源（２）に並列に接続されている。

またAND回路（17）の一方の入力端は、判定手段（11）
のＱ出力端に、他方の入力端はワンショットマルチバイ
ブレータ（25）の出力端にそれぞれ接続される。またAN
D回路（18）の一方の入力端は、判定手段（11）の出
力端に、他方の入力端はワンショットマルチバイブレー
タ（26）の出力端にそれぞれ接続されている。ワンショ
ットマルチバイブレータ（25）の入力端はゼロクロスパ
ルス発生回路（１）の出力端に、またワンショットマル
チバイブレータ（26）の入力端は比較回路（10）の出力
端にそれぞれ接続されている。

つぎに第２図A,Bを交えてこの実施例の動作について説
明する。

コンデンサ（５）はディレイ回路（３）が出力するパル
ス信号（ｃ）によって、一定周期で充電と放電とが繰り
返しおこなわれる。すなわち、トランジスタ（６）がOF
Fの時に可変抵抗器（７）を介して充電がなされ、パル
ス信号（ｃ）によってトランジスタ（８）がONの時に放
電がおこなわれる。この充放電時のコンデンサ（５）の
充電電圧を（ｇ）とする。

いま、発熱体（23）の周囲温度が低いものとする。

比較回路（10）は、充電電圧（ｇ）と感温手段（８）と
抵抗（９）とで分圧された電圧（ｆ）とを比較し、それ
ぞれの電圧が同一であれば高電位レベルの出力信号
（ｈ）を出力する。出力信号（ｈ）が、コンデンサ
（５）の充電開始後所定の時間が経過した時点で高電位
レベルであるなら、判定手段（11）のＱ出力端から出力
信号（ｉ）が出力される。この出力信号（ｉ）によって
発光ダイオード（24）が発光し、低温状態であることを
表示する。また出力信号（ｉ）はAND回路（17）に入力
されて、ワンショットマルチバイブレータ（25）がゼロ
クロスパルス発生回路（１）からのパルス信号（ｂ）の
後縁でトリガされて出力するワンショットパルス信号
（ｅ）のパルス幅時間だけAND回路（17）より出力信号
（ｊ）として出力され、トランジスタ（21）をONさせ
る。トランジスタ（21）がONすることによって半導体制
御手段（24）がトリガされて発熱体（23）に通電され
る。半導体制御手段（24）がトリガされるタイミング
は、ワンショットパルス信号（ｅ）に依存しているた
め、第２図Ａからもわかるように、発熱体（23）へは約
100％の通電率（通電波形をｍとし通電を実線で示す）
となる。なお上記の状態において、AND回路（18）は、
その一方の入力端に入力される判定手段（11）からの出
力信号（ｈ）が“L"であるため、出力は“H"とならな
い。

この後周囲温度が高くなると、第２図Ｂに示すように、
比較回路（10）の出力信号（ｈ）が、充電開始後所定の
時間を経過したのち高電位レベルとなる。すなわち、温
度が高くなる（適温）になることによって、感温手段
（８）の抵抗値がさがり、したがって比較回路（10）の
−入力端へ印加される電圧（ｆ）が上昇することによっ
て、充電電圧（ｇ）が一致するまでに時間がかかるもの
である。判定手段（11）は、Ｊ入力端に入力される出力
信号（ｈ）が所定の時間経過した時点で低電位レベルで
あるため、出力端から出力信号（ｋ）を出力する。こ
の時出力信号（ｉ）は“L"となる。したがって時間変更
手段（４）のトランジスタ（4c）はONとなり、抵抗（4
d）と抵抗（4e）とが並列接続されてコンデンサ（4b）
への充電時間が短かくなる（コンデンサ（4b）の充電電
圧波形を（ｎ）として第２図Ｂに示す）。これにより時
間変更手段（４）の遅延信号（ｄ）の時間幅は短かくな
る。ここで発熱体（23）の通電は、上記の100％通電か
ら充電電圧（ｇ）と電圧（ｆ）との交点角度によって位
相制御による通電に切り換った時点においては、その直
前まで100％通電していたものがほぼ50％の通電に変化
するため、第３図Ａに点線αで示すように、急激に発熱
体（23）の周囲温度が低下してしまい、その後遅延信号
（ｄ）の時間幅を短かくしておかない場合には、再度10
0％通電の状態となり、100％と50％との通電状態が繰り
返されることになる。しかしながらこの実施例では、遅
延信号（ｄ）の時間幅を短かくすることによって、充電
電圧（ｇ）と電圧（ｆ）が一致する時間が早くなって
も、充電開始から所定の時間経過した時点で、一致して
おらず、100％通電には切り換らずに位相制御によって
通電の制御がなされる。

この点について第４図を用いて詳述する。

コンデンサ（５）の充電電圧（ｇ）と感温手段（８）の
抵抗値変化に対応する電圧（ｆ）とのレベル比較結果を
読み取る時点は、コンデンサ（５）の充電開始後所定の
時間（以下t₁と記す）が経過した時点（以下Ｉ点と記
す）に設定している。通電当所は感温手段（８）の温度
は低いので、Ｉ点で充電電圧（ｇ）と電圧（ｆ）のレベ
ル比較結果を読み取ると（ｇ）＞（ｆ）であるので、こ
の場合発熱体（23）に約100％（たとえば約500w）通電
させる。500wの通電により周囲温度は急激に上昇し、こ
れに伴なって電圧（ｆ）も上昇しやがてＩ点において
（ｇ）＝（ｆ）となる。この時点でＩ点を検出ポイント
II点に移行させる。すなわちコンデンサ（５）への充電
開始後t₂の時間が経過した時点で充電電圧（ｇ）と電圧
（ｆ）とのレベル比較結果を読み取るように変更してし
まう。電圧（ｆ）が充電電圧（ｇ）に達すると検出ポイ
ントはII点に移るので（ｇ）＜（ｆ）となり発熱体（2
3）への通電は充電電圧（ｇ）と電圧（ｆ）との交点角
度（250w）となり位相制御となる。この時点で周囲温度
は一旦下がり、感温手段（８）の温度も下がり電圧
（ｆ）は電圧（ｆ′）まで低下する。しかしながらこの
時点においても、検出ポイントがII点であるため、充電
電圧（ｇ）が電圧（ｆ′）より低く（（ｇ）＜
（ｆ′））、位相制御の状態が継続される。したがって
100％通電とはならず、電圧（ｆ）から電圧（ｆ′）に
下がるのに反比例してｗ数は上昇し、電圧（ｆ′）では
350wの通電がなされ、温度に比例して電力がリニアに供
給されるものである。ちなみに検出ポイントをＩ点に固
定した場合を考えると、Ｉ点を境として周囲温度の変
化、すなわち電圧（ｆ）の移動に伴なって、約100％の
通電と約50％の通電とが交互になされ、発熱体（23）に
ランプヒータを用いた場合には、明るくなったり暗くな
ったりを繰り返す結果となる。

上記の動作を第１図Ａおよび第２図Ｂにて説明すると、
出力信号（ｋ）によって発光ダイオード（15）が点灯し
適温表示がなされるとともに、出力信号（ｋ）はAND回
路（18）の一方の入力端に入力され、他方の入力端に入
力される出力信号（ｈ）の前縁にてトリガされたワンシ
ョットマルチバイブレータ（26）が出力するワンショッ
トパルス信号（１）と論理積をとられて、AND回路から
出力信号（ｊ）を出力する。そして上記の低温時と同
様、出力信号（ｊ）によってトランジスタ（21）がON
し、このタイミングで半導体制御手段（24）が位相制御
されて発熱体（23）の通電が制御される。

以上に述べたようにして発熱体（23）の通電が制御され
るが、さらに高い温度を必要とする場合あるいは温度を
低くしたい場合は、可変抵抗器（７）を操作して好みの
温度設定ができる。すなわち可変抵抗器（７）を操作す
ることによって抵抗値が可変され、したがってコンデン
サ（５）の充電電圧の立ち上り方が変って設定温度が変
えられるものである。たとえば温度設定「高」の場合に
は、可変抵抗器（７）の抵抗値VRをVR＝０とし、逆に
「低」の場合にはVR＝MAXとすれば、「高」では急激に
立ち上り、「低」では緩かに立ち上るものである。

第３図Ａに示すものは、この実施例における発熱体（2
3）の周囲温度の設定温度までの変化の状態を示すもの
で、第３図Ｂに示す発熱体（23）のワット数の変化に伴
なって、急激な温度変化なしに設定温度にまで制御され
ていることを示している。

つぎにこの発明の他実施例について第５〜７図にて説明
する。

第５図はこの発明の温度制御装置を使用した電子制御式
コタツの全体を示す回路図で、（27）はマイクロコンピ
ュータである。この他実施例では、判定手段、時間変更
手段および通電率制御手段にマイクロコンピュータ（2
7）を使用するものである。第６図は温度検知および半
導体制御手段（24）のトリガ信号を制御するこの発明の
特徴的な回路を抜粋したものである。以下この他実施例
の動作を第６図および第７図にて詳述する。

第７図に示す波形図は、第６図の制御回路のそれぞれの
入・出力端子および各部の電圧の波形を示したものであ
る。

マイクロコンピュータ（27）がゼロクロスパルスPzを検
出し、その結果端子R4からリセットパルスPrを出力す
る。リセットパルスPrが“L"レベルになると、端子R1か
らの電圧により、可変抵抗器（29）、抵抗（30）を介し
てコンデンサ（５）に充電が開始される。ここで可変抵
抗器（29）は上記実施例の可変抵抗器（７）同様、温度
設定用の可変ボリュームであり、コンデンサ（５）への
充電抵抗の値を変化させ得るものである。この時の充電
電圧をVcとする。つぎにリセットパルスPrが“H"レベル
になると、トランジスタ（32）がONしコンデンサ（５）
の充電電圧Vcは放電される。

一方コタツの内部温度を検出するため、コタツ内の所定
の位置に設置された感温手段（８）のたとえば負特性を
有するサーミスタ（以下サーミスタと記す）は、抵抗
（33）と直列に接続されているとともに、その接続が比
較回路（10）の−入力端に接続されている。したがって
コタツ内温度の上昇とともに上記接続点の電圧Ｖ_Thのレ
ベルが上昇する。

ここでコタツ温度が低い場合、すなわち温度設定「高」
の場合の動作について、第７図の第１部分を交えて説明
する。

充電電圧Vcと電圧Ｖ_Thとは比較回路（10）にて比較され
る。この比較結果は、トランジスタ（34）を介してマイ
クロコンピュータ（27）の端子K4に入力される。マイク
ロコンピュータ（27）は、交流電圧波形の90゜ごとに比
較結果が“H"レベルであるかを判定し、この時点で比較
結果が“L"レベルであるなら、すなわち充電電圧Vc＞電
圧Ｖ_Thならば、端子R2にパルス信号Ｒ_R2を出力する。こ
のパルス信号Ｐ_R2は発熱体（23）が約100％通電される
タイミングにて出力される。すなわち、ゼロクロスパル
スPzが出力された直後にこのパルス信号Ｐ_R2を出力すれ
ば、比較回路（10）からの比較出力をコンデンサ（35）
を介して得られる、トリガパルスＶ_Ｂより早いタイミン
グでトランジスタ（36）のベースに印加できるためであ
る。このトランジスタ（36）のコレクタは、抵抗（37）
を介して半導体制御手段（24）のゲートに接続されてお
り、上記パルス信号Ｐ_R2のタイミングで半導体制御手段
（24）はトリガされ、発熱体（23）への通電がなされ
る。

つぎに温度設定「高」において、コタツ内温度が設定温
度に近づくと、第７図の第２部分および第３部分に示す
ように、交流電圧波形90゜の時点で充電電圧Vc＜電圧Ｖ
_Thとなり、したがってマイクロコンピュータ（27）の端
子K4には“H"レベルの信号が入力される。よってマイク
ロコンピュータ（27）は充電電圧Vcが電圧Ｖ_Thに達して
いないため、端子R₂からパルス信号Ｐ_R2を出力しない。
しかしながら、充電電圧Vcと電圧Ｖ_Thが一致した時点
で、比較手段（10）は高電位レベルの信号を出力し、端
子R1の電圧がコンデンサ（35）と抵抗（38）によって微
分されて、トリガパルスＶ_Ｂを得る。このトリガパルス
Ｖ_Ｂによってトランジスタ（36）がONして、Vc＝Ｖ_Thの
交点角度にて半導体制御手段（24）にゲート信号が流
れ、発熱体（23）がONして位相制御される。この時点で
マイクロコンピュータ（27）は比較結果を判定する時点
を、交流電圧波形の90゜ごとからたとえば60゜ごとに移
行させる。すなわち所定の時間を短かくするものであ
る。したがって前記実施例同様、位相制御にかわった時
点で100％通電から50％通電に変ることによる温度変化
を最小にすることができる。そして一旦温度が下がった
後、判定する時点が前へずらされたことによって温度に
対応した位相制御が継続される。この時の通電率（ｗ
数）は、コタツ内温度を維持安定させるｗ数よりも大き
いので、コタツ内温度は上昇しづつけ、したがって電圧
Ｖ_Thも増加しつづける。その結果充電電圧Vcと電圧Ｖ_Th
との交点（一致点）は、第７図の第２部分と第３部分と
に示すように、右側に移行するので通電率は徐々に低下
する。第７図第３部分は、温度設定「高」でコタツ内温
度が設定温度に達した場合で、通電率（ｗ数）が減少し
てコタツ内温度を維持し得るｗ数まで下がると、コタツ
内温度の上昇がとまるものである。

また温度設定を「低」に変えた場合、第７図第３部分に
示すように、充電電圧Vcのピークが低下し、電圧Ｖ_Thと
の交点すなわち一致点がなくなり、発熱体（23）への通
電はなくなる。すなわち発熱体（23）がランプヒータの
場合には、ランプヒータは消灯状態となる。この場合
は、コタツ使用者が温度を下げたいために温度設定を
「低」側に変更したので、ランプヒータは消灯した方が
使用者にコタツ温度が下がったという感じを与え（実際
に温度も下がる）ので、消灯となるほうがよいものであ
る。そしてランプヒータが消灯しているのでコタツ内温
度は徐々に低下し、「低」の設定温度に近づくと、充電
電圧Vcと電圧Ｖ_Thとは一致（交差）するが、この交差角
度は通電率０％に近いのでコタツ内温度はさらに低下し
つづける。コタツ内温度の低下に伴なって充電電圧Vcと
電圧Ｖ_Thとの交点は、第６図において、左側に移行する
ので通電率が増加し、やがて「低」の設定設度を維持す
るのに必要なワット数にて安定する。なおこの他実施例
では、端子K4の入力を90゜および60゜で検出してるが、
マイクロコンピュータ処理しているため、コタツの大き
さ、発熱体（23）のｗ数に応じた検出角度に変えること
で、約100％の通電範囲をコタツ使用に見合った範囲に
容易に設定することができる。

（ト）発明の効果この発明によれば、温度検出までの時間を短かく設定し
なおすことによるヒステリシスを設けることにより、発
熱体となるランプヒータが明るくなったり暗くなったり
するのを防止することができる温度制御装置が得られ
る。すなわち通電量が急激に変化する制御とならないた
めに、コタツに使用された場合には、その内部温度の急
激な変化が防止されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａはこの発明の実施例回路図、第１図Ｂは実施例
の要部回路図、第２図A,Bはそれぞれ実施例の動作を説
明するための波形図、第３図ＡおよびＢはそれぞれ、発
熱体の周囲温度の変化を示すグラフおよび発熱体のワッ
ト数の変化を示すグラフ、第４図は所定の時間の移行に
伴なう実施例の動作を説明するグラフ、第５図および第
６図はそれぞれ他実施例の全体回路図および要部回路
図、第７図は他実施例の動作を説明するための波形図、
第８図および第９図はそれぞれ従来例回路図である。（４）……時間変更手段、（５）……コンデンサ、
（８）……感温手段、（11）……判定手段、（16）……
通電率制御手段、（23）……発熱体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発熱体と、この発熱体による周囲温度の変
化を検出する感温手段とを具備し、感温手段の信号に応
じて発熱体の通電を制御する温度制御装置において、電
源の零電位点を検出する零電位検出手段と、この該零電
位検出手段の出力に同期して繰り返し充放電がなされる
コンデンサと、このコンデンサの充電電圧と感温手段の
信号の電圧とを比較する比較器と、前記コンデンサへの
充電開始から比較器の出力が反転するまでのその時間中
は前記発熱体を全通電にするように定められた時間t1
と、その時間の経過後は位相制御に移行するようにあら
かじめ定められた所定時間t2を比較する判定手段と、該
判定手段の出力に応じt1＜t2の時は前記発熱体を全通電
にして発熱させt1＞t2の時は前記発熱体を位相制御で通
電を行う位相制御手段と、一度t1＞t2となった時点で前
記所定時間t2をそれよりも短い所定の時間に変更する時
間変更手段とを具備したことを特徴とする温度制御装
置。