JPH0796337B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0796337B2 JPH0796337B2 JP63239164A JP23916488A JPH0796337B2 JP H0796337 B2 JPH0796337 B2 JP H0796337B2 JP 63239164 A JP63239164 A JP 63239164A JP 23916488 A JP23916488 A JP 23916488A JP H0796337 B2 JPH0796337 B2 JP H0796337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- information recording
- recording medium
- optical information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有す書き込み可能な光情報記録媒体に関する。
を有す書き込み可能な光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］ レーザー光の照射により、データを記録することができ
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザー光の照射により、上記記録層
を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピット
を形成し、データを記録する。このような記録層を有す
る光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の
変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層
の背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具
体的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層す
る、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造
がとられる。
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザー光の照射により、上記記録層
を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピット
を形成し、データを記録する。このような記録層を有す
る光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の
変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層
の背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具
体的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層す
る、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造
がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１側
からレーザー光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録されたデータを再生するときは、上記基板１側から
記録時よりパワーの弱いレーザー光を照射し、上記ピッ
トとそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読
みとる。
からレーザー光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録されたデータを再生するときは、上記基板１側から
記録時よりパワーの弱いレーザー光を照射し、上記ピッ
トとそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読
みとる。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体が
情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。この
種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、
記録データを再生するためのピットを予めプレス等の手
段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上に
Au、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さ
らにこの上を保護層で覆ったものである。
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体が
情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。この
種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、
記録データを再生するためのピットを予めプレス等の手
段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上に
Au、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さ
らにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響部
門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパクト
ディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信号
の仕様は、いわゆるCD規格として規格化され、この規格
に従って作られた再生装置は、コンパクトディスクプレ
ーヤー（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパクト
ディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信号
の仕様は、いわゆるCD規格として規格化され、この規格
に従って作られた再生装置は、コンパクトディスクプレ
ーヤー（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレーザー光を用
いる記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く
普及したCDと同様にして再生できることが強く望まれ
る。
いる記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く
普及したCDと同様にして再生できることが強く望まれ
る。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い記
録層を有し、基板にではなく、基板を透過したレーザー
光をこの記録層に照射することで、それを蒸発、昇華さ
せてピットを形成して記録するものである。そして、こ
の記録層にピットを形成するのを容易にするため、記録
層の背後に前述にような空隙等を設けなければならない
ため、そこに金属膜からなる反射層等を形成することが
できない。この結果、光情報記録媒体の層構造がCDと本
質的に異なり、得られる再生信号やレーザー光の反射率
がCDと異なってしまう。このため、いわゆるCDについて
の規格を定めた上記CD規格を満足することが困難であっ
た。特に、再生信号の変調度が低いことにより、CD規格
を満足する再生信号が得られず、また反射率も低い。
録層を有し、基板にではなく、基板を透過したレーザー
光をこの記録層に照射することで、それを蒸発、昇華さ
せてピットを形成して記録するものである。そして、こ
の記録層にピットを形成するのを容易にするため、記録
層の背後に前述にような空隙等を設けなければならない
ため、そこに金属膜からなる反射層等を形成することが
できない。この結果、光情報記録媒体の層構造がCDと本
質的に異なり、得られる再生信号やレーザー光の反射率
がCDと異なってしまう。このため、いわゆるCDについて
の規格を定めた上記CD規格を満足することが困難であっ
た。特に、再生信号の変調度が低いことにより、CD規格
を満足する再生信号が得られず、また反射率も低い。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、CD規格を満足する再生信号が得られる書き込みが
可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
ので、CD規格を満足する再生信号が得られる書き込みが
可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段は要旨は、透明性を有する基板上に直接また
は他の層を介して光吸収層が形成された光情報記録媒体
において、光吸収層が、レーザー光を吸収して温度上昇
すると共に、100℃以上、600℃以下でガス発生を伴う発
熱反応を起こす材料を含有しており、上記透光性基板が
同発熱反応により表面が変形するものであり、上記光吸
収層の上に直接または他の層を介して金属膜からなる光
反射層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒
体である。
用した手段は要旨は、透明性を有する基板上に直接また
は他の層を介して光吸収層が形成された光情報記録媒体
において、光吸収層が、レーザー光を吸収して温度上昇
すると共に、100℃以上、600℃以下でガス発生を伴う発
熱反応を起こす材料を含有しており、上記透光性基板が
同発熱反応により表面が変形するものであり、上記光吸
収層の上に直接または他の層を介して金属膜からなる光
反射層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒
体である。
［作用］ この光情報記録媒体では、光吸収層にレーザー光を照射
したとき、同光吸収層がレーザー光を吸収して発熱し、
溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、熱
や圧力として局部的なエネルギーの変換がなされる。こ
のため、透光性基板の表面やその上に形成された層に上
記の熱と圧力が及び、その表面が局部的に変形し、或は
それと同時に、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は編成
した光吸収層の成分が混入し、光学的に変性したピット
が形成される。
したとき、同光吸収層がレーザー光を吸収して発熱し、
溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等して、熱
や圧力として局部的なエネルギーの変換がなされる。こ
のため、透光性基板の表面やその上に形成された層に上
記の熱と圧力が及び、その表面が局部的に変形し、或は
それと同時に、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は編成
した光吸収層の成分が混入し、光学的に変性したピット
が形成される。
特に、本発明では、光吸収層が、レーザー光を吸収して
温度上昇し、100℃以上、600℃以下でガス発生を伴う発
熱反応を起こす材料を含有していることから、比較的低
温で上記エネルギーの変換がなされ、発熱による熱やガ
ス発生に伴う圧力増大がもたらされ、背後に変形を助け
るための空隙等が存在しなくても、後述する如く、透光
性基板の表面に良好な再生信号が得られるピットが形成
できる。
温度上昇し、100℃以上、600℃以下でガス発生を伴う発
熱反応を起こす材料を含有していることから、比較的低
温で上記エネルギーの変換がなされ、発熱による熱やガ
ス発生に伴う圧力増大がもたらされ、背後に変形を助け
るための空隙等が存在しなくても、後述する如く、透光
性基板の表面に良好な再生信号が得られるピットが形成
できる。
そして、このようして透光性基板の表面に形成されたピ
ットは、予めスタンパを用いてCDの透光性基板の表面に
形成されるピットに近似するものである。また、光吸収
層の背後に金属層による光反射層を設けているので、層
構造としても形態的にCDに近似した光情報記録媒体が得
られ、CD規格を満足する記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる。
ットは、予めスタンパを用いてCDの透光性基板の表面に
形成されるピットに近似するものである。また、光吸収
層の背後に金属層による光反射層を設けているので、層
構造としても形態的にCDに近似した光情報記録媒体が得
られ、CD規格を満足する記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる。
ここで、光吸収層２に含有する成分がガス発生を伴う発
熱反応を起こす臨界温度を100℃〜600℃の範囲に限定し
たのは、次に理由による。すなわち、100℃より低いと
きには直射日光等環境から変化をきたすことが心配さ
れ、また、600℃より高いときには、その温度に到達す
るためのエネルギーが大きくなるため、感度が低下す
る。なお、150〜300℃程度が安定かつ高感度のため、よ
り好ましい。
熱反応を起こす臨界温度を100℃〜600℃の範囲に限定し
たのは、次に理由による。すなわち、100℃より低いと
きには直射日光等環境から変化をきたすことが心配さ
れ、また、600℃より高いときには、その温度に到達す
るためのエネルギーが大きくなるため、感度が低下す
る。なお、150〜300℃程度が安定かつ高感度のため、よ
り好ましい。
［実 施 例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図に示す。同図において、符号１は、透光性
を有する基板、符号２は、その上に形成された光吸収層
で、照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶融、蒸
発、昇華、変形または変性し、隣接する層、例えば上記
透光性基板１の表面にピットを形成する作用を有する層
である。
１図〜第３図に示す。同図において、符号１は、透光性
を有する基板、符号２は、その上に形成された光吸収層
で、照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶融、蒸
発、昇華、変形または変性し、隣接する層、例えば上記
透光性基板１の表面にピットを形成する作用を有する層
である。
既に述べた通り、本発明においては、上記光吸収層２が
レーザー光を吸収して温度上昇し、100℃以上、600℃以
下で減量を伴う発熱反応を起こす材料を含有しているこ
とが必要である。
レーザー光を吸収して温度上昇し、100℃以上、600℃以
下で減量を伴う発熱反応を起こす材料を含有しているこ
とが必要である。
符号３は、その上に形成されたレーザー光を反射する光
反射層であり、これはAu、Ag、Al、Cu等の金属膜からな
る。符号４は、光反射層３を覆うように設けられた保護
層を示す。なお、第２図は、レーザー光による記録前の
状態を、第３図は、記録後の状態、すなわち、レーザー
光の照射時の光吸収層２の局部的な変化により、透光性
基板１の表面が一部変形され、光学的に編成したピット
５が形成された状態を模式的に示す。
反射層であり、これはAu、Ag、Al、Cu等の金属膜からな
る。符号４は、光反射層３を覆うように設けられた保護
層を示す。なお、第２図は、レーザー光による記録前の
状態を、第３図は、記録後の状態、すなわち、レーザー
光の照射時の光吸収層２の局部的な変化により、透光性
基板１の表面が一部変形され、光学的に編成したピット
５が形成された状態を模式的に示す。
この光情報記録媒体の具体例について、以下に説明す
る。
る。
（実施例１） 幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル
状のプレグルーブが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。
状のプレグルーブが形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法
により成形した。
この透光性基板１の表面にシリコン系コート剤を約20nm
の厚さにスピンコートし、耐溶剤処理した後、光吸収層
２を形成するための有機色素として、8.5gの下記化学式
で示される可溶性フタロシアニンを、ジメチルホルムア
ミド溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピ
ンコート法により塗布し、膜厚160nmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の材料を理学電
機株式会社製TG8110熱量分析計（DTA）を用い、窒素ガ
ス中において20℃／分の温度勾配で測定した熱分解温度
のピーク値は、400℃であった。
の厚さにスピンコートし、耐溶剤処理した後、光吸収層
２を形成するための有機色素として、8.5gの下記化学式
で示される可溶性フタロシアニンを、ジメチルホルムア
ミド溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピ
ンコート法により塗布し、膜厚160nmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の材料を理学電
機株式会社製TG8110熱量分析計（DTA）を用い、窒素ガ
ス中において20℃／分の温度勾配で測定した熱分解温度
のピーク値は、400℃であった。
R:−Ｃ（CH3）３、M:Co さらに、ディスクの全面にスパッタリング法により、膜
厚50nmのAu膜を製膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保
護層４を形成した。
厚50nmのAu膜を製膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み10μｍの保
護層４を形成した。
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体レ
ーザーを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM
信号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCD
プレーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で
再生したところ、光ディスクの反射率が73％、アイパタ
ーンから求められるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.35で
あった。
ーザーを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM
信号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCD
プレーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で
再生したところ、光ディスクの反射率が73％、アイパタ
ーンから求められるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.35で
あった。
CD規格では、反射率が70％以上、I11/Itopが0.6以上、I
3/Itopが0.3〜0.7と定らられており、この実施例による
光ディスクは、この規格を満足している。
3/Itopが0.3〜0.7と定らられており、この実施例による
光ディスクは、この規格を満足している。
（実施例２） 上記実施例１において、透光性基板１として、表面に2p
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ーブを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
シリコン系コート剤をコーティングせずに直接Cr−ビス
１（２ヒドロキフェニル）アゾ２ヒドロキシナフタレー
ト（オリエント化学（株）製、Oil Black HBB）5.0gを
ジクロルエタン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚
さ150nmの光吸収層２を形成したこと、光反射層３とし
て直接AuとIrとの9:1の合金薄膜からなる光反射層を設
けたこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスク
を製作した。なお、上記光吸収層２を構成する材料の熱
分解温度のピーク値は260℃である。
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ーブを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
シリコン系コート剤をコーティングせずに直接Cr−ビス
１（２ヒドロキフェニル）アゾ２ヒドロキシナフタレー
ト（オリエント化学（株）製、Oil Black HBB）5.0gを
ジクロルエタン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚
さ150nmの光吸収層２を形成したこと、光反射層３とし
て直接AuとIrとの9:1の合金薄膜からなる光反射層を設
けたこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディスク
を製作した。なお、上記光吸収層２を構成する材料の熱
分解温度のピーク値は260℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率が80％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
（実施例３） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、厚さ30nmのSiN層を窒素ガスによる
反応性スパッタリング法により形成したこと、この上に
6.5gの３、３′−（２−アセトキシエチル）10−ジフェ
ニルアミノ９、11エチレンチアジカーボシアニンパーク
ロレートをアセチルアセトン溶剤10ccに溶解してスピン
コートし、厚さ130nmの光吸収層を形成したこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は
240℃である。
コート剤に代えて、厚さ30nmのSiN層を窒素ガスによる
反応性スパッタリング法により形成したこと、この上に
6.5gの３、３′−（２−アセトキシエチル）10−ジフェ
ニルアミノ９、11エチレンチアジカーボシアニンパーク
ロレートをアセチルアセトン溶剤10ccに溶解してスピン
コートし、厚さ130nmの光吸収層を形成したこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は
240℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.61、I3/I
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.61、I3/I
topが0.32であった。
（実施例４） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、スピンコート法により厚さ60nmのポ
リスチレン樹脂層を形成したこと、さらにスパッタリン
グ法により、この上に厚さ30nmのSiO2層を形成したこ
と、この上に7.0gの３、３′−ジ（３−アセトキシプロ
ピル）５、６、５′、６′−テトラメトキシチアジカー
ボシアニントルエンスルホネートを、ヒドロキシアセト
ン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ140nmの光
吸収層２を形成したこと、光吸収層２の上に直接光反射
層３を真空蒸着法により設けたこと、及び保護層４をビ
スフェノール硬化型エポキシ樹脂厚みを５μｍとしたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピー
ク値は285℃である。
コート剤に代えて、スピンコート法により厚さ60nmのポ
リスチレン樹脂層を形成したこと、さらにスパッタリン
グ法により、この上に厚さ30nmのSiO2層を形成したこ
と、この上に7.0gの３、３′−ジ（３−アセトキシプロ
ピル）５、６、５′、６′−テトラメトキシチアジカー
ボシアニントルエンスルホネートを、ヒドロキシアセト
ン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ140nmの光
吸収層２を形成したこと、光吸収層２の上に直接光反射
層３を真空蒸着法により設けたこと、及び保護層４をビ
スフェノール硬化型エポキシ樹脂厚みを５μｍとしたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピー
ク値は285℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
（実施例５） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、スピンコート法により、厚さ60nmの
ポリ酢酸ビニル層を形成したこと、この上に6.7gの１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル５、５′
ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレートをジ
アセトンアルコール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ135nmの光吸収層を形成したこと、及びこの上
に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク
値は267℃である。
コート剤に代えて、スピンコート法により、厚さ60nmの
ポリ酢酸ビニル層を形成したこと、この上に6.7gの１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル５、５′
ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレートをジ
アセトンアルコール溶剤10ccに溶解してスピンコート
し、厚さ135nmの光吸収層を形成したこと、及びこの上
に真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を設けたこと以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク
値は267℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.64、I3/I
topが0.36であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.64、I3/I
topが0.36であった。
（実施例６） 上記実施例１において、透光性基板１としてガラス基板
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
上記光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにス
ピンコートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる
光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。なお、上記光吸収層２の材
料の熱分解温度のピーク値は200〜540℃である。
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
上記光吸収層２の上にポリブタジエンを10nmの厚さにス
ピンコートした後、この上に真空蒸着法でAu膜からなる
光反射層３を設けたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。なお、上記光吸収層２の材
料の熱分解温度のピーク値は200〜540℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は75％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は75％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
（実施例７） 上記実施例１において、透光性基板１の上に、シリコン
コート剤をコーティングせず直接、8.0gの下記化学式で
示される有機色素をブタノール溶剤10ccに溶解してスピ
ンコートし、厚さ65nmの光吸収層２を形成したこと、光
吸収層２と光反射層３との間に厚さ160nmのSiO2層を介
在させたこと、真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を
設けたこと、光反射層３の上に厚さ20nmのポリブタジエ
ンをコーティングした上に保護層４を設けたこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は
300〜400℃である。
コート剤をコーティングせず直接、8.0gの下記化学式で
示される有機色素をブタノール溶剤10ccに溶解してスピ
ンコートし、厚さ65nmの光吸収層２を形成したこと、光
吸収層２と光反射層３との間に厚さ160nmのSiO2層を介
在させたこと、真空蒸着法でAu膜からなる光反射層３を
設けたこと、光反射層３の上に厚さ20nmのポリブタジエ
ンをコーティングした上に保護層４を設けたこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は
300〜400℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は77％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は77％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/
topが0.32であった。
R:−Ｃ（CH3）３、M:TiCl2 （実施例８） 上記実施例１において、透光性基板１の上に、シリコン
系コート剤に代えて、SiNをコーティングしたこと、光
吸収層２の上にシリコン樹脂をコーティングしたこと、
光反射層３を真空蒸着法で形成したこと、光反射層３の
上に厚さ20nmのビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をコ
ーティングし、この上に保護層４を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の材料の熱分解
温度のピーク値は、上記実施例１と同じである。
系コート剤に代えて、SiNをコーティングしたこと、光
吸収層２の上にシリコン樹脂をコーティングしたこと、
光反射層３を真空蒸着法で形成したこと、光反射層３の
上に厚さ20nmのビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をコ
ーティングし、この上に保護層４を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、この光ディスクにおける光吸収層２の材料の熱分解
温度のピーク値は、上記実施例１と同じである。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１の同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は76％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は76％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
（実施例９） 上記実施例１において、透光性基板１として、表面に2p
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ーブを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
耐溶剤処理せずに直接Cr−ビス１（２ヒドロキシフェニ
ル）アゾ２ヒドロキシナフタレート（オリエント化学
（株）製、Oil Black HBB）5.0gをジクロルエタン溶剤1
0ccに溶解してスピンコートし、厚さ150nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３として直接Ag膜からなる光
反射層を真空蒸着法により設けたこと以外は、上記実施
例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、上記光
吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、260℃であ
る。
法（photo poly−marization method）によりプレグル
ーブを形成したエポキシ樹脂円板を用い、この円板上に
耐溶剤処理せずに直接Cr−ビス１（２ヒドロキシフェニ
ル）アゾ２ヒドロキシナフタレート（オリエント化学
（株）製、Oil Black HBB）5.0gをジクロルエタン溶剤1
0ccに溶解してスピンコートし、厚さ150nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３として直接Ag膜からなる光
反射層を真空蒸着法により設けたこと以外は、上記実施
例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、上記光
吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、260℃であ
る。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率80％、再生信
号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.64、I3/I
topが0.33であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率80％、再生信
号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.64、I3/I
topが0.33であった。
（実施例10） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤に代えて、シリコン樹脂を膜厚20nmにスピンコ
ートで形成したこと、この上に6.5gの３、３′−（２−
アセトキシエチル）10−ジフェニルアミノ９、11エチレ
ンチアジカーボシアニンパークロレートをアセチルアセ
トン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ130nmの
光吸収層２を形成したこと、及び光吸収層２の上に直接
AuとIrとの9:1の合金膜からなる光反射層３を設けたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピー
ク値は、240℃である。
コート剤に代えて、シリコン樹脂を膜厚20nmにスピンコ
ートで形成したこと、この上に6.5gの３、３′−（２−
アセトキシエチル）10−ジフェニルアミノ９、11エチレ
ンチアジカーボシアニンパークロレートをアセチルアセ
トン溶剤10ccに溶解してスピンコートし、厚さ130nmの
光吸収層２を形成したこと、及び光吸収層２の上に直接
AuとIrとの9:1の合金膜からなる光反射層３を設けたこ
と以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作
した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピー
ク値は、240℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.31であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.31であった。
（実施例11） 上記実施例１において、透光性基板１の上にシリコン系
コート剤をコーティングせずに、直接この上に7.0gの
３、３′−ジ（３−アセトキシプロピル）５、６、
５′、６′−テトラメトキシチアジカーボシアニントル
エンスルホネートを、ヒドロキシアセトン溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ140nmの光吸収層２を形成
したこと、光反射層３の上にポリサルファイド添加エポ
キシ樹脂を20nmの厚さに塗布し、その上に保護層４を形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温
度のピーク値は、285℃である。
コート剤をコーティングせずに、直接この上に7.0gの
３、３′−ジ（３−アセトキシプロピル）５、６、
５′、６′−テトラメトキシチアジカーボシアニントル
エンスルホネートを、ヒドロキシアセトン溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ140nmの光吸収層２を形成
したこと、光反射層３の上にポリサルファイド添加エポ
キシ樹脂を20nmの厚さに塗布し、その上に保護層４を形
成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディス
クを製作した。なお、上記光吸収層２の材料の熱分解温
度のピーク値は、285℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/I
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は70％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/I
topが0.32であった。
（実施例12） 上記実施例１において、透光性基板１の上に透光性基板
１の上にシリコン系コート剤をコーティングせずに、直
接この上に6.7gの１、１′ジブチル３、３、３′、３′
テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボシアニ
ンパークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ135nmの光吸収層を形成し
たこと、及びこの上に厚さ60nmのZnS膜を真空蒸着法に
より成膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、
267℃であった。
１の上にシリコン系コート剤をコーティングせずに、直
接この上に6.7gの１、１′ジブチル３、３、３′、３′
テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボシアニ
ンパークロレートをジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解してスピンコートし、厚さ135nmの光吸収層を形成し
たこと、及びこの上に厚さ60nmのZnS膜を真空蒸着法に
より成膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、
上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。な
お、上記光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、
267℃であった。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は82％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は82％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.33であった。
（実施例13） 上記実施例１において、透光性基板１としてガラス基板
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
この上に厚さ60nmのSiO2膜をスパッタリング法により成
膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、上記実
施例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、上記
光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、200〜540
℃である。
を用いたこと、同基板１の上に、シリコンコート剤をコ
ーティングせず直接、4.5gの下記化学式で示される有機
色素をテトラヒドロフラン溶剤10ccに溶解してスピンコ
ートし、厚さ180nmの光吸収層２を形成したこと、及び
この上に厚さ60nmのSiO2膜をスパッタリング法により成
膜し、この上に光反射層３を設けたこと以外は、上記実
施例１と同様にして光ディスクを製作した。なお、上記
光吸収層２の材料の熱分解温度のピーク値は、200〜540
℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同時に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、反射率は78％、再生
信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.62、I3/I
topが0.32であった。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、70％以上と、反射
率が高く、しかも、光吸収層に記録してデータを再生し
た場合に、CD規格を満足した再生信号が得られる書き込
み可能な光情報記録媒体が得られる。
率が高く、しかも、光吸収層に記録してデータを再生し
た場合に、CD規格を満足した再生信号が得られる書き込
み可能な光情報記録媒体が得られる。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、
上記Ａ部の記録後の状態の一例を示す断面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
面斜視図、第２図は、第１図のＡ部拡大図、第３図は、
上記Ａ部の記録後の状態の一例を示す断面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
フロントページの続き (72)発明者 辛 有明 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−121142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−288087（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透光性を有する基板上に直接または他の層
を介して光吸収層が形成された光情報記録媒体におい
て、光吸収層が、レーザー光を吸収して温度上昇すると
共に、100℃以上、600℃以下でガス発生を伴う発熱反応
を起こす材料を含有していると共に、上記透光性基板が
同発熱反応により表面が変形するものであり、上記光吸
収層の上に直接または他の層を介して金属膜からなる光
反射層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒
体。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239164A JPH0796337B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
| US07/340,528 US5090009A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| EP89106811A EP0353393B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| ES89106811T ES2076942T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio optico de registro de informacion. |
| AT89106811T ATE125381T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| DE68923494T DE68923494T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| CA000599415A CA1326710C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| MYPI89000676A MY106967A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35107/89A AU608158B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| DK198902545A DK174000B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| PH3870889K PH26094A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| KR1019890010426A KR950005964B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| FI893563A FI893563L (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optiskt dataregistreringsorgan. |
| PT91309A PT91309B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de registo de informacao optica |
| HK86796A HK86796A (en) | 1988-07-30 | 1996-05-16 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239164A JPH0796337B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286489A JPH0286489A (ja) | 1990-03-27 |
| JPH0796337B2 true JPH0796337B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17040683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239164A Expired - Lifetime JPH0796337B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796337B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239164A patent/JPH0796337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0286489A (ja) | 1990-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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