JPH0797475B2 - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
- Publication number
- JPH0797475B2 JPH0797475B2 JP14683786A JP14683786A JPH0797475B2 JP H0797475 B2 JPH0797475 B2 JP H0797475B2 JP 14683786 A JP14683786 A JP 14683786A JP 14683786 A JP14683786 A JP 14683786A JP H0797475 B2 JPH0797475 B2 JP H0797475B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- electron
- layer
- emitting device
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子放出素子に関し、特に電圧印加により電子
放出が誘起される電子放出素子に関する。この様な電子
放出素子はたとえば各種電子ビーム露光装置等の電子ビ
ーム応用装置の電子発生源として好適に利用される。
放出が誘起される電子放出素子に関する。この様な電子
放出素子はたとえば各種電子ビーム露光装置等の電子ビ
ーム応用装置の電子発生源として好適に利用される。
［従来の技術］ 電子ビーム装置たとえば陰極線管における電子発生源と
しては従来熱陰極からの熱電子放出が用いられていた。
この様な熱陰極を利用した電子放出は、加熱によるエネ
ルギーロスが大きい点、加熱手段の形成が必要である
点、及び予備加熱にかなりの時間を要する点や熱により
系が不安定化しやすいという点で問題があった。
しては従来熱陰極からの熱電子放出が用いられていた。
この様な熱陰極を利用した電子放出は、加熱によるエネ
ルギーロスが大きい点、加熱手段の形成が必要である
点、及び予備加熱にかなりの時間を要する点や熱により
系が不安定化しやすいという点で問題があった。
そこで、加熱によらない電子放出素子の研究が進めら
れ、いくつかの型の素子が提案されている。
れ、いくつかの型の素子が提案されている。
たとえば、PN接合に逆バイアス電圧を印加し電子なだれ
降状現象を生ぜしめ素子外へと電子を放出する型のもの
や、金属−絶縁体層−金属層の構成を有し該２つの金属
の間に電圧を印加することによりトンネル効果で絶縁体
層を通過してきた電子を金属層から素子外へと放出する
型（MIM型）のものや、高抵抗薄膜にその膜厚方向と直
交する方向に電圧を印加し該薄膜表面から素子外へと電
子を放出させる表面伝導型のものや、電界集中の生じ易
い形状の金属に対し電圧を印加して局所的に高密度の電
界を発生させ該金属から素子外へと電子を放出させる電
界効果型（FE型）のものや、その他のものが提案されて
いる。
降状現象を生ぜしめ素子外へと電子を放出する型のもの
や、金属−絶縁体層−金属層の構成を有し該２つの金属
の間に電圧を印加することによりトンネル効果で絶縁体
層を通過してきた電子を金属層から素子外へと放出する
型（MIM型）のものや、高抵抗薄膜にその膜厚方向と直
交する方向に電圧を印加し該薄膜表面から素子外へと電
子を放出させる表面伝導型のものや、電界集中の生じ易
い形状の金属に対し電圧を印加して局所的に高密度の電
界を発生させ該金属から素子外へと電子を放出させる電
界効果型（FE型）のものや、その他のものが提案されて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］ これらのうちで、MIM型の電子放出素子は印加電圧が比
較的低くてよく且つそれ程高い真空度を必要としない特
長がある。
較的低くてよく且つそれ程高い真空度を必要としない特
長がある。
第３図は従来提案されているMIM型素子の一例を示す斜
視図である。
視図である。
第３図において、２は絶縁基板であり、４は第１の金属
層であり、６は絶縁体層であり、８は第２の金属層であ
る。図示される様に、基板２の上面は平坦であり、該平
坦面上にて所定の巾をもつ第１の金属層４が第１の方向
に延びて配置されている。そして、絶縁体層６は基板２
及びその表面上に突出して配設された第１の金属層４を
覆う様にほぼ均一の厚さに付与されている。従って、該
絶縁体層６の上面も第１の金属層４に対応する部分が突
出している。この様な絶縁体層６上の上面上にて所定の
巾をもつ第２の金属層８が上記第１の方向と略直交する
方向に延びて配置されている。
層であり、６は絶縁体層であり、８は第２の金属層であ
る。図示される様に、基板２の上面は平坦であり、該平
坦面上にて所定の巾をもつ第１の金属層４が第１の方向
に延びて配置されている。そして、絶縁体層６は基板２
及びその表面上に突出して配設された第１の金属層４を
覆う様にほぼ均一の厚さに付与されている。従って、該
絶縁体層６の上面も第１の金属層４に対応する部分が突
出している。この様な絶縁体層６上の上面上にて所定の
巾をもつ第２の金属層８が上記第１の方向と略直交する
方向に延びて配置されている。
上記第１の金属層４と第２の金属層８との間には第２の
金属層８が正となる様に適時電圧を印加するための手段
10が接続されている。該手段10は電源と不図示のスイッ
チとを有している。
金属層８が正となる様に適時電圧を印加するための手段
10が接続されている。該手段10は電源と不図示のスイッ
チとを有している。
かくして、第１の金属層４と第２の金属層８との重なり
あう位置においてMIM構造が形成され、その他の金属層
部分はリード線として利用される。そして、この様な電
子放出素子を上記第１の方向及び第２の方向に複数個配
列し第１の金属層４及び第２の金属層８を共有すること
により、いわゆるマトリックス駆動の可能な電子放出装
置を構成することができる。
あう位置においてMIM構造が形成され、その他の金属層
部分はリード線として利用される。そして、この様な電
子放出素子を上記第１の方向及び第２の方向に複数個配
列し第１の金属層４及び第２の金属層８を共有すること
により、いわゆるマトリックス駆動の可能な電子放出装
置を構成することができる。
しかして、この様な従来のMIM型素子においては、絶縁
体層６及び第２の金属層８は非平坦な下地上に形成され
るため、特にMIM構造位置において該絶縁体層６及び第
２の金属層８の膜厚が不均一となり易く、このため素子
特性が劣化し勝ちであり、更に複数個の素子をマトリッ
クス駆動可能な様に配列した場合においても各素子ごと
の特性のバラツキが大きくなり勝ちであるという問題点
があった。
体層６及び第２の金属層８は非平坦な下地上に形成され
るため、特にMIM構造位置において該絶縁体層６及び第
２の金属層８の膜厚が不均一となり易く、このため素子
特性が劣化し勝ちであり、更に複数個の素子をマトリッ
クス駆動可能な様に配列した場合においても各素子ごと
の特性のバラツキが大きくなり勝ちであるという問題点
があった。
また、従来の素子においては第２の金属層８が上下に波
うつ曲線状に形成されているために長さが比較的長くな
り、このため電気抵抗が大きくなり発熱量も多くなると
いう問題点もあった。
うつ曲線状に形成されているために長さが比較的長くな
り、このため電気抵抗が大きくなり発熱量も多くなると
いう問題点もあった。
［問題点を解決するための手段］ 本発明によれば、以上の如き従来技術の問題点を解決す
るものとして、絶縁基体上に第１の金属層が付されてお
り、該金属層上に絶縁体層が付されており、該絶縁体層
上に第２の金属層が付されており、上記第１の金属層と
第２の金属層との間に電圧を印加するための手段を有し
てなる電子放出素子において、第１の金属層が基体に形
成された凹部内に埋設されており、該第１の金属層上面
及び基体上面により形成される略平坦な面上に絶縁体層
が形成されていることを特徴とする、電子放出素子が提
供される。
るものとして、絶縁基体上に第１の金属層が付されてお
り、該金属層上に絶縁体層が付されており、該絶縁体層
上に第２の金属層が付されており、上記第１の金属層と
第２の金属層との間に電圧を印加するための手段を有し
てなる電子放出素子において、第１の金属層が基体に形
成された凹部内に埋設されており、該第１の金属層上面
及び基体上面により形成される略平坦な面上に絶縁体層
が形成されていることを特徴とする、電子放出素子が提
供される。
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第１図（ａ）は本発明による電子放出素子の一実施例を
示す斜視図であり、第１図（ｂ）及び第１図（ｃ）はそ
れぞれそのＢ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ断面図である。
示す斜視図であり、第１図（ｂ）及び第１図（ｃ）はそ
れぞれそのＢ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ断面図である。
これらの図において、２は絶縁基板であり、該基板はた
とえばガラス、アルミナ、サファイア、マイカ、マグネ
シア、更にはGaAs、GaSb、InAs、GaP、スピネル（MgAl2
O4）等の結晶等からなる。該基板２の上面にはＣ−Ｃ方
向に沿って延びている所定の巾及び深さをもつ溝３が形
成されている。
とえばガラス、アルミナ、サファイア、マイカ、マグネ
シア、更にはGaAs、GaSb、InAs、GaP、スピネル（MgAl2
O4）等の結晶等からなる。該基板２の上面にはＣ−Ｃ方
向に沿って延びている所定の巾及び深さをもつ溝３が形
成されている。
４は第１の金属層であり、６は絶縁体層であり、８は第
２の金属層であり、これらによりMIM構造が形成され
る。
２の金属層であり、これらによりMIM構造が形成され
る。
図示される様に、第１の金属層４は基板２の２つの溝３
を埋める様に配置されており、従って該金属層４の上面
と基板２の上面とは実質上同一平面とされている。該第
１の金属層はたとえばAl,Be,Mo,Pt,Ta,Au,Ag,W,Cr,Mg,
ニクロム等からなる。該金属層４はこれら金属のいくつ
かを成分とする合金からなる層やこれらのシリサイドか
らなる層であってもよい。金属層４の厚さ即ち溝３の深
さは特に制限がないが、たとえば0.001〜１μｍ程度で
ある。該金属層４の巾即ち溝３の巾は特に制限がなく所
望の電子放出面積に応じて適宜設定することができる
が、たとえば0.001〜５μｍ程度である。
を埋める様に配置されており、従って該金属層４の上面
と基板２の上面とは実質上同一平面とされている。該第
１の金属層はたとえばAl,Be,Mo,Pt,Ta,Au,Ag,W,Cr,Mg,
ニクロム等からなる。該金属層４はこれら金属のいくつ
かを成分とする合金からなる層やこれらのシリサイドか
らなる層であってもよい。金属層４の厚さ即ち溝３の深
さは特に制限がないが、たとえば0.001〜１μｍ程度で
ある。該金属層４の巾即ち溝３の巾は特に制限がなく所
望の電子放出面積に応じて適宜設定することができる
が、たとえば0.001〜５μｍ程度である。
絶縁体層６はたとえばSiO2,Ta2O5,Al2O3,BeO,SiC,SiOxN
yHz,SiNxHy,リンシリケースガラス（PSG）,AlN,SiO2.BN
等からなる。図示される様に、絶縁体層６は実質上平板
状である。該絶縁体層６の厚さは絶縁破壊が生じない程
度に薄い方が好ましいが、この厚さは該層６に使用され
る絶縁体の種類の第２の金属層８に使用される金属の種
類等に応じて所望の電子放出特性が得られるべき適宜設
定するのが好ましく、たとえば30〜1000Å程度である。
yHz,SiNxHy,リンシリケースガラス（PSG）,AlN,SiO2.BN
等からなる。図示される様に、絶縁体層６は実質上平板
状である。該絶縁体層６の厚さは絶縁破壊が生じない程
度に薄い方が好ましいが、この厚さは該層６に使用され
る絶縁体の種類の第２の金属層８に使用される金属の種
類等に応じて所望の電子放出特性が得られるべき適宜設
定するのが好ましく、たとえば30〜1000Å程度である。
また第２の金属層８は上記第１の金属層４と同様な材料
からなる。図示される様に、第２の金属層８は実質上直
線状である。該金属層の厚さは電子放出効率の点からは
できるだけ薄い方が好ましく、たとえば100〜3000Å程
度である。また、該金属層８の巾は特に制限がなく所望
の電子放出面積に応じて適宜設定することができるが、
たとえば0.001〜５μｍ程度である。
からなる。図示される様に、第２の金属層８は実質上直
線状である。該金属層の厚さは電子放出効率の点からは
できるだけ薄い方が好ましく、たとえば100〜3000Å程
度である。また、該金属層８の巾は特に制限がなく所望
の電子放出面積に応じて適宜設定することができるが、
たとえば0.001〜５μｍ程度である。
第１図に示される様に、第１の金属層４と第２の金属層
８との間には第２の金属層８が正となる様に適時電圧を
印加するための手段10が接続されている。該手段10は電
源と不図示のスイッチとを有している。
８との間には第２の金属層８が正となる様に適時電圧を
印加するための手段10が接続されている。該手段10は電
源と不図示のスイッチとを有している。
以上の様な本実施例の電子放出素子は、たとえば次の様
にして作成することができる。
にして作成することができる。
先ず、基板２の材料の表面を物理的研摩や化学的研摩に
より十分に良好な平坦度及び表面粗さとし、該基板２の
表面にフォトレジストを塗布し、パターン露光及び現像
により該レジスト層の上記溝３を形成すべき部分に対応
する部分を除去し、しかる後にウェットエッチング法に
より基板２の表面に溝３を形成する。基板２がガラスで
ある場合にはエッチング液としてフッ酸と硝酸と酢酸ま
たは純水との混合液が用いられる。
より十分に良好な平坦度及び表面粗さとし、該基板２の
表面にフォトレジストを塗布し、パターン露光及び現像
により該レジスト層の上記溝３を形成すべき部分に対応
する部分を除去し、しかる後にウェットエッチング法に
より基板２の表面に溝３を形成する。基板２がガラスで
ある場合にはエッチング液としてフッ酸と硝酸と酢酸ま
たは純水との混合液が用いられる。
次に、第１の金属層４を構成する金属材料を抵抗加熱蒸
着法、電子ビーム蒸着法、CVD法、プラズマCVD法、イオ
ンプレーティング法、クラスタイオンビーム法等により
上記溝３の深さとほぼ同一の厚さに成膜させ、しかる後
にレジスト層を溶解除去してリフトオフにより溝３内以
外の金属材料膜を除去し、かくして第１の金属層４を形
成する。
着法、電子ビーム蒸着法、CVD法、プラズマCVD法、イオ
ンプレーティング法、クラスタイオンビーム法等により
上記溝３の深さとほぼ同一の厚さに成膜させ、しかる後
にレジスト層を溶解除去してリフトオフにより溝３内以
外の金属材料膜を除去し、かくして第１の金属層４を形
成する。
次に、該第１の金属層４の上面上に抵抗加熱蒸着法、電
子ビーム蒸着法、CVD法、プラズマCVD法、イオンプレー
ティング法、クラスタイオンビーム法等により絶縁体層
６を形成する。
子ビーム蒸着法、CVD法、プラズマCVD法、イオンプレー
ティング法、クラスタイオンビーム法等により絶縁体層
６を形成する。
次に、該絶縁体層６上に抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸
着法、CVD法、プラズマCVD法、イオンプレーティング
法、クラスタイオンビーム法等により第２の金属層８を
形成する。該第２の金属層８はパターニングされること
が必要であるが、これは通常のフォトリソグラフィー技
術により行なうことができる。
着法、CVD法、プラズマCVD法、イオンプレーティング
法、クラスタイオンビーム法等により第２の金属層８を
形成する。該第２の金属層８はパターニングされること
が必要であるが、これは通常のフォトリソグラフィー技
術により行なうことができる。
しかる後に、上記第１の金属層４と第２の金属層８との
間に電圧印加手段10を接続する。
間に電圧印加手段10を接続する。
かくして作成された本実施例素子の駆動は電圧印加手段
10のスイッチを閉じることにより行なわれる。該電圧印
加手段の電源の電圧はMIM構造の具体的構成及び所望の
電子放出特性に応じて適宜設定することができ、たとえ
ば３〜20Vである。この様な第１の金属層４と第２の金
属層８との間の電圧印加により第２の金属層８の表面か
ら電子が放出される。
10のスイッチを閉じることにより行なわれる。該電圧印
加手段の電源の電圧はMIM構造の具体的構成及び所望の
電子放出特性に応じて適宜設定することができ、たとえ
ば３〜20Vである。この様な第１の金属層４と第２の金
属層８との間の電圧印加により第２の金属層８の表面か
ら電子が放出される。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明による電子放出素子を多
数配列してなる電子放出装置の実施例を示すものであ
り、第２図（ａ）は部分平面図であり、第２図（ｂ）及
び第２図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ
断面図である。
数配列してなる電子放出装置の実施例を示すものであ
り、第２図（ａ）は部分平面図であり、第２図（ｂ）及
び第２図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ
断面図である。
本実施例において、２は基板であり、該基板表面には所
定の巾及び深さをもつＣ−Ｃ方向の複数の溝３が一定の
間隔をおいて平行に配列形成されている。そして、各溝
３内に第１の金属層４が埋設されている。６は絶縁体層
であり、該絶縁体層は実質上平板状である。該絶縁体層
６上には一定の間隔をおいて複数の所定巾のＢ−Ｂ方向
の第２の金属層８が配列形成されている。
定の巾及び深さをもつＣ−Ｃ方向の複数の溝３が一定の
間隔をおいて平行に配列形成されている。そして、各溝
３内に第１の金属層４が埋設されている。６は絶縁体層
であり、該絶縁体層は実質上平板状である。該絶縁体層
６上には一定の間隔をおいて複数の所定巾のＢ−Ｂ方向
の第２の金属層８が配列形成されている。
上記基板２、第１の金属層４、絶縁体層６及び第２の金
属層８は上記第１図の実施例に関し説明した材料からな
る。
属層８は上記第１図の実施例に関し説明した材料からな
る。
本実施例装置は上記第１図の実施例に関し説明したと同
様にして作成される。
様にして作成される。
尚、第２図においては図示されていないが、各第１の金
属層４と各第２の金属層８との間には第２の金属層側が
正となる様な電圧を適時印加するための手段が接続され
ている。従って、本実施例装置においては各第１の金属
層４と各第２の金属層８との重なりあう位置においてMI
M構造が形成されていることになり、いわゆるマトリッ
クス駆動により所望の位置のMIM構造を適宜駆動するこ
とができる。
属層４と各第２の金属層８との間には第２の金属層側が
正となる様な電圧を適時印加するための手段が接続され
ている。従って、本実施例装置においては各第１の金属
層４と各第２の金属層８との重なりあう位置においてMI
M構造が形成されていることになり、いわゆるマトリッ
クス駆動により所望の位置のMIM構造を適宜駆動するこ
とができる。
［発明の効果］ 以上の様な本発明によれば、MIM構造を構成する第１の
金属層が基体中に埋設されているために絶縁体層及び第
２の金属層がいづれも平坦となり、従って該絶縁体層及
び第２の金属層を所望の形状及び寸法に正確に形成する
ことができ、特性の均一性に優れた電子放出素子が提供
される。
金属層が基体中に埋設されているために絶縁体層及び第
２の金属層がいづれも平坦となり、従って該絶縁体層及
び第２の金属層を所望の形状及び寸法に正確に形成する
ことができ、特性の均一性に優れた電子放出素子が提供
される。
更に、本発明によれば、第２の金属層が直線状となるの
で長さを比較的短かくすることができ、従って該第２の
金属層の電気抵抗を比較的小さくすることができ発熱量
も少なくすることができる。
で長さを比較的短かくすることができ、従って該第２の
金属層の電気抵抗を比較的小さくすることができ発熱量
も少なくすることができる。
また、本発明素子は外表面が平坦であるので取扱時に他
の物体と接触しても損傷することが少ない。
の物体と接触しても損傷することが少ない。
第１図（ａ）は電子放出素子の斜視図であり、第１図
（ｂ）及び第１図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図及
びＣ−Ｃ断面図である。 第２図（ａ）は電子放出装置の部分平面図であり、第２
図（ｂ）及び第２図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図
及びＣ−Ｃ断面図である。 第３図は電子放出素子の斜視図である。 2:基板、3:溝 4,8:金属層、6:絶縁体層、 10:電圧印加手段。
（ｂ）及び第１図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図及
びＣ−Ｃ断面図である。 第２図（ａ）は電子放出装置の部分平面図であり、第２
図（ｂ）及び第２図（ｃ）はそれぞれそのＢ−Ｂ断面図
及びＣ−Ｃ断面図である。 第３図は電子放出素子の斜視図である。 2:基板、3:溝 4,8:金属層、6:絶縁体層、 10:電圧印加手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 彰 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 下田 勇 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 奥貫 昌彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特公 昭49−7383（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体上に第１の金属層が付されてお
り、該金属層上に絶縁体層が付されており、該絶縁体層
上に第２の金属層が付されており、上記第１の金属層と
第２の金属層との間に電圧を印加するための手段を有し
てなる電子放出素子おいて、第１の金属層が基体に形成
された凹部内に埋設されており、該第１の金属層上面及
び基体上面により形成される略平坦な面上に絶縁体層が
形成されていることを特徴とする、電子放出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14683786A JPH0797475B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 電子放出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14683786A JPH0797475B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 電子放出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380437A JPS6380437A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH0797475B2 true JPH0797475B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15416648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14683786A Expired - Lifetime JPH0797475B2 (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 電子放出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797475B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0367195A3 (en) * | 1988-10-31 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mim cold-cathode electron emission elements and methods of manufacture thereof |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14683786A patent/JPH0797475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6380437A (ja) | 1988-04-11 |
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