JPH0797587B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0797587B2 JPH0797587B2 JP62057284A JP5728487A JPH0797587B2 JP H0797587 B2 JPH0797587 B2 JP H0797587B2 JP 62057284 A JP62057284 A JP 62057284A JP 5728487 A JP5728487 A JP 5728487A JP H0797587 B2 JPH0797587 B2 JP H0797587B2
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- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に付着強度を
向上させためっき法による金属バンプの製造方法に関す
る。
向上させためっき法による金属バンプの製造方法に関す
る。
（従来の技術） 近年、半導体素子を搭載する各種電子機器の小型化、低
コスト化が要求されており、これに伴いコントロール用
・駆動用半導体素子の高密度化が必要とされている。
コスト化が要求されており、これに伴いコントロール用
・駆動用半導体素子の高密度化が必要とされている。
このような要求にともない、半導体素子の実装技術とし
ては、小型化、低コスト化の可能な種々のワイヤレスボ
ンディング法が注目されている。
ては、小型化、低コスト化の可能な種々のワイヤレスボ
ンディング法が注目されている。
例えばフィルムキャリア実装方式−TAB（Tape Automate
d Bonding）方式は、半導体素子の電極上に外部取出し
用突起電極、いわゆるバンプを形成しておき、これをテ
ープ上のフィンガーリードに接合する方式である。
d Bonding）方式は、半導体素子の電極上に外部取出し
用突起電極、いわゆるバンプを形成しておき、これをテ
ープ上のフィンガーリードに接合する方式である。
従来、このようなTAB方式の半導体装置は例えば次のよ
うにして製造されている。
うにして製造されている。
まず、半導体基板の表面にアルミニウム層を形成し、こ
のアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し、アルミニ
ウムからなる電極と酸化アルミニウムからなる絶縁部と
で構成された配線層を形成する。次いで、この配線層の
表面にリンケイ酸ガラスや窒化シリコン等からなる保護
膜を形成し、この保護膜に電極に通じるコンタクトホー
ルを穿設する。次いで、保護膜の表面および電極の露出
表面にクロム等からなる付着金属層を形成し、さらにそ
の上に銅等からなるバリヤメタル層を形成する。次に、
このバリヤメタル層の表面に感光性樹脂層を形成し、こ
の感光性樹脂層に電極に通じるコンタクトホールをフォ
トリソグラフィにより穿設する。そして、このコンタク
トホールよりバリヤメタル層に接続するAu等からなる金
属バンプをめっき法等により形成し、この後残余の感光
性樹脂層を溶解し、次いで金属バンプをマスクとして付
着金属層およびバリヤメタル層の不要な部分を除去して
完成する。
のアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し、アルミニ
ウムからなる電極と酸化アルミニウムからなる絶縁部と
で構成された配線層を形成する。次いで、この配線層の
表面にリンケイ酸ガラスや窒化シリコン等からなる保護
膜を形成し、この保護膜に電極に通じるコンタクトホー
ルを穿設する。次いで、保護膜の表面および電極の露出
表面にクロム等からなる付着金属層を形成し、さらにそ
の上に銅等からなるバリヤメタル層を形成する。次に、
このバリヤメタル層の表面に感光性樹脂層を形成し、こ
の感光性樹脂層に電極に通じるコンタクトホールをフォ
トリソグラフィにより穿設する。そして、このコンタク
トホールよりバリヤメタル層に接続するAu等からなる金
属バンプをめっき法等により形成し、この後残余の感光
性樹脂層を溶解し、次いで金属バンプをマスクとして付
着金属層およびバリヤメタル層の不要な部分を除去して
完成する。
そして、フィルムキャリア上のリード端子とこの半導体
装置の金属バンプとを一括して熱圧着により接合し、イ
ンナーリードボンディングが完成する。
装置の金属バンプとを一括して熱圧着により接合し、イ
ンナーリードボンディングが完成する。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこのような従来の方法により製造された半
導体装置は、フィルムキャリアに形成されたリード端子
と金属バンプとのボンディング後のリード引張試験にお
いて、半導体基板と金属バンプとの間で破壊が生じやす
いという問題があった。この破壊は主にアルミニウムか
らなる電極と付着金属層との間における剥離によって生
じており、またバリヤメタル層と金属バンプとの間にお
いても発生している。
導体装置は、フィルムキャリアに形成されたリード端子
と金属バンプとのボンディング後のリード引張試験にお
いて、半導体基板と金属バンプとの間で破壊が生じやす
いという問題があった。この破壊は主にアルミニウムか
らなる電極と付着金属層との間における剥離によって生
じており、またバリヤメタル層と金属バンプとの間にお
いても発生している。
このように従来の方法により製造した半導体装置は、半
導体基板と金属バンプとの間の剥離に対する強度が弱
く、これはインナーリードボンディング後の半導体装置
の信頼性を大幅に低下させる原因となっている。
導体基板と金属バンプとの間の剥離に対する強度が弱
く、これはインナーリードボンディング後の半導体装置
の信頼性を大幅に低下させる原因となっている。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
のボンディング後のリード引張り試験において、半導体
基板と金属バンプとの間で剥離を生じることなく、信頼
性を大幅に向上させた半導体装置を製造する方法を提供
することを目的とする。
ので、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
のボンディング後のリード引張り試験において、半導体
基板と金属バンプとの間で剥離を生じることなく、信頼
性を大幅に向上させた半導体装置を製造する方法を提供
することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の半導体装置の製造方法は、（イ）電極の形成さ
れた半導体基板上に保護膜を形成する工程と、（ロ）前
記電極上の保護膜に開口部を穿設する工程と、（ハ）こ
の開口部および前記保護膜上に導電層を形成する工程
と、（ニ）この導電層上に感光性樹脂層を形成する工程
と、（ホ）前記電極上の感光性樹脂層に開口部を穿設す
る工程と、（ヘ）この開口部にめっき法により金属バン
プを形成する工程と、（ト）残余の前記感光性樹脂層と
不要の前記導電層を除去する工程とを有する半導体装置
の製造方法において、 前記（ヘ）の工程のめっき法による金属バンプの形成開
始時にストライクめっきを施し、かつ少なくとも前記
（ハ）の導電層を形成する工程の後に、好ましくは前記
（ヘ）の工程により金属バンプを形成した後に熱処理を
施すことを特徴としている。
れた半導体基板上に保護膜を形成する工程と、（ロ）前
記電極上の保護膜に開口部を穿設する工程と、（ハ）こ
の開口部および前記保護膜上に導電層を形成する工程
と、（ニ）この導電層上に感光性樹脂層を形成する工程
と、（ホ）前記電極上の感光性樹脂層に開口部を穿設す
る工程と、（ヘ）この開口部にめっき法により金属バン
プを形成する工程と、（ト）残余の前記感光性樹脂層と
不要の前記導電層を除去する工程とを有する半導体装置
の製造方法において、 前記（ヘ）の工程のめっき法による金属バンプの形成開
始時にストライクめっきを施し、かつ少なくとも前記
（ハ）の導電層を形成する工程の後に、好ましくは前記
（ヘ）の工程により金属バンプを形成した後に熱処理を
施すことを特徴としている。
（作 用） 本発明の半導体装置の製造方法において、めっき法によ
り金属バンプを形成する工程の開始時にストライクめっ
きを施すことにより、導電層の最上層、例えばパラジウ
ム等のバリヤメタル層と金属バンプとの付着強度が向上
し、また少なくとも導電層を形成する工程の後に熱処理
を施すことによりアルミニウム等からなる電極と導電層
の最下層、例えばクロムやチタン等からなる付着金属層
との間の付着強度、および導電層間の付着強度が向上
し、よって半導体基板と金属バンプ間の特に剥離に対す
る強度が著しく向上する。
り金属バンプを形成する工程の開始時にストライクめっ
きを施すことにより、導電層の最上層、例えばパラジウ
ム等のバリヤメタル層と金属バンプとの付着強度が向上
し、また少なくとも導電層を形成する工程の後に熱処理
を施すことによりアルミニウム等からなる電極と導電層
の最下層、例えばクロムやチタン等からなる付着金属層
との間の付着強度、および導電層間の付着強度が向上
し、よって半導体基板と金属バンプ間の特に剥離に対す
る強度が著しく向上する。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
本発明の方法によりTAB実装方式用の半導体装置を製造
した例について説明する。
した例について説明する。
第１図（Ａ）に示すように、予め表面に図示を省略した
絶縁層が形成されている半導体基板１を使用して、この
半導体基板１の表面に厚さ約１μｍのアルミニウム層を
形成し、このアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し
てアルミニウムからなる電極2aと酸化アルミニウムから
なる絶縁部2bとで構成されている配線層２を形成する。
このとき電極2aと絶縁部2bとはほぼ同等の厚さとする。
次いで、この配線層２の表面にリンケイ酸ガラスや窒化
ケイ素等の保護膜３を例えばCVD法により厚さ約１μｍ
程度に形成する。
絶縁層が形成されている半導体基板１を使用して、この
半導体基板１の表面に厚さ約１μｍのアルミニウム層を
形成し、このアルミニウム層に選択的に陽極酸化を施し
てアルミニウムからなる電極2aと酸化アルミニウムから
なる絶縁部2bとで構成されている配線層２を形成する。
このとき電極2aと絶縁部2bとはほぼ同等の厚さとする。
次いで、この配線層２の表面にリンケイ酸ガラスや窒化
ケイ素等の保護膜３を例えばCVD法により厚さ約１μｍ
程度に形成する。
次に同図（Ｂ）に示すように、配線層２の電極2a上の保
護膜３に電極2aに通じる開口部を例えばフォトリソグラ
フィにより形成する。
護膜３に電極2aに通じる開口部を例えばフォトリソグラ
フィにより形成する。
次に同図（Ｃ）に示すように、保護膜３の表面および電
極2aの露出表面にクロムやチタン等からなる付着金属層
４を形成し、この付着金属層４の表面に銅、パラジウム
またはニッケル−パラジウム合金等からなるバリヤメタ
ル層５を形成する。この付着金属層４とバリヤメタル層
５の形成は、例えばスパッタ法により真空装置の真空を
破ることなく連続して行なう。なお、付着金属層４およ
びバリヤメタル層５は、後述する金バンプ７のめっき法
による形成時の導電層となるものであり、またアルミニ
ウムからなる電極2aと金バンプ７との接着力強化のため
のものであり、両層の合計の厚さは0.5〜１μｍの範囲
が好ましい。
極2aの露出表面にクロムやチタン等からなる付着金属層
４を形成し、この付着金属層４の表面に銅、パラジウム
またはニッケル−パラジウム合金等からなるバリヤメタ
ル層５を形成する。この付着金属層４とバリヤメタル層
５の形成は、例えばスパッタ法により真空装置の真空を
破ることなく連続して行なう。なお、付着金属層４およ
びバリヤメタル層５は、後述する金バンプ７のめっき法
による形成時の導電層となるものであり、またアルミニ
ウムからなる電極2aと金バンプ７との接着力強化のため
のものであり、両層の合計の厚さは0.5〜１μｍの範囲
が好ましい。
次に同図（Ｄ）に示すように、バリヤメタル層５の表面
に、金属バンプ形成時のめっき用マスクとなる感光性樹
脂層６を形成する。この実施例ではフィルムフォトレジ
ストを使用してバリヤメタル層５の表面に貼り合せた。
なお、この感光性樹脂層６の厚さは、25〜50μｍの厚さ
の範囲で所望の金属バンプの厚さと同等またはそれ以上
の厚さにすることが好ましく、これによりめっき時の面
積が一定となり、安定した金属バンプが得られる。
に、金属バンプ形成時のめっき用マスクとなる感光性樹
脂層６を形成する。この実施例ではフィルムフォトレジ
ストを使用してバリヤメタル層５の表面に貼り合せた。
なお、この感光性樹脂層６の厚さは、25〜50μｍの厚さ
の範囲で所望の金属バンプの厚さと同等またはそれ以上
の厚さにすることが好ましく、これによりめっき時の面
積が一定となり、安定した金属バンプが得られる。
次に、感光性樹脂膜６の電極2aの上方に対応する位置、
すなわち所望の金属バンプのパターンに応じたマスクを
用いて感光性樹脂膜６を露光する。そしてこの露光部分
を溶解除去して開口部を形成し、同図（Ｅ）に示す構造
を得る。
すなわち所望の金属バンプのパターンに応じたマスクを
用いて感光性樹脂膜６を露光する。そしてこの露光部分
を溶解除去して開口部を形成し、同図（Ｅ）に示す構造
を得る。
次に同図（Ｆ）に示すように、この感光性樹脂層６の開
口部を通じてバリヤメタル層５に接続するようにめっき
法により金バンプ７を感光性樹脂膜６の厚さ以下になる
ようにめっき条件を設定して形成する。このめっき工程
において、めっきの初期電流を通常のめっき電流の２〜
５倍の過電流にして数秒間通電することにより、密着性
のよい均一なごく薄いめっき面を形成する、いわゆるス
トライクめっきを施す。このストライクめっきの条件
は、電流密度を1.0〜2.0A/dm2の範囲内でその後の通常
条件のめっき時の電流密度より２〜５倍程度高く設定
し、その時間はめっき開始後より15秒以内が好ましい。
このストライクめっきの電流密度が1.0A/dm2未満である
とこのストライクめっきによる密着性向上の効果があま
り得られず、2.0A/dm2を超えるとめっき焼けの原因とな
ったり、得られる金バンプ７の形状が、例えば周辺部が
中央部より盛上ってしまうような異常な形状になりやす
い。また、ストライクめっきの時間が15秒を超えても同
様に金バンプの形状異常を生じやすい。そして、このス
トライクめっきを上記条件内で施した後、引続き電流密
度0.3〜1.0A/dm2の範囲で所望の厚さまでめっきを行な
い金バンプ７を完成させる。
口部を通じてバリヤメタル層５に接続するようにめっき
法により金バンプ７を感光性樹脂膜６の厚さ以下になる
ようにめっき条件を設定して形成する。このめっき工程
において、めっきの初期電流を通常のめっき電流の２〜
５倍の過電流にして数秒間通電することにより、密着性
のよい均一なごく薄いめっき面を形成する、いわゆるス
トライクめっきを施す。このストライクめっきの条件
は、電流密度を1.0〜2.0A/dm2の範囲内でその後の通常
条件のめっき時の電流密度より２〜５倍程度高く設定
し、その時間はめっき開始後より15秒以内が好ましい。
このストライクめっきの電流密度が1.0A/dm2未満である
とこのストライクめっきによる密着性向上の効果があま
り得られず、2.0A/dm2を超えるとめっき焼けの原因とな
ったり、得られる金バンプ７の形状が、例えば周辺部が
中央部より盛上ってしまうような異常な形状になりやす
い。また、ストライクめっきの時間が15秒を超えても同
様に金バンプの形状異常を生じやすい。そして、このス
トライクめっきを上記条件内で施した後、引続き電流密
度0.3〜1.0A/dm2の範囲で所望の厚さまでめっきを行な
い金バンプ７を完成させる。
次に、残余の感光性樹脂膜６を溶剤により除去した後、
金バンプ７をマスクとして付着金属層４とバリヤメタル
層５の不要な部分を、エッチングにより除去して同図
（Ｇ）に示すような構造を得る。
金バンプ７をマスクとして付着金属層４とバリヤメタル
層５の不要な部分を、エッチングにより除去して同図
（Ｇ）に示すような構造を得る。
この後、この金バンプ７の形成された半導体装置に熱処
理を施し、アルミニウムからなる電極2aとクロムやチタ
ン等からなる付着金属層４との付着強度を向上させて半
導体装置を完成させる。この熱処理の条件としては、不
活性ガス雰囲気中、例えばフォーミングガス中において
350℃〜500℃の温度の範囲で、15〜45分間程度行なうこ
とが好ましい。熱処理の温度が350℃未満であると熱処
理の効果が十分に得られず、500℃を超えると半導体基
板上の他の配線回路やアルミニウムからなる電極に悪影
響をおよぼす恐れがある。
理を施し、アルミニウムからなる電極2aとクロムやチタ
ン等からなる付着金属層４との付着強度を向上させて半
導体装置を完成させる。この熱処理の条件としては、不
活性ガス雰囲気中、例えばフォーミングガス中において
350℃〜500℃の温度の範囲で、15〜45分間程度行なうこ
とが好ましい。熱処理の温度が350℃未満であると熱処
理の効果が十分に得られず、500℃を超えると半導体基
板上の他の配線回路やアルミニウムからなる電極に悪影
響をおよぼす恐れがある。
このようにして得た半導体装置の金バンプの剥離強度テ
ストを行なったところ、その結果は第１表に示す通りで
あった。なお、表中の比較例は本発明との比較のために
掲げたもので、比較例１はストライクめっきおよび熱処
理を両方とも施さないで金バンプを形成したものであ
り、比較例２はストライクめっきのみ施したものであ
る。
ストを行なったところ、その結果は第１表に示す通りで
あった。なお、表中の比較例は本発明との比較のために
掲げたもので、比較例１はストライクめっきおよび熱処
理を両方とも施さないで金バンプを形成したものであ
り、比較例２はストライクめっきのみ施したものであ
る。
なお、表中の剥離強度は、各々100個ずつ試験を行ない
その平均値で示した。
その平均値で示した。
第１表からも明らかなように、この実施例により形成し
た半導体装置の金バンプは、比較例１の従来法により形
成した金バンプに比べて、約1.9〜2.6倍もの強度を有し
ており、またストライクめっきのみ施した比較例２の金
バンプでも比較例１に比べて約1.4倍の強度を有してい
た。
た半導体装置の金バンプは、比較例１の従来法により形
成した金バンプに比べて、約1.9〜2.6倍もの強度を有し
ており、またストライクめっきのみ施した比較例２の金
バンプでも比較例１に比べて約1.4倍の強度を有してい
た。
また、第２図はこの実施例の金バンプの硬度と熱処理温
度の関係を示したグラフであるが、同図からも明らかな
ように、本発明における熱処理は、金バンプの硬度をさ
げる効果も有している。このように金バンプの硬度がさ
がることによって、金バンプのインナーリードボンディ
ングの際の加圧力を従来の20〜30％減で十分ボンディン
グでき、これにより保護膜や半導体基板上に形成する絶
縁層、例えばSiO2層に発生するクラックも著しく減少し
た。
度の関係を示したグラフであるが、同図からも明らかな
ように、本発明における熱処理は、金バンプの硬度をさ
げる効果も有している。このように金バンプの硬度がさ
がることによって、金バンプのインナーリードボンディ
ングの際の加圧力を従来の20〜30％減で十分ボンディン
グでき、これにより保護膜や半導体基板上に形成する絶
縁層、例えばSiO2層に発生するクラックも著しく減少し
た。
そして、このようにして得た半導体装置を個々に切断し
た後、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
熱圧着により接合し、インナーリードボンディングを完
成させた後、リード引張試験を行なったところ、すべて
リード破断であり、半導体基板と金バンプ間での剥離は
生ぜず、きわめて信頼性に優れた半導体装置が得られ
た。
た後、フィルムキャリアに形成されているリード端子と
熱圧着により接合し、インナーリードボンディングを完
成させた後、リード引張試験を行なったところ、すべて
リード破断であり、半導体基板と金バンプ間での剥離は
生ぜず、きわめて信頼性に優れた半導体装置が得られ
た。
すなわちこの実施例によれば、金属バンプのめっきによ
る形成開始時にストライクめっきを施すことによって、
バリヤメタル層と金属バンプとの間の付着力が向上し、
かつ金属バンプ形成後に熱処理を施すことによって、ア
ルミニウムの電極と付着金属層との間の付着力が向上す
る。また、付着金属層とバリヤメタル層との間は、真空
装置内で連続的に形成しているので十分な強度を有して
おり、これらにより半導体基板と金属バンプ間の剥離に
対する強度が著しく向上した半導体装置が得られる。ま
た、金属バンプの形成後に熱処理を施すことにより、金
属バンプの硬度がさがり、ボンディング性にも優れたも
のが得られる。
る形成開始時にストライクめっきを施すことによって、
バリヤメタル層と金属バンプとの間の付着力が向上し、
かつ金属バンプ形成後に熱処理を施すことによって、ア
ルミニウムの電極と付着金属層との間の付着力が向上す
る。また、付着金属層とバリヤメタル層との間は、真空
装置内で連続的に形成しているので十分な強度を有して
おり、これらにより半導体基板と金属バンプ間の剥離に
対する強度が著しく向上した半導体装置が得られる。ま
た、金属バンプの形成後に熱処理を施すことにより、金
属バンプの硬度がさがり、ボンディング性にも優れたも
のが得られる。
なお、この実施例では熱処理を金属バンプ形成後に行な
ったが、電極と付着金属層との間の付着力強化という目
的だけであれば、金属バンプ形成前で導電層を形成した
後に行なっても十分にその効果が得られる。
ったが、電極と付着金属層との間の付着力強化という目
的だけであれば、金属バンプ形成前で導電層を形成した
後に行なっても十分にその効果が得られる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、金属バンプ形成のためのめっき工程の開始時にス
トライクめっきを施し、かつ少なくとも導電層を形成す
る工程の後に熱処理を施すことによって、半導体基板と
金属バンプ間の剥離に対する強度が著しく向上し、これ
によりインナーリードボンディング後において信頼性に
優れたものが得られる。
れば、金属バンプ形成のためのめっき工程の開始時にス
トライクめっきを施し、かつ少なくとも導電層を形成す
る工程の後に熱処理を施すことによって、半導体基板と
金属バンプ間の剥離に対する強度が著しく向上し、これ
によりインナーリードボンディング後において信頼性に
優れたものが得られる。
第１図は本発明の一実施例の工程を示す図、第２図は本
発明の実施例における熱処理温度と金バンプの硬度との
関係を示すグラフである。 １……半導体基板 ２……配線層 2a……電極 ３……保護膜層 ４……付着金属層 ５……バリヤメタル層 ６……感光性樹脂層 ７……金バンプ
発明の実施例における熱処理温度と金バンプの硬度との
関係を示すグラフである。 １……半導体基板 ２……配線層 2a……電極 ３……保護膜層 ４……付着金属層 ５……バリヤメタル層 ６……感光性樹脂層 ７……金バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 博隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜金属工場内 (56)参考文献 特開 昭59−67655（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−4636（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−27758（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】（イ）電極の形成された半導体基板上に保
護膜を形成する工程と、（ロ）前記電極上の保護膜に開
口部を穿設する工程と、（ハ）この開口部および前記保
護膜上に導電層を形成する工程と、（ニ）この導電層上
に感光性樹脂層を形成する工程と、（ホ）前記電極上の
感光性樹脂層に開口部を穿設する工程と、（ヘ）この開
口部にめっき法により金属バンプを形成する工程と、
（ト）残余の前記感光性樹脂層と不要の前記導電層を除
去する工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記（ヘ）の工程のめっき法による金属バンプの形成開
始時にストライクめっきを施し、かつ少なくとも前記
（ハ）の導電層を形成する工程の後に熱処理を施すこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記熱処理を前記（ヘ）の工程により金属
バンプを形成した後に施すことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記ストライクめっきの時間は、めっき開
始後15秒以内であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記ストライクめっき時の電流密度が1.0
〜2.0A/dm2の範囲であり、かつ前記ストライクめっき後
のめっき時の電流密度が0.3〜1.0A/dm2であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
１項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記熱処理は、不活性ガス雰囲気中におい
て350℃〜500℃の範囲の温度により施すことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057284A JPH0797587B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-03-12 JP JP62057284A patent/JPH0797587B2/ja not_active Expired - Fee Related
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