JPH0797653B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH0797653B2 JPH0797653B2 JP3280832A JP28083291A JPH0797653B2 JP H0797653 B2 JPH0797653 B2 JP H0797653B2 JP 3280832 A JP3280832 A JP 3280832A JP 28083291 A JP28083291 A JP 28083291A JP H0797653 B2 JPH0797653 B2 JP H0797653B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/18—Photovoltaic cells having only Schottky potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換素子に関し、特
に、その開放電圧を高め、変換効率を向上させるための
改良に関する。
に、その開放電圧を高め、変換効率を向上させるための
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子の特性向上には従来からも
種々の方面から様々な工夫がなされており、中でもその
開放電圧を高め、変換効率を向上させるための従来技術
としては、例えば、従来文献１：特開昭５７−１０３３
７１号公報，従来文献２： Appl. Phys. lett., Vol.5
4, No.15, 1989, pp.1460に開示されたものがある。前
者は、SiO2／Siヘテロ接合太陽電池の開放電圧及び曲線
因子の改善のため、SiO2の堆積方法自体についての工夫
である。一方、後者は、受光面に対向する基板主面（裏
面）側にポイントコンタクトと呼ばれる接合を形成する
ことにより、効率の向上を目指したものである。構造的
には、高抵抗ｎ型基板の裏面側に所定のピッチで点々と
接合形成用のＰ+ 領域を形成し、これら複数個のＰ+ 領
域を基板裏面上にあって一方向に並ぶもの同志、当該基
板裏面に形成した複数本のストライプ状正電極に接続す
る。また、これら複数本のストライプ状正電極の隣接す
るもの同志の間には、それぞれストライプ状の負電極を
形成し、この負電極と高抵抗ｎ型基板との間に良好なオ
ーミック接触を採るため、同様に基板裏面側には所定の
ピッチで点々とｎ+コンタクト領域を形成する。
種々の方面から様々な工夫がなされており、中でもその
開放電圧を高め、変換効率を向上させるための従来技術
としては、例えば、従来文献１：特開昭５７−１０３３
７１号公報，従来文献２： Appl. Phys. lett., Vol.5
4, No.15, 1989, pp.1460に開示されたものがある。前
者は、SiO2／Siヘテロ接合太陽電池の開放電圧及び曲線
因子の改善のため、SiO2の堆積方法自体についての工夫
である。一方、後者は、受光面に対向する基板主面（裏
面）側にポイントコンタクトと呼ばれる接合を形成する
ことにより、効率の向上を目指したものである。構造的
には、高抵抗ｎ型基板の裏面側に所定のピッチで点々と
接合形成用のＰ+ 領域を形成し、これら複数個のＰ+ 領
域を基板裏面上にあって一方向に並ぶもの同志、当該基
板裏面に形成した複数本のストライプ状正電極に接続す
る。また、これら複数本のストライプ状正電極の隣接す
るもの同志の間には、それぞれストライプ状の負電極を
形成し、この負電極と高抵抗ｎ型基板との間に良好なオ
ーミック接触を採るため、同様に基板裏面側には所定の
ピッチで点々とｎ+コンタクト領域を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記文献１に開示され
ている手法は、ヘテロ接合そのものの効率の改善に関す
るもので、開放電圧ないしは変換効率向上のため、素子
としての受光面側の形状とか配置関係等につき、興味を
示すものではない。これに対し、上記文献２は、一応、
構造的な工夫をなしてはいるが、現実的に提供される素
子の構造としてみると、基板の裏面側にのみ、正電極と
負電極とがあり、しかも、それらがそれぞれ複数本のス
トライプ状をなし、交互に並設している点に問題があ
る。例えば半田を厚く盛ったときとか、導電性のゴミ等
が付着すると、容易に短絡してしまう危険がある。ま
た、機能的に見ても、受光面側とは対向する基板裏面側
にのみ、電流収集接合が形成されているため、キャリア
拡散長が基板厚よりも十分に大きくなるような関係の材
料を用いなければ、効率は却って低下してしまう。本発
明は、このような従来の実情に鑑みてなされたもので、
受光面側に電流収集接合を設けてその平面形状を特定
し、かつ、半導体表面電界を制御することにより、正負
電極の短絡の恐れなく、開放電圧の向上を図り、キャリ
ア拡散長の短い材料でも妥当なる変換効率を実現せんと
するものである。
ている手法は、ヘテロ接合そのものの効率の改善に関す
るもので、開放電圧ないしは変換効率向上のため、素子
としての受光面側の形状とか配置関係等につき、興味を
示すものではない。これに対し、上記文献２は、一応、
構造的な工夫をなしてはいるが、現実的に提供される素
子の構造としてみると、基板の裏面側にのみ、正電極と
負電極とがあり、しかも、それらがそれぞれ複数本のス
トライプ状をなし、交互に並設している点に問題があ
る。例えば半田を厚く盛ったときとか、導電性のゴミ等
が付着すると、容易に短絡してしまう危険がある。ま
た、機能的に見ても、受光面側とは対向する基板裏面側
にのみ、電流収集接合が形成されているため、キャリア
拡散長が基板厚よりも十分に大きくなるような関係の材
料を用いなければ、効率は却って低下してしまう。本発
明は、このような従来の実情に鑑みてなされたもので、
受光面側に電流収集接合を設けてその平面形状を特定
し、かつ、半導体表面電界を制御することにより、正負
電極の短絡の恐れなく、開放電圧の向上を図り、キャリ
ア拡散長の短い材料でも妥当なる変換効率を実現せんと
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、まず、第一の導電型を持つ半導体（すなわ
ち、真性ではない半導体）であって、表裏両主面の中、
一方が受光面となっている第一領域に対し、当該第一領
域の受光面側主面の一部に第二領域を設ける。この第二
領域の物性自体は、この種の光電変換技術において第一
領域と相まって光電圧発生機構を形成し得るとして従来
から知られているものであって良く、一般には第一領域
との間で整流性の接合を形成する領域とすることができ
るが、特に本発明において限定するものではない。しか
し、これに代わる、本発明においての有意の限定事項と
して、当該第二領域の平面図形の短辺方向の寸法は、第
一領域の少数キャリア拡散長の二倍以下とする。その上
で、第一領域の受光面側主面の中、少なくとも第二領域
が設けられていない面積部分はバリア層で覆うように
し、さらに、第二領域に電気的に接続し、かつ、バリア
層の表面にも接することにより、光入射により第二領域
に生ずる電圧をバイアス電圧として、当該バリア層の下
の受光面に多数キャリアを誘起する方向の電界を印加す
るための透明導電膜を設ける。また、本発明のある態様
では、第二領域は、個々に独立で互いに離間した複数個
の領域群から構成することを提案する外、全体としては
繋がった領域ではあるが、少なくとも主面に直交する一
断面においては互いに離間した部分を複数個有するよう
に構成することも提案する。さらに、前者の場合におけ
る隣接する第二領域の周辺同志の距離、ないし後者の場
合における隣接する離間部分同志の距離は、 （２ＬｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 以下とすることを提案する。ここで、Ｌは第一領域の半
導体の少数キャリア拡散長、Ａ1 は第一領域の受光面側
主面であって第二領域により覆われていない実質的な受
光面の総面積、Ａ2 は第二領域の受光面総面積、Ｖ0 は
Ａ1 ＝０のときの開放電圧、ｎはそのときのダイオード
特性の電圧電流方程式におけるｎ値（いわゆるideality
factor)、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電
荷素量である。なお、上記における第二領域の短辺方向
寸法とは、当該第二領域が長辺と短辺で規定される矩形
の場合には文字通りその短辺寸法であるし、円の場合に
は直径となるが、一般的に任意図形にまで展開して言え
ば、後に図面を付して説明するように、当該第二領域平
面図形の輪郭から図形内部に向けて立てた二本の垂線群
にあって、その交点と輪郭までの各長さが等しい垂線対
の交点の軌跡の中、最も長い軌跡を描く当該二本の垂線
群の長さの和の平均値と定義できる。
するため、まず、第一の導電型を持つ半導体（すなわ
ち、真性ではない半導体）であって、表裏両主面の中、
一方が受光面となっている第一領域に対し、当該第一領
域の受光面側主面の一部に第二領域を設ける。この第二
領域の物性自体は、この種の光電変換技術において第一
領域と相まって光電圧発生機構を形成し得るとして従来
から知られているものであって良く、一般には第一領域
との間で整流性の接合を形成する領域とすることができ
るが、特に本発明において限定するものではない。しか
し、これに代わる、本発明においての有意の限定事項と
して、当該第二領域の平面図形の短辺方向の寸法は、第
一領域の少数キャリア拡散長の二倍以下とする。その上
で、第一領域の受光面側主面の中、少なくとも第二領域
が設けられていない面積部分はバリア層で覆うように
し、さらに、第二領域に電気的に接続し、かつ、バリア
層の表面にも接することにより、光入射により第二領域
に生ずる電圧をバイアス電圧として、当該バリア層の下
の受光面に多数キャリアを誘起する方向の電界を印加す
るための透明導電膜を設ける。また、本発明のある態様
では、第二領域は、個々に独立で互いに離間した複数個
の領域群から構成することを提案する外、全体としては
繋がった領域ではあるが、少なくとも主面に直交する一
断面においては互いに離間した部分を複数個有するよう
に構成することも提案する。さらに、前者の場合におけ
る隣接する第二領域の周辺同志の距離、ないし後者の場
合における隣接する離間部分同志の距離は、 （２ＬｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 以下とすることを提案する。ここで、Ｌは第一領域の半
導体の少数キャリア拡散長、Ａ1 は第一領域の受光面側
主面であって第二領域により覆われていない実質的な受
光面の総面積、Ａ2 は第二領域の受光面総面積、Ｖ0 は
Ａ1 ＝０のときの開放電圧、ｎはそのときのダイオード
特性の電圧電流方程式におけるｎ値（いわゆるideality
factor)、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電
荷素量である。なお、上記における第二領域の短辺方向
寸法とは、当該第二領域が長辺と短辺で規定される矩形
の場合には文字通りその短辺寸法であるし、円の場合に
は直径となるが、一般的に任意図形にまで展開して言え
ば、後に図面を付して説明するように、当該第二領域平
面図形の輪郭から図形内部に向けて立てた二本の垂線群
にあって、その交点と輪郭までの各長さが等しい垂線対
の交点の軌跡の中、最も長い軌跡を描く当該二本の垂線
群の長さの和の平均値と定義できる。
【０００５】
【実施例】図１(A) では断面図により、また、図１(B)
では平面図により、それぞれ、本発明に従って構成され
た光電変換素子の望ましい一実施例が示されている。そ
して図２には、こうした図１に示される光電変換素子を
作成する場合の一製造工程例が示されている。そこでま
ず、図２に即して説明を始める。図２(A) に示されてい
るように、本発明では主たる構造部材として、導電型を
持つ（すなわち真性ではない）半導体製の第一領域１０
を用意する。これは例えば、一般的なシリコンウエハや
III−Ｖ族半導体ウエハ、ないしはそれらのシートや薄
膜から得られるものであって良く、その導電型にも限定
はないが、ここではｐ型とする。また、この第一領域１
０の表裏両主面の中、素子としての完成を見た後には、
一方の主面が受光面となるが、図中では上方に示されて
いる主面を受光面１１とし、この受光面１１に対向する
他の主面は対向面１２と呼ぶ。
では平面図により、それぞれ、本発明に従って構成され
た光電変換素子の望ましい一実施例が示されている。そ
して図２には、こうした図１に示される光電変換素子を
作成する場合の一製造工程例が示されている。そこでま
ず、図２に即して説明を始める。図２(A) に示されてい
るように、本発明では主たる構造部材として、導電型を
持つ（すなわち真性ではない）半導体製の第一領域１０
を用意する。これは例えば、一般的なシリコンウエハや
III−Ｖ族半導体ウエハ、ないしはそれらのシートや薄
膜から得られるものであって良く、その導電型にも限定
はないが、ここではｐ型とする。また、この第一領域１
０の表裏両主面の中、素子としての完成を見た後には、
一方の主面が受光面となるが、図中では上方に示されて
いる主面を受光面１１とし、この受光面１１に対向する
他の主面は対向面１２と呼ぶ。
【０００６】受光面１１と対向面１２の上には、マスキ
ング層３１，６１を形成する。後に説明するように、こ
のマスキング層そのものがバリア層３０，６０を構成す
ることもできる。そのため、図２(A) 中には、当該符号
３１，６１の横に、括弧を付して符号３０，６０も併記
してある。この図２(A) に示される工程では、さらに、
対向面１２に形成したマスキング層６１に所定のパタン
に従い所定個数、所定形状の開口を開け、熱拡散、イオ
ン注入、プラズマドーピング、ＣＶＤ、エピタキシャル
成長等々、公知既存の適当なる手法により、少数キャリ
アを追い返して光電変換効率を改善し、また、後に形成
される第二電極５２との間で良好なオーミックコンタク
トを得るために、第一領域１０と同一導電型の高濃度不
純物領域７０を選択形成する。なお、上記のように、こ
の高濃度不純物領域７０は、第一領域に対する不純物導
入によって形成されても良いし、対向面１２に積層され
ても良い。
ング層３１，６１を形成する。後に説明するように、こ
のマスキング層そのものがバリア層３０，６０を構成す
ることもできる。そのため、図２(A) 中には、当該符号
３１，６１の横に、括弧を付して符号３０，６０も併記
してある。この図２(A) に示される工程では、さらに、
対向面１２に形成したマスキング層６１に所定のパタン
に従い所定個数、所定形状の開口を開け、熱拡散、イオ
ン注入、プラズマドーピング、ＣＶＤ、エピタキシャル
成長等々、公知既存の適当なる手法により、少数キャリ
アを追い返して光電変換効率を改善し、また、後に形成
される第二電極５２との間で良好なオーミックコンタク
トを得るために、第一領域１０と同一導電型の高濃度不
純物領域７０を選択形成する。なお、上記のように、こ
の高濃度不純物領域７０は、第一領域に対する不純物導
入によって形成されても良いし、対向面１２に積層され
ても良い。
【０００７】次に、図２(B) に示されているように、第
一領域１０の受光面１１の側に設けられているマスキン
グ層３１に所定のパタンに従って複数個所に所定形状の
開口を開け、熱拡散、イオン注入、プラズマドーピン
グ、ＣＶＤ、エピタキシャル成長等々、これも公知既存
の適当な手法により、第一領域１０と整流性の接合を形
成し得る第二領域を形成する。第一領域１０が上記のよ
うにｐ型半導体である場合には、第二領域２０として適
当かつ一般的なものはｎ型半導体である。もっとも、第
二領域２０は複数層の積層構造から構成されていても良
く、例えばｉ層とｎ層の積層構造となっていても良い
し、その場合にも、当該積層構造の作成自体については
公知技術を援用することができる。場合により、第一領
域１０にあって第二領域２０の形成される表面部分が積
層構造となっていても良い。いずれにしても、第二領域
２０は、第一領域１０と相まって公知の光電圧発生機構
を構成できれば良く、当該第一領域１０の導電型に応
じ、ホール注入可能なシリサイドや電子注入可能な金属
等も選ぶことができる。
一領域１０の受光面１１の側に設けられているマスキン
グ層３１に所定のパタンに従って複数個所に所定形状の
開口を開け、熱拡散、イオン注入、プラズマドーピン
グ、ＣＶＤ、エピタキシャル成長等々、これも公知既存
の適当な手法により、第一領域１０と整流性の接合を形
成し得る第二領域を形成する。第一領域１０が上記のよ
うにｐ型半導体である場合には、第二領域２０として適
当かつ一般的なものはｎ型半導体である。もっとも、第
二領域２０は複数層の積層構造から構成されていても良
く、例えばｉ層とｎ層の積層構造となっていても良い
し、その場合にも、当該積層構造の作成自体については
公知技術を援用することができる。場合により、第一領
域１０にあって第二領域２０の形成される表面部分が積
層構造となっていても良い。いずれにしても、第二領域
２０は、第一領域１０と相まって公知の光電圧発生機構
を構成できれば良く、当該第一領域１０の導電型に応
じ、ホール注入可能なシリサイドや電子注入可能な金属
等も選ぶことができる。
【０００８】次に、マスキング層３１，６１がバリア層
を兼用し得ない場合には、図２(B)の工程において用い
た当該マスキング層３１，６１を除去し、図２(C) に示
されているように、再度、受光面１１、対向面１２にバ
リア層３０，６０を形成した後、受光面側のバリア層３
０に第二領域２０を露呈させるためのコンタクト開口を
開け、第一領域１０の全面に透明導電膜４０を形成す
る。これにより透明導電膜４０は、バリア層３０の表面
に接するようになる。その一方で、対向面１２の側にあ
っても、図２(B) の工程において用いたマスキング層６
１がバリア層６０を兼用しない場合には、これを除去
し、新たにバリア層６０を形成してから、先に形成して
ある高濃度不純物領域７０の表面を露呈するようにコン
タクト開口を開ける。
を兼用し得ない場合には、図２(B)の工程において用い
た当該マスキング層３１，６１を除去し、図２(C) に示
されているように、再度、受光面１１、対向面１２にバ
リア層３０，６０を形成した後、受光面側のバリア層３
０に第二領域２０を露呈させるためのコンタクト開口を
開け、第一領域１０の全面に透明導電膜４０を形成す
る。これにより透明導電膜４０は、バリア層３０の表面
に接するようになる。その一方で、対向面１２の側にあ
っても、図２(B) の工程において用いたマスキング層６
１がバリア層６０を兼用しない場合には、これを除去
し、新たにバリア層６０を形成してから、先に形成して
ある高濃度不純物領域７０の表面を露呈するようにコン
タクト開口を開ける。
【０００９】その後、受光面側の透明導電膜４０上、及
び対向面側のバリア層６０上に、それぞれ第一、第二電
極５１，５２を形成すると、図１に示された本発明第一
実施例としての光電変換素子が完成する。ただし、透明
導電膜４０の上に形成される第一電極５１は、当然のこ
とではあるが、光の入射をできるだけ妨げないよう、細
幅ストライプ状等に形成され、対して対向面側の第二電
極５２は、いわゆるベタ形成と呼ばれるように、全面形
成であって良い。また、透明導電膜４０と第二領域２０
とがオーミック接触していない場合には（それらのオー
ミック接触は必須ではない）、第一電極５１は第二領域
２０に対して直接に接触するように形成すれば良い。
び対向面側のバリア層６０上に、それぞれ第一、第二電
極５１，５２を形成すると、図１に示された本発明第一
実施例としての光電変換素子が完成する。ただし、透明
導電膜４０の上に形成される第一電極５１は、当然のこ
とではあるが、光の入射をできるだけ妨げないよう、細
幅ストライプ状等に形成され、対して対向面側の第二電
極５２は、いわゆるベタ形成と呼ばれるように、全面形
成であって良い。また、透明導電膜４０と第二領域２０
とがオーミック接触していない場合には（それらのオー
ミック接触は必須ではない）、第一電極５１は第二領域
２０に対して直接に接触するように形成すれば良い。
【００１０】上記のような構造であると、受光面１１へ
の光の入射にともない、公知の光電圧発生機構により、
第二領域２０に電圧が発生した場合、これに電気的に接
触している透明導電膜４０はまた、バリア層３０の上面
にも接触している結果、バリア層３０の下に位置する受
光面１１の面積部分は電圧バイアスされる。そして、そ
の極性は、当該受光面１１の表面に第一領域１０にとっ
ての多数キャリアを誘起する方向となるので、反転層が
形成され難いようになる。そのため、上記のいわばセル
フバイアス効果により、変換効率ないし開放電圧ＶOCが
向上し、事実、本発明者の知見によれば、このようなセ
ルフバイアス構造を有さない従来の光電変換素子に比
し、最大で （ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2} まで、開放電圧ＶOCの向上が得られる。なお、上記の各
パラメータｎ，ｋ，Ｔ，ｑ，Ａ1 ，Ａ2 の定義は、すで
に述べた通りである。
の光の入射にともない、公知の光電圧発生機構により、
第二領域２０に電圧が発生した場合、これに電気的に接
触している透明導電膜４０はまた、バリア層３０の上面
にも接触している結果、バリア層３０の下に位置する受
光面１１の面積部分は電圧バイアスされる。そして、そ
の極性は、当該受光面１１の表面に第一領域１０にとっ
ての多数キャリアを誘起する方向となるので、反転層が
形成され難いようになる。そのため、上記のいわばセル
フバイアス効果により、変換効率ないし開放電圧ＶOCが
向上し、事実、本発明者の知見によれば、このようなセ
ルフバイアス構造を有さない従来の光電変換素子に比
し、最大で （ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2} まで、開放電圧ＶOCの向上が得られる。なお、上記の各
パラメータｎ，ｋ，Ｔ，ｑ，Ａ1 ，Ａ2 の定義は、すで
に述べた通りである。
【００１１】ただし、上記の効果が得られるためには、
少なくとも第二領域２０の平面図形における短辺方向寸
法は第一領域１０の少数キャリア拡散長Ｌの二倍以下で
なければならない。さらに、図１(B) に示されているよ
うに、複数個の第二領域２０がある場合においても、こ
うした開放電圧向上効果を損なわないためには、隣接す
る第二領域２０，２０間の周辺同志の距離ＬS(もちろ
ん、最も短い所で) は、少数キャリアの拡散長Ｌの （２ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 倍以下となっている必要がある。なお、パラメータＶ0
もまた、すでに定義の通りである。
少なくとも第二領域２０の平面図形における短辺方向寸
法は第一領域１０の少数キャリア拡散長Ｌの二倍以下で
なければならない。さらに、図１(B) に示されているよ
うに、複数個の第二領域２０がある場合においても、こ
うした開放電圧向上効果を損なわないためには、隣接す
る第二領域２０，２０間の周辺同志の距離ＬS(もちろ
ん、最も短い所で) は、少数キャリアの拡散長Ｌの （２ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 倍以下となっている必要がある。なお、パラメータＶ0
もまた、すでに定義の通りである。
【００１２】第二領域２０は、図１(B) に示される実施
例の場合、互いには独立な複数個の領域の集合として構
成されており、それぞれは正方形格子パタンの各交点上
に円形の平面図形を有するものとして形成されている
が、さらに仮想線で示されているように、例えば各格子
の升目の中央部分にもさらに一つづつ、第二領域２０’
が設けられていても良く、当然、この場合には、上記に
おける周辺同志の最短距離は、図１(B) 中では記号Ｌ
S ’により示される距離となる。
例の場合、互いには独立な複数個の領域の集合として構
成されており、それぞれは正方形格子パタンの各交点上
に円形の平面図形を有するものとして形成されている
が、さらに仮想線で示されているように、例えば各格子
の升目の中央部分にもさらに一つづつ、第二領域２０’
が設けられていても良く、当然、この場合には、上記に
おける周辺同志の最短距離は、図１(B) 中では記号Ｌ
S ’により示される距離となる。
【００１３】しかし、本発明にて用いられる第二領域２
０は、少なくとも主面に直交する一断面においては複数
個と数えられるような平面図形を持っていても良い。例
えばこれは、図５(A) に例示できる。すなわち、図５
(A) 中、断面線Ａ−Ａで示されるように、主面に直交す
る規定の断面を取ったときに複数個に数えられるような
平面図形に第二領域２０が形成されていても良く、この
場合には、当該個々に複数個と数えられる部分において
上記短辺方向寸法ＷS を定義し、かつ、隣接する部分同
志の間の離間距離ＬS を定義することができる。
０は、少なくとも主面に直交する一断面においては複数
個と数えられるような平面図形を持っていても良い。例
えばこれは、図５(A) に例示できる。すなわち、図５
(A) 中、断面線Ａ−Ａで示されるように、主面に直交す
る規定の断面を取ったときに複数個に数えられるような
平面図形に第二領域２０が形成されていても良く、この
場合には、当該個々に複数個と数えられる部分において
上記短辺方向寸法ＷS を定義し、かつ、隣接する部分同
志の間の離間距離ＬS を定義することができる。
【００１４】また、第二領域が複数個から構成される場
合の個々の閉じた平面図形、または個々に複数個に数え
られる部分においての大略的な平面形状が矩形の場合に
は、上記短辺方向寸法ＷS とは文字通りその短辺寸法と
なるし（正方形の場合にはその一辺の寸法）、円形の場
合はその直径となる（図１(B) 中において一つの第二領
域２０に対し寸法ＷS を併示する）。しかし、こうした
短辺方向寸法とは、さらに一般平面図形に展開した場合
にも定義できる。つまり、図５(B) に示されているよう
に、任意図形による第二領域２０にあって、当該第二領
域平面図形の輪郭から図形内部に向けて立てた二本の垂
線群の中で、その交点と輪郭までの各長さが等しい二本
の垂線（ＨS1，ＨS1），（ＨS2，ＨS2），・・・・・・・・・
（ＨSm，ＨSm）の交点の軌跡（それも最も長い軌跡）Ｔ
S を描く当該二本の垂線群の長さの和の平均値を本発明
で言う短辺方向寸法ＷS と定義することができ、サンプ
ル数ｍを十分に大きな数として、 ＷS ＝２（ＨS1＋ＨS2＋ ・・・・・・・・＋ＨSm）／ｍ により求めることができる。なお、こうした図５に即し
ての説明は、後に述べる図４に即しての本発明の他の実
施例に対しても適用できる議論である。
合の個々の閉じた平面図形、または個々に複数個に数え
られる部分においての大略的な平面形状が矩形の場合に
は、上記短辺方向寸法ＷS とは文字通りその短辺寸法と
なるし（正方形の場合にはその一辺の寸法）、円形の場
合はその直径となる（図１(B) 中において一つの第二領
域２０に対し寸法ＷS を併示する）。しかし、こうした
短辺方向寸法とは、さらに一般平面図形に展開した場合
にも定義できる。つまり、図５(B) に示されているよう
に、任意図形による第二領域２０にあって、当該第二領
域平面図形の輪郭から図形内部に向けて立てた二本の垂
線群の中で、その交点と輪郭までの各長さが等しい二本
の垂線（ＨS1，ＨS1），（ＨS2，ＨS2），・・・・・・・・・
（ＨSm，ＨSm）の交点の軌跡（それも最も長い軌跡）Ｔ
S を描く当該二本の垂線群の長さの和の平均値を本発明
で言う短辺方向寸法ＷS と定義することができ、サンプ
ル数ｍを十分に大きな数として、 ＷS ＝２（ＨS1＋ＨS2＋ ・・・・・・・・＋ＨSm）／ｍ により求めることができる。なお、こうした図５に即し
ての説明は、後に述べる図４に即しての本発明の他の実
施例に対しても適用できる議論である。
【００１５】次に、バリア層３０につき鑑みるに、光の
入射時にこれを介して透明導電膜側から第一領域に対
し、多量の電流が流れたのでは（すなわち、低抵抗性で
あった場合には）、上記したセルフバイアス効果はもち
ろん得られない。したがって、バリア層３０は原理的に
は絶縁物であることが最も望ましいが、実質的には高抵
抗層とか、第一領域１０または透明導電膜４０に対し、
十分な大きさの電位障壁を形成し得る広ギャップ半導体
層であれば良い。むしろ、その方が、製造上は便利なこ
ともある。要は、それに電流が流れることがあったにし
ても、光発生する光電流密度に対し、無視可能な程度の
電流しか流れないような材料層であれば、本発明におけ
るバリア層３０として使用することができる。
入射時にこれを介して透明導電膜側から第一領域に対
し、多量の電流が流れたのでは（すなわち、低抵抗性で
あった場合には）、上記したセルフバイアス効果はもち
ろん得られない。したがって、バリア層３０は原理的に
は絶縁物であることが最も望ましいが、実質的には高抵
抗層とか、第一領域１０または透明導電膜４０に対し、
十分な大きさの電位障壁を形成し得る広ギャップ半導体
層であれば良い。むしろ、その方が、製造上は便利なこ
ともある。要は、それに電流が流れることがあったにし
ても、光発生する光電流密度に対し、無視可能な程度の
電流しか流れないような材料層であれば、本発明におけ
るバリア層３０として使用することができる。
【００１６】ちなみに、限定的ではないが、バリア層３
０に広ギャップ半導体を用い、第一領域１０にｐ型半導
体を用いた場合のバンドプロフィールの一例を図３に示
す。同図にあって符号ＣＢは各領域の伝導帯であり、符
号ＶＢは価電子帯であるが、光入射のない図３(A) の状
態から、第一領域１０に光が入射し、第二領域２０を介
して透明導電膜４０に電位が発生すると、図３(B) に示
されるように、バリア層３０の存在による大きな電位障
壁を介し、バイアス効果によるバンドの曲がりが生じ
て、第一領域１０の受光面１１には多数キャリアである
ホールが誘起される状態となる。
０に広ギャップ半導体を用い、第一領域１０にｐ型半導
体を用いた場合のバンドプロフィールの一例を図３に示
す。同図にあって符号ＣＢは各領域の伝導帯であり、符
号ＶＢは価電子帯であるが、光入射のない図３(A) の状
態から、第一領域１０に光が入射し、第二領域２０を介
して透明導電膜４０に電位が発生すると、図３(B) に示
されるように、バリア層３０の存在による大きな電位障
壁を介し、バイアス効果によるバンドの曲がりが生じ
て、第一領域１０の受光面１１には多数キャリアである
ホールが誘起される状態となる。
【００１７】図４は、本発明に従って作成し得る光電変
換素子の他の構造ないしは製造工程例を示している。ま
ず、図４(A) に示されているように、例えばｐ型半導体
であって良い第一領域１０の受光面１１の上には、この
段階で直接にバリア層３０を形成し、一方、対向面１２
には、例えばヘテロ接合形成領域７１を形成する。次い
で、図４(B) に示されているように、バリア層３０に所
定のパタンに従い所定形状の開口を開け、各開口を充填
するかのように、すでに述べた実施例におけると全く同
様に、第一領域１０と相まって光電圧発生機構を形成し
得る材料の第二領域２０を形成する。その後、図４(C)
に示されているように、第二領域２０とバリア層３０の
上に一連に透明導電膜４０を形成し、さらにこの透明導
電膜４０の上に第一電極５１を形成すると共に、対向面
１２の側にあっても、ヘテロ接合形成領域７１の上に第
二電極５２を形成し、素子として完成させる。
換素子の他の構造ないしは製造工程例を示している。ま
ず、図４(A) に示されているように、例えばｐ型半導体
であって良い第一領域１０の受光面１１の上には、この
段階で直接にバリア層３０を形成し、一方、対向面１２
には、例えばヘテロ接合形成領域７１を形成する。次い
で、図４(B) に示されているように、バリア層３０に所
定のパタンに従い所定形状の開口を開け、各開口を充填
するかのように、すでに述べた実施例におけると全く同
様に、第一領域１０と相まって光電圧発生機構を形成し
得る材料の第二領域２０を形成する。その後、図４(C)
に示されているように、第二領域２０とバリア層３０の
上に一連に透明導電膜４０を形成し、さらにこの透明導
電膜４０の上に第一電極５１を形成すると共に、対向面
１２の側にあっても、ヘテロ接合形成領域７１の上に第
二電極５２を形成し、素子として完成させる。
【００１８】もちろん、この実施例においても、既述の
第一実施例に関して述べた、本発明にとっての必要条件
は満たされねばならない。第二領域２０の平面図形の短
辺方向寸法は第一領域１０の少数キャリア拡散長Ｌの二
倍以下でなければならず、第二領域２０が図示のように
複数個設けられるか、少なくとも主面に直交する一断面
においては複数個と数えられる部分を有する場合には、
隣接するもの同志の離間距離は、少数キャリアの拡散長
Ｌの （２ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 倍以下となっていなければならない。換言すれば、この
条件が満たされている限り、図４に示される構造の実施
例においても、本発明による効果は第一実施例と同様に
享受でき、開放電圧、変換効率の各向上効果を得ること
ができる。
第一実施例に関して述べた、本発明にとっての必要条件
は満たされねばならない。第二領域２０の平面図形の短
辺方向寸法は第一領域１０の少数キャリア拡散長Ｌの二
倍以下でなければならず、第二領域２０が図示のように
複数個設けられるか、少なくとも主面に直交する一断面
においては複数個と数えられる部分を有する場合には、
隣接するもの同志の離間距離は、少数キャリアの拡散長
Ｌの （２ｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 倍以下となっていなければならない。換言すれば、この
条件が満たされている限り、図４に示される構造の実施
例においても、本発明による効果は第一実施例と同様に
享受でき、開放電圧、変換効率の各向上効果を得ること
ができる。
【００１９】なお、この図４に示される実施例の場合、
第一実施例における高濃度不純物領域７０に代えて、対
向面１２の全面に第一領域１０との間でヘテロ接合を形
成し得る領域７１が設けられているが、これは少数キャ
リアの追い返し機能を営み、やはり変換効率の向上に繋
がる。しかし、当該ヘテロ接合形成領域７０は、対向領
域１２の全面にではなく、部分的に設けられたものであ
っても良く、したがってまた、第一の実施例において
も、高濃度不純物領域７０に代え、図１，２中に括弧書
きの符号７１で示しているように、このヘテロ接合形成
領域７１が備えられていても良い。当然、この逆の議論
として、図４に示されている実施例でも、同様に括弧書
きの符号７０で示すように、ヘテロ接合形成領域７１に
代え、対向領域１２の全面に、ないしはその上の部分的
な領域に、高濃度不純物領域７０が備えられていても良
い。
第一実施例における高濃度不純物領域７０に代えて、対
向面１２の全面に第一領域１０との間でヘテロ接合を形
成し得る領域７１が設けられているが、これは少数キャ
リアの追い返し機能を営み、やはり変換効率の向上に繋
がる。しかし、当該ヘテロ接合形成領域７０は、対向領
域１２の全面にではなく、部分的に設けられたものであ
っても良く、したがってまた、第一の実施例において
も、高濃度不純物領域７０に代え、図１，２中に括弧書
きの符号７１で示しているように、このヘテロ接合形成
領域７１が備えられていても良い。当然、この逆の議論
として、図４に示されている実施例でも、同様に括弧書
きの符号７０で示すように、ヘテロ接合形成領域７１に
代え、対向領域１２の全面に、ないしはその上の部分的
な領域に、高濃度不純物領域７０が備えられていても良
い。
【００２０】ところで、上記したいずれの実施例の場合
にも、先に述べた第一領域１０と同様、やはり限定的で
はないが、バリア層３０，６０としては、第一領域１０
がシリコンの場合には、酸化シリコン、窒化シリコン、
SIPOS、ガリウム燐等を用いることができ、 III−Ｖ族半
導体、特にガリウム砒素の場合には、ガリウムアルミニ
ウム砒素等を選択することができる。そして、これらの
材料の中、酸化シリコン、窒化シリコン、SIPOS 等は、
図２(A) 及び(B) において採用されていたマスキング層
３０，６０として、そのまま利用することができる。ま
た、領域２０，７０（７１）がイオン注入により形成さ
れた領域であるか、あるいは非酸化雰囲気での薄膜堆積
により形成された領域である場合には、ガリウム、燐、
ガリウムアルミニウム砒素等もまた、マスキング層３
０，６０として利用することができる。
にも、先に述べた第一領域１０と同様、やはり限定的で
はないが、バリア層３０，６０としては、第一領域１０
がシリコンの場合には、酸化シリコン、窒化シリコン、
SIPOS、ガリウム燐等を用いることができ、 III−Ｖ族半
導体、特にガリウム砒素の場合には、ガリウムアルミニ
ウム砒素等を選択することができる。そして、これらの
材料の中、酸化シリコン、窒化シリコン、SIPOS 等は、
図２(A) 及び(B) において採用されていたマスキング層
３０，６０として、そのまま利用することができる。ま
た、領域２０，７０（７１）がイオン注入により形成さ
れた領域であるか、あるいは非酸化雰囲気での薄膜堆積
により形成された領域である場合には、ガリウム、燐、
ガリウムアルミニウム砒素等もまた、マスキング層３
０，６０として利用することができる。
【００２１】さらに、上記のヘテロ接合形成領域７１と
しては、公知既存の中から相当程度に任意の組合せを採
用することができるが、例えば第一領域１０がｐ型シリ
コンの場合には、当該領域７１として、ｐ型の水素化ア
モルファスシリコン、水素化マイクロクリスタルシリコ
ン、アモルファス炭化シリコン、ｐ型ガリウム燐等を選
択することができる。
しては、公知既存の中から相当程度に任意の組合せを採
用することができるが、例えば第一領域１０がｐ型シリ
コンの場合には、当該領域７１として、ｐ型の水素化ア
モルファスシリコン、水素化マイクロクリスタルシリコ
ン、アモルファス炭化シリコン、ｐ型ガリウム燐等を選
択することができる。
【００２２】第二領域２０についても、先に述べた通
り、本発明が直接にその材質ないしは物性を規定するも
のではないが、例えば第一領域１０がｐ型シリコンの場
合、やはりこれにも、ｎ型ないしｉ型の水素化アモルフ
ァスシリコンを選択することができる。
り、本発明が直接にその材質ないしは物性を規定するも
のではないが、例えば第一領域１０がｐ型シリコンの場
合、やはりこれにも、ｎ型ないしｉ型の水素化アモルフ
ァスシリコンを選択することができる。
【００２３】透明導電膜４０も、原理的に本発明の適用
の対象外となるものはないが、例えば酸化インジウム
錫、酸化錫、酸化亜鉛等であって良く、第一領域１０の
材質との兼ね合いもあるものの、その材質によっては、
第二領域２０の機能をも併せ持つことができる。すなわ
ち、透明導電膜４０の一部が第二領域２０を構成してい
ても良い。透明導電膜４０と第二領域２０とが別途に形
成される場合には、それらの間に良好な電気的接続状態
が得られる限り、例えば図１(A) の左手の部分に一個
所、仮想線で分断した領域２１に示されているように、
別途な第三の領域２１を介して第二領域２０と透明導電
膜４０とが電気的に接続していても良い。
の対象外となるものはないが、例えば酸化インジウム
錫、酸化錫、酸化亜鉛等であって良く、第一領域１０の
材質との兼ね合いもあるものの、その材質によっては、
第二領域２０の機能をも併せ持つことができる。すなわ
ち、透明導電膜４０の一部が第二領域２０を構成してい
ても良い。透明導電膜４０と第二領域２０とが別途に形
成される場合には、それらの間に良好な電気的接続状態
が得られる限り、例えば図１(A) の左手の部分に一個
所、仮想線で分断した領域２１に示されているように、
別途な第三の領域２１を介して第二領域２０と透明導電
膜４０とが電気的に接続していても良い。
【００２４】なお、透明導電膜４０が、いわゆるテクス
チャ構造を有している場合には、光の反射防止機能を営
むので、より望ましい。さらに、図示していないが、対
向面１２の側には、他の電気的な機能を営む素子を作り
込むこともできる。
チャ構造を有している場合には、光の反射防止機能を営
むので、より望ましい。さらに、図示していないが、対
向面１２の側には、他の電気的な機能を営む素子を作り
込むこともできる。
【００２５】また、第一領域１０の受光面側にあって第
二領域２０が設けられていない表面部分には、第一領域
の導電型と同じ導電型の不純物原子を縮退濃度以下に添
加して、さらに望ましくは良好にパッシベィションする
と、本発明の基本的な効果と相乗して、短波長感度も向
上し、光電変換素子としての総体的な変換効率はより一
層、向上する。
二領域２０が設けられていない表面部分には、第一領域
の導電型と同じ導電型の不純物原子を縮退濃度以下に添
加して、さらに望ましくは良好にパッシベィションする
と、本発明の基本的な効果と相乗して、短波長感度も向
上し、光電変換素子としての総体的な変換効率はより一
層、向上する。
【００２６】
【発明の効果】本発明によると、その短辺方向寸法が第
一領域の少数キャリア拡散長の二倍以下という条件の下
で第二領域を設けた上で、第二領域に発生する電圧を透
明導電膜を介し、当該第一領域の受光面に対するバイア
ス電圧として利用することができるため、他の外部電源
を必要とすることなく、いわばセルフバイアスにより、
当該受光面の電気的な安定化を図ることができ、結局は
光電変換素子としての開放電圧の向上、変換効率の向上
を得ることができる。
一領域の少数キャリア拡散長の二倍以下という条件の下
で第二領域を設けた上で、第二領域に発生する電圧を透
明導電膜を介し、当該第一領域の受光面に対するバイア
ス電圧として利用することができるため、他の外部電源
を必要とすることなく、いわばセルフバイアスにより、
当該受光面の電気的な安定化を図ることができ、結局は
光電変換素子としての開放電圧の向上、変換効率の向上
を得ることができる。
【図１】本発明に従って構成された第一の実施例素子の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】図１に示される実施例素子を得るための製造工
程例の説明図である。
程例の説明図である。
【図３】本発明光電変換素子に認められるバンドプロフ
ィールの一例による説明図である。
ィールの一例による説明図である。
【図４】本発明に従って構成される第二の実施例素子を
得るための製造工程例の説明図である。
得るための製造工程例の説明図である。
【図５】本発明に従って構成される各実施例素子におい
て、採用し得る第二領域の平面図形例に関しての説明図
である。
て、採用し得る第二領域の平面図形例に関しての説明図
である。
１０ 第一領域， １１ 受光面， １２ 対向面， ２０ 第二領域， ３０ バリア層， ３１ マスキング層， ４０ 透明導電膜， ５１ 第一電極， ５２ 第二電極， ６０ バリア層， ６１ マスキング層， ７０ 高濃度不純物領域， ７１ ヘテロ接合形成領域．
Claims (8)
- 【請求項１】 第一の導電型を持つ半導体であって、表
裏両主面の中、一方が受光面となっている第一領域と； 該第一領域の上記受光面側に設けられ、該第一領域と相
まって光電圧発生機構を構成すると共に、その平面図形
の短辺方向寸法が該第一領域の少数キャリア拡散長の二
倍以下である第二領域と； 上記第一領域の上記受光面の中、少なくとも上記第二領
域が設けられていない面積部分を覆うバリア層と；該第二領域に電気的に接続し、かつ、上記バリア層の表
面にも接することにより、 光入射により上記第二領域に
生ずる電圧に基づき、上記バリア層の下の上記受光面に
対し、上記第一領域を構成する上記半導体にとっての多
数キャリアを誘起する方向のバイアス電圧を与える透明
導電膜と； を有して成る光電変換素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の光電変換素子であって；
上記第二領域は、互いに離間して複数個設けられるか、
少なくとも主面に直交する一断面においては互いに離間
した複数の部分を有するように構成され；該隣接する複
数個の第二領域の周辺同志の距離、または該隣接する複
数の部分同志の距離は、 Ｌを上記第一領域を構成する上記半導体の少数キャリア
拡散長， Ａ1 を上記第一領域の受光面側主面であって上記第二領
域により覆われていない実質的な受光面の総面積， Ａ2 を上記第二領域の受光面総面積， Ｖ0 を上記Ａ1 が０のときの開放電圧， ｎをそのときのダイオード特性の電圧電流方程式におけ
るｎ値， ｋをボルツマン定数、 Ｔを絶対温度， ｑを電荷素量， として、 （２ＬｎｋＴ／ｑ）・ｌｎ{(Ａ1 ＋Ａ2)／Ａ2}／Ｖ0 以下となっていること；を特徴とする光電変換素子。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光電変換素子で
あって；上記透明導電膜の一部が上記第二領域となって
いること；を特徴とする光電変換素子。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の光電変換素子で
あって；上記透明導電膜と上記第二領域との間には、そ
れらを上記電気的に接続する第三の領域が設けられてい
ること；を特徴とする光電変換素子。 - 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の光電変
換素子であって；上記透明導電膜に電気的に接続する第
一電極に対し、上記第一領域の上記受光面に対向する対
向主面側には第二電極が設けられ；該第二電極と該対向
主面とは該対向主面に設けられた高濃度不純物領域を介
して電気的に接続していること；を特徴とする光電変換
素子。 - 【請求項６】 請求項５記載の光電変換素子であって；
上記第一領域の上記対向主面と上記第二電極との間に
は、上記高濃度不純物領域と該第二電極とが互いに接し
ている部分を除き、第二のバリア層が介在しているこ
と；を特徴とする光電変換素子。 - 【請求項７】 請求項１，２，３または４記載の光電変
換素子であって；上記透明導電膜に電気的に接続する第
一電極に対し、上記第一領域の上記受光面に対向する対
向主面側には第二電極が設けられ；該第二電極と上記第
一領域との間には、該第一領域とヘテロ接合を形成する
ことにより、少数キャリアを追い返すためのヘテロ接合
形成領域が設けられていること；を特徴とする光電変換
素子。 - 【請求項８】 請求項１，２，３，４，５，６または７
記載の光電変換素子であって；上記第一領域の上記受光
面側主面において、上記第二領域が設けられていない表
面部分には、第一の導電型の不純物原子を縮退濃度以下
に添加したこと；を特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280832A JPH0797653B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 光電変換素子 |
| US07/940,395 US5290367A (en) | 1991-10-01 | 1992-09-03 | Photoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280832A JPH0797653B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595125A JPH0595125A (ja) | 1993-04-16 |
| JPH0797653B2 true JPH0797653B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17630609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280832A Expired - Lifetime JPH0797653B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 光電変換素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5290367A (ja) |
| JP (1) | JPH0797653B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3310326B2 (ja) * | 1992-04-16 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法 |
| US6180869B1 (en) * | 1997-05-06 | 2001-01-30 | Ebara Solar, Inc. | Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices |
| US5831322A (en) * | 1997-06-25 | 1998-11-03 | Advanced Photonix, Inc. | Active large area avalanche photodiode array |
| US5757057A (en) * | 1997-06-25 | 1998-05-26 | Advanced Photonix, Inc. | Large area avalanche photodiode array |
| DE19729522C2 (de) * | 1997-07-10 | 2001-11-08 | Dirk Koenig | Anordnung zum Aufbau einer Solarzelle für polykristalline oder amorphe Halbleiter |
| JP3300812B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2002-07-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光電変換素子 |
| US10258340B2 (en) * | 2001-11-09 | 2019-04-16 | DePuy Synthes Products, Inc. | Reloadable sheath for catheter system for deploying vasoocclusive devices |
| DE102005061820B4 (de) * | 2005-12-23 | 2014-09-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
| US7977258B2 (en) * | 2007-04-06 | 2011-07-12 | Mattson Technology, Inc. | Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects |
| EP2319087A1 (en) | 2008-06-11 | 2011-05-11 | Solar Implant Technologies Inc. | Solar cell fabrication with faceting and ion implantation |
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