JPH0799277A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0799277A JPH0799277A JP5240898A JP24089893A JPH0799277A JP H0799277 A JPH0799277 A JP H0799277A JP 5240898 A JP5240898 A JP 5240898A JP 24089893 A JP24089893 A JP 24089893A JP H0799277 A JPH0799277 A JP H0799277A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07553—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in shapes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 従来２端子であったものを、４端子構造と
し、且つ、同一対角線上の一対は同一極性とする。 【効果】 様々な基板のパターン引き回しに対応可能と
なると共に、方向認識作業も簡略化できる。
し、且つ、同一対角線上の一対は同一極性とする。 【効果】 様々な基板のパターン引き回しに対応可能と
なると共に、方向認識作業も簡略化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードレスタイプの面
実装対応の半導体装置の改良に関するものである。
実装対応の半導体装置の改良に関するものである。
【０００２】以下、半導体素子として受光素子または発
光素子を用いて構成した光半導体装置を例にとり説明を
進めるが、本発明は、これに限定されるものではない。
光素子を用いて構成した光半導体装置を例にとり説明を
進めるが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０００３】
【従来の技術】従来の光半導体装置の構成を、図５及び
図６を参照して説明する。
図６を参照して説明する。
【０００４】図５は、透光性樹脂によるレンズ部形成前
の状態を示す図、図６は、トランスファーモールドによ
るレンズ部形成後の状態を示す図である。
の状態を示す図、図６は、トランスファーモールドによ
るレンズ部形成後の状態を示す図である。
【０００５】本従来例の光半導体装置は、略正方形状の
素子搭載用絶縁性樹脂基板５１と、該基板５１の表面側
に搭載された、上部電極５２1及び裏面電極を有する受
光素子（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）又
は発光素子（ＬＥＤ等）５２と、該素子の保護部材を兼
ねる、透光性樹脂から成るレンズ部５３と、上記基板５
１の裏面側に形成され、それぞれ上記受光素子（又は発
光素子）５２の上部電極及び裏面電極と接続された一対
の端子部５４，５５とを有する。端子部５４は、基板５
１の表面側、側部のスルーホール部５１1、裏面側に亙
って一体的に形成されたメッキパターン部５６の一部に
より構成される。また、端子部５５は、基板５１の表面
側（素子搭載部５１3を含む）、側部のスルーホール部
５１2、裏面側に亙って一体的に形成されたメッキパタ
ーン部５７の一部により構成される。さらに、素子５２
の上部電極５２1とメッキパターン部５６間はＡｕ線５
８にて結線されている。また、素子５２は導電性接着剤
等により、メッキパターン部５７の素子搭載部５７1に
ボンディングされており、該導電性接着剤等により、素
子５２の裏面電極とメッキパターン部５７とは電気的に
接続されている。
素子搭載用絶縁性樹脂基板５１と、該基板５１の表面側
に搭載された、上部電極５２1及び裏面電極を有する受
光素子（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）又
は発光素子（ＬＥＤ等）５２と、該素子の保護部材を兼
ねる、透光性樹脂から成るレンズ部５３と、上記基板５
１の裏面側に形成され、それぞれ上記受光素子（又は発
光素子）５２の上部電極及び裏面電極と接続された一対
の端子部５４，５５とを有する。端子部５４は、基板５
１の表面側、側部のスルーホール部５１1、裏面側に亙
って一体的に形成されたメッキパターン部５６の一部に
より構成される。また、端子部５５は、基板５１の表面
側（素子搭載部５１3を含む）、側部のスルーホール部
５１2、裏面側に亙って一体的に形成されたメッキパタ
ーン部５７の一部により構成される。さらに、素子５２
の上部電極５２1とメッキパターン部５６間はＡｕ線５
８にて結線されている。また、素子５２は導電性接着剤
等により、メッキパターン部５７の素子搭載部５７1に
ボンディングされており、該導電性接着剤等により、素
子５２の裏面電極とメッキパターン部５７とは電気的に
接続されている。
【０００６】上記従来の光半導体装置の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【０００７】図５に示す基板５１が縦横に連結された形
状の一枚の樹脂基板（射出成形により形成され、横方向
の連結部には、それぞれスルーホール部が設けられてい
る）にメッキを施し、メッキパターン部５６，５７・・
・を形成する。次に、受光素子（又は発光素子）５２，
・・・を導電性接着剤等により、メッキパターン部５
７，・・・の素子搭載部５７1，・・・にダイボンディ
ングし、Ａｕ線５８，・・・にて、素子５２，・・・の
上部電極５２1，・・・とメッキパターン部５６，・・
・間を結線する。ついで、トランスファーモールドに
て、透光性樹脂から成るレンズ部５３を形成する。そし
て、樹脂基板を縦横に分断して、各個別の光半導体装置
を得る。
状の一枚の樹脂基板（射出成形により形成され、横方向
の連結部には、それぞれスルーホール部が設けられてい
る）にメッキを施し、メッキパターン部５６，５７・・
・を形成する。次に、受光素子（又は発光素子）５２，
・・・を導電性接着剤等により、メッキパターン部５
７，・・・の素子搭載部５７1，・・・にダイボンディ
ングし、Ａｕ線５８，・・・にて、素子５２，・・・の
上部電極５２1，・・・とメッキパターン部５６，・・
・間を結線する。ついで、トランスファーモールドに
て、透光性樹脂から成るレンズ部５３を形成する。そし
て、樹脂基板を縦横に分断して、各個別の光半導体装置
を得る。
【０００８】端子部５４及び５５が、実装基板上の端子
部と電気的・機械的に接続されるように、光半導体装置
を基板に実装する。
部と電気的・機械的に接続されるように、光半導体装置
を基板に実装する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体装置は、基板５１の裏面側に一対の端子５４及び
５５を形成する構成であった。
半導体装置は、基板５１の裏面側に一対の端子５４及び
５５を形成する構成であった。
【００１０】近年の半導体装置搭載機器の小型化が進む
上で実装基板の高密度化が進み、パターンの細線化が要
求されているが、上記従来の２端子構造では、上述の要
求における種々のパターン引き回しに対応できず、ま
た、装置が１８０°回転した場合、端子極性が反転して
しまうという問題があった。
上で実装基板の高密度化が進み、パターンの細線化が要
求されているが、上記従来の２端子構造では、上述の要
求における種々のパターン引き回しに対応できず、ま
た、装置が１８０°回転した場合、端子極性が反転して
しまうという問題があった。
【００１１】本発明は上記問題点を解決すべくなされた
ものである。
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板裏面側に
形成される端子を、従来の２端子構造から４端子構造に
すると共に、同一対角線上にある一対の端子は同一極性
となる構造としたことを特徴とするものである。
形成される端子を、従来の２端子構造から４端子構造に
すると共に、同一対角線上にある一対の端子は同一極性
となる構造としたことを特徴とするものである。
【００１３】すなわち、請求項１にかかる本発明の半導
体装置は、略矩形形状の半導体素子搭載基板と、該基板
の表面側に搭載された、正側電極及び負側電極を有する
半導体素子と、該半導体素子保護部材と、上記基板の裏
面側に形成され、それぞれ上記半導体素子の正側電極及
び負側電極と接続された正側端子及び負側端子とを有す
る半導体装置に於いて、上記基板の裏面側に形成された
正側端子及び負側端子であって、上記基板の裏面の各対
角線上に位置する一対がそれぞれ同一極性である、上記
基板の裏面の各コーナ部に設けられた正側端子及び負側
端子を設けたことを特徴とするものである。
体装置は、略矩形形状の半導体素子搭載基板と、該基板
の表面側に搭載された、正側電極及び負側電極を有する
半導体素子と、該半導体素子保護部材と、上記基板の裏
面側に形成され、それぞれ上記半導体素子の正側電極及
び負側電極と接続された正側端子及び負側端子とを有す
る半導体装置に於いて、上記基板の裏面側に形成された
正側端子及び負側端子であって、上記基板の裏面の各対
角線上に位置する一対がそれぞれ同一極性である、上記
基板の裏面の各コーナ部に設けられた正側端子及び負側
端子を設けたことを特徴とするものである。
【００１４】また、請求項２にかかる本発明の半導体装
置は、上記半導体装置において、上記半導体素子が受光
素子又は発光素子であることを特徴とする光半導体装置
である。
置は、上記半導体装置において、上記半導体素子が受光
素子又は発光素子であることを特徴とする光半導体装置
である。
【００１５】さらに、請求項３，４及び５に係る本発明
の半導体装置は、上記半導体装置または光半導体装置に
おいて、上記基板の裏面側に形成された一対の正側端子
及び一対の負側端子の一方が、上記基板の裏面側に端子
形成材料と同一材料にて形成された接続部にて電気的に
接続され、他方が、上記基板の表面側に端子形成材料と
同一材料にて形成された接続部にて電気的に接続されて
成ることを特徴とするものである。
の半導体装置は、上記半導体装置または光半導体装置に
おいて、上記基板の裏面側に形成された一対の正側端子
及び一対の負側端子の一方が、上記基板の裏面側に端子
形成材料と同一材料にて形成された接続部にて電気的に
接続され、他方が、上記基板の表面側に端子形成材料と
同一材料にて形成された接続部にて電気的に接続されて
成ることを特徴とするものである。
【００１６】また、上記基板の裏面側に形成された一対
の正側端子及び一対の負側端子の一方が、上記基板の表
面側又は裏面側に端子形成材料と同一材料にて形成され
た接続部にて電気的に接続され、他方が、上記基板の表
面側に設けられたボンディングワイヤを介して電気的に
接続されて成ることを特徴とするものである。
の正側端子及び一対の負側端子の一方が、上記基板の表
面側又は裏面側に端子形成材料と同一材料にて形成され
た接続部にて電気的に接続され、他方が、上記基板の表
面側に設けられたボンディングワイヤを介して電気的に
接続されて成ることを特徴とするものである。
【００１７】さらに、上記半導体素子の正側電極及び負
側電極の一方が少なくとも２個設けられ、上記基板の裏
面側に形成された一対の正側端子及び一対の負側端子の
内、上記少なくとも２個設けられた電極と接続される側
の一対の端子のそれぞれが、それぞれ別個のボンディン
グワイヤを介して、上記少なくとも２個設けられた電極
のそれぞれ異なるものに電気的に接続され、他方が、上
記基板の表面側又は裏面側に上記端子形成材料と同一材
料にて形成された接続部にて電気的に接続されて成るこ
とを特徴とするものである。
側電極の一方が少なくとも２個設けられ、上記基板の裏
面側に形成された一対の正側端子及び一対の負側端子の
内、上記少なくとも２個設けられた電極と接続される側
の一対の端子のそれぞれが、それぞれ別個のボンディン
グワイヤを介して、上記少なくとも２個設けられた電極
のそれぞれ異なるものに電気的に接続され、他方が、上
記基板の表面側又は裏面側に上記端子形成材料と同一材
料にて形成された接続部にて電気的に接続されて成るこ
とを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】上記本発明の構成とすることにより、実装基板
の種々のパターンに引き回しに対応可能になると共に、
実装時に装置が１８０°回転しても、端子極性が反転す
ることなく実装可能となるものである。したがって、本
発明によれば、実装基板のパターン設計の余裕度が大き
くなり、更に、実装時の半導体装置の方向認識が簡略化
できるものである。
の種々のパターンに引き回しに対応可能になると共に、
実装時に装置が１８０°回転しても、端子極性が反転す
ることなく実装可能となるものである。したがって、本
発明によれば、実装基板のパターン設計の余裕度が大き
くなり、更に、実装時の半導体装置の方向認識が簡略化
できるものである。
【００１９】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【００２０】図１及び図２は、本発明の第１の実施例の
構造を示す図であり、図１は、透光性樹脂によるレンズ
部形成前の状態を示す図、図２は、トランスファーモー
ルドによるレンズ部形成後の状態を示す図である。
構造を示す図であり、図１は、透光性樹脂によるレンズ
部形成前の状態を示す図、図２は、トランスファーモー
ルドによるレンズ部形成後の状態を示す図である。
【００２１】本実施例の光半導体装置は、略正方形状の
素子搭載用絶縁性樹脂基板１１と、該基板１１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）又は発光
素子（ＬＥＤ等）１２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部１３と、上記基板１１の裏
面側に形成され、それぞれ上記受光素子（又は発光素
子）１２の上部電極及び裏面電極と接続される一対の端
子部１４1，１４2及び同１５1，１５2とから構成され
る。端子部１４1，１４2は、それぞれ、基板１１の表面
側、側部のスルーホール部１１1，１１2、裏面側に亙っ
て一体的に形成されたメッキパターン部１６1，１６2の
一部により構成される。また、端子部１５1，１５2は、
共に、基板１１の表面側（素子搭載部１１5を含む）、
側部のスルーホール部１１3，１１4、裏面側に亙って一
体的に形成されたメッキパターン部１７の一部により構
成される。さらに、素子１２には、上部電極（正側電極
及び負側電極の何れか一方）が２個（１２1，１２2）設
けられており、一方の上部電極１２1と上記メッキパタ
ーン部１６1とが、Ａｕ線１８1にて結線され、他方の上
部電極１２2と上記メッキパターン部１６2とが、Ａｕ線
１８2にて結線されている。また、素子１２は導電性接
着剤等により、メッキパターン部１７の素子搭載部１７
1にボンディングされており、該導電性接着剤等によ
り、素子１２の裏面電極（正側電極及び負側電極の何れ
か一方［上部電極１２1，１２2と反対極性の電極］）と
メッキパターン部１７とは電気的に接続されている。
素子搭載用絶縁性樹脂基板１１と、該基板１１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）又は発光
素子（ＬＥＤ等）１２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部１３と、上記基板１１の裏
面側に形成され、それぞれ上記受光素子（又は発光素
子）１２の上部電極及び裏面電極と接続される一対の端
子部１４1，１４2及び同１５1，１５2とから構成され
る。端子部１４1，１４2は、それぞれ、基板１１の表面
側、側部のスルーホール部１１1，１１2、裏面側に亙っ
て一体的に形成されたメッキパターン部１６1，１６2の
一部により構成される。また、端子部１５1，１５2は、
共に、基板１１の表面側（素子搭載部１１5を含む）、
側部のスルーホール部１１3，１１4、裏面側に亙って一
体的に形成されたメッキパターン部１７の一部により構
成される。さらに、素子１２には、上部電極（正側電極
及び負側電極の何れか一方）が２個（１２1，１２2）設
けられており、一方の上部電極１２1と上記メッキパタ
ーン部１６1とが、Ａｕ線１８1にて結線され、他方の上
部電極１２2と上記メッキパターン部１６2とが、Ａｕ線
１８2にて結線されている。また、素子１２は導電性接
着剤等により、メッキパターン部１７の素子搭載部１７
1にボンディングされており、該導電性接着剤等によ
り、素子１２の裏面電極（正側電極及び負側電極の何れ
か一方［上部電極１２1，１２2と反対極性の電極］）と
メッキパターン部１７とは電気的に接続されている。
【００２２】上記第１の実施例の製造方法について説明
する。
する。
【００２３】図１に示す基板１１が縦横に連結された形
状の一枚の樹脂基板（射出成形により形成され、横方向
の連結部には、各２ケ所のスルーホール部が設けられて
いる）にメッキを施し、メッキパターン部１６1，１
６2，１７，・・・を形成する。次に、受光素子（又は
発光素子）１２，・・・を導電性接着剤等により、メッ
キパターン部１７，・・・の素子搭載部１７1，・・・
にダイボンディングし、Ａｕ線１８1，１８2，・・・に
て、素子１２，・・・の上部電極１２1，１２2，・・・
と、メッキパターン部１６1，１６2，・・・間を結線す
る。ついで、トランスファーモールドにて、透光性樹脂
から成るレンズ部１３を形成する。そして、樹脂基板を
縦横に分割して、各個別の光半導体装置を得る。
状の一枚の樹脂基板（射出成形により形成され、横方向
の連結部には、各２ケ所のスルーホール部が設けられて
いる）にメッキを施し、メッキパターン部１６1，１
６2，１７，・・・を形成する。次に、受光素子（又は
発光素子）１２，・・・を導電性接着剤等により、メッ
キパターン部１７，・・・の素子搭載部１７1，・・・
にダイボンディングし、Ａｕ線１８1，１８2，・・・に
て、素子１２，・・・の上部電極１２1，１２2，・・・
と、メッキパターン部１６1，１６2，・・・間を結線す
る。ついで、トランスファーモールドにて、透光性樹脂
から成るレンズ部１３を形成する。そして、樹脂基板を
縦横に分割して、各個別の光半導体装置を得る。
【００２４】以上のように、各対角線上の一対が同一極
性となるように、基板１１の裏面側の四隅に形成された
一対の端子１４1，１４2及び同１５1，１５2が、本発明
の特徴である。
性となるように、基板１１の裏面側の四隅に形成された
一対の端子１４1，１４2及び同１５1，１５2が、本発明
の特徴である。
【００２５】次に、第２の実施例について説明する。
【００２６】図３及び図４は、本発明の第２の実施例の
構造を示す図であり、図３は、透光性樹脂によるレンズ
部形成前の状態を示す図、図４は、トランスファーモー
ルドによるレンズ部形成後の状態を示す図である。
構造を示す図であり、図３は、透光性樹脂によるレンズ
部形成前の状態を示す図、図４は、トランスファーモー
ルドによるレンズ部形成後の状態を示す図である。
【００２７】本実施例の光半導体装置は、略正方形状の
素子搭載用絶縁性樹脂基板３１と、該基板３１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（又は発光素子）３２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部３３と、上記基板３１の裏
面側に形成され、それぞれ上記素子３２の上部電極及び
裏面電極と接続される一対の端子部３４1，３４2及び同
３５1，３５2とから構成される。端子部３４1，３４
2は、共に基板３１の表面側、側部のスルーホール部３
１1，３１2、裏面側（両端子部接続部３１5を含む）に
亙って一体的に形成されたメッキパターン部３６の一部
により構成される。また、端子部３５1，３５2は、共
に、基板３１の表面側（素子搭載部３１6を含む）、側
部のスルーホール部３１3，３１4、裏面側に亙って一体
的に形成されたメッキパターン部３７の一部により構成
される。さらに、素子３２の上部電極３２1とメッキパ
ターン部３６間はＡｕ線３８にて結線されている。ま
た、素子３２は導電性接着剤等により、メッキパターン
部３７の素子搭載部３７1にボンディングされており、
該導電性接着剤等により、素子３２の裏面電極とメッキ
パターン部３７とは電気的に接続されている。なお、３
９は、レンズ部形成のためのトランスファーモールド時
に樹脂ランナー部として機能する凹部、４０は表面側へ
の樹脂注入部として機能する貫通孔である。
素子搭載用絶縁性樹脂基板３１と、該基板３１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（又は発光素子）３２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部３３と、上記基板３１の裏
面側に形成され、それぞれ上記素子３２の上部電極及び
裏面電極と接続される一対の端子部３４1，３４2及び同
３５1，３５2とから構成される。端子部３４1，３４
2は、共に基板３１の表面側、側部のスルーホール部３
１1，３１2、裏面側（両端子部接続部３１5を含む）に
亙って一体的に形成されたメッキパターン部３６の一部
により構成される。また、端子部３５1，３５2は、共
に、基板３１の表面側（素子搭載部３１6を含む）、側
部のスルーホール部３１3，３１4、裏面側に亙って一体
的に形成されたメッキパターン部３７の一部により構成
される。さらに、素子３２の上部電極３２1とメッキパ
ターン部３６間はＡｕ線３８にて結線されている。ま
た、素子３２は導電性接着剤等により、メッキパターン
部３７の素子搭載部３７1にボンディングされており、
該導電性接着剤等により、素子３２の裏面電極とメッキ
パターン部３７とは電気的に接続されている。なお、３
９は、レンズ部形成のためのトランスファーモールド時
に樹脂ランナー部として機能する凹部、４０は表面側へ
の樹脂注入部として機能する貫通孔である。
【００２８】なお、上記第１の実施例において、第２の
実施例と同様な樹脂ランナー凹部及び樹脂注入用貫通孔
を設ける構成としてもよい。
実施例と同様な樹脂ランナー凹部及び樹脂注入用貫通孔
を設ける構成としてもよい。
【００２９】次に、第３の実施例について説明する。
【００３０】図７及び図８は、第３の実施例の構造を示
す図であり、図７はレンズ部形成前の状態図、図８はレ
ンズ部形成後の状態図である。
す図であり、図７はレンズ部形成前の状態図、図８はレ
ンズ部形成後の状態図である。
【００３１】本実施例の光半導体装置は、略正方形状の
素子搭載用絶縁性樹脂基板７１と、該基板７１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（又は発光素子）７２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部７３と、上記基板７１の裏
面側に形成され、それぞれ上記素子７２の上部電極及び
裏面電極と接続される一対の端子部７４1，７４2及び同
７５1，７５2とから構成される。端子部７４1，７４
2は、それぞれ基板７１の表面側、側部のスルーホール
部７１1，７１2、裏面側に亙って一体的に形成されたメ
ッキパターン部７６1，７６2の一部により構成される。
また、端子部７５1，７５2は、共に、基板７１の表面側
（素子搭載部７１5を含む）、側部のスルーホール部７
１3，７１4、裏面側に亙って一体的に形成されたメッキ
パターン部７７の一部により構成される。さらに、素子
７２の上部電極７２1とメッキパターン部７６2間はＡｕ
線７８1にて結線され、メッキパターン部７６2とメッキ
パターン部７６1間は、上記Ａｕ線７８1と連続したＡｕ
線７８2により結線されている。また、素子７２は導電
性接着剤等により、メッキパターン部７７の素子搭載部
７７1にボンディングされており、該導電性接着剤等に
より、素子７２の裏面電極とメッキパターン部７７とは
電気的に接続されている。
素子搭載用絶縁性樹脂基板７１と、該基板７１の表面側
に搭載された、上部電極及び裏面電極を有する受光素子
（又は発光素子）７２と、該素子の保護部材を兼ねる、
透光性樹脂から成るレンズ部７３と、上記基板７１の裏
面側に形成され、それぞれ上記素子７２の上部電極及び
裏面電極と接続される一対の端子部７４1，７４2及び同
７５1，７５2とから構成される。端子部７４1，７４
2は、それぞれ基板７１の表面側、側部のスルーホール
部７１1，７１2、裏面側に亙って一体的に形成されたメ
ッキパターン部７６1，７６2の一部により構成される。
また、端子部７５1，７５2は、共に、基板７１の表面側
（素子搭載部７１5を含む）、側部のスルーホール部７
１3，７１4、裏面側に亙って一体的に形成されたメッキ
パターン部７７の一部により構成される。さらに、素子
７２の上部電極７２1とメッキパターン部７６2間はＡｕ
線７８1にて結線され、メッキパターン部７６2とメッキ
パターン部７６1間は、上記Ａｕ線７８1と連続したＡｕ
線７８2により結線されている。また、素子７２は導電
性接着剤等により、メッキパターン部７７の素子搭載部
７７1にボンディングされており、該導電性接着剤等に
より、素子７２の裏面電極とメッキパターン部７７とは
電気的に接続されている。
【００３２】なお、基板裏面側に形成される端子形状の
パターンとしては上記実施例のものに限定されるもので
はなく、例えば図９に示すようなパターンでもよい。
パターンとしては上記実施例のものに限定されるもので
はなく、例えば図９に示すようなパターンでもよい。
【００３３】以上の説明から明らかなように、本発明に
よれば、各対角線上の一対がそれぞれ同一極性となる二
対の端子を設けた半導体装置を提供することができ、こ
れにより、従来技術では、図１０のような基板側のパタ
ーン引き回しにのみ対応可能であったものが、図１１
（１）〜（４）に示すような様々なパターン引き回しに
対応可能となるものである。なお、図１１に於いて、１
１１，１１２は、それぞれ基板側の正，負側端子であ
り、１１３，１１４はダミー端子である。なお、ダミー
端子は必ずしも形成する必要はない。さらに、本発明の
半導体装置は、１８０°回転しても各端子の極性が変化
しないため、極性識別マーク等を付与する必要がなく、
したがって、基板実装時に、その認識の必要なく、実装
可能となり、製造工程、実装作業の簡略化を図ることが
できるものである。
よれば、各対角線上の一対がそれぞれ同一極性となる二
対の端子を設けた半導体装置を提供することができ、こ
れにより、従来技術では、図１０のような基板側のパタ
ーン引き回しにのみ対応可能であったものが、図１１
（１）〜（４）に示すような様々なパターン引き回しに
対応可能となるものである。なお、図１１に於いて、１
１１，１１２は、それぞれ基板側の正，負側端子であ
り、１１３，１１４はダミー端子である。なお、ダミー
端子は必ずしも形成する必要はない。さらに、本発明の
半導体装置は、１８０°回転しても各端子の極性が変化
しないため、極性識別マーク等を付与する必要がなく、
したがって、基板実装時に、その認識の必要なく、実装
可能となり、製造工程、実装作業の簡略化を図ることが
できるものである。
【００３４】以上、光半導体装置を例にとり、本発明を
詳細に説明したが、本発明は、他の２端子半導体装置に
於いても有効に実装できるものであることは言うまでも
ない。
詳細に説明したが、本発明は、他の２端子半導体装置に
於いても有効に実装できるものであることは言うまでも
ない。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、実装基板の種々のパターン引き回しに対応可能で
あると共に、方向認識作業を簡略化できる極めて有用な
半導体装置を提供することができるものである。
れば、実装基板の種々のパターン引き回しに対応可能で
あると共に、方向認識作業を簡略化できる極めて有用な
半導体装置を提供することができるものである。
【図１】本発明の第１の実施例のレンズ形成前の状態図
である。
である。
【図２】同レンズ形成後の状態図である。
【図３】本発明の第２の実施例のレンズ形成前の状態図
である。
である。
【図４】同レンズ形成後の状態図である。
【図５】従来の光半導体装置のレンズ形成前の状態図で
ある。
ある。
【図６】同レンズ形成後の状態図である。
【図７】本発明の第３の実施例のレンズ形成前の状態図
である。
である。
【図８】同レンズ形成後の状態図である。
【図９】端子パターンの他の実施態様を示す底面図であ
る。
る。
【図１０】従来の基板パターンを示す図である。
【図１１】本発明に係る基板パターンを示す図である。
１１，３１，７１ 素子搭載用絶縁性樹脂基板 １２，３２，７２ 受光素子（又は発光素子） １２1，１２2，３２1，７２1 上部電極 １３，３３，７３ レンズ部 １４1，１４2，１５1，１５2 端子部 ３４1，３４2，３５1，３５2 端子部 ７４1，７４2，７５1，７５2 端子部 １６1，１６2，１７ メッキパターン部 ３６，３７ メッキパターン部 ７６1，７６2，７７ メッキパターン部 １８1，１８2 Ａｕ線 ３８ Ａｕ線 ７８1，７８2 Ａｕ線
Claims (5)
- 【請求項１】略矩形形状の半導体素子搭載基板と、該基
板の表面側に搭載された、正側電極及び負側電極を有す
る半導体素子と、該半導体素子保護部材と、上記基板の
裏面側に形成され、それぞれ上記半導体素子の正側電極
及び負側電極と接続された正側端子及び負側端子とを有
する半導体装置において、 上記基板の裏面側に形成された正側端子及び負側端子で
あって、上記基板の裏面の各対角線上に位置する一対が
それぞれ同一極性である、上記基板の裏面の各コーナ部
に設けられた正側端子及び負側端子を設けたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記半導体素子が受光素子又は発光素子
である、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記基板の裏面側に形成された一対の正
側端子及び一対の負側端子の一方が、上記基板の裏面側
に端子形成材料と同一材料にて形成された接続部にて電
気的に接続され、他方が、上記基板の表面側に端子形成
材料と同一材料にて形成された接続部にて電気的に接続
されてなることを特徴とする、請求項１または請求項２
に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記基板の裏面側に形成された一対の正
側端子及び一対の負側端子の一方が、上記基板の表面側
又は裏面側に端子形成材料と同一材料にて形成された接
続部にて電気的に接続され、他方が、上記基板の表面側
に設けられたボンディングワイヤを介して電気的に接続
されて成ることを特徴とする、請求項１または２に記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 上記半導体素子の正側電極及び負側電極
の一方が少なくとも２個設けられ、上記基板の裏面側に
形成された一対の正側端子及び一対の負側端子の内、上
記少なくとも２個設けられた電極と接続される側の一対
の端子のそれぞれが、それぞれ別個のボンディングワイ
ヤを介して、上記少なくとも２個設けられた電極のそれ
ぞれ異なるものに電気的に接続され、他方が、上記基板
の表面側又は裏面側に上記端子形成材料と同一材料にて
形成された接続部にて電気的に接続されて成ることを特
徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5240898A JPH0799277A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5240898A JPH0799277A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799277A true JPH0799277A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17066328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5240898A Pending JPH0799277A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060626A1 (fr) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP5240898A patent/JPH0799277A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060626A1 (fr) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| US6486543B1 (en) | 1998-05-20 | 2002-11-26 | Rohm Co., Ltd. | Packaged semiconductor device having bent leads |
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