JPH0799403B2 - 波長板 - Google Patents
波長板Info
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- JPH0799403B2 JPH0799403B2 JP61132730A JP13273086A JPH0799403B2 JP H0799403 B2 JPH0799403 B2 JP H0799403B2 JP 61132730 A JP61132730 A JP 61132730A JP 13273086 A JP13273086 A JP 13273086A JP H0799403 B2 JPH0799403 B2 JP H0799403B2
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は直交する２つの直線偏光の間に位相差を生ぜ
しめる、1/4波長板,1/2波長板，全波長板等の波長板に
関するものである。
しめる、1/4波長板,1/2波長板，全波長板等の波長板に
関するものである。
従来、波長板は水晶の結晶を研磨して、常光と異常光の
位相差が、1/4波長板では（Ｎ＋1/4）波長（Ｎは整
数）、1/2波長板では（Ｎ＋1/2）波長、全波長板ではＮ
波長になるような厚さに調整して製作されている。
位相差が、1/4波長板では（Ｎ＋1/4）波長（Ｎは整
数）、1/2波長板では（Ｎ＋1/2）波長、全波長板ではＮ
波長になるような厚さに調整して製作されている。
このような結晶研磨による方法以外に、誘電体に形成し
た高密度の表面レリーフ格子が複屈折を示すことから、
格子を用いる方法も提案されている。表面レリーフ格子
を用いた波長板の提案と実験は、アプライド・フィジッ
クス・レター（Applied Physics Letter）誌，第42巻，
第６号（1983年３月15日発行）第492〜494頁掲載のD.C.
Flanders著の論文、及び、アプライド・オプティクス
（Applied Optics）誌，第22巻，第20号（1983年10月15
日発行）第3220〜3228頁掲載のR.C.EngerとS.K.Case著
の論文に述べられている。
た高密度の表面レリーフ格子が複屈折を示すことから、
格子を用いる方法も提案されている。表面レリーフ格子
を用いた波長板の提案と実験は、アプライド・フィジッ
クス・レター（Applied Physics Letter）誌，第42巻，
第６号（1983年３月15日発行）第492〜494頁掲載のD.C.
Flanders著の論文、及び、アプライド・オプティクス
（Applied Optics）誌，第22巻，第20号（1983年10月15
日発行）第3220〜3228頁掲載のR.C.EngerとS.K.Case著
の論文に述べられている。
格子を用いた波長板は、格子のピッチをｄ、使用波長を
λとすると、λがｄに比べて十分大きい領域では、格子
の溝に平行な方向の屈折率nIIと、格子の溝に直交する
方向の屈折率n⊥が異なることを利用しており、前述の
D.C.Flanders著の論文によると、格子が矩形状の場合、
nII，n⊥は次式で与えられる。
λとすると、λがｄに比べて十分大きい領域では、格子
の溝に平行な方向の屈折率nIIと、格子の溝に直交する
方向の屈折率n⊥が異なることを利用しており、前述の
D.C.Flanders著の論文によると、格子が矩形状の場合、
nII，n⊥は次式で与えられる。
nII＝〔n1 2ｑ＋n2 2（１−ｑ）〕1/2……（１） n⊥＝〔(1/n1)2q+(1/n2)2(1-q)〕-1/2……（２） ここでn1は媒質１の屈折率、n2は媒質２の屈折率、ｑは
格子の１周期中に媒質１の占める割合で１≧ｑ≧０であ
る。複屈折の大きさはΔｎは次式で与えられる。
格子の１周期中に媒質１の占める割合で１≧ｑ≧０であ
る。複屈折の大きさはΔｎは次式で与えられる。
Δｎ＝｜nII-n⊥｜……（３） また、複屈折の大きさはΔｎを有する格子に入射した光
が受ける位相差ΔΦは次式で与えられる。
が受ける位相差ΔΦは次式で与えられる。
ここでＤは格子の溝深さである。（４）式から、大きな
位相差ΔΦを得るには溝深さＤを大きくするか、または
複屈折の大きさΔｎを大きくすればよい。この関係は格
子形状が矩形である場合に限らず、正弦波状，三角波状
等の場合でも成り立つ。
位相差ΔΦを得るには溝深さＤを大きくするか、または
複屈折の大きさΔｎを大きくすればよい。この関係は格
子形状が矩形である場合に限らず、正弦波状，三角波状
等の場合でも成り立つ。
表面レリーフ格子による波長板は、主に次の２つの方法
により製造できる。
により製造できる。
第１の方法は干渉露光法によりホトレジストに表面レリ
ーフ格子を形成し、その格子からニッケル電鋳法で金型
を製作し、熱可塑性樹脂にホットプレス法や射出成形法
で転写する、あるいは光硬化性樹脂に転写する方法であ
る。
ーフ格子を形成し、その格子からニッケル電鋳法で金型
を製作し、熱可塑性樹脂にホットプレス法や射出成形法
で転写する、あるいは光硬化性樹脂に転写する方法であ
る。
第２の方法は誘電体基板上に第１の方法と同様の方法で
ホトレジスト格子を形成し、ホトレジストをマスクとし
て誘電体基板をイオンエッチング法、または反応性イオ
ンエッチング法、またはイオンビームエッチング法、ま
たは反応性イオンエッチング法によりエッチングし、表
面レリーフ格子を得る方法である。
ホトレジスト格子を形成し、ホトレジストをマスクとし
て誘電体基板をイオンエッチング法、または反応性イオ
ンエッチング法、またはイオンビームエッチング法、ま
たは反応性イオンエッチング法によりエッチングし、表
面レリーフ格子を得る方法である。
上述の従来の技術には、格子の溝幅に対して溝深さが極
端に大きくなるという問題点がある。たとえば、使用波
長λをHe-Neレーザの632.8mmとする。この波長に対して
前述の第１の製造方法で用いられる熱可塑性樹脂たとえ
ばアクリル樹脂、光硬化性樹脂たとえばスリーボンド社
製のUVX-SS-89-1および第２の製造方法において主に用
いられる石英ガラスの屈折率はおよそ1.5〜1.6である。
以下では熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂および石英ガラス
を媒質１とし、その屈折率n1を1.55とする。また、媒質
２を空気とし、その屈折率n2を1.00とする。格子形状が
矩形の場合、媒質１が格子の１周期中に占める割合ｑを
0.5とすれば複屈折の大きさΔｎは（１），（２），
（３）式より0.116となる。したがって（４）式より1/4
波長板,1/2波長板，全波長板に必要な溝深さＤはそれぞ
れ1.36μm,2.73μm,5.46μｍになる。また格子ピッチｄ
に関して、高密度性に基づく複屈折を得るにはλ/d≧1.
472である必要があるので、ｄ≦0.43μｍなる条件を満
足しなければならない。ｑ＝0.5であるから格子の溝幅
Ｗは、Ｗ≦0.21μｍとなる。したがって、溝幅0.21μｍ
以下、溝深さ1.36μｍ〜5.46μｍの格子を作製しなれば
ならない。
端に大きくなるという問題点がある。たとえば、使用波
長λをHe-Neレーザの632.8mmとする。この波長に対して
前述の第１の製造方法で用いられる熱可塑性樹脂たとえ
ばアクリル樹脂、光硬化性樹脂たとえばスリーボンド社
製のUVX-SS-89-1および第２の製造方法において主に用
いられる石英ガラスの屈折率はおよそ1.5〜1.6である。
以下では熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂および石英ガラス
を媒質１とし、その屈折率n1を1.55とする。また、媒質
２を空気とし、その屈折率n2を1.00とする。格子形状が
矩形の場合、媒質１が格子の１周期中に占める割合ｑを
0.5とすれば複屈折の大きさΔｎは（１），（２），
（３）式より0.116となる。したがって（４）式より1/4
波長板,1/2波長板，全波長板に必要な溝深さＤはそれぞ
れ1.36μm,2.73μm,5.46μｍになる。また格子ピッチｄ
に関して、高密度性に基づく複屈折を得るにはλ/d≧1.
472である必要があるので、ｄ≦0.43μｍなる条件を満
足しなければならない。ｑ＝0.5であるから格子の溝幅
Ｗは、Ｗ≦0.21μｍとなる。したがって、溝幅0.21μｍ
以下、溝深さ1.36μｍ〜5.46μｍの格子を作製しなれば
ならない。
このような格子を第１の製造方法で製造する場合、媒質
１と電鋳金型との実効的な接触表面積が著しく増大する
ために、金型面からはく離する時の引張りせん断力が大
きくなる。このために、はく離時に硬化した媒質１が基
板からはがれ、金型面に残留してしまい、表面レリーフ
格子の転写が困難になるという問題点がある。
１と電鋳金型との実効的な接触表面積が著しく増大する
ために、金型面からはく離する時の引張りせん断力が大
きくなる。このために、はく離時に硬化した媒質１が基
板からはがれ、金型面に残留してしまい、表面レリーフ
格子の転写が困難になるという問題点がある。
また、第２の製造方法では、エッチングに要する時間が
数時間にも及び、エッチングに耐え得るホトレジストマ
スクは、厚さ数μｍになることから、ホトレジストマス
クの形成が困難である。また、ホトレジストに形成した
格子をエッチング耐性の強い物質、たとえばクロムに転
写し、その物質をマスクとしてエッチングを行う場合に
おいても、格子溝深さの増加に伴い、一度エッチングさ
れた誘電体の基板表面への再付着や、溝底部への活性
種，イオン，中性粒子の到達粒子数の減少などによりエ
ッチングの進行が阻止され、所望の格子の形成が困難で
ある。このような問題は格子の形状によらず生じる。
数時間にも及び、エッチングに耐え得るホトレジストマ
スクは、厚さ数μｍになることから、ホトレジストマス
クの形成が困難である。また、ホトレジストに形成した
格子をエッチング耐性の強い物質、たとえばクロムに転
写し、その物質をマスクとしてエッチングを行う場合に
おいても、格子溝深さの増加に伴い、一度エッチングさ
れた誘電体の基板表面への再付着や、溝底部への活性
種，イオン，中性粒子の到達粒子数の減少などによりエ
ッチングの進行が阻止され、所望の格子の形成が困難で
ある。このような問題は格子の形状によらず生じる。
以上述べたように従来技術による表面レリーフ格子型の
波長板は製造が困難であるという欠点を有している。
波長板は製造が困難であるという欠点を有している。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決
し、製造が容易な表面レリーフ格子型の波長板を提供す
ることにある。
し、製造が容易な表面レリーフ格子型の波長板を提供す
ることにある。
本発明の波長板は、使用波長λにおける格子ピッチｄが
λ/d≧1.472なる表面レリーフ格子を形成した屈折率n1
を有する第１の誘電体媒質層と、前記表面レリーフ格子
を充填、あるいは被覆するn2≠n1なる屈折率n2を有する
第２の誘電体媒質層とを交互に積層したことを特徴とす
る。
λ/d≧1.472なる表面レリーフ格子を形成した屈折率n1
を有する第１の誘電体媒質層と、前記表面レリーフ格子
を充填、あるいは被覆するn2≠n1なる屈折率n2を有する
第２の誘電体媒質層とを交互に積層したことを特徴とす
る。
本発明の作用を図面を参照しながら詳細に説明する。
格子に入射する光が受ける位相差ΔΦは、格子の溝深さ
Ｄと複屈折の大きさΔｎに比例する。本発明は前述の第
１の製造方法および第２の製造方法によって製造される
格子の溝深さＤを増加させることなく、等価的な溝深さ
Ｄ′を増加させることにより、前述の従来技術の問題点
を解決しようとするものである。
Ｄと複屈折の大きさΔｎに比例する。本発明は前述の第
１の製造方法および第２の製造方法によって製造される
格子の溝深さＤを増加させることなく、等価的な溝深さ
Ｄ′を増加させることにより、前述の従来技術の問題点
を解決しようとするものである。
第２図は本発明を説明するための図である。屈折率n1を
有する第１層目の第１の誘電体媒質４に、使用波長をλ
としてλ/d≧1.472なる条件を満足するピッチｄを有す
る矩形格子５が形成され、その格子表面がn1≠n2なる屈
折率n2を有する第１層目の第２の誘電体媒質６が充填さ
れる。この場合の格子部の複屈折の大きさΔn1は、格子
の１周期中に占める第１の誘電体媒質の割合をq1とする
と、（１），（２），（３）式より Δn1＝〔n1 2q1＋n2 2(1-q1)〕1/2 -〔(1/n1)2q1+(1/n2)2(1-q1)〕-1/2……（５） となる。格子の溝深さをD1とすれば、この第１層目の格
子に入射した光が受ける位相差ΔΦ1は（４）式より となる。
有する第１層目の第１の誘電体媒質４に、使用波長をλ
としてλ/d≧1.472なる条件を満足するピッチｄを有す
る矩形格子５が形成され、その格子表面がn1≠n2なる屈
折率n2を有する第１層目の第２の誘電体媒質６が充填さ
れる。この場合の格子部の複屈折の大きさΔn1は、格子
の１周期中に占める第１の誘電体媒質の割合をq1とする
と、（１），（２），（３）式より Δn1＝〔n1 2q1＋n2 2(1-q1)〕1/2 -〔(1/n1)2q1+(1/n2)2(1-q1)〕-1/2……（５） となる。格子の溝深さをD1とすれば、この第１層目の格
子に入射した光が受ける位相差ΔΦ1は（４）式より となる。
次に、第１層目の第２の誘電体媒質６上に、第１層目の
格子と格子溝の方向，ピッチとも同じである矩形格子８
を有する第２層目の第１の誘電体媒質７が形成される。
ここで、第２図に示すように第１層目の格子と第２層目
の格子の凹凸の位置は一致している必要はない。さら
に、第２層目の第１の誘電体媒質の格子表面が、第２層
目の第２の誘電体媒質９で充填される。第２層目の格子
部の複屈折の大きさΔn2は、格子の１周期中に占める第
１の誘電体媒質７の割合をq2とすれば、第１層目の格子
の場合と同様な式で与えられ、 Δn2＝〔n1 2q2＋n2 2(1-q2)〕1/2 +〔(1/n1)2q2+(1/n2)2(1-q2)〕-1/2……（７） となり、入射光が第２層目の格子で受ける位相差ΔΦ2
は第２層目の格子深さをD2とすれば、 となる。
格子と格子溝の方向，ピッチとも同じである矩形格子８
を有する第２層目の第１の誘電体媒質７が形成される。
ここで、第２図に示すように第１層目の格子と第２層目
の格子の凹凸の位置は一致している必要はない。さら
に、第２層目の第１の誘電体媒質の格子表面が、第２層
目の第２の誘電体媒質９で充填される。第２層目の格子
部の複屈折の大きさΔn2は、格子の１周期中に占める第
１の誘電体媒質７の割合をq2とすれば、第１層目の格子
の場合と同様な式で与えられ、 Δn2＝〔n1 2q2＋n2 2(1-q2)〕1/2 +〔(1/n1)2q2+(1/n2)2(1-q2)〕-1/2……（７） となり、入射光が第２層目の格子で受ける位相差ΔΦ2
は第２層目の格子深さをD2とすれば、 となる。
以降、同様に第１の誘電体媒質と第２の誘電体媒質から
成る格子層をｍ層（ｍは整数）積層すると、第ｋ番目の
格子層の複屈折の大きさΔnkは、ｋ番目の格子の１周期
中に占める第１の誘電体媒質の割合をqkとすると、 Δnk＝〔n1 2qk＋n2 2(1-qk)〕1/2 +〔(1/n1)2qk+(1/n2)2(1-qk)〕-1/2……（９） となり、格子の溝深さをDkとすれば、入射光がｋ番目の
格子で受ける位相差ΔΦkは、 となる。したがって、ｍ個の格子層を通過した光が受け
る位相差ΔΦは、 となる。層数ｍを増加することにより、各層の格子の溝
深さDkを大きくすることなくΔΦを大きくすることがで
きる。なお、第２図において、10は、第ｍ層目の第１の
誘電体媒質を、11は矩形格子を、12は第ｍ層目の第２の
誘電体媒質を示している。
成る格子層をｍ層（ｍは整数）積層すると、第ｋ番目の
格子層の複屈折の大きさΔnkは、ｋ番目の格子の１周期
中に占める第１の誘電体媒質の割合をqkとすると、 Δnk＝〔n1 2qk＋n2 2(1-qk)〕1/2 +〔(1/n1)2qk+(1/n2)2(1-qk)〕-1/2……（９） となり、格子の溝深さをDkとすれば、入射光がｋ番目の
格子で受ける位相差ΔΦkは、 となる。したがって、ｍ個の格子層を通過した光が受け
る位相差ΔΦは、 となる。層数ｍを増加することにより、各層の格子の溝
深さDkを大きくすることなくΔΦを大きくすることがで
きる。なお、第２図において、10は、第ｍ層目の第１の
誘電体媒質を、11は矩形格子を、12は第ｍ層目の第２の
誘電体媒質を示している。
第３図は本発明を説明するための図で、第１の誘電体媒
質に形成された格子の表面が第２の誘電体媒質で被覆さ
れている。図中、４は第１層目の第１の誘電体媒質、５
は矩形格子、６は第１層目の第２の誘電体媒質、７は第
２層目の第１の誘電体媒質、８は矩形格子、９は第２層
目の第２の誘電体媒質である。
質に形成された格子の表面が第２の誘電体媒質で被覆さ
れている。図中、４は第１層目の第１の誘電体媒質、５
は矩形格子、６は第１層目の第２の誘電体媒質、７は第
２層目の第１の誘電体媒質、８は矩形格子、９は第２層
目の第２の誘電体媒質である。
第４図は第３図のうちの第ｋ層の格子を拡大して示した
ものである。格子の１周期中に第１の誘電体媒質が占め
る割合の変化に伴い、格子を縦方向にａ層13,b層14,c層
15に分け、その割合をqka,qkb,qkcとすれば各層の複屈
折の大きさΔnks（ｓ＝a,b,c）は、 Δnks＝〔n1 2qks＋n2 2(1-qks)〕1/2 -〔(1/n1)2qks+(1/n2)2(1-qks)〕-1/2……（12） となり、各層の層厚さをDka,Dkb,Dkcとすれば、入射光
が第ｋ層で受ける位相差ΔΦkは、 となる。ここで Dk＝Dka+Dkb……（14） である。このような格子がｍ層積層された場合、全格子
層を通過する光が受ける位相差ΔΦは、 となる。この場合も層数ｍを増やせばDkを大きくするこ
となく大きなΔΦを得ることができる。
ものである。格子の１周期中に第１の誘電体媒質が占め
る割合の変化に伴い、格子を縦方向にａ層13,b層14,c層
15に分け、その割合をqka,qkb,qkcとすれば各層の複屈
折の大きさΔnks（ｓ＝a,b,c）は、 Δnks＝〔n1 2qks＋n2 2(1-qks)〕1/2 -〔(1/n1)2qks+(1/n2)2(1-qks)〕-1/2……（12） となり、各層の層厚さをDka,Dkb,Dkcとすれば、入射光
が第ｋ層で受ける位相差ΔΦkは、 となる。ここで Dk＝Dka+Dkb……（14） である。このような格子がｍ層積層された場合、全格子
層を通過する光が受ける位相差ΔΦは、 となる。この場合も層数ｍを増やせばDkを大きくするこ
となく大きなΔΦを得ることができる。
つまり、屈折率n1を有する第１の誘電体媒質に形成され
た表面レリーフ格子の表面をn1≠n2なる屈折率n2を有す
る第２の誘電体媒質で充填、あるいは被覆し、以降、順
次表面レリーフ格子を有する第１の誘電体媒質と、その
表面を充填、あるいは被覆する第２の誘電体媒質を必要
な位相差が得られるまで積層することにより、第１の誘
電体媒質に形成される格子の溝深さを小さくすることが
でき、製作の容易な波長板が得られる。
た表面レリーフ格子の表面をn1≠n2なる屈折率n2を有す
る第２の誘電体媒質で充填、あるいは被覆し、以降、順
次表面レリーフ格子を有する第１の誘電体媒質と、その
表面を充填、あるいは被覆する第２の誘電体媒質を必要
な位相差が得られるまで積層することにより、第１の誘
電体媒質に形成される格子の溝深さを小さくすることが
でき、製作の容易な波長板が得られる。
格子が矩形状でなく、正弦波状，三角波状等の場合も同
様で、必要な位相差が得られるまで格子を有する第１の
誘電体媒質と第２の誘電体媒質を積層することにより製
作の容易な波長板が得られる。
様で、必要な位相差が得られるまで格子を有する第１の
誘電体媒質と第２の誘電体媒質を積層することにより製
作の容易な波長板が得られる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図でλ/2板の製作
例を示している。実際の製作には、第１の誘電体媒質１
として光硬化性樹脂であるスリーボンド社製のUVX-SS89
-1を、第２の誘電体媒質２として新日曹化工社製のポリ
シラスチレンPSS75を用いた。前者の屈折率は1.52、後
者の屈折率は約2.5である。使用波長はHe-Neレーザの63
2.8nmである。光硬化性樹脂への格子パターンの転写は
金型を用いて行った。
例を示している。実際の製作には、第１の誘電体媒質１
として光硬化性樹脂であるスリーボンド社製のUVX-SS89
-1を、第２の誘電体媒質２として新日曹化工社製のポリ
シラスチレンPSS75を用いた。前者の屈折率は1.52、後
者の屈折率は約2.5である。使用波長はHe-Neレーザの63
2.8nmである。光硬化性樹脂への格子パターンの転写は
金型を用いて行った。
この金型は次のように製作した。He-Cdレーザの波長44
1.6nmの光ビームを用いて干渉計を構成し、ホログラフ
ィックにλ/d≧1.472を満足するピッチｄ＝0.3μｍの格
子をガラス上のホトレジストに形成し、現像後のホトレ
ジストパターンをマスクとしてガラスを反応性イオンビ
ームエッチング法によりエッチングを行い、ガラスに断
面が矩形状である格子を作製した。ガラスに形成される
格子の溝深さは次のように決定した。光硬化性樹脂の屈
折率が1.52、ポリシラスチレンの屈折率が約2.5である
ことから、これらの誘電体媒質で矩形格子を形成する
と、ｑ＝0.5の場合、複屈折の大きさΔｎは（７）式よ
りΔｎ＝0.232となる。各層に作製される格子のｑは全
て0.5であり、かつ溝深さも全て等しいとする。このよ
うな条件の下で、λ/2板作製に必要な溝深さＤ′は（1
1）式よりＤ′＝1.362μｍとなる。第１図に示すように
λ/2板を５層に分けて作製するとすれば、各層に形成さ
れる格子の溝深さＤは、 Ｄ＝Ｄ′/5＝272.6nm となる。このことより、ガラスには272.6nmの溝深さを
有する格子を形成した。ガラス上の格子の溝深さは反応
性イオンビームエッチングの実施時間により容易に制御
できる。ガラス上に製作した格子からニッケル電鋳法に
より金型を製作した。
1.6nmの光ビームを用いて干渉計を構成し、ホログラフ
ィックにλ/d≧1.472を満足するピッチｄ＝0.3μｍの格
子をガラス上のホトレジストに形成し、現像後のホトレ
ジストパターンをマスクとしてガラスを反応性イオンビ
ームエッチング法によりエッチングを行い、ガラスに断
面が矩形状である格子を作製した。ガラスに形成される
格子の溝深さは次のように決定した。光硬化性樹脂の屈
折率が1.52、ポリシラスチレンの屈折率が約2.5である
ことから、これらの誘電体媒質で矩形格子を形成する
と、ｑ＝0.5の場合、複屈折の大きさΔｎは（７）式よ
りΔｎ＝0.232となる。各層に作製される格子のｑは全
て0.5であり、かつ溝深さも全て等しいとする。このよ
うな条件の下で、λ/2板作製に必要な溝深さＤ′は（1
1）式よりＤ′＝1.362μｍとなる。第１図に示すように
λ/2板を５層に分けて作製するとすれば、各層に形成さ
れる格子の溝深さＤは、 Ｄ＝Ｄ′/5＝272.6nm となる。このことより、ガラスには272.6nmの溝深さを
有する格子を形成した。ガラス上の格子の溝深さは反応
性イオンビームエッチングの実施時間により容易に制御
できる。ガラス上に製作した格子からニッケル電鋳法に
より金型を製作した。
この金型を用いて光硬化性樹脂１に格子３を形成し、格
子表面に液状のポリシラスチレン２を塗布し溶剤を乾燥
させることにより１層の格子が作製できる。固化した光
硬化性樹脂上に、液状のポリシラスチレンを塗布する場
合、あるいは固化したポリシラスチレン上に液状のポリ
シラスチレンを塗布する場合、一方の溶剤が下地の誘電
体媒質と反応する問題点があるが、各誘電体媒質膜作製
後、誘電体媒質表面にアルゴンイオンプラズマ、あるい
はフッ素プラズマを照射し、誘電体媒質表面の溶剤に対
する耐性を向上することにより、この問題は回避でき
る。
子表面に液状のポリシラスチレン２を塗布し溶剤を乾燥
させることにより１層の格子が作製できる。固化した光
硬化性樹脂上に、液状のポリシラスチレンを塗布する場
合、あるいは固化したポリシラスチレン上に液状のポリ
シラスチレンを塗布する場合、一方の溶剤が下地の誘電
体媒質と反応する問題点があるが、各誘電体媒質膜作製
後、誘電体媒質表面にアルゴンイオンプラズマ、あるい
はフッ素プラズマを照射し、誘電体媒質表面の溶剤に対
する耐性を向上することにより、この問題は回避でき
る。
以上述べた方法により５層の格子を作製し、所望のλ/2
板を得た。
板を得た。
以上述べたように本発明によれば、製作の容易な表面レ
リーフ格子格子を利用した波長板が得られる。また、表
面レリーフ格子を金型から転写すれば量産性にも富む。
使用波長を変更した場合でも積層数を変化させることで
容易に対応できる。
リーフ格子格子を利用した波長板が得られる。また、表
面レリーフ格子を金型から転写すれば量産性にも富む。
使用波長を変更した場合でも積層数を変化させることで
容易に対応できる。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す断面図、 第２図〜第４図は本発明の原理を示す断面図である。 １……第１の誘電体媒質 ２……第２の誘電体媒質 ３……格子 ４……第１層目第１の誘電体媒質 5,8,11……矩形格子 ６……第１層目第２の誘電体媒質 ７……第２層目第１の誘電体媒質 ９……第２層目第２の誘電体媒質 10……第ｍ層目第１の誘電体媒質 12……第ｍ層目第２の誘電体媒質 13……ａ層 14……ｂ層 15……ｃ層
Claims (1)
- 【請求項１】使用波長λにおける格子ピッチｄがλ/d≧
1.472なる表面レリーフ格子を形成した屈折率n1を有す
る第１の誘電体媒質層と、前記表面レリーフ格子を充
填、あるいは被覆するn2≠n1なる屈折率n2を有する第２
の誘電体媒質層とを交互に積層したことを特徴とする波
長板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132730A JPH0799403B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 波長板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132730A JPH0799403B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 波長板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62289804A JPS62289804A (ja) | 1987-12-16 |
| JPH0799403B2 true JPH0799403B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15088249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132730A Expired - Lifetime JPH0799403B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 波長板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799403B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6781756B1 (en) | 1995-08-29 | 2004-08-24 | Olympus Corporation | Diffractive optical element |
| CN1104002C (zh) * | 1996-07-30 | 2003-03-26 | 三星电子株式会社 | 光学头 |
| JP3325825B2 (ja) * | 1997-03-29 | 2002-09-17 | 彰二郎 川上 | ３次元周期構造体及びその作製方法並びに膜の製造方法 |
| JP3288976B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2002-06-04 | 彰二郎 川上 | 偏光子とその作製方法 |
| EP1420275B1 (en) | 2001-08-24 | 2008-10-08 | Asahi Glass Company, Limited | Isolator and optical attenuator |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132730A patent/JPH0799403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62289804A (ja) | 1987-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |