JPH08100257A - マグネトロンスパッタリング装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ターゲットの利用効率が高く、膜厚分布の経
時変化が少ないリング状ターゲットを用いたマグネトロ
ンスパッタリング装置を提供する。 【構成】 リング状の平板のターゲット２を有するマグ
ネトロンスパッタリング装置において、前記ターゲット
２の内周縁部に沿った位置の前記ターゲット２の表面側
と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石３３、３１を
配し、前記ターゲット２の外周縁部に沿った位置の前記
ターゲット２の表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有
する磁石３４、３２を配し、前記ターゲット２の内周に
沿って配された前記磁石３３、３１と、前記ターゲット
２の外周に沿って配された前記磁石３４、３２との極性
がターゲット２を挟んで逆の関係になるように定めたこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はリング状の平板ター
ゲットを有するマグネトロンスパッタリング装置及び方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板に薄膜を堆積させる技術としてマグ
ネトロンスパッタリング技術が用いられている。マグネ
トロンスパッタリング技術は、低温高速スパッタが可能
で現在のスパッタリング技術を用いる成膜装置での主流
となっている。マグネトロンスパッタリング技術は放電
などにより、ターゲット付近にプラズマを発生させ、こ
のプラズマのイオンをターゲットに衝突させることによ
り粒子をスパッタさせ、スパッタした粒子を基板に付着
させる方法で薄膜を形成する。

【０００３】図９、図１０と図１１を用いて従来例を説
明する。

【０００４】図９は従来用いられているリング状の平板
ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング装置の
カソード部の断面図である。１は中心軸でカソード部は
この軸に回転対称な形をしている。２はリング状の平板
ターゲット、３はターゲット裏面に配置された磁石、４
は磁石３により形成される磁場である。上記の構成を持
ったカソード部を真空処理室内に基板とターゲット表面
が対向するように設置し、スパッタガス導入後、ターゲ
ット２へグロー放電用の高圧電源より電力を供給する
と、磁力線に閉じ込められたスパッタ用の高密度プラズ
マが発生する。このプラズマ中のイオンが、ターゲット
表面にぶつかると、ターゲットの原子がスパッタされ、
基板の向かい合った表面に付着し、薄膜が形成される。
この時のプラズマは５の領域で高くなっている。ターゲ
ット２はこのプラズマにより侵食され、プラズマ密度が
高い５の領域付近ではターゲットの侵食速度が速くな
り、６の付近でターゲットの侵食速度が局所的に速くな
る。

【０００５】図１０は上記の構成で用いたターゲットを
利用限界まで使用した時の侵食形状を中心軸１を含む断
面において示した図である。但し、中心軸に対して対称
な部分は省略している。図１０において９はスパッタ前
のターゲットの形、１０はスパッタされた部分、１１が
スパッタされずに残った部分である。図１０にみられる
ように、Ｄ点の付近が著しく侵食され、Ｖ字状の侵食面
が生じる。この形状の侵食が生じる場合、ターゲットの
体積利用効率、すなわち、スパッタ前のターゲットの体
積（内周の内側の体積も含める）に占めるターゲットを
利用限界まで利用したときのスパッタされた体積の割合
は２０％程度であり、高価なターゲットを十分に利用で
きないという問題点があった。また、この形状の侵食が
生じる場合、成膜速度や膜厚分布の経時変化をもたらす
ことが、技術上の問題になってきた。

【０００６】そこでこれらの問題を解決するために、特
開平５−２０９２６６号および特開平５−１７９４４０
号公報に記載のような技術が考案されている。特開平５
−２０９２６６号公報に記載のマグネトロンスパッタリ
ング用カソードは、図９に示す従来例と同様にターゲッ
トの裏面側に磁石を配するとともに、ターゲットの外周
と内周に強磁性体を配することで、磁束がターゲットの
表面を越えて延びるような構成を取っているため、プラ
ズマ密度がより平準化され、ターゲットの侵食もより平
準化される。図１１は特開平５−２０９２６６号公報に
記載のマグネトロンスパッタリング用カソードに用いた
ターゲットの利用限界時の侵食の様子を示す断面図であ
る。図１０と同様に、９はスパッタ前のターゲットの
形、１０はスパッタされた部分、１１はスパッタされず
に残った部分である。図１１によると図１０の場合に比
較して、侵食がより均一に進行しているのがわかる。し
かし、Ｅ点付近で局所的に侵食速度が速くなっている。
また、この時のターゲットの内周の内側の体積も含めた
体積利用効率は約４０％である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のターゲットの裏
面に磁石を配置する方法では図１０のようにＶ字状の侵
食面を形成する。この形状のまま侵食が進行して行く
と、ターゲットの厚みが局所的に薄くなり、ここの厚さ
が所定以下に達したときがターゲットの利用限界とな
り、これ以上ターゲットを利用できない。しかし、ター
ゲットには、まだ薄膜を形成させる材料が十分に存在す
るので、高価なターゲットが十分に利用できないという
問題点がある。また、侵食が局所的に速く進行していく
と、スパッタ粒子の分布が経時変化し、基板に付着する
割合が変化するので、侵食の初期段階で基板に生成され
る膜の膜厚が均一でも、侵食の終了段階では膜厚が不均
一になるという問題点がある。

【０００８】この問題を解決するための上記特開平５−
２０９２６６号公報記載の技術でも、図１１に示すよう
に、まだＥ点付近で局所的な侵食が発生しており、ター
ゲットの利用効率を下げ、基板に付着する薄膜の膜厚を
不均一にさせるという問題点がある。

【０００９】図８は内径４０ｍｍ、外径１２０ｍｍの基
板に生成される膜厚の分布の経時変化を積算電力で示し
た図である。縦軸は基板の内周縁の膜厚を１としたとき
の相対的な膜厚である。横軸は中心点からの距離を示
す。この図に見られるように、従来例では膜厚の分布が
時間とともに大幅に変化しているという問題点がある。

【００１０】本発明は上記のこれらの問題点を解決し、
局所的な侵食が発生しないマグネトロンスパッタリング
装置及び方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、リング状の平板のターゲットを有するマグ
ネトロンスパッタリング装置において、前記ターゲット
の内周縁部に沿った位置の前記ターゲットの表面側と裏
面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を配し、前記ター
ゲットの外周縁部に沿った位置の前記ターゲットの表面
側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を配し、前
記ターゲットの内周に沿って配された前記磁石と、前記
ターゲットの外周に沿って配された前記磁石との極性が
ターゲットを挟んで逆の関係になるように定めたことを
特徴とする。

【００１２】また本発明は上記の目的を達成するため、
真空処理室内で基板に対向して配置されたリング状の平
板のターゲット付近にプラズマを発生させて前記基板に
薄膜を形成されるマグネトロンスパッタリング方法にお
いて、前記ターゲットの内周縁部に沿った位置の前記タ
ーゲットの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する
磁石を配し、前記ターゲットの外周縁部に沿った位置の
前記ターゲットの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を
有する磁石を配し、前記ターゲットの内周に沿って配さ
れた前記磁石と、前記ターゲットの外周に沿って配され
た前記磁石との極性がターゲットを挟んで逆の関係にな
るように定めて、前記ターゲットに電力を供給し、前記
ターゲットの内周に沿って配された前記磁石と、前記タ
ーゲットの外周に沿って配された前記磁石とにより、前
記ターゲット面に大略平行でかつ大略均等な強さを有す
る磁場を発生させて、プラズマを大略均等に分布させ、
前記基板に薄膜を形成させるようにしたことを特徴とす
る。

【００１３】

【作用】スパッタリング装置では粒子がスパッタされる
方向はターゲット面の向きに依存する。したがって、侵
食によりターゲット面と基板面がなす角度が経時変化す
ると基板面に形成される薄膜の膜厚も経時変化する。侵
食の初期段階ではターゲットが平面であり、基板面に平
行に配置されるので、基板面に形成される薄膜の膜厚は
ほぼ均一である。しかし、侵食が進行し、ターゲット面
が曲面になってくると基板面に形成される薄膜の膜厚は
不均一になる。したがって、基板に形成される薄膜の膜
厚を均一に保つためには、ターゲットの侵食が進んでも
侵食前のターゲット面と平行な平面に近い侵食面を持つ
ようにしなくてはならない。この様に侵食が進んでいく
と、ターゲットのスパッタの様子は初期と、利用限界ま
で使用した時とほとんど変化しないので、侵食が進んで
も膜厚の分布の経時変化が少なくなる。

【００１４】また、局所的に侵食が速い所があると、タ
ーゲットはその侵食の速い部分の膜厚が所定以下になっ
たときにターゲットが利用できなくなる。したがって、
ターゲットの利用率を上げるためには、できるだけ均一
に侵食が進行するようにする必要がある。

【００１５】マグネトロンスパッタリング技術は、イオ
ンの速度ベクトルと磁場のベクトルの外積による電磁力
により、粒子が回転運動し、粒子がターゲットに衝突す
る機会が増大することに特徴がある。イオンがターゲッ
トに衝突する機会はイオンの回転周期に依存し、回転周
期が短いほど、すなわち、磁場が強くイオンの運動する
速さが速いほどターゲットに衝突する機会が増える。し
たがって、侵食をこの外積が最大になるように磁場とイ
オンを運動させる電場とを垂直にするのがよい。通常、
電場はターゲット面に垂直に形成されるので、磁場をタ
ーゲット面に平行に形成することが望まれる。また、タ
ーゲットの侵食の速度はプラズマ密度にも依存するの
で、プラズマをできるだけ均等に分布させるために均等
な強度で、なおかつ、ターゲット全面に渡ってターゲッ
ト面に平行な磁場を形成することが望まれる。

【００１６】本発明の発明者らはこのような磁場を形成
するためにターゲットの内周と外周に沿うように磁石を
ターゲットの表面と裏面に配置し、かつ、ターゲットを
挟んで向い合う磁石の極性を逆にすることにより、ター
ゲット面により平行で均等に近い強さをもつ磁場を形成
することができることをコンピュータシミュレーション
により確認した。図２にコンピュータシミュレーション
によるターゲット断面付近の磁力線の様子を示す。この
図に示すように、ターゲット表面でターゲット面に平行
に近い磁場を形成し、磁場の強さ、すなわち、磁力線の
間隔も大きなばらつきはない。したがって、この磁場の
中ではプラズマは均等に分布し、なおかつ、イオンの回
転周期も均一なのでターゲットの侵食は均一に進行す
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態として内径３２
ｍｍ、外径１５２ｍｍ、厚さ６ｍｍのリング状ターゲッ
トを用いたマグネトロンスパッタリング装置を例にと
り、図１から図７及び図１２を用いて以下に説明する。

【００１８】まず、図１に本発明の１つの実施形態にか
かるマグネトロンスパッタリング装置の構成を示す。図
１２はこの装置の平面図である。なお、本発明の他の実
施形態であるマグネトロンスパッタリング方法について
は、上記装置の説明中で行う。

【００１９】ここで用いるカソード部の構造は中心軸１
に対して回転対称であり、リング状ターゲット２は外周
アースシールド１２によって包囲され、内周囲された内
周アースシールド１１を包囲している。３５はカソード
部を支持するヨークであり、磁性体のＳＳ４１合金を材
料とし、内径１８０ｍｍで厚さ９ｍｍ、高さ９０ｍｍの
側板（外周部）３５ｂと、厚さ１５ｍｍの底板を持ち、
さらに直径１０ｍｍで底板からの高さ８７．５ｍｍの円
柱状の突起（中心部）３５ａを持っている。ターゲット
２は、例えば、アルミニウム合金、又は、ＳｉＯ₂ を含
む誘電体などより構成するのが好ましい。ヨーク３５
は、例えば、ＳＵＳ４００番代ステンレス鋼又は鉄系材
料の磁性体より構成するのが好ましい。図１において、
７３は真空処理室、７２は基板、７０は後記するターゲ
ット裏板２１である電極に対して高周波電力を供給する
電源である。この高周波電力用電源の代わりに直流電源
としてもよい。

【００２０】ターゲット２の裏面には裏板２１が接して
おり隙間２２に水を流すことでターゲット２を冷却す
る。水の導入排出手段は図示を省略している。裏板２１
は、例えば、材料中の吸着ガスの発生が少ないことを重
視する場合にはＳＵＳ３０４、材料の加工性を重視する
場合にはＳＵＳ３０３より構成するのが好ましい。

【００２１】ターゲット２および裏板２１は絶縁物４
１、４２によってアースシールド１１、１２から絶縁さ
れている。ターゲット２に負電位を印加する手段は上記
電源７０である。絶縁物４１、４２は、例えば、アルミ
ナ又はポリテトラフルオロエチレンより構成するのが好
ましい。アースシールド１１、１２は、例えば、銅など
の非磁性材料、又は、弱磁性体のＳＵＳ３０３又は３０
４より構成するのが好ましい。また、アースシールド１
１、１２の下部にはそれぞれ水冷用通路１１ａ、１２ａ
を形成して、該通路１１ａ、１２ａに冷却水を流してア
ースシールド１１、１２を冷却するのが好ましい。アー
スシールド１１、１２は共にアースされているが、フロ
ーティングされていてもよい。

【００２２】内周アースシールド１１の内部には残留磁
束密度１２．１ｋガウスで保持力１１．６ｋエルステッ
ドの材料からなる内径１０ｍｍで厚さ５ｍｍ、高さ１０
ｍｍのリング状の１対の永久磁石３１、３３が配置さ
れ、一方の永久磁石３３がターゲット２の表面側に、他
方の永久磁石３１がターゲット２の裏面側に位置し、共
にリングの外周がＮ極になっている。外周アースシール
ド１２の内部には内周側の磁石３１、３３と同じ材質か
らなる内径１６２ｍｍ、厚さ９ｍｍ、高さ５ｍｍのリン
グ状の１対の永久磁石３２、３４が配置され、一方の永
久磁石３４がターゲット２の表面側に、他方の永久磁石
３２がターゲットの裏面側に位置し、共にリングの内周
がＳ極となっている。永久磁石３１、３３は、例えば、
ネオジューム・鉄・ボロン磁石より構成するのが好まし
い。また、各磁石３１、３３、３４、３２は、図１２に
示すように、それぞれ、複数の分割体６１、６０より構
成するようにしている。また、磁石３１、３３、３４、
３２の極性は図１とは逆にして、磁石３１、３３ではＮ
極をターゲット側に配置する代わりにＳ極を配置し、磁
石３４、３２ではＳ極の代わりにＮ極をターゲット側に
配置するようにしてもよい。また、内周側の磁石３３、
３１と外周側の磁石３４、３２の位置は互いにその図１
における横方向沿いの中心軸が大略一致するように配置
されている。

【００２３】永久磁石３１、３２、３３、３４の磁石の
強さと磁石のリングの形状と磁石間の距離とヨークの形
状とを上記の様に選定することにより、ターゲットの表
面上で磁力線の方向がターゲット表面に平行になる点が
半径方向に２点存在するように構成することができた。
なお、磁力線の方向がターゲット表面に平行になる点は
２点に限らず１点でもよい。

【００２４】図２は図１の実施例の磁石配置における磁
力線を中心軸１を通る平面上で描いたものである。但
し、磁力線は中心軸に対し対称に形成されるので片側は
図示を省略する。この図においてＡ−Ａ’近傍にターゲ
ット表面が来るようにターゲットを配置すると、Ｂ点と
Ｃ点付近で磁力線がターゲット表面に平行になる点が存
在する。

【００２５】以上のように構成されたカソ−ド部はマグ
ネトロンスパッタリング装置内で以下のように動作す
る。

【００２６】上記構成をもったカソード部を従来例と同
様に真空処理室７３内に内径４０ｍｍ、外径１２０ｍｍ
の基板７２と中心軸が一致し３５ｍｍの距離でターゲッ
ト表面が対向するように設置し、スパッタガス導入後、
ターゲット２へ上記電源７０の一例としてのグロー放電
用の高圧電源より電力を供給すると、磁力線に閉じ込め
られたスパッタ用の高密度プラズマが発生する。このプ
ラズマ中のイオンが、ターゲット表面にぶつかると、タ
ーゲットの原子がスパッタされ、基板の向かい合った表
面に付着し、薄膜が形成される。

【００２７】図３はターゲットを利用限界まで使用した
ときの侵食形状を中心軸１を含む断面で描いたものであ
る。但し、中心軸に対して対称な部分は図示を省略して
ある。５１はスパッタ前のターゲットの形、５２はスパ
ッタされた部分、５３はスパッタされずに残った部分で
ある。この時、ターゲットの内周の内側の体積も含めた
体積利用効率は５７％で従来の体積利用効率４０％に比
べて大幅に改善されている。

【００２８】図４は図１のターゲットを利用限界まで使
用したときの侵食形状を積算電力、すなわち、経時変化
を示したものである。横軸は中心軸からの距離、縦軸は
侵食の深さであり、各曲線はそれぞれの積算電力がかけ
られたときの侵食面の様子を示している。この図に見ら
れるように成膜初期からターゲットの利用限界まで、タ
ーゲットの全面において侵食されており、侵食形状がほ
とんど変化していないことがわかる。このことから本実
施例によると安定した成膜が可能であることがわかる。
また、この図に見られるように、本実施例によると、局
所的に侵食が速く進行する点がないので、ターゲットの
利用効率も上昇することがわかる。

【００２９】図５は侵食の深さの最大値と積算電力の関
係、すなわち、侵食の深さの最大値の経時変化の様子を
示したものである。この図に見られるように、侵食の速
さはほぼ一定であり、単位時間にターゲットからスパッ
タされる粒子の個数はほとんど経時変化しないことがわ
かる。

【００３０】図６は図１のターゲットを利用限界まで使
用した時の成膜速度と積算電力との関係、すなわち、成
膜速度の経時変化を示した図である。この図では基板の
中心点の成膜速度をみている。この図から成膜速度の変
化率は１０％で従来例の変化率がだいたい２０％程度で
あったのに比べて大幅に改善されている。

【００３１】図７に図１のターゲットを利用限界まで使
用したときの膜厚分布の経時変化を積算電力で示す。縦
軸は基板の内周縁の膜厚を１としたときの相対的な膜厚
の分布である。この図に見られるように、成膜の様子は
基板全面に渡ってほとんど経時変化しないことがわか
る。さらに、膜厚分布もターゲットの始めから終わりま
で５％以内で均一に分布していることがわかる。また、
従来例の膜厚分布を示す図である図８と比べるとターゲ
ットの侵食に伴う膜厚分布の不均一性の問題は大幅に改
善され、安定して成膜されていることがわかる。

【００３２】また、ヨーク３５を中心軸１に沿って移動
させるシリンダ等の移動装置７１を配置して、図４の結
果に基づき、上記ヨークを中心軸１に沿って図１におい
て上下動させて、磁力線の方向がターゲット表面に平行
になる点が大略常にターゲットの表面に位置するように
調整することができる。この結果、ターゲットをより全
面にわたって浸食させることができ、基板により均一な
薄膜を形成させることができる。

【００３３】また、本発明は、図１及び図１２に示すよ
うなリング状のターゲット２の実施形態に限定されるも
のではなく、図１３に示すような、楕円リング状のター
ゲット１０２にも適用することができる。この場合、タ
ーゲット１０２は複数の分割体より構成してもよいとと
もに、図１の各磁石３１、３３、３４、３２にそれぞれ
対応する各磁石１３１、１３３、１３４、１３２も複数
の分割体１６１、１６０より構成してもよい。なお、図
１３において、１３５、１３５ａ、１３５ｂは図１の３
５、３５ａ、３５ｂにそれぞれ対応するヨーク、ヨーク
中心部、ヨーク外周部である。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ターゲッ
トを利用限界まで使用しても、安定した均一な薄膜を基
板に生成することができる。また、高価なターゲットの
利用効率が上がり、無駄が少なくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示す図。

【図２】同実施形態における磁場の様子を示す図。

【図３】同実施形態のターゲットの利用限界における侵
食面を示す図。

【図４】同実施形態のターゲットの侵食面の経時変化を
示す図。

【図５】同実施形態のターゲットの侵食の深さの経時変
化を示す図。

【図６】同実施形態の基板の成膜速度の経時変化を示す
図。

【図７】同実施形態の基板の膜厚の分布の様子の経時変
化を示す図。

【図８】従来例の基板の膜厚の分布の様子の経時変化を
示す図。

【図９】従来例の構成を示す図。

【図１０】従来例のターゲットの利用限界における侵食
面を示す図。

【図１１】従来例のターゲットの利用限界における侵食
面を示す図。

【図１２】図１の実施形態のマグネトロンスパッタリン
グ装置の平面図。

【図１３】本発明の他の実施形態のマグネトロンスパッ
タリング装置の平面図。

【符号の説明】

１ 中心軸 ２ ターゲット ３１ 内周裏側に配された磁石 ３２ 外周裏側に配された磁石 ３３ 内周表側に配された磁石 ３４ 外周表側に配された磁石

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リング状の平板のターゲットを有するマ
   グネトロンスパッタリング装置において、 前記ターゲットの内周縁部に沿った位置の前記ターゲッ
   トの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を
   配し、 前記ターゲットの外周縁部に沿った位置の前記ターゲッ
   トの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を
   配し、 前記ターゲットの内周に沿って配された前記磁石と、前
   記ターゲットの外周に沿って配された前記磁石との極性
   がターゲットを挟んで逆の関係になるように定めたこと
   を特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
2. 【請求項２】 ターゲットの表面で磁場の方向がターゲ
   ット面に平行になる点がターゲットの半径方向に１個以
   上存在するようにそれぞれの磁石の強さを調整した請求
   項１に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
3. 【請求項３】 ターゲットの内周に沿って配された磁石
   のマグネトロンスパッタリング発生側がシールドによっ
   て覆われており、ターゲットの外周に沿って配された磁
   石のマグネトロンスパッタリング発生側がシールドによ
   って覆われており、両シールドは前記ターゲットとは絶
   縁されかつアース又はフローティングされている請求項
   １又は２に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
4. 【請求項４】 シールドには水冷用通路が形成されてお
   り、水冷方式により前記シールドを冷却するようにして
   いる請求項３に記載のマグネトロンスパッタリング装
   置。
5. 【請求項５】 ターゲットの内周に沿って配された前記
   磁石と、ターゲットの外周に沿って配された前記磁石と
   を支持するヨークは、ターゲットに対して位置調整可能
   に中心軸沿いに移動可能であり、前記ヨークを前記中心
   軸に沿って移動させる移動装置を備えるようにした請求
   項１〜４のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリン
   グ装置。
6. 【請求項６】 ターゲットの下面にはターゲットに電力
   を供給するための電極が配置されており、この電極には
   水冷用通路を形成して水冷方式により前記電極を冷却す
   るようにした請求項１〜５のいずれかに記載のマグネト
   ロンスパッタリング装置。
7. 【請求項７】 真空処理室内で基板に対向して配置され
   たリング状の平板のターゲット付近にプラズマを発生さ
   せて前記基板に薄膜を形成されるマグネトロンスパッタ
   リング方法において、 前記ターゲットの内周縁部に沿った位置の前記ターゲッ
   トの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を
   配し、 前記ターゲットの外周縁部に沿った位置の前記ターゲッ
   トの表面側と裏面側にそれぞれ同じ極性を有する磁石を
   配し、 前記ターゲットの内周に沿って配された前記磁石と、前
   記ターゲットの外周に沿って配された前記磁石との極性
   がターゲットを挟んで逆の関係になるように定めて、 前記ターゲットに電力を供給し、 前記ターゲットの内周に沿って配された前記磁石と、前
   記ターゲットの外周に沿って配された前記磁石とによ
   り、前記ターゲット面に大略平行でかつ大略均等な強さ
   を有する磁場を発生させて、プラズマを大略均等に分布
   させ、 前記基板に薄膜を形成させるようにしたことを特徴とす
   るマグネトロンスパッタリング方法。
8. 【請求項８】 ターゲットの表面で磁場の方向がターゲ
   ット面に平行になる点がターゲットの半径方向に１個以
   上存在するようにそれぞれの磁石の強さを調整した請求
   項７に記載のマグネトロンスパッタリング方法。
9. 【請求項９】 ターゲットの内周に沿って配された磁石
   のマグネトロンスパッタリング発生側がシールドによっ
   て覆われており、ターゲットの外周に沿って配された磁
   石のマグネトロンスパッタリング発生側がシールドによ
   って覆われており、両シールドは前記ターゲットとは絶
   縁されかつアース又はフローティングされている請求項
   ７又は８に記載のマグネトロンスパッタリング方法。
10. 【請求項１０】 シールドには水冷用通路が形成されて
    おり、水冷方式により前記シールドを冷却するようにし
    ている請求項９に記載のマグネトロンスパッタリング方
    法。
11. 【請求項１１】 ターゲットの内周に沿って配された磁
    石と、ターゲットの外周に沿って配された磁石とを支持
    するヨークは、ターゲットに対して位置調整可能に中心
    軸沿いに移動可能であり、前記ヨークを前記中心軸に沿
    って移動させる移動装置を備えるようにした請求項７〜
    １０のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリング方
    法。
12. 【請求項１２】 ターゲットの下面にはターゲットに電
    力を供給するための電極が配置されており、この電極に
    は水冷用通路を形成して水冷方式により前記電極を冷却
    するようにした請求項７〜１１のいずれかに記載のマグ
    ネトロンスパッタリング方法。