JPH08101400A

JPH08101400A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH08101400A
Application number: JP23748394A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Nishikawa; 龍司西川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-16

Abstract

(57)【要約】【目的】正スタガー型ＴＦＴを用いた液晶表示装置に
おいて、開口率を向上するとともに、補助容量を増大し
て電圧保持特性を向上し、良好な表示を行う。【構成】透明導電層からなる補助容量電極（１１）を
全面的に形成し、補助容量電極（１１）上には、ブラッ
クマトリクスとなる遮光層（１２）が形成されている。
表示電極（１４Ｐ）の全域が補助容量として用いられる
とともに、遮光層（１２）はマスク合わせのずれのみを
考慮して表示電極（１４Ｐ）に重畳されるため、開口率
の大幅向上と補助容量の増大が実現される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に、ブラックマトリックスをＴＦＴアレイ基板側に形成
して開口率を向上した液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力
などの特徴があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置で
は、対向配置された透明電極間に液晶が装填されてなる
液晶容量に所望の電圧が印加可能に構成された表示画素
が、マトリクス状に配列されている。透明電極はそれぞ
れ透明基板により支持されており、一方はマトリクス状
に形成された表示電極であり、他方は全面的に形成され
た共通電極である。各表示電極にはそれぞれ薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ：ThinFilm Transistor）が接続され、
入力信号電圧が選択される。各ＴＦＴは線順次走査によ
り選択されて、同一行について全てＯＮされ、これに同
期したデータ信号電圧が表示電極に印加される。このよ
うにして液晶容量に印加された電圧はＴＦＴのＯＦＦ抵
抗により次フィールドで書き換えられるまで保持され液
晶層に一定の電界が形成される。液晶は静電的に反応し
て光学的状態が変化し、透過光が変調される。画素ごと
に光の変調を制御することにより、透過光が合成されて
視認され表示画像となる。

【０００４】ＴＦＴとして、半導体層に対してゲートを
上層に配した正スタガー型を用いた場合、ＴＦＴ基板の
製造はマスク数３枚で製造が可能であり、コストが低
い。図５に、このような構造の液晶表示装置であって、
特に、表示画素間の変調されない光を遮断してコントラ
スト比を向上するブラックマトリックをＴＦＴアレイ基
板側に形成したものについて画素部の単位構造を示して
いる。（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
基板（５０）側に、走査信号用のゲートライン（５７
Ｌ）とデータ信号用のドレインライン（５４Ｌ）が交差
して配置され、両ライン（５７Ｌ，５４Ｌ）に囲まれた
領域には表示電極（５４Ｐ）が形成されている。両ライ
ン（５７Ｌ，５４Ｌ）の交差部には、透明な基板（５
０）上に形成された遮光層（５１）とこれを覆う層間絶
縁膜（５３）上に、更に、ソース・ドレイン電極（５４
Ｓ，５４Ｄ）、ａ−Ｓｉ層（５５）、ゲート絶縁層（５
６）及びゲート電極（５７Ｇ）が順次積層されＴＦＴが
形成されている。表示電極（５４Ｐ）の周縁には、補助
容量電極（５２）が配置され、層間絶縁層（５３）を挟
んで表示電極（５４Ｐ）に部分的に重畳されて補助容量
を形成している。

【０００５】この構造においては、補助容量電極（５
２）に特徴がある。即ち、補助容量電極（５２）は補助
容量を形成するとともに、表示電極（５４Ｐ）の周縁部
を覆う形状に形成することにより遮光層として利用し、
これをブラックマトリクスとして機能させることによ
り、開口率を向上している。通常、ブラックマトリクス
を対向基板側に形成した場合、貼り合わせ時のずれが大
きいので、表示電極の周囲から漏れた変調されない光を
遮断するために、５〜１０μｍの貼り合わせマージンが
必要となり、結果的に有効表示領域が縮小し、開口率が
低下する。これに対して、ブラックマトリックスをＴＦ
Ｔアレイ基板側に形成することにより、アライメント時
のずれを見込んだ位置合わせマージンが２〜３μｍに低
減されるため、開口率が向上する。

【０００６】補助容量電極（５２）は、ＴＦＴの裏面か
らの入射光を遮断する遮光層（５１）とともに、ガラス
などの透明な基板（５０）上でＣｒなどから形成されて
いる。全面にはこれらを覆ってＳｉＮXなどの層間絶縁
層（５３）が形成されている。表示電極（５４Ｐ）とド
レインライン（５４Ｌ）は、層間絶縁層（５３）上でＩ
ＴＯなどにより形成されている。表示電極（５４Ｐ）及
びドレインライン（５４Ｌ）の一部は互いに近接され
て、それぞれソース電極（５４Ｓ）及びドレイン電極
（５４Ｄ）となっており、両電極（５４Ｓ，５４Ｄ）上
には、チャンネル層となるａ−Ｓｉ（５５）、ＳｉＮX
などのゲート絶縁層（５６）、及び、Ａｌなどのゲート
電極（５７Ｇ）が積層されてＴＦＴを構成している。ゲ
ートライン（５７Ｌ）は、ＴＦＴ部と一体のａ−Ｓｉ
（５５）とゲート絶縁層（５６）からなる積層体上に配
置されている。ゲートライン（５７Ｌ）とゲート電極
（５７Ｇ）は一体で、ａ−Ｓｉ（５５）及びゲート絶縁
層（５６）もこれと同じパターンに形成されている。ま
た、ａ−Ｓｉ（５５）とソース電極（５４Ｓ）、及び、
ａ−Ｓｉ（５５）とドレイン電極（５４Ｄ）の間には、
燐などの不純物イオンを注入にして抵抗を下げたＮ+型
ａ−Ｓｉ（５５Ｎ）を介在させ、オーミック特性を向上
している。これらを覆う全面には、液晶の配向を制御す
る目的で、ポリイミドなどの配向膜（５８）を形成し所
定のラビング処理を施すことにより表面処理がなされて
いる。

【０００７】こような構造のＴＦＴ基板に対向して配置
された基板（６０）上には、表示領域に対応して開口部
が除去された遮光層（６１）がＣｒなどにより形成さ
れ、これを覆ってＩＴＯの共通電極（６２）が全面的に
形成されている。更に表面には、ＴＦＴ基板側と同様に
ポリイミドの配向膜（６３）が形成され、対向基板とな
っている。両基板の間には液晶層（７０）が設けられて
いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来構造
は、非透明な補助容量電極（５２）による表示領域の損
失を避けるため、補助容量電極（５２）を表示電極（５
４Ｐ）の周縁に配置したものである。即ち、これにより
ブラックマトリクスを兼用する補助容量電極（５２）の
合わせマージンによる表示領域の損失と、補助容量を構
成する補助容量電極（５２）の遮光による表示領域の損
失を同一領域にし、結果的に、表示領域の縮小を少なく
して、開口率を向上している。この構造により、例え
ば、ブラックマトリクスを対向基板側に形成した場合の
表示領域の損失に対応して、ＴＦＴアレイ基板側に補助
容量を作り込むことにより、補助容量電極による表示領
域の損失分が無くせるとともに、相当に大きな補助容量
も形成できる。

【０００９】しかし、この構造では、例えば表示領域の
損失を補助容量電極（５２）のアライメントマージンの
みにして、最低に抑えた場合、補助容量値をそれ以上に
大きくすることは不可能となる。また、所定値の補助容
量を形成すると表示領域の損失が避けられない。即ち、
従来の構造では飛躍的な開口率の向上と、補助容量の増
大は両立できなかった。

【００１０】特に、プロジェクションＴＶなどの投射型
では、十分な明るさを得るとともに、強い光が入射して
ＴＦＴのＯＦＦ抵抗が下がってもリークが生じることの
ないように、補助容量を十分に大きくし、電圧保持特性
を維持する必要がある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明はこの目的を達成
するために成されたもので、第１に、一方の基板上に交
差して配置された複数のゲートラインと複数のドレイン
ライン、前記ゲートラインとドレインラインに囲まれた
領域に配置された複数の表示電極、前記ゲートラインと
ドレインラインの交差部で、前記ドレインラインに一体
のドレイン電極と前記表示電極に一体のソース電極が近
接された領域上に半導体層、該半導体層上に絶縁層、及
び、該絶縁層上に前記ゲートラインに一体のゲート電極
が積層されてなる薄膜トランジスタ、前記表示電極に対
向し補助容量を構成する補助容量電極、及び、他方の基
板上に全面的に形成され、液晶を挟んで前記各表示電極
に共通に対向し、各対向部で表示画素容量を構成する共
通電極、とを有する液晶表示装置において、前記補助容
量電極は基板上に全面的に形成された透明導電層からな
り、層間絶縁層を挟んで前記各表示電極に共通に対向す
る構成である。

【００１２】第２に、第１の構成において、前記補助容
量電極上には、前記薄膜トランジスタ及び前記表示電極
の周縁部を覆う第１の遮光層が形成された構成である。
第３に、第２の構成において、前記第１の遮光層は、前
記表示電極間の全域に設けられ、かつ、前記他方の基板
には、前記表示電極に平面的に対応するとともに、前記
表示電極の周囲を前記第１の遮光層によって遮光された
領域を除いた表示電極の開口部よりも大きな開口部を有
する第２の遮光層が形成された構成である。

【００１３】第４に、第１から第４のいずれかの構成に
おいて、前記補助容量電極は、前記第１の基板の周縁部
には不在とした構成である。

【００１４】

【作用】前記第１の構成で、補助容量電極を透明導電層
により形成し、表示電極の全面に対向配置することによ
り、表示電極の全領域が表示領域として有効となって表
示領域の損失が無くなり、開口率が向上する。また、表
示電極の全領域が補助容量に利用されるため大きな容量
値を取ることができる。即ち、飛躍的な開口率の向上と
補助容量の増大が両立できる。

【００１５】前記第２の構成で、ゲート電極の反対側よ
り半導体層を覆う第１の遮光層を形成することにより、
裏面からの光入射によるＯＦＦ時のリーク電流が防が
れ、表示画素用量の印加電圧の保持特性が向上する。ま
た、第１の遮光層を表示電極の周縁を覆う領域に形成す
ることにより、表示電極が形成された基板側で、表示電
極と第１の遮光層の位置合わせが行われ、基板の貼り合
わせ時の位置合わせよりも、比較的精度の高いマスクア
ライメントにより行うことができる。このため、表示領
域を縮小するマージンが小さくなり、開口率が向上す
る。

【００１６】前記第３の構成で、表示電極が形成された
側の基板の開口部よりも大きな開口部を有する第２の遮
光層を共通電極が形成された基板側に形成することによ
り、貼り合わせのずれによって共通電極側の開口部が表
示電極側の開口部からはみだして開口率が低下するのが
防がれる。また、液晶層中で変調された光は回析現象に
より広がって進むので、共通電極側の開口部を表示電極
側の開口部よりも大きくすることにより、表示電極を透
過した光の利用効率が高まり透過量が増大し、結果的に
開口率が上昇する。更に、表示電極間の全域に形成され
た第１の遮光層と、これに略対応する第２の遮光層の間
で、回析により遮光層のエッジ部から回り込んだ光を反
射させ、開口部より射出させることができる。これによ
り、光の利用効率が更に高まり、透過量が増大する。

【００１７】前記第４の構成で、基板周縁部で補助容量
電極を不在とすることにより、導電パターンの形成工程
完了後に大基板を切断してパネルごとに分割する際、補
助容量電極が基板端の側面から露出されるのが防がれ
る。これにより、駆動回路素子との接続部でのショート
や静電気入力が防がれ、信頼性が向上する。

【００１８】

【実施例】続いて、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は本実施例に係る液晶表示装置の単位
画素の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断
面図である。透明な基板（１０）上には透明な導電性材
料からなる補助容量電極（１１）が全面的に形成され、
補助容量電極（１１）上にはブラックマトリクスを兼ね
た遮光層（１２）が形成されている。これら補助容量電
極（１１）及び遮光層（１２）を覆う全面には層間絶縁
層（１３）が形成され、層間絶縁層（１３）上にはゲー
トライン（１７Ｌ）とドレインライン（１４Ｌ）が交差
して配置されている。両ライン（１７Ｌ，１４Ｌ）の交
差部には、基板（１０）上に補助容量電極（１１）、遮
光層（１２）、層間絶縁層（１３）が積層された上にソ
ース電極（１４Ｓ）とドレイン電極（１４Ｄ）が近接し
て配置され、この上には更に半導体層（１５）、ゲート
絶縁層（１６）、ゲート電極（１７Ｇ）が順次積層され
ＴＦＴを構成している。ゲートライン（１７Ｌ）はＴＦ
Ｔ部と一体的に半導体層（１５）とゲート絶縁層（１
６）からなる積層体上に配されている。

【００１９】ゲートライン（１７Ｌ）とドレインライン
（１４Ｌ）に囲まれた領域には表示電極（１４Ｐ）が形
成され、層間絶縁層（１３）を挟んで補助容量電極（１
２）に対向し補助容量を構成している。表示電極（１４
Ｐ）の周囲にはＴＦＴ部と一体の遮光層（１２）が形成
され、層間絶縁層（１３）を挟んで表示電極（１４Ｐ）
の周縁に部分的に重畳されている。特に、本実施例で
は、遮光層（１２）を開口部以外の全域、即ち、ゲート
ライン（１７Ｌ）とドレインライン（１４Ｌ）上の領域
にも設けている。

【００２０】画素部では、液晶層（３０）を挟んで対向
配置された基板（２０）上に、遮光層（２１）が形成さ
れ、これを覆う全面に透明導電層からなる共通電極（２
２）が形成されている。遮光層（２１）は、基板（１
０）側の遮光層（１２）よりも小さく、即ち、その開口
部を、平面的に対応する基板（１０）側の遮光層（１
２）の開口部よりも大きく形成している。

【００２１】また、両基板表面には配向膜（１８，２
３）が形成され、液晶の配向を制御している。本発明で
は、このように、ＴＦＴアレイ基板（１０）側にブラッ
クマトリクスを兼ねた遮光層（１２）を形成することに
より開口率を大幅に向上している。即ち、ホトエッチ時
のマスク合わせによって高精度に位置が決定されるた
め、遮光層（１２）と表示電極（１４Ｐ）の位置ずれが
小さく、マージンを小さくすることができる。従って、
遮光層（１２）と表示電極（１４Ｐ）との重畳による表
示領域の損失が減少し、開口率が向上する。

【００２２】また、補助容量電極（１１）を透明導電層
により全面的に形成し、補助容量を表示電極（１４Ｐ）
の全領域に形成することにより、補助容量を大きくして
いる。また、従来のように遮光性の補助容量電極による
表示領域の損失分がなくなるので開口率が向上する。補
助容量電極（１１）に透明導電層を用いることは、更
に、ブラックマトリクスをＴＦＴアレイ基板側に形成す
る構造において、高開口率化を促進する。即ち、位置合
わせマージンを縮小しブラックマトリクスを兼ねた補助
容量電極の表示電極への重畳を少なくすることは補助容
量の減少をともなうが、透明な補助容量電極（１１）を
ブラックマトリクスと別に設けることにより、高開口率
と大補助容量を同時に実現できる。

【００２３】このような、補助容量電極（１１）を有す
る構造は、ＴＦＴのゲートを半導体層に対して上層に配
した正スタガー型が適している。逆スタガー型に適用す
ると、基板上に補助容量電極、（遮光層、）層間絶縁
層、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース・ド
レイン電極が順に積層されるが、この構造では次のよう
な問題がある。ゲート層が表示電極よりも下にあるた
め、ゲートと補助容量電極間の寄生容量のために、ゲー
ト信号に歪みが生じる。ゲート信号の歪みはＴＦＴのス
イッチング動作に直接影響を及ぼす。これを避ける目的
で、寄生容量を小さくするために層間絶縁層を厚くする
と、ゲート絶縁層も加えた厚みのために補助容量が減少
し、本構造を採用する効果が失われる。また、ゲート絶
縁層をパターニングしてＴＦＴ部のみに残す構造では、
ＴＦＴと表示電極の段差が大きくなり、配向膜（１８）
表面の凹凸によって液晶の配向が乱れ、リバースチルト
ドメインやディスクリネーションなどの問題を招く。

【００２４】また本発明では特に、ＩＴＯの補助容量電
極（１１）上に、ブラックマトリクスとなる遮光層（１
２）を積層している。これにより、ＩＴＯの高抵抗を補
償して充電特性の低下を防ぐとともに、遮光層（１２）
の膜厚による補助容量電極（１１）の段切れを防いでい
る。図３は補助容量電極信号入力側基板端の平面図であ
り、図４は図３のＢーＢ線に沿った断面図である。

【００２５】画素部と同様に、基板（１０）上に、補助
容量電極（１１）及び遮光層（１２）が積層形成された
上に層間絶縁層（１３）を挟んで、基板（１０）の端に
沿った帯域に補助容量入力電極（１４Ｃ）が形成されて
いる。補助容量入力電極（１４Ｃ）は、端部が補助容量
入力端（１４Ｐ）となっていて例えば共通電極信号が印
加される。補助容量入力電極（１４Ｃ）と補助容量電極
（１１）の対向部では容量が形成され、フローティング
の補助容量電極（１１）を共通として補助容量に直列結
合されている。このように、補助容量入力電極（１４
Ｐ）から信号を入力する構成とすることにより、層間絶
縁層（１３）にコンタクトホールを形成せずに補助容量
を駆動できるので、ホトエッチ工程が削減される。

【００２６】また本発明では、対向基板（２０）側にも
遮光層（２１）を設けて、光の利用効率を高めている。
ＴＦＴアレイ基板（１０）側で遮光層（１２）を抜けた
表示領域の光は、回析現象などにより非表示領域に散乱
される。非表示領域で電界が形成されていない部分では
光が変調されず、このような透過光はコントラスト比を
低下させる原因になる。これを解決するために、例え
ば、開口部を表示電極領域よりも相当に小さくして、変
調されない光を全て遮断してしまう方法などが考えられ
るが、それでは開口率が低下してしまう。そのため、本
発明では、ＴＦＴアレイ基板（１０）側において表示領
域外の全域に遮光層（１２）を設けるとともに、対向基
板（２０）側にも、遮光層（１２）に対向する領域に、
遮光層（１２）よりも小さな遮光層（２１）を設けてい
る。これにより、両遮光層（１２，２１）間で回析光を
反射させ、表示領域にまで導いて変調してから開口部よ
り射出する構成としている。

【００２７】また、液晶層（３０）中の電界は、表示電
極（１４Ｐ）から共通電極（２２）へ向かってやや外側
へ広がった分布となる。このため、角度の小さい回析光
は透過させるようにするために、対向基板（２０）側の
開口部をＴＦＴアレイ基板（１０）側の開口部より大き
く形成し、角度の大きな回析光のみを遮断及び反射させ
ている。

【００２８】このような液晶表示装置は次のように製造
される。まず、ガラスなどの透明な基板（１０）上に、
メタルマスクなどにより周縁部の数百μｍ幅の帯域を覆
いながらＩＴＯをスパッタリングして、５００〜１００
０Å程度の厚さに積層する。これにより基板のほぼ全域
に補助容量電極（１１）が形成される。補助容量電極
（１１）は、基板製造の最終工程で大基板を切断してパ
ネルごとに切り離した際に、切断面に露出されるのを防
ぐために、切断部には電極を不在としている。即ち、補
助容量電極（１１）が切断後の基板端にまでこないよう
にして、パネルの側面に補助容量電極（１１）が露出さ
れるのを防ぎ、ＴＡＢ部などと接触してショートしたり
静電気が入力するのが避けられる。なお、補助容量電極
（１１）の位置合わせにはそれ程高い精度は必要無いの
で、メタルマスクを用いたパターニングを行っている。

【００２９】続いて、Ｃｒをスパッタリングにより２０
００Å程度の厚さに積層し、これをホトエッチによりパ
ターニングすることにより表示領域に対応した開口部を
形成し、ブラックマトリクスを兼ねた遮光層（１２）を
形成する。次に、ＳｉＯ2をＣＶＤにより７０００〜１
００００Åの厚さに成膜して層間絶縁層（１３）を形成
し、補助容量電極（１１）及び遮光層（１２）を被覆す
る。補助容量は表示電極（１４Ｐ）の全域に形成して十
分に大きくできるので、層間絶縁層（１３）を厚くし
て、補助容量電極（１１）による悪影響を低減してい
る。即ち、遮光層（１２）とドレインライン（１４Ｌ）
間及び遮光層（１２）とゲートライン（１７Ｌ）間に形
成された寄生容量を減少させて信号の歪みを防ぐととも
に、補助容量電極（１１）と一体的に遮光層（１２）に
印加された電圧によりＴＦＴの動作が影響を受けるのを
防いでいる。

【００３０】次に、層間絶縁層（１３）上に、ＩＴＯ
（１４）をスパッタリングにより１０００Å程度の厚さ
に、Ｎ+ａ−Ｓｉ（１５Ｎ）を２００〜３００Å程度の
厚さに順次積層し、これら両膜（１４，１５Ｎ）をホト
エッチによりパターニングする。これにより、周囲２〜
３μｍが遮光層（１２）に重畳する表示電極（１４
Ｐ）、表示電極（１４Ｐ）の行間にドレインライン（１
４Ｌ）、表示電極（１４Ｐ）と一体のソース電極（１４
Ｓ）、及び、ドレインライン（１４Ｌ）と一体のドレイ
ン電極（１４Ｄ）、更に基板端には補助容量入力電極
（１４Ｃ）が形成される。

【００３１】続いて、ソース・ドレイン配線（１４）が
形成された基板上に、プラズマＣＶＤによりａ−Ｓｉ
（１５）を５００〜１０００Å程度の厚さに積層し、引
き続き、プラズマＣＶＤによりゲート絶縁層（１６）と
なるＳｉＮXを２０００〜４０００Åの厚さに積層し、
次に、ゲート配線（１７）となるＡｌをスパッタリング
により４０００Å程度の厚さに積層する。このように順
次積層されたＡｌ、ＳｉＮX、ａ−Ｓｉ、及びＮ+ａ−Ｓ
ｉは同一のマスクを用いたエッチングにより不要な部分
を除去する。これにより、ソース及びドレイン電極（１
４Ｓ，１４Ｄ）上にＮ+ａ−Ｓｉ（１５Ｎ）、ａ−Ｓｉ
（１５）、ゲート絶縁層（１６）及びゲート電極（１７
Ｇ）が積層されてＴＦＴが形成されるとともに、ａ−Ｓ
ｉとＳｉＮXの積層体上のＡｌからなるゲートライン
（１７Ｌ）が形成される。更に、画素部表面にはポリイ
ミドの配向膜（１８）が形成されて、ＴＦＴアレイ基板
が完成する。

【００３２】一方の基板（２０）上には、ブラックマト
リクスとしてＣｒからなる遮光層（２１）が形成され
る。この遮光層（２１）の開口部はＴＦＴアレイ基板
（１０）側の遮光層（１２）の開口部に対応するととも
に１０μｍ程度大きく形成される。この遮光層（２１）
上にはＩＴＯの共通電極（２２）が全面的に形成され、
更に、ポリイミドの配向膜（２３）が形成され対向基板
となる。

【００３３】この対向基板とＴＦＴアレイ基板は周縁部
でシール材（４０）により互いに対向する位置関係に貼
り合わされ、間隙には液晶（３０）を注入して密封する
ことにより液晶表示装置が完成する。このように本発明
の液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板の製造に要する
マスク数は３枚で済み、コストが低い。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
より、３枚のマスクにより製造が可能な液晶表示装置に
おいて、開口率の大幅上昇と補助容量の増大が同時に実
現され、表示品位が向上した。特に、プロジェクション
ＴＶなどの投射型に適し、明るい画面が得られるととも
に、光源からの強い光によっても電圧保持特性が低下せ
ず、良好な表示品位が保たれる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の画素部の
拡大平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】本発明の実施例に係る液晶表示装置の基板端部
の平面図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図５】従来の液晶表示装置の平面図と断面図である。

【符号の説明】

１０，２０基板１１補助容量電極１２，２１遮光層１３層間絶縁層１４ソース・ドレイン配線１５ａ−Ｓｉ１６ゲート絶縁層１７ゲート配線１８，２３配向膜２２共通電極３０液晶４０シール剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/336

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上に交差して配置された複数
のゲートラインと複数のドレインライン、前記ゲートラインとドレインラインに囲まれた領域に配
置された複数の表示電極、前記ゲートラインとドレインラインの交差部で、前記ド
レインラインに一体のドレイン電極と前記表示電極に一
体のソース電極が近接された領域上に半導体層、該半導
体層上に絶縁層、及び、該絶縁層上に前記ゲートライン
に一体のゲート電極が積層されてなる薄膜トランジス
タ、前記表示電極に対向し補助容量を構成する補助容量電
極、及び、第２の基板上に全面的に形成され、液晶を挟んで
前記各表示電極に共通に対向し、各対向部で表示画素容
量を構成する共通電極、とを有する液晶表示装置におい
て、前記補助容量電極は基板上に全面的に形成された透明導
電層からなり、層間絶縁層を挟んで前記各表示電極に共
通に対向することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記補助容量電極上には、前記薄膜トラ
ンジスタを覆う第１の遮光層が形成されていることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記補助容量電極上には、前記表示電極
の周縁部を覆う第２の遮光層が形成されていることを特
徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記第２の遮光層は、前記第１の遮光層
と一体であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示
装置。
【請求項５】前記第２の遮光層は、前記表示電極間の
全域に設けられ、かつ、前記第２の基板には、前記表示
電極に平面的に対応するとともに、前記表示電極の周囲
を前記第１の遮光層及び前記第２の遮光層によって遮光
された領域を除いた表示電極の開口部よりも大きな開口
部を有する第３の遮光層が形成されていることを特徴と
する請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記補助容量電極は、前記第１の基板の
周縁部には不在であることを特徴とする請求項１から請
求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。