JPH08102044A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH08102044A JPH08102044A JP23533494A JP23533494A JPH08102044A JP H08102044 A JPH08102044 A JP H08102044A JP 23533494 A JP23533494 A JP 23533494A JP 23533494 A JP23533494 A JP 23533494A JP H08102044 A JPH08102044 A JP H08102044A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- thin film
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 支持体の磁性層蒸着面と反対側の面に、 ECR
プラズマCVD 法やアーク放電等の蒸着により、ダイヤモ
ンドライクカーボンやグラファイト等の炭素薄膜からな
るバックコート層を形成する。 【効果】 バックコート層の成膜速度が向上し、コバル
トのような剛性の高い金属材料から磁性層を形成した場
合でもこれに対抗し得る十分な硬さを有するバックコー
ト層が容易に得られる。しかも、バックコート層の膜質
の制御が容易である。
プラズマCVD 法やアーク放電等の蒸着により、ダイヤモ
ンドライクカーボンやグラファイト等の炭素薄膜からな
るバックコート層を形成する。 【効果】 バックコート層の成膜速度が向上し、コバル
トのような剛性の高い金属材料から磁性層を形成した場
合でもこれに対抗し得る十分な硬さを有するバックコー
ト層が容易に得られる。しかも、バックコート層の膜質
の制御が容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体、例えば磁気テープには、
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高めら
れるため、高密度記録に有望であるとされている。
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高めら
れるため、高密度記録に有望であるとされている。
【０００３】現在発売又は開発されている蒸着型テープ
は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミ
ド、アラミド等の支持体上に、真空蒸着法を用いて金属
を蒸着させた磁性層を有する。更に、磁性層を保護し、
また記録・再生用ヘッドとの接触をスムーズにするため
の潤滑剤としての働きを持たせるためにトップコート層
が形成されたり、或いは、磁性層の反対側の面にカーボ
ンブラック及びセラミックス粉末 (粒径10〜100nm)をバ
インダー（塩ビ系、ウレタン系、硝化綿系などを単独又
は混合して用いる）中に分散させ、グラビア法、リバー
ス法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが 0.4〜1.0 μ
m になるように塗布してバックコート層を形成すること
が一般に行われてきた。
は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミ
ド、アラミド等の支持体上に、真空蒸着法を用いて金属
を蒸着させた磁性層を有する。更に、磁性層を保護し、
また記録・再生用ヘッドとの接触をスムーズにするため
の潤滑剤としての働きを持たせるためにトップコート層
が形成されたり、或いは、磁性層の反対側の面にカーボ
ンブラック及びセラミックス粉末 (粒径10〜100nm)をバ
インダー（塩ビ系、ウレタン系、硝化綿系などを単独又
は混合して用いる）中に分散させ、グラビア法、リバー
ス法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが 0.4〜1.0 μ
m になるように塗布してバックコート層を形成すること
が一般に行われてきた。
【０００４】しかしながら、バックコート層を先に塗布
してから磁性層を真空蒸着すると、真空系でバックコー
ト層からの脱ガス（バインダーの溶剤から発生する）を
生じ、真空度が落ちる結果、蒸着がうまくいかないとい
う問題点があり、従来は真空中で磁性層を蒸着した後、
大気中にテープを取出してから、バックコート層を塗布
している。
してから磁性層を真空蒸着すると、真空系でバックコー
ト層からの脱ガス（バインダーの溶剤から発生する）を
生じ、真空度が落ちる結果、蒸着がうまくいかないとい
う問題点があり、従来は真空中で磁性層を蒸着した後、
大気中にテープを取出してから、バックコート層を塗布
している。
【０００５】しかし、この方法によってもバックコート
層を塗布する工程で、磁性層が汚れたり、ゴミが付着し
て、ドロップアウト検査（磁気テープを検査用のカセッ
トデッキに入れて一定の信号を記録しつつ再生し、テー
プ表面の傷や異物の付着などによる再生信号の欠落であ
るところのドロップアウトを検出する検査）において、
ドロップアウト数を増加させるという問題点があった。
層を塗布する工程で、磁性層が汚れたり、ゴミが付着し
て、ドロップアウト検査（磁気テープを検査用のカセッ
トデッキに入れて一定の信号を記録しつつ再生し、テー
プ表面の傷や異物の付着などによる再生信号の欠落であ
るところのドロップアウトを検出する検査）において、
ドロップアウト数を増加させるという問題点があった。
【０００６】また、カーボンブラックは導電性は良好で
あるが、バインダーを入れるため、導電性が低下してし
まい、帯電防止効果が低下するという問題点があった。
あるが、バインダーを入れるため、導電性が低下してし
まい、帯電防止効果が低下するという問題点があった。
【０００７】以上のような問題点を解決すべく、従来空
気中で塗布により形成していたバックコート層を真空中
での金属蒸着により形成することが行なわれている。
気中で塗布により形成していたバックコート層を真空中
での金属蒸着により形成することが行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属蒸
着により真空中でバックコート層を形成する場合、バッ
クコート層の表面粗さをコントロールすることが難し
く、特にRaを大きくするとこが困難である。
着により真空中でバックコート層を形成する場合、バッ
クコート層の表面粗さをコントロールすることが難し
く、特にRaを大きくするとこが困難である。
【０００９】また、磁気特性に優れた金属材料、例えば
コバルトからなる磁性層を2000Å程度の厚さで形成して
性能を向上させようとする場合、バックコート層はこれ
に対抗し得る十分な硬さを有することが要求されるが、
そのような硬度を有するバックコート層を金属蒸着によ
り形成することは困難である。しかも、十分な硬度を得
るために膜厚を厚くしようとすると成膜速度が低下し、
生産性の低下につながる。
コバルトからなる磁性層を2000Å程度の厚さで形成して
性能を向上させようとする場合、バックコート層はこれ
に対抗し得る十分な硬さを有することが要求されるが、
そのような硬度を有するバックコート層を金属蒸着によ
り形成することは困難である。しかも、十分な硬度を得
るために膜厚を厚くしようとすると成膜速度が低下し、
生産性の低下につながる。
【００１０】そこで本発明の目的は、磁気記録媒体のバ
ックコート層の形成において、表面粗さや膜の硬度等の
膜質を容易に制御でき、且つ成膜速度が速く生産性を向
上できる方法を提供することである。
ックコート層の形成において、表面粗さや膜の硬度等の
膜質を容易に制御でき、且つ成膜速度が速く生産性を向
上できる方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成するために鋭意研究した結果、本発明を完成する
に至った。
を達成するために鋭意研究した結果、本発明を完成する
に至った。
【００１２】すなわち本発明は、支持体上の磁性層蒸着
面と反対側の面にバックコート層を形成するに際し、支
持体の前記反対側の面に蒸着により炭素を付着させて炭
素薄膜からなるバックコート層を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
面と反対側の面にバックコート層を形成するに際し、支
持体の前記反対側の面に蒸着により炭素を付着させて炭
素薄膜からなるバックコート層を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【００１３】本発明の磁気記録媒体の製造方法におい
て、炭素の蒸着による炭素薄膜の形成は ECRプラズマCV
D 法或いはアーク放電により実施される。
て、炭素の蒸着による炭素薄膜の形成は ECRプラズマCV
D 法或いはアーク放電により実施される。
【００１４】〔ECRプラズマCVD法〕ECRプラズマCVD 法
は、高真空中で炭素源となるガスにマイクロ波を印加し
てガスをプラズマ化し、炭素薄膜を形成する方法であ
る。この方法では支持体の磁性層が形成される面と反対
の面にダイヤモンドライクカーボン薄膜からなるバック
コート層が形成される。ダイヤモンドライクカーボン薄
膜は非晶質炭素膜であり、グラファイト結合とダイヤモ
ンド結合が混在する構造と考えられている。
は、高真空中で炭素源となるガスにマイクロ波を印加し
てガスをプラズマ化し、炭素薄膜を形成する方法であ
る。この方法では支持体の磁性層が形成される面と反対
の面にダイヤモンドライクカーボン薄膜からなるバック
コート層が形成される。ダイヤモンドライクカーボン薄
膜は非晶質炭素膜であり、グラファイト結合とダイヤモ
ンド結合が混在する構造と考えられている。
【００１５】ECR プラズマCVD により炭素薄膜からなる
バックコート層を形成する場合、炭素源としてはメタ
ン、エタン、プロパン、ブタン等の低級炭化水素のガス
の単独、或いはこれらとアルゴンガス或いは水素ガスを
混合した混合ガスを用いることもできる。
バックコート層を形成する場合、炭素源としてはメタ
ン、エタン、プロパン、ブタン等の低級炭化水素のガス
の単独、或いはこれらとアルゴンガス或いは水素ガスを
混合した混合ガスを用いることもできる。
【００１６】炭素源となるガスを最初に ECRプラズマCV
D 法にかけて成膜する場合、ECR プラズマCVD 法は炭素
薄膜を形成する公知の方法に準じて行えばよく、通常マ
イクロ波の波長は2.45GHz 、出力は500W程度であり、真
空度が10-4〜10-1Torrとなるように炭素源となるガスを
流す。
D 法にかけて成膜する場合、ECR プラズマCVD 法は炭素
薄膜を形成する公知の方法に準じて行えばよく、通常マ
イクロ波の波長は2.45GHz 、出力は500W程度であり、真
空度が10-4〜10-1Torrとなるように炭素源となるガスを
流す。
【００１７】炭素薄膜を形成した後、当該炭素薄膜をエ
ッチングして所望の膜質に調整することが望ましい。炭
素薄膜をエッチングする方法はイオンエッチングが好ま
しく、具体的にはカウフマン型のイオンガンを用いて水
素ガスやアルゴンガスをイオン化してこれを炭素薄膜に
照射してグラファイト部分をエッチングする方法が最も
便利である。この場合も公知のイオンエッチング法に準
じて行えばよいが、イオン源となる水素ガスやアルゴン
ガスは真空度が10-6〜10-4Torrとなるように流し、出力
は 300〜2000 W程度である。
ッチングして所望の膜質に調整することが望ましい。炭
素薄膜をエッチングする方法はイオンエッチングが好ま
しく、具体的にはカウフマン型のイオンガンを用いて水
素ガスやアルゴンガスをイオン化してこれを炭素薄膜に
照射してグラファイト部分をエッチングする方法が最も
便利である。この場合も公知のイオンエッチング法に準
じて行えばよいが、イオン源となる水素ガスやアルゴン
ガスは真空度が10-6〜10-4Torrとなるように流し、出力
は 300〜2000 W程度である。
【００１８】また、炭素源となるガスと水素又はアルゴ
ンの混合ガスを用いる場合はその混合割合や流量等を調
節することにより所望の膜質を得ることができる。この
場合もダイヤモンドライクカーボン中のグラファイト部
分が水素イオンやアルゴンイオンによりエッチングさ
れ、よりダイヤモンドに近い膜が残るこの場合もECR プ
ラズマCVD 法は公知の方法に準じて行えばよい。
ンの混合ガスを用いる場合はその混合割合や流量等を調
節することにより所望の膜質を得ることができる。この
場合もダイヤモンドライクカーボン中のグラファイト部
分が水素イオンやアルゴンイオンによりエッチングさ
れ、よりダイヤモンドに近い膜が残るこの場合もECR プ
ラズマCVD 法は公知の方法に準じて行えばよい。
【００１９】〔アーク放電〕本発明において、炭素薄膜
の形成をアーク放電により行う場合、アーク放電は通常
の炭素膜作製用の装置を用いて行えばよい。アーク放電
には交流を用いる方法と交流を用いる方法があるが、そ
の何れでも適用できる。実施条件の一例としては、電極
としてグラファイトを用い、真空度10-3〜10-7Torr、電
極間の電圧は10〜200 V 、電流は100 A 以下、50〜100A
程度で行うが、直流法の場合はやや電流を低目とする。
の形成をアーク放電により行う場合、アーク放電は通常
の炭素膜作製用の装置を用いて行えばよい。アーク放電
には交流を用いる方法と交流を用いる方法があるが、そ
の何れでも適用できる。実施条件の一例としては、電極
としてグラファイトを用い、真空度10-3〜10-7Torr、電
極間の電圧は10〜200 V 、電流は100 A 以下、50〜100A
程度で行うが、直流法の場合はやや電流を低目とする。
【００２０】また、ルツボを電極とした低電圧アーク放
電法で炭素薄膜を形成することもできる。低電圧アーク
放電法は、熱陰極槽のフィラメントと蒸発槽のアノード
（ルツボ）の間で低電圧・大電流（例えば200 V 以下、
30A 以上）のアーク放電を起こし、放電軸に平行な磁界
で集束し、ルツボの蒸発物質（この場合、グラファイト
等の炭素源）を加熱蒸発し炭素薄膜を形成する方法であ
る。
電法で炭素薄膜を形成することもできる。低電圧アーク
放電法は、熱陰極槽のフィラメントと蒸発槽のアノード
（ルツボ）の間で低電圧・大電流（例えば200 V 以下、
30A 以上）のアーク放電を起こし、放電軸に平行な磁界
で集束し、ルツボの蒸発物質（この場合、グラファイト
等の炭素源）を加熱蒸発し炭素薄膜を形成する方法であ
る。
【００２１】〔バックコート層〕本発明により形成され
る炭素薄膜からなるバックコート層は単層でも重層でも
よい。バックコート層の厚さは限定されないが、 500〜
10000 Åが好ましい。
る炭素薄膜からなるバックコート層は単層でも重層でも
よい。バックコート層の厚さは限定されないが、 500〜
10000 Åが好ましい。
【００２２】また、バックコート層の表面粗さ (Ra) は
10〜30nm、摩擦係数（μ）は0.1 〜0.5 程度を目標とす
べきであるが、もちろんこの範囲外であってもよい。
10〜30nm、摩擦係数（μ）は0.1 〜0.5 程度を目標とす
べきであるが、もちろんこの範囲外であってもよい。
【００２３】〔磁性層〕本発明において磁性層は真空中
で蒸着により形成される。磁性層を形成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられ、例えばCo, Ni, Fe等
の強磁性金属、また、Fe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co
−Ni、Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y 、Co−
La、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−B
i、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co
−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層
としては鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄
膜が好ましく、特に、鉄、コバルト、ニッケルを主体と
する強磁性合金及びこれらの窒化物もしくは炭化物から
選ばれる少なくとも１種が好ましい。
で蒸着により形成される。磁性層を形成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられ、例えばCo, Ni, Fe等
の強磁性金属、また、Fe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co
−Ni、Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y 、Co−
La、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−B
i、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co
−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層
としては鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄
膜が好ましく、特に、鉄、コバルト、ニッケルを主体と
する強磁性合金及びこれらの窒化物もしくは炭化物から
選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００２４】高密度記録のためには磁気記録媒体の磁性
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr程度であ
る。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造の何れで
も良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表面に酸化
物を形成することにより、耐久性の向上を図ることがで
きる。なお、本発明においては、磁性層は一層或いは多
層とすることができるが、蒸着で多層の磁性層を形成す
る場合、磁性層の厚さは、二層の場合、下層の磁性層の
厚さが 100〜2000Å、上層の磁性層の厚さが50〜1000Å
が好ましく、三層の場合、下層の磁性層の厚さが100 〜
2000Å、中間の磁性層の厚さが 100〜1000Å、上層の磁
性層の厚さが50〜1000Åが好ましい。また、磁性層の数
は高周波記録に対応するには、多い方が良いが、実用的
な範囲としては二〜五層が適当と考えられる。
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr程度であ
る。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造の何れで
も良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表面に酸化
物を形成することにより、耐久性の向上を図ることがで
きる。なお、本発明においては、磁性層は一層或いは多
層とすることができるが、蒸着で多層の磁性層を形成す
る場合、磁性層の厚さは、二層の場合、下層の磁性層の
厚さが 100〜2000Å、上層の磁性層の厚さが50〜1000Å
が好ましく、三層の場合、下層の磁性層の厚さが100 〜
2000Å、中間の磁性層の厚さが 100〜1000Å、上層の磁
性層の厚さが50〜1000Åが好ましい。また、磁性層の数
は高周波記録に対応するには、多い方が良いが、実用的
な範囲としては二〜五層が適当と考えられる。
【００２５】〔支持体〕本発明の磁気記録媒体の製造方
法において、支持体としては、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレートのようなポリエステ
ル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン; セルローストリアセテート、セルロースジアセテー
ト等のセルロース誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化
ビニル；ポリイミド；芳香族ポリアミド等のプラスチッ
ク等が使用される。これらの支持体の厚さは３〜50μm
程度である。
法において、支持体としては、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレートのようなポリエステ
ル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン; セルローストリアセテート、セルロースジアセテー
ト等のセルロース誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化
ビニル；ポリイミド；芳香族ポリアミド等のプラスチッ
ク等が使用される。これらの支持体の厚さは３〜50μm
程度である。
【００２６】〔本発明の製造方法〕本発明の磁気記録媒
体の製造方法は、磁性層とバックコート層の両方を真空
中の蒸着により形成する。この場合、各層を形成する工
程を通じて真空状態を保って行うことも、或いはそれぞ
れの層を形成する工程で一旦真空を破って行うことはで
きるが、生産性の面からは真空を破らずに連続的に両方
の層を形成することが望ましい。また各層の形成順序は
問わない。
体の製造方法は、磁性層とバックコート層の両方を真空
中の蒸着により形成する。この場合、各層を形成する工
程を通じて真空状態を保って行うことも、或いはそれぞ
れの層を形成する工程で一旦真空を破って行うことはで
きるが、生産性の面からは真空を破らずに連続的に両方
の層を形成することが望ましい。また各層の形成順序は
問わない。
【００２７】〔本発明の磁気記録媒体〕本発明の磁気記
録媒体は、支持体の一方の面に形成された磁性層と、当
該磁性層が形成されている面と反対の面に形成されたバ
ックコート層とを有する磁気記録媒体において、前記バ
ックコート層が炭素薄膜からなることを特徴とする。磁
性層の厚さ、種類、バックコート層の厚さ、形成方法等
は前記した通りである。本発明の磁気記録媒体は、コバ
ルト等の剛性の高い磁性材料から形成された磁性層に対
抗できる硬度を有する。
録媒体は、支持体の一方の面に形成された磁性層と、当
該磁性層が形成されている面と反対の面に形成されたバ
ックコート層とを有する磁気記録媒体において、前記バ
ックコート層が炭素薄膜からなることを特徴とする。磁
性層の厚さ、種類、バックコート層の厚さ、形成方法等
は前記した通りである。本発明の磁気記録媒体は、コバ
ルト等の剛性の高い磁性材料から形成された磁性層に対
抗できる硬度を有する。
【００２８】
【実施例】以下に本発明の一実施例を説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２９】実施例１ 先ず、厚さ6.5 μm のPET フィルム上に真空蒸着法によ
りコバルトを付着させ、厚さ1000Åの磁性層を形成し
た。
りコバルトを付着させ、厚さ1000Åの磁性層を形成し
た。
【００３０】次に、磁性層を形成したPET フィルムを図
１に示す装置にセットし、PET フィルムの裏面（磁性層
が形成されている面と反対の面）に、 ECRプラズマCVD
法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の形成を行
い、バックコート層を形成した。かかる装置はチャンバ
１と、 ECRプラズマCVD 装置２と、磁性層が形成された
支持体６が走行する冷却キャン３と、イオンガン４、巻
き出しロール５と、巻き取りロール７を有する。図１
中、Ａは炭素源となるガス、Ｂはマイクロ波、Ｃは水素
又はアルゴンガスを意味する。本実施例ではイオンガン
によるエッチングは行わなかった。
１に示す装置にセットし、PET フィルムの裏面（磁性層
が形成されている面と反対の面）に、 ECRプラズマCVD
法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の形成を行
い、バックコート層を形成した。かかる装置はチャンバ
１と、 ECRプラズマCVD 装置２と、磁性層が形成された
支持体６が走行する冷却キャン３と、イオンガン４、巻
き出しロール５と、巻き取りロール７を有する。図１
中、Ａは炭素源となるガス、Ｂはマイクロ波、Ｃは水素
又はアルゴンガスを意味する。本実施例ではイオンガン
によるエッチングは行わなかった。
【００３１】得られたバックコート層の厚さは500 Å
（オージェ電子分光により測定）であった。なお、ECR
プラズマCVD 法による成膜条件は以下の通りである。 マイクロ波波長：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM ， H2 ガス 40SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 更に、磁性層及びバックコート層が形成された上記PET
フィルムを大気中に取り出し、フィルムの両面に、パー
フルオロポリエーテル「FOMBLIN Z DOL 」〔アルコール
変性、モンテカチーニ (株) 製〕の0.05重量％溶液〔溶
媒はフッ素系の不活性液体「PF-5080 」（住友スリーエ
ム社）〕を、乾燥後の厚さが15Åとなるように塗布し、
次いで100 ℃で乾燥した。
（オージェ電子分光により測定）であった。なお、ECR
プラズマCVD 法による成膜条件は以下の通りである。 マイクロ波波長：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM ， H2 ガス 40SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 更に、磁性層及びバックコート層が形成された上記PET
フィルムを大気中に取り出し、フィルムの両面に、パー
フルオロポリエーテル「FOMBLIN Z DOL 」〔アルコール
変性、モンテカチーニ (株) 製〕の0.05重量％溶液〔溶
媒はフッ素系の不活性液体「PF-5080 」（住友スリーエ
ム社）〕を、乾燥後の厚さが15Åとなるように塗布し、
次いで100 ℃で乾燥した。
【００３２】その後、磁気テープを大気中に取出し、８
mm幅にスリッタ（裁断）し、８mmのカセットに挿入し、
Hi−８用のビデオカセットを作製した。
mm幅にスリッタ（裁断）し、８mmのカセットに挿入し、
Hi−８用のビデオカセットを作製した。
【００３３】＜性能評価＞上記により得たビデオカセッ
トの走行耐久性、ドロップアウト、平均表面粗さ（Ra）
及び摩擦係数（μ）を測定した。その結果を表１に示
す。
トの走行耐久性、ドロップアウト、平均表面粗さ（Ra）
及び摩擦係数（μ）を測定した。その結果を表１に示
す。
【００３４】走行耐久性 ビデオカセットを1000回再生・録画を繰り返し、ジッタ
ー（画面のぶれ）の増加を市販のHi−８用ＶＴＲ装置に
ジッターメーターを接続して測定した。
ー（画面のぶれ）の増加を市販のHi−８用ＶＴＲ装置に
ジッターメーターを接続して測定した。
【００３５】ドロップアウト ドロップアウトの測定は、ドロップアウトカウンタを用
い、10μs の間に−16ｄＢ出力が低下したものをドロッ
プアウトとした。表中には１分当りのドロップアウトの
数を示した。
い、10μs の間に−16ｄＢ出力が低下したものをドロッ
プアウトとした。表中には１分当りのドロップアウトの
数を示した。
【００３６】実施例２ 先ず、厚さ6.5 μm のPET フィルム上に真空蒸着法によ
りコバルトを付着させ、厚さ1000Åの磁性層を形成し
た。
りコバルトを付着させ、厚さ1000Åの磁性層を形成し
た。
【００３７】次に、磁性層を形成したPET フィルムを図
２に示す装置にセットし、PET フィルムの裏面（磁性層
が形成されている面と反対の面）に、アーク放電により
厚さが800 Å（オージェ電子分光により測定）となるよ
うに炭素薄膜を形成した。なお、アーク放電による成膜
条件は以下の通りである。 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 図２に示す装置はチャンバ１と、磁性層が形成された支
持体６が走行する冷却キャン３と、イオンガン４、巻き
出しロール５と、巻き取りロール７と、炭素棒８を有す
る。図２中、Ｃは水素又はアルゴンガスを意味する。
２に示す装置にセットし、PET フィルムの裏面（磁性層
が形成されている面と反対の面）に、アーク放電により
厚さが800 Å（オージェ電子分光により測定）となるよ
うに炭素薄膜を形成した。なお、アーク放電による成膜
条件は以下の通りである。 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 図２に示す装置はチャンバ１と、磁性層が形成された支
持体６が走行する冷却キャン３と、イオンガン４、巻き
出しロール５と、巻き取りロール７と、炭素棒８を有す
る。図２中、Ｃは水素又はアルゴンガスを意味する。
【００３８】その後、水素ガスとアルゴンガスの混合ガ
ス（１：１、流量 120SCCM）をカウフマン型イオン銃４
を用い、出力 800 W、加速電圧１kVでイオン化して炭素
薄膜に照射した。
ス（１：１、流量 120SCCM）をカウフマン型イオン銃４
を用い、出力 800 W、加速電圧１kVでイオン化して炭素
薄膜に照射した。
【００３９】なお、アーク放電は交流法で行い、その成
膜条件は以下の通りである。図２中、８のグラファイト
電極に150Vの電圧をかけ、電流を50A 流してアーク放電
を起こさせ、グラファイトをフィルム上に付着させた。
この放電部の真空度は５×10-4Torrであった。
膜条件は以下の通りである。図２中、８のグラファイト
電極に150Vの電圧をかけ、電流を50A 流してアーク放電
を起こさせ、グラファイトをフィルム上に付着させた。
この放電部の真空度は５×10-4Torrであった。
【００４０】更に、磁性層及びバックコート層が形成さ
れた上記PET フィルムを大気中に取り出し、フィルムの
両面に、パーフルオロポリエーテル「FOMBLIN Z DOL 」
〔アルコール変性、モンテカチーニ (株) 製〕の0.05重
量％溶液〔溶媒はフッ素系の不活性液体「PF-5080 」
（住友スリーエム社）〕を、乾燥後の厚さが15Åとなる
ように塗布し、次いで100 ℃で乾燥した。
れた上記PET フィルムを大気中に取り出し、フィルムの
両面に、パーフルオロポリエーテル「FOMBLIN Z DOL 」
〔アルコール変性、モンテカチーニ (株) 製〕の0.05重
量％溶液〔溶媒はフッ素系の不活性液体「PF-5080 」
（住友スリーエム社）〕を、乾燥後の厚さが15Åとなる
ように塗布し、次いで100 ℃で乾燥した。
【００４１】その後実施例１と同様にビデオカセットを
作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表
１に示す。
作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表
１に示す。
【００４２】実施例３ 実施例１と同様にビデオカセットを作製し、実施例１と
同様の評価を行った。但し、バックコート層の形成は、
最初に ECRプラズマCVD 法によるダイヤモンドライクカ
ーボン薄膜の形成を行い、次いで当該ダイヤモンドライ
クカーボン薄膜をイオンエッチングして行った。
同様の評価を行った。但し、バックコート層の形成は、
最初に ECRプラズマCVD 法によるダイヤモンドライクカ
ーボン薄膜の形成を行い、次いで当該ダイヤモンドライ
クカーボン薄膜をイオンエッチングして行った。
【００４３】なお、ECR プラズマCVD 法による成膜条件
は以下の通りである。 マイクロ波波長：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 また、イオンエッチングの条件は以下の通りである。水
素とアルゴンの混合ガス（２：１、流量100SCCM ）をカ
ウフマン型イオン銃を用い、出力１kW、加速電圧１kV加
速でイオン化してフィルムに照射した。またフィルムの
走行スピードは１ｍ／分であった。表１に結果を示す。
は以下の通りである。 マイクロ波波長：2.45GHz マイクロ波パワー：１kW 使用ガス： C2H6 ガス 100 SCCM 真空度：４×10-3Torr フィルム走行速度：0.5ｍ／分 また、イオンエッチングの条件は以下の通りである。水
素とアルゴンの混合ガス（２：１、流量100SCCM ）をカ
ウフマン型イオン銃を用い、出力１kW、加速電圧１kV加
速でイオン化してフィルムに照射した。またフィルムの
走行スピードは１ｍ／分であった。表１に結果を示す。
【００４４】比較例１ 実施例１と同様にビデオカセットを作製し、実施例１と
同様の評価を行った。但し、バックコート層はフィルム
にCu−Al合金（15／85重量比）を厚さが1000Åとなるよ
うに蒸着して形成した。評価結果を表１に示す。
同様の評価を行った。但し、バックコート層はフィルム
にCu−Al合金（15／85重量比）を厚さが1000Åとなるよ
うに蒸着して形成した。評価結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、特
にコバルトのような剛性の高い磁性層が形成された磁気
記録媒体においても、これに十分対抗し得る硬度のバッ
クコート層を容易に形成することができる。しかも硬度
以外の表面粗さ等の膜質の制御も容易であり、走行耐久
性等も向上する。更に、バックコート層を形成する際の
成膜速度が向上するため、生産性の向上・品質の向上が
達成できる。
にコバルトのような剛性の高い磁性層が形成された磁気
記録媒体においても、これに十分対抗し得る硬度のバッ
クコート層を容易に形成することができる。しかも硬度
以外の表面粗さ等の膜質の制御も容易であり、走行耐久
性等も向上する。更に、バックコート層を形成する際の
成膜速度が向上するため、生産性の向上・品質の向上が
達成できる。
【図１】本発明で用いる ECRプラズマCVD 装置の概略
図。
図。
【図２】本発明で用いるアーク放電装置の概略図。
【図３】実施例で形成された炭素薄膜のEELSによる分析
結果を示すチャート。
結果を示すチャート。
１ チャンバ ２ ECR プラズマCVD 装置 ３ 冷却キャン ４ イオンガン ８ 炭素棒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606番地 花 王株式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606番地 花 王株式会社情報科学研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 支持体上の磁性層蒸着面と反対側の面に
バックコート層を形成するに際し、支持体の前記反対側
の面に蒸着により炭素を付着させて炭素薄膜からなるバ
ックコート層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】 前記蒸着を ECRプラズマCVD 法により行
う請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記蒸着をアーク放電により行う請求項
１記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記炭素薄膜をイオンエッチングする工
程を含む請求項１〜３の何れか１項記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項５】 更にバックコート層上に潤滑剤を付着さ
せてトップコート層を形成する工程を含む請求項１〜４
の何れか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 支持体の一方の面に形成された磁性層
と、当該磁性層が形成されている面と反対の面に形成さ
れたバックコート層とを有する磁気記録媒体において、
前記バックコート層が炭素薄膜からなることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記炭素薄膜が、ダイヤモンドライクカ
ーボン薄膜である請求項６記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記炭素薄膜が、グラファイト薄膜であ
る請求項６記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23533494A JPH08102044A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23533494A JPH08102044A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102044A true JPH08102044A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=16984572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23533494A Pending JPH08102044A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102044A (ja) |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP23533494A patent/JPH08102044A/ja active Pending
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