JPH1173643A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH1173643A JPH1173643A JP23415397A JP23415397A JPH1173643A JP H1173643 A JPH1173643 A JP H1173643A JP 23415397 A JP23415397 A JP 23415397A JP 23415397 A JP23415397 A JP 23415397A JP H1173643 A JPH1173643 A JP H1173643A
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- inert gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面性をコントロールした金属薄膜型バック
コート層を有する磁気記録媒体を得る方法を提供する。 【解決手段】 真空容器１内で、不活性ガス導入管10か
ら不活性ガスを導入しながら支持体４上に金属又は半金
属を蒸着して前記支持体４上にバックコート層を形成す
る。
コート層を有する磁気記録媒体を得る方法を提供する。 【解決手段】 真空容器１内で、不活性ガス導入管10か
ら不活性ガスを導入しながら支持体４上に金属又は半金
属を蒸着して前記支持体４上にバックコート層を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面性に優れたバ
ックコート層を有する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
ックコート層を有する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体、例えば磁気テープには、
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高める
ことができ、高密度記録に有望であるとされている。
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高める
ことができ、高密度記録に有望であるとされている。
【０００３】現在販売又は開発されている蒸着型テープ
の基本的な構成は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミ
ド等の支持体上に、真空蒸着法を用いて磁性金属を蒸着
させた磁性層を有している。更に、磁性層を保護し、ま
た記録・再生用ヘッドとの接触をスムーズにするための
潤滑剤としての働きを持たせるためにトップコート層が
形成されたり、走行性を向上させるために支持体の磁性
層面とは反対側面にバックコート層が形成されたりして
いる。
の基本的な構成は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミ
ド等の支持体上に、真空蒸着法を用いて磁性金属を蒸着
させた磁性層を有している。更に、磁性層を保護し、ま
た記録・再生用ヘッドとの接触をスムーズにするための
潤滑剤としての働きを持たせるためにトップコート層が
形成されたり、走行性を向上させるために支持体の磁性
層面とは反対側面にバックコート層が形成されたりして
いる。
【０００４】バックコート層は、従来、真空中で支持体
に磁性層を蒸着した後、支持体を大気中に取出してか
ら、該支持体の磁性層面とは反対側の面に、カーボンブ
ラック及びセラミックス粉末 (粒径10〜100nm)等をバイ
ンダー（塩ビ系、ウレタン系、硝化綿系などを単独又は
混合して用いる）中に分散させ、グラビア法、リバース
法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが 0.4〜1.0 μm
になるように塗布して、形成されている。しかし、この
方法によってバックコート層を形成した場合、その作業
工程で、磁性層が汚れたり、ゴミが付着したりして、そ
の結果、ドロップアウト検査（磁気テープを検査用のカ
セットデッキに入れて一定の信号を記録しつつ再生し、
テープ表面の傷や異物の付着などによる再生信号の欠落
であるところのドロップアウトを検出する検査）におい
て、ドロップアウト数を増加させるという問題点があっ
た。また、カーボンブラックは導電性は良好であるが、
バインダーを入れるため、導電性が低下してしまい、帯
電防止効果が低下するという問題点があった。
に磁性層を蒸着した後、支持体を大気中に取出してか
ら、該支持体の磁性層面とは反対側の面に、カーボンブ
ラック及びセラミックス粉末 (粒径10〜100nm)等をバイ
ンダー（塩ビ系、ウレタン系、硝化綿系などを単独又は
混合して用いる）中に分散させ、グラビア法、リバース
法又はダイ塗工方式で、乾燥後の厚さが 0.4〜1.0 μm
になるように塗布して、形成されている。しかし、この
方法によってバックコート層を形成した場合、その作業
工程で、磁性層が汚れたり、ゴミが付着したりして、そ
の結果、ドロップアウト検査（磁気テープを検査用のカ
セットデッキに入れて一定の信号を記録しつつ再生し、
テープ表面の傷や異物の付着などによる再生信号の欠落
であるところのドロップアウトを検出する検査）におい
て、ドロップアウト数を増加させるという問題点があっ
た。また、カーボンブラックは導電性は良好であるが、
バインダーを入れるため、導電性が低下してしまい、帯
電防止効果が低下するという問題点があった。
【０００５】そこで、従来空気中で塗布により形成して
いたバックコート層を、アルミニウム−銅合金等の金属
材料を用いた真空中での金属蒸着により形成すること
で、より耐久性や走行安定性の高い磁気記録媒体を得る
ことが提案されている。
いたバックコート層を、アルミニウム−銅合金等の金属
材料を用いた真空中での金属蒸着により形成すること
で、より耐久性や走行安定性の高い磁気記録媒体を得る
ことが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属薄
膜型のバックコート層は、その表面粗さをコントロール
することが難しく、特に中心線平均粗さ（Ra）と十点平
均粗さ（Rz）を大きくすることは困難である。金属薄膜
型のバックコート層を形成した後、エッチングや研磨に
より表面粗さをコントロールすることも可能ではある
が、別工程が必要となり、生産性の面からは望ましくな
い。
膜型のバックコート層は、その表面粗さをコントロール
することが難しく、特に中心線平均粗さ（Ra）と十点平
均粗さ（Rz）を大きくすることは困難である。金属薄膜
型のバックコート層を形成した後、エッチングや研磨に
より表面粗さをコントロールすることも可能ではある
が、別工程が必要となり、生産性の面からは望ましくな
い。
【０００７】また、金属薄膜型のバックコート層は金属
を付着させて形成されるので、この薄膜自体の耐久性を
向上させる目的で、成膜時又は成膜後に酸化性ガスを導
入して酸化物を含有する薄膜を形成したり（特開平7-98
853 号）、或いは金属バックコート層上に酸化物層を形
成したりする（特開昭61-229230 号）ことが行われてい
る。しかし、これらの方法でも、大きなRa、Rzを達成す
ることは難しい。
を付着させて形成されるので、この薄膜自体の耐久性を
向上させる目的で、成膜時又は成膜後に酸化性ガスを導
入して酸化物を含有する薄膜を形成したり（特開平7-98
853 号）、或いは金属バックコート層上に酸化物層を形
成したりする（特開昭61-229230 号）ことが行われてい
る。しかし、これらの方法でも、大きなRa、Rzを達成す
ることは難しい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成するために鋭意研究した結果、真空蒸着法により
金属薄膜型のバックコート層を形成する際に、不活性ガ
スを導入することにより、Ra、Rzをコントロールし摩擦
係数が小さいバックコート層を有する磁気記録媒体が得
られることを見出し、本発明を完成するに至った。
を達成するために鋭意研究した結果、真空蒸着法により
金属薄膜型のバックコート層を形成する際に、不活性ガ
スを導入することにより、Ra、Rzをコントロールし摩擦
係数が小さいバックコート層を有する磁気記録媒体が得
られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち本発明は、真空雰囲気下で不活性
ガスを導入しながら支持体上に金属又は半金属を蒸着し
て前記支持体上にバックコート層を形成する工程を含む
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供するも
のである。
ガスを導入しながら支持体上に金属又は半金属を蒸着し
て前記支持体上にバックコート層を形成する工程を含む
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供するも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と、該支持体上
に形成された磁性層と、前記支持体の前記磁性層が形成
されている面と反対の面に形成されたバックコート層と
を有する磁気記録媒体の製造方法である。本発明ではバ
ックコート層は、金属薄膜型であり、真空蒸着法で支持
体上に金属又は半金属を付着させて形成する。その際、
本発明では金属蒸気中に不活性ガスを導入することを特
徴とする。以下、本発明のバックコート層の形成方法を
図面に基づき説明する。
に形成された磁性層と、前記支持体の前記磁性層が形成
されている面と反対の面に形成されたバックコート層と
を有する磁気記録媒体の製造方法である。本発明ではバ
ックコート層は、金属薄膜型であり、真空蒸着法で支持
体上に金属又は半金属を付着させて形成する。その際、
本発明では金属蒸気中に不活性ガスを導入することを特
徴とする。以下、本発明のバックコート層の形成方法を
図面に基づき説明する。
【００１１】図１は、本発明においてバックコート層の
形成に用いられる真空蒸着装置の概略図である。真空容
器１は、図示しない真空手段により真空状態とされる。
真空容器１内には、巻出しロール２と巻取りロール３と
が設けられ、巻出しロール２から巻出されて巻取りロー
ル４に巻取られる間で、支持体４はキャンロール５の下
側面に巻掛けられて走行するようになっている。金属又
は半金属の蒸着は斜め蒸着でも、それ以外の方法でもか
まわない。ここでは図１に示すような斜め蒸着により支
持体上にバックコート層を形成する装置を用いる場合に
ついて説明する。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従
来公知の方法に準ずる。また、蒸着の際の真空度は10-4
〜10-7Torr程度である。
形成に用いられる真空蒸着装置の概略図である。真空容
器１は、図示しない真空手段により真空状態とされる。
真空容器１内には、巻出しロール２と巻取りロール３と
が設けられ、巻出しロール２から巻出されて巻取りロー
ル４に巻取られる間で、支持体４はキャンロール５の下
側面に巻掛けられて走行するようになっている。金属又
は半金属の蒸着は斜め蒸着でも、それ以外の方法でもか
まわない。ここでは図１に示すような斜め蒸着により支
持体上にバックコート層を形成する装置を用いる場合に
ついて説明する。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従
来公知の方法に準ずる。また、蒸着の際の真空度は10-4
〜10-7Torr程度である。
【００１２】キャンロール５の下方にはＭｇＯ製のるつ
ぼ６が置かれ、この中にバックコート層となる金属又は
半金属が収容されている。ここで、るつぼ６とキャンロ
ール５との間に支持体４への蒸着範囲を規制するための
防着板７が設置されている。また、るつぼ６中の金属又
は半金属に電子銃８から電子ビームを偏向させて照射
し、これにより加熱して金属又は半金属を蒸発させるよ
うになっている。
ぼ６が置かれ、この中にバックコート層となる金属又は
半金属が収容されている。ここで、るつぼ６とキャンロ
ール５との間に支持体４への蒸着範囲を規制するための
防着板７が設置されている。また、るつぼ６中の金属又
は半金属に電子銃８から電子ビームを偏向させて照射
し、これにより加熱して金属又は半金属を蒸発させるよ
うになっている。
【００１３】本発明においてバックコート層を形成する
金属又は半金属としては、Al、Zn、Sn、Ni、Ag、V 、C
r、Mo、Ti、Cu等の金属、B 、As、Te、Si等の半金属、
更にはこれらの合金が挙げられ、特に価格、蒸着速度等
の面から金属ではAl、Cu、Al−Cu合金が好ましく、半金
属ではSi又はその合金が好ましい。
金属又は半金属としては、Al、Zn、Sn、Ni、Ag、V 、C
r、Mo、Ti、Cu等の金属、B 、As、Te、Si等の半金属、
更にはこれらの合金が挙げられ、特に価格、蒸着速度等
の面から金属ではAl、Cu、Al−Cu合金が好ましく、半金
属ではSi又はその合金が好ましい。
【００１４】そして、本発明では不活性ガスを金属又は
半金属の蒸気中に導入するが、不活性ガスは蒸着領域の
いずれに対して導入してもよく、例えば図２のように、
α、β、γのような位置に導入管10ａ、10ｂ、10ｃを設
置することもできるが、特に蒸着領域の上流近傍に導入
することが望ましい。従って図１のような斜め蒸着装置
では、蒸着領域の最大入射角の近傍に不活性ガスが導入
されるような位置に導入管10が設けられている。更に、
蒸着粒子の飛散方向と対峙するβの位置（導入管10ｂ）
から不活性ガスを導入するのが好ましい。不活性ガスを
蒸着領域の上流近傍に導入することにより、適度に荒れ
た初期成長膜が形成され、引き続き堆積する成長膜の表
面も適度に荒れた状態となる。
半金属の蒸気中に導入するが、不活性ガスは蒸着領域の
いずれに対して導入してもよく、例えば図２のように、
α、β、γのような位置に導入管10ａ、10ｂ、10ｃを設
置することもできるが、特に蒸着領域の上流近傍に導入
することが望ましい。従って図１のような斜め蒸着装置
では、蒸着領域の最大入射角の近傍に不活性ガスが導入
されるような位置に導入管10が設けられている。更に、
蒸着粒子の飛散方向と対峙するβの位置（導入管10ｂ）
から不活性ガスを導入するのが好ましい。不活性ガスを
蒸着領域の上流近傍に導入することにより、適度に荒れ
た初期成長膜が形成され、引き続き堆積する成長膜の表
面も適度に荒れた状態となる。
【００１５】本発明においては、複数の不活性ガスを混
合して単一の導入管から導入してもよいし、また複数の
導入管から単一又は複数の不活性ガスを導入してもよ
い。
合して単一の導入管から導入してもよいし、また複数の
導入管から単一又は複数の不活性ガスを導入してもよ
い。
【００１６】導入する不活性ガスとしてはアルゴンガ
ス、窒素ガス、ヘリウムガスなどが挙げられる。不活性
ガスとは化学的に不活性であるような気体をいう。不活
性ガスの導入量は図示しない流量制御弁により調整可能
であり、通常20〜100 SCCMの流量で導入される。
ス、窒素ガス、ヘリウムガスなどが挙げられる。不活性
ガスとは化学的に不活性であるような気体をいう。不活
性ガスの導入量は図示しない流量制御弁により調整可能
であり、通常20〜100 SCCMの流量で導入される。
【００１７】また、本発明では、バックコート層を形成
する際に、蒸着領域に酸化性ガスを導入することが好ま
しい。特に、酸化性ガスは蒸着領域の下流近傍で導入す
ることが望ましく、従って図１では蒸着領域の最小入射
角の近傍に酸化性ガスの導入管９が設けられている。酸
化性ガスの導入量も図示しない流量制御弁により調整可
能であり、通常20〜100 SCCMの流量で導入される。酸化
性ガスとしては、酸素、空気、オゾン等が挙げられる。
する際に、蒸着領域に酸化性ガスを導入することが好ま
しい。特に、酸化性ガスは蒸着領域の下流近傍で導入す
ることが望ましく、従って図１では蒸着領域の最小入射
角の近傍に酸化性ガスの導入管９が設けられている。酸
化性ガスの導入量も図示しない流量制御弁により調整可
能であり、通常20〜100 SCCMの流量で導入される。酸化
性ガスとしては、酸素、空気、オゾン等が挙げられる。
【００１８】本発明により形成される金属薄膜型のバッ
クコート層の厚さは限定されないが、0.01〜0.5 μm が
好ましい。
クコート層の厚さは限定されないが、0.01〜0.5 μm が
好ましい。
【００１９】本発明の方法によれば、不活性ガス或いは
不活性ガスと酸化性ガスの導入条件（種類、流量、導入
位置など）を変えることにより、バックコート層の表面
性を適宜調節することができる。一般に、本発明のよう
な蒸着型の磁気記録媒体では、目標とすべきRaは８〜15
nm、Rzは30〜60nmであり、摩擦係数は0.15〜0.30が望ま
しいが、本発明の方法ではこれらの範囲で容易に制御可
能である。
不活性ガスと酸化性ガスの導入条件（種類、流量、導入
位置など）を変えることにより、バックコート層の表面
性を適宜調節することができる。一般に、本発明のよう
な蒸着型の磁気記録媒体では、目標とすべきRaは８〜15
nm、Rzは30〜60nmであり、摩擦係数は0.15〜0.30が望ま
しいが、本発明の方法ではこれらの範囲で容易に制御可
能である。
【００２０】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記
の様なバックコート層の製造工程を含むが、その他の工
程、例えば磁性層、保護層、潤滑剤層などを形成する工
程や各層の成膜後の諸工程は公知の方法に準ずる。
の様なバックコート層の製造工程を含むが、その他の工
程、例えば磁性層、保護層、潤滑剤層などを形成する工
程や各層の成膜後の諸工程は公知の方法に準ずる。
【００２１】磁性層は、前記した図１の如き真空蒸着装
置により、支持体上に磁性金属を蒸着することで形成で
きる。磁性層を形成する磁性材料としては、通常の金属
薄膜型の磁気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材
料が挙げられ、例えばCo、Ni、Fe等の強磁性金属、ま
た、Fe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−Fh、Fe
−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y 、Co−La、Co−Pr、Co−
Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−A
l、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr
等の強磁性合金が挙げられる。
置により、支持体上に磁性金属を蒸着することで形成で
きる。磁性層を形成する磁性材料としては、通常の金属
薄膜型の磁気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材
料が挙げられ、例えばCo、Ni、Fe等の強磁性金属、ま
た、Fe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−Fh、Fe
−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y 、Co−La、Co−Pr、Co−
Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−A
l、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr
等の強磁性合金が挙げられる。
【００２２】高密度記録のためには磁気記録媒体の磁性
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr程度であ
る。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造の何れで
も良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表面に酸化
物を形成することにより、耐久性の向上を図ることがで
きる。本発明においては、磁性層は一層或いは多層とす
ることができる。磁性層の厚さは単層の場合は120 〜19
0 nmが好ましく、二層の磁性層の場合、下層の磁性層の
厚さが70〜120 nm、上層の磁性層の厚さが60〜100 nmが
好ましい。多層の磁性層の数は実用的な範囲としては二
〜三層が適当と考えられる。
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr程度であ
る。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造の何れで
も良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表面に酸化
物を形成することにより、耐久性の向上を図ることがで
きる。本発明においては、磁性層は一層或いは多層とす
ることができる。磁性層の厚さは単層の場合は120 〜19
0 nmが好ましく、二層の磁性層の場合、下層の磁性層の
厚さが70〜120 nm、上層の磁性層の厚さが60〜100 nmが
好ましい。多層の磁性層の数は実用的な範囲としては二
〜三層が適当と考えられる。
【００２３】磁性層とバックコート層の真空蒸着は、連
続して行ってもよいし、工程を分けて一方の蒸着後にロ
ールに巻取ってからそのロールから巻出して他方の蒸着
を行ってもよい。分けて行う場合に途中で磁気記録媒体
が大気中に置かれるとしても、大気中ではロールに巻い
たままで巻出さなければ、ゴミの付着等の問題は生じな
い。
続して行ってもよいし、工程を分けて一方の蒸着後にロ
ールに巻取ってからそのロールから巻出して他方の蒸着
を行ってもよい。分けて行う場合に途中で磁気記録媒体
が大気中に置かれるとしても、大気中ではロールに巻い
たままで巻出さなければ、ゴミの付着等の問題は生じな
い。
【００２４】また、本発明においては、磁性層上に厚さ
が１〜50nmの保護膜を形成するのが好ましい。保護層を
構成する材料として、Al等の金属の酸化物、窒化物、あ
るいは炭化物などの他、SiC 等、及びそれを含む化合物
などが考えられる。また、特に、炭素膜、中でもダイヤ
モンドライクカーボンが好ましい。ダイヤモンドライク
カーボンよりなる保護層はフィジカルベーパーデポジシ
ョン（ＰＶＤ）法又はケミカルベーパーデポジション
（ＣＶＤ）法により形成される。特に、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置により形成される。即ち、真空槽内に配設さ
れた支持体上の磁性層に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置を作動させ、磁性層に炭化水素系ガスのプラズマを吹
き付ける。これにより、磁性層表面に保護層（ダイヤモ
ンドライクカーボン層）が形成される。
が１〜50nmの保護膜を形成するのが好ましい。保護層を
構成する材料として、Al等の金属の酸化物、窒化物、あ
るいは炭化物などの他、SiC 等、及びそれを含む化合物
などが考えられる。また、特に、炭素膜、中でもダイヤ
モンドライクカーボンが好ましい。ダイヤモンドライク
カーボンよりなる保護層はフィジカルベーパーデポジシ
ョン（ＰＶＤ）法又はケミカルベーパーデポジション
（ＣＶＤ）法により形成される。特に、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置により形成される。即ち、真空槽内に配設さ
れた支持体上の磁性層に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置を作動させ、磁性層に炭化水素系ガスのプラズマを吹
き付ける。これにより、磁性層表面に保護層（ダイヤモ
ンドライクカーボン層）が形成される。
【００２５】更に、本発明においては、磁性層又は保護
層上に適当な潤滑剤からなる潤滑剤層を形成することが
好ましい。特にパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
の潤滑剤が好ましく、潤滑剤層の厚さは0.5 〜10nm程度
である。潤滑剤としては、例えば-[C(R)F-CF2-O]p-(但
し、RはF,CF3, CH3などの基) 、特にHOOC-CF2(OC2F4)
p(OCF2)q-OCF2COOH，F-(CF2CF2CF2O)n-CF2CF2COOH等の
カルボキシル基変性パーフルオロポリエーテル、HOCH2-
CF2(OC2F4)p(OCF2)q-OCF2-CH2OH, HO-(C2H4O)m-CH2-(OC
2F4)p(OCF2)q-OCH2-(OCH2CH2)n-OH, F-(CF2CF2CF2O)n-C
F2CF2CH2OH等のアルコール変性パーフルオロポリエーテ
ルが挙げられる。分子量は500 〜50000 のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社の商品名「FOMBLIN
Z DIAC」や「FOMBLIN Z DOL 」、ダイキン工業社の商品
名「デムナムSA」等がある。特に耐久性の面ではフッ素
系アルキル基とアルキル基の両方を持つ潤滑剤の使用が
好ましい。また、これらの潤滑剤を混合して使用するこ
とも好ましい。
層上に適当な潤滑剤からなる潤滑剤層を形成することが
好ましい。特にパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
の潤滑剤が好ましく、潤滑剤層の厚さは0.5 〜10nm程度
である。潤滑剤としては、例えば-[C(R)F-CF2-O]p-(但
し、RはF,CF3, CH3などの基) 、特にHOOC-CF2(OC2F4)
p(OCF2)q-OCF2COOH，F-(CF2CF2CF2O)n-CF2CF2COOH等の
カルボキシル基変性パーフルオロポリエーテル、HOCH2-
CF2(OC2F4)p(OCF2)q-OCF2-CH2OH, HO-(C2H4O)m-CH2-(OC
2F4)p(OCF2)q-OCH2-(OCH2CH2)n-OH, F-(CF2CF2CF2O)n-C
F2CF2CH2OH等のアルコール変性パーフルオロポリエーテ
ルが挙げられる。分子量は500 〜50000 のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社の商品名「FOMBLIN
Z DIAC」や「FOMBLIN Z DOL 」、ダイキン工業社の商品
名「デムナムSA」等がある。特に耐久性の面ではフッ素
系アルキル基とアルキル基の両方を持つ潤滑剤の使用が
好ましい。また、これらの潤滑剤を混合して使用するこ
とも好ましい。
【００２６】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
おいて用いられる支持体としては、通常の非磁性支持体
が使用でき、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のようなポリエス
テル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン; セルローストリアセテート、セルロースジアセテー
ト等のセルロース誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化
ビニル；ポリイミド；芳香族ポリアミド等のプラスチッ
ク等が使用される。これらの支持体の厚さは３〜50μｍ
程度である。
おいて用いられる支持体としては、通常の非磁性支持体
が使用でき、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のようなポリエス
テル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ン; セルローストリアセテート、セルロースジアセテー
ト等のセルロース誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化
ビニル；ポリイミド；芳香族ポリアミド等のプラスチッ
ク等が使用される。これらの支持体の厚さは３〜50μｍ
程度である。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の一実施例を説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２８】実施例１〜５及び比較例１〜４ 図２の装置を用いて磁性層及び該磁性層上の保護層が形
成された支持体の磁性層面とは反対の面に蒸着によるバ
ックコート層を形成した。
成された支持体の磁性層面とは反対の面に蒸着によるバ
ックコート層を形成した。
【００２９】先ず、図２の真空蒸着装置を用いて、先
ず、厚さ６μｍのＰＥＴフィルムの上に、真空蒸着によ
り、Coを180 nm付着させ、磁性層を形成した磁気テープ
をロールに巻取った。このとき、酸素ガス導入管から60
SCCMの流量で導入した。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法
により、磁性層上にダイヤモンドライクカーボンからな
る厚さ10nmの保護層を形成した。
ず、厚さ６μｍのＰＥＴフィルムの上に、真空蒸着によ
り、Coを180 nm付着させ、磁性層を形成した磁気テープ
をロールに巻取った。このとき、酸素ガス導入管から60
SCCMの流量で導入した。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法
により、磁性層上にダイヤモンドライクカーボンからな
る厚さ10nmの保護層を形成した。
【００３０】次いで、テープを図２の装置に再度セット
し、ＰＥＴフィルムの磁性層形成面と反対の面にAl−Cu
合金（80／20：重量比）を厚さ0.3 μｍとなるように蒸
着した。このときの蒸着条件は電子銃８の出力13kW、フ
ィルム走行速度２ｍ／分であり、不活性ガスを表１に示
す導入位置と流量で導入し、酸素ガスを表１に示す流量
で導入管９から導入した。
し、ＰＥＴフィルムの磁性層形成面と反対の面にAl−Cu
合金（80／20：重量比）を厚さ0.3 μｍとなるように蒸
着した。このときの蒸着条件は電子銃８の出力13kW、フ
ィルム走行速度２ｍ／分であり、不活性ガスを表１に示
す導入位置と流量で導入し、酸素ガスを表１に示す流量
で導入管９から導入した。
【００３１】上記により得られた、磁性層、ダイヤモン
ドライクカーボン保護層及びバックコート層が形成され
たフィルムを6.35mm巾に裁断し、ＤＶＣ（デジタル・ビ
デオ・カセット）用のケースにローディングし、ＤＶＣ
テープを得た。
ドライクカーボン保護層及びバックコート層が形成され
たフィルムを6.35mm巾に裁断し、ＤＶＣ（デジタル・ビ
デオ・カセット）用のケースにローディングし、ＤＶＣ
テープを得た。
【００３２】（２）性能評価 上記で得られたＤＶＣテープについて、下記の方法でバ
ックコート層側の表面性の評価と摩擦係数の測定を行っ
た。その結果を表１に示す。 表面性 光学式表面粗さ計〔型式：Zygo Maxim D5700（Zygo社
製）〕により、 FilterOff 、対物レンズフィゾー40倍
の測定条件にて、RaとRzを測定した。 摩擦係数 ＤＶＣテープを直径２mm、0.2Sのステンレススチール製
ロールに90°で巻き付け、20℃、50％RHの環境下で18.8
mm／ｓ、0.1Nで100 パスさせ、100 パス中の最大の摩擦
係数を測定した。
ックコート層側の表面性の評価と摩擦係数の測定を行っ
た。その結果を表１に示す。 表面性 光学式表面粗さ計〔型式：Zygo Maxim D5700（Zygo社
製）〕により、 FilterOff 、対物レンズフィゾー40倍
の測定条件にて、RaとRzを測定した。 摩擦係数 ＤＶＣテープを直径２mm、0.2Sのステンレススチール製
ロールに90°で巻き付け、20℃、50％RHの環境下で18.8
mm／ｓ、0.1Nで100 パスさせ、100 パス中の最大の摩擦
係数を測定した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、適度に表面が荒れ、良
好な摩擦係数を示す金属薄膜型のバックコート層を有す
る磁気記録媒体が簡易な方法で得られる。
好な摩擦係数を示す金属薄膜型のバックコート層を有す
る磁気記録媒体が簡易な方法で得られる。
【図１】本発明で用いる真空蒸着装置の一例を示す概略
図。
図。
【図２】本発明で用いる真空蒸着装置の他の例を示す概
略図。
略図。
【符号の説明】 １ 真空容器 ２ 巻出しロール ３ 巻取りロール ４ 支持体 ５ キャンロール ６ るつぼ ７ 遮蔽板 ８ 電子ビーム銃 ９ 酸化性ガス導入管 10 不活性ガス導入管
フロントページの続き (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 真空雰囲気下で不活性ガスを導入しなが
ら支持体上に金属又は半金属を蒸着して前記支持体上に
バックコート層を形成する工程を含むことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記不活性ガスを蒸着領域の上流近傍に
導入する請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 更に、酸化性ガスを導入する請求項１又
は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記不活性ガスを蒸着領域の上流近傍に
導入し、且つ前記酸化性ガスを蒸着領域の下流近傍に導
入する請求項３記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記不活性ガスが、アルゴンガス及び／
又は窒素ガス及び／又はヘリウムガスである請求項１〜
４の何れか１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23415397A JPH1173643A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23415397A JPH1173643A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1173643A true JPH1173643A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16966487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23415397A Pending JPH1173643A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1173643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009157123A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社 村田製作所 | センサ装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23415397A patent/JPH1173643A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009157123A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社 村田製作所 | センサ装置及びその製造方法 |
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