JPH08102104A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光記録媒体における保護層と光記録膜、保護
層同士の密着性を向上させることを提供とする。 【構成】 光記録層の上に、保護層を設けてなる光記録
媒体に於て、該光記録層の表面粗さが、５ｎｍ以上であ
ること、また、該保護層が２層以上より構成されている
とき、該保護層間の界面のうち少なくとも一つ以上の界
面の表面粗さが０．１μｍ以上である光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線を利用し
て、情報の再生および／または記録を行う光記録媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＤに代表されるような、光学的
に透明な基板上に、レーザー光線を利用して、情報の再
生および／または記録を行う光記録層を設けた光記録媒
体が上市されてきている。

【０００３】これらの光記録媒体は、通常、光学的に透
明な基板上に、光記録層を設け、その上に、光記録層を
保護するために、紫外線硬化樹脂の保護層を設ける構成
となっている。

【０００４】この紫外線硬化樹脂よりなる保護層は、通
常、１０〜１００ｎｍ程の厚さである光記録層への傷防
止と、高温高湿環境下における光記録層の腐食防止の役
目を担っている。さらに、最近上市されたミニディスク
のように磁界変調オーバーライト対応の光記録媒体の場
合、摺動型ヘッドや、浮上型ヘッドが、保護層に非常に
接近しているため、保護層には、ヘッドに対する耐摩耗
性も要求される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の特性が同時に満足されるような保護層を１種類の紫外
線硬化樹脂で達成することは、非常に困難であるという
問題があった。特に、保護層と光記録層との密着性と他
の特性との両立は難しく、概して、保護性能の良い保護
層の紫外線硬化樹脂は、光記録層との密着性が悪いとい
う傾向があった。

【０００６】また、耐摩耗性と、保護性能との両立が困
難であるために、その解決法として保護性能に優れた紫
外線硬化樹脂と、耐摩耗性に優れた紫外線硬化樹脂の２
層として保護層を形成する方法も提案されているが、こ
の場合は、保護層の第１層目と第２層目との間の密着性
が問題であった。

【０００７】本発明は、この様な従来の問題に鑑みてな
されたものであり、保護層の材料を変更することなく、
保護層と光記録層または保護層同士の密着性を向上する
ことが出来る光記録媒体を提供することを目的とするも
のである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、光学的
に透明なプラスチック基板上の一方の面に光記録層を設
け、該光記録層の上に保護層を設けてなる光記録媒体に
於て、該光記録層の表面粗さが、５ｎｍ以上であること
を特徴とする光記録媒体である。

【０００９】また、本発明は、光学的に透明なプラスチ
ック基板上の一方の面に光記録層を設け、該光記録層の
上に保護層を設けてなる光記録媒体に於て、該保護層が
２層以上より構成され、該保護層間の界面のうち少なく
とも一つ以上の界面の表面粗さが０．１μｍ以上である
ことを特徴とする光記録媒体である。

【００１０】さらに、本発明は、光学的に透明なプラス
チック基板上の一方の面に光記録層を設け、該光記録層
の上に保護層を設けてなる光記録媒体に於て、該光記録
層の表面粗さが５ｎｍ以上であり、かつ該保護層が２層
以上より構成され、該保護層間の界面のうち少なくとも
一つ以上の界面の表面粗さが０．１μｍ以上であること
を特徴とする光記録媒体である。

【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、光記録層の上に保護層を設けてなる光記録媒体に於
て、光記録層の表面粗さを５ｎｍ以上とすることにより
光記録層と保護層との接触面積が増大し、光記録層と保
護層との密着性が向上する。この結果、保護層の材料を
変更することなく、密着性を向上することが出来る。

【００１２】また、保護層が２層以上より形成されてい
るとき、その保護層間の界面の表面粗さを０．１μｍ以
上とすることにより、保護層間の接触面積が増大し、保
護層間の密着性が増大する。この結果、保護層材料を変
更することなく、密着性を向上することが出来る。

【００１３】さらに、保護層が３層以上より構成されて
いる場合、その保護層間の界面のすべての表面粗さを
０．１μｍ以上とすれば、本発明の効果を最大限に発揮
させることが可能となるが、これらの保護層間の界面の
うち、少なくとも一つ以上の界面の表面粗さを０．１μ
ｍ以上とすることによっても、本発明の効果を発揮させ
ることが可能となる。

【００１４】本発明の光記録媒体においては、光記録層
には、記録再生可能な光磁気記録層、再生専用の光反射
層等を用いることができる。

【００１５】本発明における光記録層の表面粗さを５ｎ
ｍ以上にする方法としては、特に制限されることはない
が、例えば、光記録層をスパッタリングで成膜するとき
の成膜の終了直前に、スッパタ圧を上昇させたり、投入
パワーを増大させたり、酸素を導入させたりすることに
よって達成される。また他の方法としては、光磁気記録
層を成膜後、ＵＶ／Ｏ₃ 装置などによって、最上層のＡ
１層の一部を酸化させることによって達成することもで
きる。

【００１６】また、本発明における保護層の表面粗さを
０．１μｍ以上にする方法としては、特に制限されるこ
とはないが、例えば、保護層塗布後硬化前に、サンドブ
ラストなどで、所定の粗さに粗しておいた、プラスチッ
クフィルムやガラス板などを重ね合わせ、その形状を転
写後硬化する方法や、紫外線硬化樹脂中に、有る程度の
大きさを有する無機や有機のフィラーを混合し塗布硬化
する方法や、塗布硬化後、サンドブラストや、テープ研
摩などを用いて、所定の粗さに粗す方法などによって達
成することが出来る。

【００１７】本発明の光記録媒体に用いられる光磁気デ
ィスクの基板材料としては、特に制限されることはない
が、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂などが用いられる。

【００１８】本発明に用いられる保護層の材料として
は、通常、紫外線硬化樹脂が用いられ、その内容として
は、（Ａ）プレポリマー成分、（Ｂ）反応性希釈剤成
分、（Ｃ）光重合開始剤成分を混合した組成物よりな
り、その成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の使用割合は、
（Ａ）成分５〜９５重量％：（Ｂ）成分９５〜５重量
％、（Ｃ）成分は０．１〜１０重量％で組み入れた組成
物などがあげられる。

【００１９】

【実施例】以下実施例を示して、本発明をさらに詳細に
説明する。

【００２０】実施例１ 図１は、本発明における光記録媒体の概略断面図であ
る。同図に示す光記録媒体を下記の方法で作成した。ま
ず、案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、内
径１５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッタ
リング法によって、下記の層構成となるように、光磁気
記録層２を形成した。

【００２１】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０ｎ
ｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このとき、Ａ１層成膜の最終段階にスパッタ圧を通常の
０．３Ｐａから０．９Ｐａに上げて成膜を行った。

【００２２】このときのＡ１層表面の表面粗さは、７ｎ
ｍであった。このうえに紫外線硬化樹脂（ＳＤ３０１、
大日本インキ社製、以下紫外線硬化樹脂Ａと表記する）
を、厚さ７μｍとなるように塗布、硬化し、保護層３を
形成した。

【００２３】実施例２ 実施例１と同様のポリカーボネート製基板上に、スパッ
タリング法によって、同様の層構成となるように光磁気
記録層２を形成した。この時、Ａ１層成膜の最終段階
に、投入パワーを通常の８００Ｗから１０００Ｗに上げ
て成膜を行なった。このときのＡ１層表面粗さは、５ｎ
ｍであった。このうえに紫外線硬化樹脂Ａを、厚さ７μ
ｍとなるように塗布、硬化し、保護層３を形成した。

【００２４】実施例３ 実施例１と同様のポリカーボネート製基板上に、スパッ
タリング法によって、同様の層構成となるように光磁気
記録層２を形成した。この時、Ａ１層成膜の最終段階
に、Ｏ₂ を１０ｓｃｃｍ導入し成膜を行なった。このと
きのＡ１層表面の表面粗さは、１０ｎｍであった。この
うえに紫外線硬化樹脂Ａの保護層を、厚さ７μｍとなる
ように塗布、硬化し、保護層３を形成した。

【００２５】実施例４ まず、案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、
内径１５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッ
タリング法によって、下記の層構成となるように、光磁
気記録層２を形成した。

【００２６】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０
ｎｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このうえに紫外線硬化樹脂Ａを、厚さ３μｍとなるよう
に塗布した。

【００２７】このとき、硬化前に、表面粗さ０．４μ
ｍ、厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレート製のフ
ィルムを重ね合わせ形状を転写させその後硬化を行なっ
た。

【００２８】その後、紫外線硬化樹脂（ＵＲ４５０４、
三菱レーヨン社製、以下紫外線硬化樹脂Ｂと表記する）
を厚さ４μｍになるように塗布硬化し保護層３を形成し
た。このときの、紫外線硬化樹脂Ａの層と、紫外線硬化
樹脂Ｂの層との界面の表面粗さは０．４μｍであった。

【００２９】実施例５ まず、案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、
内径１５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッ
タリング法によって、下記の層構成となるように、光磁
気記録層２を形成した。

【００３０】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０ｎ
ｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このうえに紫外線硬化樹脂Ａに粒径２μｍのＡｌ₂ Ｏ₃
フィラーを１０％混合した樹脂溶液を、厚さ３μｍとな
るように塗布した。

【００３１】その後、紫外線硬化樹脂Ｂを厚さ４μｍに
なるように塗布硬化し保護層３を形成した。このとき
の、紫外線硬化樹脂Ａの層と、紫外線硬化樹脂Ｂの層と
の界面の表面粗さは０．１μｍであった。

【００３２】実施例６ まず、案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、
内径１５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッ
タリング法によって、下記の層構成となるように、光磁
気記録層２を形成した。

【００３３】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０
ｎｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このとき、Ａ１層成膜の最終段階にスパッタ圧を通常の
０．３Ｐａから０．９Ｐａに上げて成膜を行った。

【００３４】このときのＡ１層表面の表面粗さは、７ｎ
ｍであった。このうえに紫外線硬化樹脂Ａを、厚さ３μ
ｍとなるように塗布した。このとき、硬化前に、表面粗
さ０．４μｍ、厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ート製のフィルムを重ね合わせ形状を転写させその後硬
化を行なった。

【００３５】その後、紫外線硬化樹脂Ｂを厚さ４μｍに
なるように塗布硬化し保護層３を形成した。このとき
の、紫外線硬化樹脂Ａの層と、紫外線硬化樹脂Ｂの層と
の界面の表面粗さは０．４μｍであった。

【００３６】実施例７ まず、所望のデータに応じたピットの形成された厚さ
１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカー
ボネート製基板１上に、スパッタリング法によって、Ａ
ｌを８０ｎｍの厚さに形成した。

【００３７】このとき、Ａｌ層成膜の最終段階にスパッ
タ圧を通常の０．３Ｐａから０．９Ｐａに上げて成膜を
行った。

【００３８】このときのＡｌ層表面の表面粗さは７ｎｍ
であった。このうえに紫外線硬化樹脂（ＳＤ１０１、大
日本インキ社製、以下紫外線硬化樹脂Ｃと表記する）
を、厚さ３μｍとなるように塗布、硬化し、保護層３を
形成した。

【００３９】比較例１ 案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッタリン
グ法によって、下記の層構成となるように、光磁気記録
層２を形成した。

【００４０】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０ｎ
ｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このときのＡｌ層成膜時のスパッタ圧は０．３Ｐａであ
り光記録層表面の表面粗さは、２ｎｍであった。このう
えに紫外線硬化樹脂Ａを、厚さ７μｍとなるように塗
布、硬化し、保護層３を形成した。

【００４１】比較例２ 案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍのポリカーボネート製基板１上に、スパッタリン
グ法によって、下記の層構成となるように、光磁気記録
層２を形成した。

【００４２】ＰＣ（１．２ｍｍ）／Ｓｉ₃ Ｎ₄ （１００
ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（２０ｎｍ）Ｓｉ₃ Ｎ₄ （３０ｎ
ｍ）／Ａ１（６０ｎｍ） このときのＡｌ層成膜時のスパッタ圧は０．３Ｐａであ
り光記録層表面の表面粗さは、２ｎｍであった。

【００４３】このうえに紫外線硬化樹脂Ａを、厚さ３μ
ｍとなるように塗布、硬化した。その後、紫外線効果樹
脂Ｂを厚さ４μｍになるように塗布硬化し保護層３を形
成した。このときの、紫外線硬化樹脂Ａの層と、紫外線
硬化樹脂Ｂの層との界面の表面粗さは０．０１μｍであ
った。

【００４４】比較例３ まず、所望のデータに応じたピットの形成された厚さ
１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカー
ボネート製基板１上に、スパッタリング法によってＡｌ
を８０ｎｍの厚さに形成した。

【００４５】このときのＡｌ層成膜時のスパッタ圧は
０．３Ｐａであり、光記録層表面の表面粗さは２ｎｍで
あった。

【００４６】このうえに紫外線硬化樹脂Ｃを厚さ３μｍ
となるように塗布、硬化し、保護層３を形成した。

【００４７】上記、実施例１〜７、および比較例１〜３
で得られた光記録媒体の光記録層の表面粗さ、保護層間
の表面粗さ、密着性、耐食性の結果を表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】＊１：クロスハッチテストの結果、光記録
層と保護層との間で剥離が生じなかった割合 ＊２：クロスハッチテストの結果、保護層間で剥離が生
じなかった割合 ＊３：ＣＳＳテスターで１００万回後の傷発生 ＊４：８０℃／８５％ＲＨ、１０００Ｈにおける光記録
層の腐食発生

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば光
記録層の表面粗さを５ｎｍ以上にすること、および／ま
たは保護層界面の表面粗さを０．１μｍ以上にすること
により、保護層の材料を変更することなく、保護層と光
記録層、保護層同士の密着性を向上することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気ディスクの１実施態様の径
方向の概略部分断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 光磁気記録層 ３ 保護層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学的に透明なプラスチック基板上の一
   方の面に光記録層を設け、該光記録層の上に保護層を設
   けてなる光記録媒体に於て、該光記録層の表面粗さが５
   ｎｍ以上であることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 光学的に透明なプラスチック基板上の一
   方の面に光記録層を設け、該光記録層の上に保護層を設
   けてなる光記録媒体に於て、該保護層が２層以上より構
   成され、該保護層間の界面のうち少なくとも一つ以上の
   界面の表面粗さが０．１μｍ以上であることを特徴とす
   る光記録媒体。
3. 【請求項３】 光学的に透明なプラスチック基板上の一
   方の面に光記録層を設け、該光記録層の上に保護層を設
   けてなる光記録媒体に於て、該光記録層の表面粗さが５
   ｎｍ以上であり、かつ該保護層が２層以上より構成さ
   れ、該保護層間の界面のうち少なくとも一つ以上の界面
   の表面粗さが０．１μｍ以上であることを特徴とする光
   記録媒体。