JPH08102580A - セラミックプリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
セラミックプリント配線板及びその製造方法Info
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- JPH08102580A JPH08102580A JP23581394A JP23581394A JPH08102580A JP H08102580 A JPH08102580 A JP H08102580A JP 23581394 A JP23581394 A JP 23581394A JP 23581394 A JP23581394 A JP 23581394A JP H08102580 A JPH08102580 A JP H08102580A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイボンディング性、ワイヤーボンディング
性を損なうことなく、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防ぐことができるセラミックプ
リント配線板及びその製造方法を提供する。 【構成】 セラミック基板１上に下地層２が銅層２ｃ、
中間層３がパラジウム層３ｐ、表面層４が金層４ａによ
って導体回路部が構成されるセラミックプリント配線板
５において、コバルト又はニッケルを含む金属層６が、
部品を半田７により半田付けをする部分の、セラミック
基板１と銅層２ｃとの間に形成される。前記金属層６の
膜厚が、０．３〜１．５μｍである。前記金属層６がコ
バルト又はニッケルを含有するペーストをセラミック基
板１に塗布し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成す
ることにより形成される。
性を損なうことなく、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防ぐことができるセラミックプ
リント配線板及びその製造方法を提供する。 【構成】 セラミック基板１上に下地層２が銅層２ｃ、
中間層３がパラジウム層３ｐ、表面層４が金層４ａによ
って導体回路部が構成されるセラミックプリント配線板
５において、コバルト又はニッケルを含む金属層６が、
部品を半田７により半田付けをする部分の、セラミック
基板１と銅層２ｃとの間に形成される。前記金属層６の
膜厚が、０．３〜１．５μｍである。前記金属層６がコ
バルト又はニッケルを含有するペーストをセラミック基
板１に塗布し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成す
ることにより形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、携帯電話やテ
ープレコーダー等の電子機器等に用いられるセラミック
プリント配線板及びその製造方法に関する。
ープレコーダー等の電子機器等に用いられるセラミック
プリント配線板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基板上に形成されている導体
回路部に半導体チップをダイボンドにより実装する場
合、半導体チップと表面が金層である導体回路部の間に
金シリコン共晶板を介在させて、加熱して接合すること
が行なわれている。金層は加熱により金シリコン共晶合
金化するので、導体回路部の表面を金層とすることはこ
のようなボンディングにおいては強固な接合強度を得る
有効な手段である。そして、このようなボンディングは
通常４５０℃程度の温度条件で行なわれるので、使用す
るセラミック配線板は４５０℃程度の加熱に耐えること
が要求される。
回路部に半導体チップをダイボンドにより実装する場
合、半導体チップと表面が金層である導体回路部の間に
金シリコン共晶板を介在させて、加熱して接合すること
が行なわれている。金層は加熱により金シリコン共晶合
金化するので、導体回路部の表面を金層とすることはこ
のようなボンディングにおいては強固な接合強度を得る
有効な手段である。そして、このようなボンディングは
通常４５０℃程度の温度条件で行なわれるので、使用す
るセラミック配線板は４５０℃程度の加熱に耐えること
が要求される。
【０００３】一方、セラミック基板上に微細な導体回路
部を形成する方法として、下地層として薄い銅層をセラ
ミック基板に無電解メッキ法により形成した後、メッキ
レジストにより所望のパターンを形成し、次いで電解メ
ッキによりメッキレジストで被覆されていない銅層の上
に金属層を形成した後、メッキレジストを剥離し、さら
に非導体回路部分の銅層をエッチングにより除去して導
体回路部を形成する、いわゆるセミアディティブ法によ
る導体回路部形成法が知られている。
部を形成する方法として、下地層として薄い銅層をセラ
ミック基板に無電解メッキ法により形成した後、メッキ
レジストにより所望のパターンを形成し、次いで電解メ
ッキによりメッキレジストで被覆されていない銅層の上
に金属層を形成した後、メッキレジストを剥離し、さら
に非導体回路部分の銅層をエッチングにより除去して導
体回路部を形成する、いわゆるセミアディティブ法によ
る導体回路部形成法が知られている。
【０００４】微細な導体回路部を形成することのできる
セミアミディティブ法によるセラミック配線板であっ
て、導体回路部の表面が金層であるセラミック配線板に
ついては、下地層の銅層の上に直接金層を配置した場
合、４５０℃付近の加熱によって、下地層の銅が金層表
面に拡散するため、半導体チップをダイボンドにより強
固に接合できなくなるという問題があった。そこで、こ
の問題の解決のために、銅層と金層との間に中間金属層
としてニッケル層を配置する構成が知られている。しか
し、この場合、金層が薄い場合にはニッケルが金層表面
に拡散し、またニッケル層が薄い場合にはニッケル層が
銅拡散のバリヤーとして機能せずに銅が金層表面にまで
拡散してボンディング性が損なわれるという問題が残
り、また、金層及びニッケル層を共に厚くすると銅また
はニッケルの金層表面への拡散は防止されるが、４５０
℃付近の加熱によって導体回路部にフクレが生じやすい
という新たな問題が生じるため、これらの問題の改善が
望まれていた。
セミアミディティブ法によるセラミック配線板であっ
て、導体回路部の表面が金層であるセラミック配線板に
ついては、下地層の銅層の上に直接金層を配置した場
合、４５０℃付近の加熱によって、下地層の銅が金層表
面に拡散するため、半導体チップをダイボンドにより強
固に接合できなくなるという問題があった。そこで、こ
の問題の解決のために、銅層と金層との間に中間金属層
としてニッケル層を配置する構成が知られている。しか
し、この場合、金層が薄い場合にはニッケルが金層表面
に拡散し、またニッケル層が薄い場合にはニッケル層が
銅拡散のバリヤーとして機能せずに銅が金層表面にまで
拡散してボンディング性が損なわれるという問題が残
り、また、金層及びニッケル層を共に厚くすると銅また
はニッケルの金層表面への拡散は防止されるが、４５０
℃付近の加熱によって導体回路部にフクレが生じやすい
という新たな問題が生じるため、これらの問題の改善が
望まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで発明者等は、図
２に示すように、下地層２０が銅層２０ｃであり、表面
層４０が金層４０ａであるセラミックプリント配線板５
０を４５０℃付近で加熱した場合に生じる、下地層２０
の金属が金層４０ａ表面に拡散してダイボンドやワイヤ
ーボンド時のボンディング性が損なわれる問題及び４５
０℃付近での加熱により導体回路部にフクレが生じると
いう問題を共に解決するため、セラミック基板上の導体
回路部に、半導体チップを実装するダイボンディングを
した後に、ワイヤーボンディングが行える導体回路部構
成として、セラミック基板上に、下地層２０が銅層２０
ｃ、中間層３０がパラジウム層３０ｐ、表面層４０が金
層４０ａで導体回路部が形成されたセラミックプリント
配線板５０を特願平６−７３８２で提案した。しかしな
がら、前記の三層で構成された導体回路部上にスズ、鉛
よりなる半田７０を用いて部品を実装した場合に、実装
後の導体回路部の使用温度が高い場合に、スズ、鉛が導
体回路部層と相互に拡散をおこし、被膜強度の脆い銅ス
ズの金属間化合物が形成されることにより密着強度が低
下し、実装部品が欠落するという欠点があった。
２に示すように、下地層２０が銅層２０ｃであり、表面
層４０が金層４０ａであるセラミックプリント配線板５
０を４５０℃付近で加熱した場合に生じる、下地層２０
の金属が金層４０ａ表面に拡散してダイボンドやワイヤ
ーボンド時のボンディング性が損なわれる問題及び４５
０℃付近での加熱により導体回路部にフクレが生じると
いう問題を共に解決するため、セラミック基板上の導体
回路部に、半導体チップを実装するダイボンディングを
した後に、ワイヤーボンディングが行える導体回路部構
成として、セラミック基板上に、下地層２０が銅層２０
ｃ、中間層３０がパラジウム層３０ｐ、表面層４０が金
層４０ａで導体回路部が形成されたセラミックプリント
配線板５０を特願平６−７３８２で提案した。しかしな
がら、前記の三層で構成された導体回路部上にスズ、鉛
よりなる半田７０を用いて部品を実装した場合に、実装
後の導体回路部の使用温度が高い場合に、スズ、鉛が導
体回路部層と相互に拡散をおこし、被膜強度の脆い銅ス
ズの金属間化合物が形成されることにより密着強度が低
下し、実装部品が欠落するという欠点があった。
【０００６】本発明は前記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、下地層が銅層であり、中
間層がパラジウム層であり、表面層が金層からなる構成
で、導体回路部が形成されるセラミックプリント配線板
において、ダイボンディング性、ワイヤーボンディング
性を損なうことなく、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防ぐことができるセラミックプ
リント配線板及びその製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、下地層が銅層であり、中
間層がパラジウム層であり、表面層が金層からなる構成
で、導体回路部が形成されるセラミックプリント配線板
において、ダイボンディング性、ワイヤーボンディング
性を損なうことなく、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防ぐことができるセラミックプ
リント配線板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
セラミックプリント配線板は、セラミック基板１上に下
地層２が銅層２ｃ、中間層３がパラジウム層３ｐ、表面
層４が金層４ａによって導体回路部が構成されるセラミ
ックプリント配線板５において、コバルト又はニッケル
を含む金属層６が、部品を半田７により半田付けをする
部分の、セラミック基板１と銅層２ｃとの間に形成され
ることを特徴とする。
セラミックプリント配線板は、セラミック基板１上に下
地層２が銅層２ｃ、中間層３がパラジウム層３ｐ、表面
層４が金層４ａによって導体回路部が構成されるセラミ
ックプリント配線板５において、コバルト又はニッケル
を含む金属層６が、部品を半田７により半田付けをする
部分の、セラミック基板１と銅層２ｃとの間に形成され
ることを特徴とする。
【０００８】本発明の請求項２に係るセラミックプリン
ト配線板は、前記金属層６の膜厚が、０．３〜１．５μ
ｍであることを特徴とする。
ト配線板は、前記金属層６の膜厚が、０．３〜１．５μ
ｍであることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項３に係るセラミックプリン
ト配線板の製造方法は、前記金属層６がコバルト又はニ
ッケルを含有するペーストをセラミック基板１に塗布
し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成することによ
り形成されることを特徴とする。
ト配線板の製造方法は、前記金属層６がコバルト又はニ
ッケルを含有するペーストをセラミック基板１に塗布
し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成することによ
り形成されることを特徴とする。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いる図１に示すセラミック基板１としては、アルミナ
系基板、窒化アルミニウム系基板、炭化ケイ素系基板、
ガラス系基板等が用いられる。これらのセラミック基板
１上には、そのまま導体回路部形成を行うことも可能で
はあるが、好ましくはメッキ導体の密着力を上げるため
に、セラミック基板１の表面を粗面化したセラミック基
板１が適しており、さらに好ましくは、アルミナ系基板
をリン酸処理によって化学的に粗化したセラミック基板
１が最適である。本発明における金属層６とは、コバル
ト又はニッケルを含む導電性微粉末と耐薬品性のガラス
質フリット及び有機ビヒクルからなる材料を使用し、例
えば、スクリーン印刷等により印刷後、焼成し形成され
たものである。
用いる図１に示すセラミック基板１としては、アルミナ
系基板、窒化アルミニウム系基板、炭化ケイ素系基板、
ガラス系基板等が用いられる。これらのセラミック基板
１上には、そのまま導体回路部形成を行うことも可能で
はあるが、好ましくはメッキ導体の密着力を上げるため
に、セラミック基板１の表面を粗面化したセラミック基
板１が適しており、さらに好ましくは、アルミナ系基板
をリン酸処理によって化学的に粗化したセラミック基板
１が最適である。本発明における金属層６とは、コバル
ト又はニッケルを含む導電性微粉末と耐薬品性のガラス
質フリット及び有機ビヒクルからなる材料を使用し、例
えば、スクリーン印刷等により印刷後、焼成し形成され
たものである。
【００１１】本発明に係るセラミックプリント配線板
は、図１に示すように、セラミック基板１上に下地層２
が無電解メッキ法等により形成された銅層２ｃ、中間層
３にパラジウム層３ｐ、表面層４に金層４ａからなる構
成で導体回路部が形成されているセラミックプリント配
線板５で、半田７付けを行う部分のセラミックプリント
配線板５と下地層２である銅層２ｃとの間に、コバルト
又はニッケルを含む金属層６が形成されている。この金
属層６を形成させることは、半田７中のスズ成分とコバ
ルト又はニッケルとの金属間化合物の生成速度はスズ成
分と銅との金属間化合物の生成速度よりも極めて遅いた
め、セラミック基板１とコバルト又はニッケルの金属層
６の界面にまで金属間化合物が達する時間を大幅に長引
かせる作用がある。その結果、密着力の低下することを
極端に遅れさせ、大幅にエージング特性を改善すること
ができる。
は、図１に示すように、セラミック基板１上に下地層２
が無電解メッキ法等により形成された銅層２ｃ、中間層
３にパラジウム層３ｐ、表面層４に金層４ａからなる構
成で導体回路部が形成されているセラミックプリント配
線板５で、半田７付けを行う部分のセラミックプリント
配線板５と下地層２である銅層２ｃとの間に、コバルト
又はニッケルを含む金属層６が形成されている。この金
属層６を形成させることは、半田７中のスズ成分とコバ
ルト又はニッケルとの金属間化合物の生成速度はスズ成
分と銅との金属間化合物の生成速度よりも極めて遅いた
め、セラミック基板１とコバルト又はニッケルの金属層
６の界面にまで金属間化合物が達する時間を大幅に長引
かせる作用がある。その結果、密着力の低下することを
極端に遅れさせ、大幅にエージング特性を改善すること
ができる。
【００１２】前記金属層６の膜厚は、０．３〜１．５μ
ｍであることが好ましい。すなわち、金属層６の膜厚が
０．３μｍ未満の場合には、スズ成分の拡散を遅らせる
効果が十分に発揮できず、スクリーン印刷等で簡易に金
属層６を形成できる膜厚が１．５μｍであるため、１．
５μｍを越える場合には、金属層６を形成するのに手間
が多くかかることになる。
ｍであることが好ましい。すなわち、金属層６の膜厚が
０．３μｍ未満の場合には、スズ成分の拡散を遅らせる
効果が十分に発揮できず、スクリーン印刷等で簡易に金
属層６を形成できる膜厚が１．５μｍであるため、１．
５μｍを越える場合には、金属層６を形成するのに手間
が多くかかることになる。
【００１３】本発明に係るセラミックプリント配線板の
製造方法は、コバルト又はニッケルを含有するペースト
を例えば、スクリーン印刷により、セラミック基板１に
塗布し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成すること
により前記金属層６が形成されるものである。すなわ
ち、６００℃未満の焼成条件で金属層６の形成が行われ
ない場合には、得られた金属層６の皮膜状態がポーラス
になり、スズ成分の拡散を十分に防ぐことができなくな
り、９５０℃を越える焼成条件で金属層６の形成が行わ
れない場合には、導体回路部にクラック等が生じ易く、
導体回路部の密着力が低下する傾向にある。本発明にお
ける銅層２ｃ、パラジウム層３ｐ、金層４ａは通常の薄
膜手法によって形成され、例えば、無電解メッキ法、真
空蒸着法、スパッタリング法等があり、特に下地層２で
ある銅層２ｃ以外の形成には電気メッキ法を用いること
も可能であり、特に限定するものではない。また、これ
らの膜厚についても、本発明の半田成分の拡散による密
着強度低下の防止という意味では、何ら制約を加える必
要はない。
製造方法は、コバルト又はニッケルを含有するペースト
を例えば、スクリーン印刷により、セラミック基板１に
塗布し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成すること
により前記金属層６が形成されるものである。すなわ
ち、６００℃未満の焼成条件で金属層６の形成が行われ
ない場合には、得られた金属層６の皮膜状態がポーラス
になり、スズ成分の拡散を十分に防ぐことができなくな
り、９５０℃を越える焼成条件で金属層６の形成が行わ
れない場合には、導体回路部にクラック等が生じ易く、
導体回路部の密着力が低下する傾向にある。本発明にお
ける銅層２ｃ、パラジウム層３ｐ、金層４ａは通常の薄
膜手法によって形成され、例えば、無電解メッキ法、真
空蒸着法、スパッタリング法等があり、特に下地層２で
ある銅層２ｃ以外の形成には電気メッキ法を用いること
も可能であり、特に限定するものではない。また、これ
らの膜厚についても、本発明の半田成分の拡散による密
着強度低下の防止という意味では、何ら制約を加える必
要はない。
【００１４】
【作用】本発明の請求項１に係るセラミックプリント配
線板で、コバルト又はニッケルを含む金属層６が、部品
を半田７により半田付けをする部分の、セラミック基板
１と銅層２ｃとの間に形成されることは、スズ成分とコ
バルト又はニッケルとの金属間化合物の生成速度はスズ
成分と銅との金属間化合物の生成速度よりも極めて遅い
ため、セラミック基板１とコバルト又はニッケルの金属
層６の界面にまで金属間化合物が達する時間を大幅に長
引かせる作用があり、スズ成分の拡散を遅らせる効果が
あり、スズ成分がセラミック基板１との界面に到達し難
い。
線板で、コバルト又はニッケルを含む金属層６が、部品
を半田７により半田付けをする部分の、セラミック基板
１と銅層２ｃとの間に形成されることは、スズ成分とコ
バルト又はニッケルとの金属間化合物の生成速度はスズ
成分と銅との金属間化合物の生成速度よりも極めて遅い
ため、セラミック基板１とコバルト又はニッケルの金属
層６の界面にまで金属間化合物が達する時間を大幅に長
引かせる作用があり、スズ成分の拡散を遅らせる効果が
あり、スズ成分がセラミック基板１との界面に到達し難
い。
【００１５】本発明の請求項２に係るセラミックプリン
ト配線板では、前記金属層６の膜厚が、０．３〜１．５
μｍであるので、スズ成分の拡散を遅らせる効果があ
り、スズ成分がセラミック基板１との界面に到達し難
く、スクリーン印刷等で簡易に金属層６を形成すること
ができる。
ト配線板では、前記金属層６の膜厚が、０．３〜１．５
μｍであるので、スズ成分の拡散を遅らせる効果があ
り、スズ成分がセラミック基板１との界面に到達し難
く、スクリーン印刷等で簡易に金属層６を形成すること
ができる。
【００１６】本発明の請求項３に係るセラミックプリン
ト配線板の製造方法では、前記金属層６がコバルト又は
ニッケルを含有するペーストをセラミック基板１に塗布
し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成することによ
り形成されるので、得られる金属層６の皮膜状態がポー
ラスにならず、導体回路部にクラック等が生じ難く、導
体回路部の密着力の低下を防止する。
ト配線板の製造方法では、前記金属層６がコバルト又は
ニッケルを含有するペーストをセラミック基板１に塗布
し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成することによ
り形成されるので、得られる金属層６の皮膜状態がポー
ラスにならず、導体回路部にクラック等が生じ難く、導
体回路部の密着力の低下を防止する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって、
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００１８】（実施例１〜実施例８）３００℃に加熱し
た、リン酸に浸漬することにより、図１に示すように、
表面を粗化した９６％アルミナ白色のセラミック基板１
（１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．６３５ｍｍ：松下電工
社製）上に、市販の導体ペースト（コバルト Ａ−１１
００又はニッケル Ａ−３２０７：エンゲルハード・イ
ンダウトリー社製）をスクリーン印刷法により所望の膜
厚で印刷して、１０分間、窒素雰囲気下で焼成すること
により、金属層６を形成した。実施例１〜実施例４で
は、コバルト（Ａ−１１００）を使用し、実施例５〜実
施例８では、ニッケル（Ａ−３２０７）を使用した。こ
の金属層６の膜厚と焼成温度については表１に示した。
その後、アルカリキャタリスト法による核付け工程（Ｏ
ＰＣプロセスＡＣ：奥野製薬工業社製）を経た後、無電
解銅メッキにより全面に下地層２の銅層２ｃとして１μ
ｍ程度の銅皮膜を形成した。ただし、無電解銅メッキ浴
組成は、ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2Ｏ；１０ｇ／リットル、Ｅ
ＤＴＡ・２Ｎａ；３０ｇ／リットル、ホルマリン；０．
３ｇ／リットル、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ＃１
０００：ナカライテスク社製）；５ミリリットル／リッ
トルであり、ＮａＯＨによりｐＨ調整をしてｐＨ１２．
４で温度６０℃の条件で無電解銅メッキを行った。
た、リン酸に浸漬することにより、図１に示すように、
表面を粗化した９６％アルミナ白色のセラミック基板１
（１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．６３５ｍｍ：松下電工
社製）上に、市販の導体ペースト（コバルト Ａ−１１
００又はニッケル Ａ−３２０７：エンゲルハード・イ
ンダウトリー社製）をスクリーン印刷法により所望の膜
厚で印刷して、１０分間、窒素雰囲気下で焼成すること
により、金属層６を形成した。実施例１〜実施例４で
は、コバルト（Ａ−１１００）を使用し、実施例５〜実
施例８では、ニッケル（Ａ−３２０７）を使用した。こ
の金属層６の膜厚と焼成温度については表１に示した。
その後、アルカリキャタリスト法による核付け工程（Ｏ
ＰＣプロセスＡＣ：奥野製薬工業社製）を経た後、無電
解銅メッキにより全面に下地層２の銅層２ｃとして１μ
ｍ程度の銅皮膜を形成した。ただし、無電解銅メッキ浴
組成は、ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2Ｏ；１０ｇ／リットル、Ｅ
ＤＴＡ・２Ｎａ；３０ｇ／リットル、ホルマリン；０．
３ｇ／リットル、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ＃１
０００：ナカライテスク社製）；５ミリリットル／リッ
トルであり、ＮａＯＨによりｐＨ調整をしてｐＨ１２．
４で温度６０℃の条件で無電解銅メッキを行った。
【００１９】次いで、ドライフィルム（リストン４６２
０：デュポンジャパンリミテッド社製）をラミネート
し、非導体回路部が透光するマスクを用いて、レジスト
パタ−ンの形成を行い、導体回路部を市販の電気メッキ
浴（パラデックスストライク：ＥＥＪＡ社製）、及び二
次電気メッキ浴（パラデックス１１０：ＥＥＪＡ社製）
により中間層３であるパラジウム層３ｐを形成し、その
後、市販の電気金メッキ浴（オ−ロボンドＴＮ：ＥＥＪ
Ａ社製）、及び二次電気メッキ浴（テンプレックス４０
１：ＥＥＪＡ社製）により電気メッキを行うことにより
表面層４の金層４ａを形成した。その後、３％水酸化ナ
トリウムの水溶液に浸漬することにより、レジスト剥離
した後、銅メッキ部分を過硫酸ナトリウム、硫酸（１２
５ｇ、４０ミリリットル／リットル）の水溶液でエッチ
ングを行い、非導体回路部の銅を除去し、水洗、乾燥を
行い、セラミックプリント配線板５を得た。このセラミ
ックプリント配線板５に半田７付けをして、この半田７
を引っ張ることにより、各層の密着強度として、２ｍｍ
×２ｍｍのパターンでの、エージング前後のＬ字型のピ
ール強度を測定し、これらの値を表１に示した。エージ
ングは、１５０℃、２５０時間の条件で行った。ピール
強度が、１ｋｇｆ／４ｍｍ2 以上を合格とした。
０：デュポンジャパンリミテッド社製）をラミネート
し、非導体回路部が透光するマスクを用いて、レジスト
パタ−ンの形成を行い、導体回路部を市販の電気メッキ
浴（パラデックスストライク：ＥＥＪＡ社製）、及び二
次電気メッキ浴（パラデックス１１０：ＥＥＪＡ社製）
により中間層３であるパラジウム層３ｐを形成し、その
後、市販の電気金メッキ浴（オ−ロボンドＴＮ：ＥＥＪ
Ａ社製）、及び二次電気メッキ浴（テンプレックス４０
１：ＥＥＪＡ社製）により電気メッキを行うことにより
表面層４の金層４ａを形成した。その後、３％水酸化ナ
トリウムの水溶液に浸漬することにより、レジスト剥離
した後、銅メッキ部分を過硫酸ナトリウム、硫酸（１２
５ｇ、４０ミリリットル／リットル）の水溶液でエッチ
ングを行い、非導体回路部の銅を除去し、水洗、乾燥を
行い、セラミックプリント配線板５を得た。このセラミ
ックプリント配線板５に半田７付けをして、この半田７
を引っ張ることにより、各層の密着強度として、２ｍｍ
×２ｍｍのパターンでの、エージング前後のＬ字型のピ
ール強度を測定し、これらの値を表１に示した。エージ
ングは、１５０℃、２５０時間の条件で行った。ピール
強度が、１ｋｇｆ／４ｍｍ2 以上を合格とした。
【００２０】
【表１】
【００２１】（比較例１〜比較例５）実施例１と同様に
して、表１に示した金属層６の膜厚と焼成温度でセラミ
ックプリント配線板５を得た。ただし、比較例１につい
ては、金属層６を形成しない従来の方式で行い、比較例
２及び比較例３では、コバルト（Ａ−１１００）を使用
し、比較例４及び比較例５では、ニッケル（Ａ−３２０
７）を使用し、実施例１と同様にして、エージング前後
のＬ字型のピール強度の値を表１に示した。
して、表１に示した金属層６の膜厚と焼成温度でセラミ
ックプリント配線板５を得た。ただし、比較例１につい
ては、金属層６を形成しない従来の方式で行い、比較例
２及び比較例３では、コバルト（Ａ−１１００）を使用
し、比較例４及び比較例５では、ニッケル（Ａ−３２０
７）を使用し、実施例１と同様にして、エージング前後
のＬ字型のピール強度の値を表１に示した。
【００２２】表１の結果、実施例は比較例に比べて導体
回路部の密着力が大きいことが確認できた。
回路部の密着力が大きいことが確認できた。
【００２３】
【発明の効果】本発明の請求項１及び請求項２に係るセ
ラミックプリント配線板は、前記のように構成されてい
るので、本発明の請求項１及び請求項２に係るセラミッ
クプリント配線板によると、半田のスズ成分の拡散によ
る導体回路部の密着力の低下を防ぐことができる。
ラミックプリント配線板は、前記のように構成されてい
るので、本発明の請求項１及び請求項２に係るセラミッ
クプリント配線板によると、半田のスズ成分の拡散によ
る導体回路部の密着力の低下を防ぐことができる。
【００２４】本発明の請求項３に係るセラミックプリン
ト配線板の製造方法は、前記のように構成されているの
で、本発明の請求項３に係るセラミックプリント配線板
の製造方法によると、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防いだセラミックプリント配線
板が得られる。
ト配線板の製造方法は、前記のように構成されているの
で、本発明の請求項３に係るセラミックプリント配線板
の製造方法によると、半田のスズ成分の拡散による導体
回路部の密着力の低下を防いだセラミックプリント配線
板が得られる。
【図１】本発明の実施例に係るセラミックプリント配線
板の製造方法の説明断面図である。
板の製造方法の説明断面図である。
【図２】従来例に係るセラミックプリント配線板の製造
方法の説明断面図である。
方法の説明断面図である。
１ セラミック基板 ２ 下地層 ２ｃ 銅層 ３ 中間層 ３ｐ パラジウム層 ４ 表面層 ４ａ 金層 ５ セラミックプリント配線板 ６ 金属層 ７ 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金谷 大介 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック基板（１）上に下地層（２）
が銅層（２ｃ）、中間層（３）がパラジウム層（３
ｐ）、表面層（４）が金層（４ａ）によって導体回路部
が構成されるセラミックプリント配線板（５）におい
て、コバルト又はニッケルを含む金属層（６）が、部品
を半田（７）により半田付けをする部分の、セラミック
基板（１）と銅層（２ｃ）との間に形成されることを特
徴とするセラミックプリント配線板。 - 【請求項２】 前記金属層（６）の膜厚が、０．３〜
１．５μｍであることを特徴とする請求項１記載のセラ
ミックプリント配線板。 - 【請求項３】 前記金属層（６）がコバルト又はニッケ
ルを含有するペーストをセラミック基板（１）に塗布
し、窒素雰囲気で６００〜９５０℃で焼成することによ
り形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載のセラミックプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23581394A JPH08102580A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミックプリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23581394A JPH08102580A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミックプリント配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102580A true JPH08102580A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=16991642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23581394A Withdrawn JPH08102580A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミックプリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332395A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| CN103249256A (zh) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | 景硕科技股份有限公司 | 线路图案的表面处理结构 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23581394A patent/JPH08102580A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332395A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| CN103249256A (zh) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | 景硕科技股份有限公司 | 线路图案的表面处理结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |