JPH0810667B2

JPH0810667B2 - ３次元結像システムおよび方法

Info

Publication number: JPH0810667B2
Application number: JP5240229A
Authority: JP
Inventors: ダグラス・セイモア・グッドマン; チャールス・アルバート・ルディシル; ダニエル・ジョーン・ホイトル
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-11-12
Filing date: 1993-09-28
Publication date: 1996-01-31
Anticipated expiration: 2011-01-31
Also published as: JPH07147218A; EP0601621A1; US5822042A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は３次元投影結像及びフォ
トリソグラフィのシステム及び方法に関する。より詳し
くは、本発明は、大きな非平面変化を有する３次元の面
に、回路及び他のパターンを露光できるシステム及び方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子工学の歴史は次第に小型化する製品
との競争を含む。半導体チップを含む多くの領域におけ
る消費者の要求、科学の進歩及び製造経済学は全てこの
競争をあおっている。小容積で複数の機能を実行する素
子は貴重な必需品である。翻って、信頼性は臨界的にな
っている。電子製品を構成する素子を詰込む空間の容量
が与えられれば、それらの個々の素子の取替えは不可能
ではないが困難である。製品がより多くの小型の素子を
要求するとき、製造が困難になり信頼性に妥協が図られ
ることがある。製品が多数の素子で構成されるとき、製
品内の電気的な接続の数が増えるにつれて単一の電気的
な接続の障害により製品が故障する機会が増加する。

【０００３】素子担体、例えば回路ボード及びセラミッ
ク基板の技術の、現在の集積技術の変革の間の進歩は限
られたものであった。大抵の場合、電気製品を構成する
素子は担体又はボードに配置される。これらの素子は半
導体チップ、抵抗器、キャパシタ、キーパッド等を含
む。回路ボードの殆どの部分は実質的に平坦である。全
ての素子がシングル・ボードに適さない場合、複数のボ
ードが要求され、それらの間の高価なケーブル等による
接続が要求される。更に、平坦な２次元のボードは製造
効率を高めるのに役立たない。なぜなら、製品（例え
ば、ポータブルPC、セルラー通信機器等）のサイズ及び
形状は２次元に固有の限界により、特にサイズ・重量が
小型・軽量化される傾向により、限られたものになるか
らである。

【０００４】製造効率及び製品信頼性を改善しサイズの
問題を解決するために提案された１つの解法は非平面に
素子を配置することになっていた。この解法は電気／機
械的集積を増し製品に必要な部品の数を減らすことがで
きる。その結果、組立時間が減り容量利用率が増すの
で、費用削減が可能になると同時に品質及び信頼性を改
善し工業デザインの改良を可能にする。例えば、デバイ
ス内の所要の公差を減少できるのでデバイスの小型化の
設計が容易になり、デバイスの相互接続を減らし、ケー
ブルの必要性を減少又は削除することなどが可能にな
る。

【０００５】しかしながら、このような方式を広く用い
るために必要な効率を与える手法は今日まで設計されて
いない。真に３次元の面に形成された回路の導入を阻害
する主要な問題は高い歩留まり及び細かい分解能の結像
プロセスの欠如である。ボードに取付けられた素子の間
の接続は依然として割合に旧式な手法で行なわれてい
る。そのうち最も一般的なものは、ボード面上の放射に
敏感な材料を、所望のパターンを有するマスクを介した
放射に露光し、次いでボードを化学的にエッチング又は
処理してそこに所望のパターンを得ることを含む。一般
に、かなり限定された３次元の変化を有するボード以外
のものが用いられるとき分解能が犠牲にされる。その結
果、かなり限定された非平面特性を有するカードが作ら
れるので、厳しい公差及び不適切な分解能のため製造歩
留まりが低下する。転写印刷及び等角３次元接触マスク
が１つの解法として提案されている。しかしながら、こ
れらのマスクは製造費用が高い上にもろく、接触及びそ
の維持が困難であることが分かった。その結果、一定の
交換を必要とし且つ分解能がごく限られた低い歩留まり
のマスクとなった。上記制限を受けるけれども限られた
非平面変化及び（又は）低い分解能を有する面上の比較
的簡単な回路は可能であることが分かったが、かなりの
複雑さと細かい分解能を有する実質的に３次元の回路ボ
ードは実現不可能であることが分かった。

【０００６】非平面回路を得るために、適切なマスクを
通して、非平面上の回路にコリメートされた光を用いた
直接投影及び露光が用いられている。しかしながら、露
光される面をマスクに非常に接近させる必要がある、即
ち回路の線の分解能が重要な問題となる。この手法は前
記制約により小さな非平面特性及び低い分解能を有する
回路の生産に限定される。

【０００７】従って、真に３次元の面での回路の大規模
生産を可能にする手法が必要であることが明らかであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的は
３次元の面に結像する方法を提供することにある。

【０００９】本発明の第２の目的は３次元（及び２次
元）の面上のフォトリソグラフィを可能にする方法を提
供することにある。

【００１０】本発明の第３の目的は３次元の面に回路を
作る手法を提供することにある。

【００１１】本発明の第４の目的は電子デバイスの組立
てに必要な部品の数を少なくする手法を提供することに
ある。

【００１２】本発明の第５の目的は非平面で高分解能回
路を露光する手法を提供することにある。

【００１３】本発明の第６の目的は焦点深度の大きい回
路を露光する手法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、非平面上の高
分解能回路を露光するために、従来は実質的に２次元の
平面に回路を結像するためにのみ用いた既知のフォトリ
ソグラフィのプロセスを利用する。フォトリソグラフィ
の非接触方法が実現されるので、現に用いる接触方法よ
りも原版の縮退が少なく、歩留まりを高くすることがで
きる。３次元回路担体に回路パターンを投影する新規の
フォトリソグラフィは専用のフォトリソグラフィ・ツー
ルによって使用できる。

【００１５】本発明の最も簡単な実施例におけるフォト
リソグラフィ・ツールは無限焦点レンズ系及び３次元原
版即ちマスクを含む。３次元マスクは無限焦点レンズ系
の物体空間内に配置され、無限焦点レンズ系のイメージ
空間内に配置された３次元回路担体即ち基板に結像され
る。光学機器の当業者にはよく知られている無限焦点レ
ンズの使用により、物体空間が倍率１のイメージ空間と
同じシステムを設計することができる。その結果、面の
輪郭及び結像されるパターンが所望の基板の面及びパタ
ーンと同じであるマスクを用いることができるので、マ
スク設計が簡略化される。

【００１６】本発明の無限焦点レンズ系は３次元イメー
ジを３次元物体に直に結像するので、３次元回路担体の
使用が焦点機能の深度により制限され過ぎることはな
い。無限焦点レンズ系は、焦点ぼけが起きるときでもイ
メージのスケールが維持されるように二重のテレセント
リックに作ることができる。また、製造の柔軟性を高め
ることにより、物体空間内のマスクの正確な原始位置は
臨界的ではない。製品の要求及び所望の属性により、種
々の照度、マスク及びプロセス設計を用いて結像／フォ
トリソグラフィ・ツールを実現することができる。

【００１７】

【実施例】図面に本発明のフォトリソグラフィ・ツール
10が示される。フォトリソグラフィ・ツール10は３次元
マスク即ち原版12及び無限焦点レンズ系14を含む。回路
パターン12A はマスク12に印刷される。良好な実施例で
は、フォトリソグラフィ・ツール10は通常は照明器16と
ともに使用されるように設計される。照明器16はマスク
及びレンズ系を通過する指向性の光を供給するので、回
路パターン12A のイメージが目標の３次元基板又は回路
担体18に投影される。一般に、回路単体18は投影された
イメージをそこで露光できるように感光材料で被覆され
る。現に使用中の３次元基板の例が図１に示されてい
る。

【００１８】本発明の利点は無限焦点レンズ系14の使用
によって得られる。無限焦点レンズの特性はフォトリソ
グラフィ及び光学機器技術の当業者には知られており、
前記レンズは本明細書に記述されたもの以外の用法で現
に用いられている。本発明では、無限焦点レンズ及び３
次元原版12の使用により、大きな非平面特性を有する基
板上の焦点の深度内に留まる能力が得られる。

【００１９】無限焦点レンズ系14の利点及び動作を理解
するには、非無限焦点レンズ系の動作及び欠点を検査す
ることが役立つ。レンズは一般に受像平面に平面物体を
結像するものと見なされるが、実際にはそれらの機能は
もっと普遍的なものである。無限焦点及び非無限焦点レ
ンズはどちらも完全な３次元空間を結像するが、無限焦
点及び非無限焦点レンズによるこれらの３次元空間の結
像は異なる。

【００２０】図２は第一の焦点深度ｆを有する非無限焦
点レンズを示す。物体空間24に置かれた物体は非無限焦
点レンズ22によりイメージ空間26に結像される。図示の
ように、ｚ軸がレンズ軸11に対応するように物体空間の
焦点28を中心に座標系がセットされる。座標(x,y,z) を
有する任意の所与の物体の点は下式で関連づけられたイ
メージ点の座標(x',y',z')を有する。

【００２１】

【数１】x' = xf/z, y' = yf/z, z' = f²/z 上式の結果として、３次元基板上に回路パターンを結像
させるマスクは設計・製造が困難になる。更に、マスク
及び基板は物体及びイメージ空間内に正確に配置される
必要がある。結像された点は３次元イメージ面の１つの
平面にのみ焦点を有するので２次元マスクは使用できな
い。３次元マスクが非無限焦点レンズとともに用いられ
る場合、マスクはｘ次元、ｙ次元及びｚ次元における歪
みを補償するように設計される必要がある。これは原版
の面のプロファイルならびに回路パターンにおける変更
を必要とする（例えば、先細の線及び楕円形の曲線）。
このような変更は理論的には可能であるけれども、極め
て非実際的である。

【００２２】無限焦点レンズの使用は結像される面のプ
ロファイル及び特性が目標基板の面と同じであるマスク
の使用を可能にする。無限焦点レンズは一定の横方向の
倍率ｍ、及び一定の軸方向の倍率ｍ²(大気中) を有す
る。図３で、ｚ軸がレンズ軸11に対応するように軸上の
物体起点32を中心に座標系がセットされる。軸上の物体
の起点32は対応するイメージ起点34を有する。座標(x,
y,z) を有する任意の所与の物体の点は下式で関連づけ
られた対応するイメージ点の座標(x',y',z')を有する。

【００２３】

【数２】x' = mx, y' = my, z' = (m²)z 実現のために必要ではないけれども、倍率１、ｍ＝＋１
又はｍ＝−１が用いられる場合、無限焦点レンズ系は更
に容易に表示できる。ｍ＝＋１の倍率が用いられる場
合、物体及びイメージの点は次のように関連づけられ
る。

【００２４】

【数３】x' = x, y' = y, z' = z 図４及び図５に示すように、この関係はイメージ空間26
を物体空間24と等しくする。図６及び図７は、同じ焦点
深度でかつ焦点深度の２倍の距離だけ離された３つのレ
ンズ素子20を有する、ｍ＝＋１の無限焦点レンズ系36の
簡単な実施例を示す。図６はコリメートされた光に対す
るレンズの効果を示す。図７はレンズ系36による１つの
点の結像を示す。

【００２５】ｍ＝−１の倍率が用いられる場合、物体及
びイメージの点は下式の関係を有する。

【００２６】

【数４】x' = -x, y' = -y, z' = z 図８に示すように、イメージ空間26及び物体空間24は同
一であるが、x-y 面で180 度回転している。３次元回路
パターンを結像するために、ｍ＝＋１及びｍ＝−１の倍
率使用の結果は等しく有利である。ｍ＝−１のレンズ系
14B は設計が簡単になり（図９及び図１０）且つ製造が
容易になる。図９はコリメートされた光に対するｍ＝−
１のレンズ系14B の簡単な例を示し、図１０はこのシス
テムが結像するポイントを示す。もちろん、イメージ空
間を任意に方向づけるために平面鏡をシステム内に付加
することができる。

【００２７】ｍ＝＋１のレンズ系36又はｍ＝−１のレン
ズ系14B のいずれかの場合、真に１：１のイメージが投
影される。よって、物体空間24にあるマスクに印刷され
た回路パターンはイメージ空間26内の正しい位置に置か
れた基板に正確に投影される。従って、３次元回路担体
即ち基板の製造の場合でさえ、面の輪郭及び特性が同じ
であるマスクを用いて製品即ち基板の面に結像すること
ができる。ｚ次元における変化は正確に結像されるの
で、焦点の深度の考慮は２次元の平面結像の場合よりも
大きくはない。更に、マスク12及び目標基板18の方向づ
け及び起点は、それらが同じである限り、臨界的ではな
い。

【００２８】フォトリソグラフィ・ツール10は種々のマ
スク12及び基板18と組合わせて使用できる。ある角度を
なすマスク12の外側及び内側はそれぞれ基板18の内側及
び外側に投影される（図１１及び図１２）。マスク12の
内側又は外側の面に印刷された回路パターン12A は基板
18の外側又は内側に結像できる（図１３）。この方法は
平面上の結像に限定されない。図４に示すように、無限
焦点レンズ系14の装置は、その形状に関係なく、パター
ン化されたマスク12を結像する。これは実際に基板18を
自由に設計しうる範囲を大幅に拡大する。

【００２９】マスク12は透過（図１４）又は反射（図１
５）ないしは両者の組合せで使用できる。図１６に示す
ように、二重にテレセントリックされた無限焦点レンズ
系は、イメージを形成する束38（図示せず）が物体空間
及びイメージ空間でレンズ軸11に平行するように設計さ
れる。マスク12又は基板18が焦点ぼけしている場合、く
もりが生じるが、イメージのスケールは変わらない。各
線の鮮明さは最適の場合よりも劣るが、線の形状及び相
対位置は同じままである。よって、製造時の焦点ぼけの
公差は個々の線の所望の鮮明さの程度による制限を受け
るが、回路パターン中の線の相対的な歪みによる制限は
受けない。このテレセントリシティは更にマスク及び基
板の配置に関する要求を緩和する。これは明確に製造能
力を高める利点である。（このシステムはレンズ系全体
の調整及び焦点合わせも可能にする）。

【００３０】本発明の良好な実施例は製品の全サイズと
印刷される特性のサイズ及び複雑さとによる。

【００３１】照明器16はタスクに要求された複雑さの程
度により設計の変更がありうる。図１７に示すように、
最も簡単な照明器は集光レンズ16A 及びその前部の焦点
の平面に配置されたランプ17を含む。無限焦点レンズ20
の間に開口部40が設けられる。図１８には、より多くの
特性を有する照明器が示されている。ランプ17、集光レ
ンズ16A 及び開口部40に加えて、視野絞り42、集光レン
ズ16B 及び16C 並びに開口部44が照明器16に設けられ
る。第１と第２の集光レンズ16A 及び16B の間の視野絞
り42は照明される領域を制御し、非平面の不透明な面に
あり原版の面とほぼ接合された位置にある開口部でもよ
い。第２と第３の集光レンズ16B 及び16Cの間に置かれ
た開口部44は照明角度の範囲を制御する。

【００３２】高い分解能を得るために、マスク12の全て
の面のイメージの輝度が十分に均一になるように３次元
マスク12のパターン化された面を光が透過する必要があ
る。均一性はマスクの形状及び使用する照明のタイプの
影響を受ける。例えば、レンズ軸に平行なコリメートさ
れた光源により固体マスクが照明される場合、マスクを
透過する光線はレンズ軸からかなり屈折させられる。そ
の結果、マスクに入射する光のかなりの部分をレンズ系
が集光できないので、輝度の非均一を生じる。所要の精
密な均一性は特定のプロセスによる。例えば、特定のフ
ォトレジストは多かれ少なかれ均一性及びエネルギ密度
を必要とする。

【００３３】所要の均一性を得るために、印刷される特
定の形状に依存する設計のマスク構造及び照明の組合せ
が要求される。良好な構造は照明が１つの主方向（及び
若干の拡散）を有するものであり、そして所要の照明
は、図１９に示すように、マスクの形成によって得られ
る。それぞれの場合に一意的な解法はないかも知れな
い。特殊な形状のマスクに加えて、複数の方向から入射
する照明を設けてもよく、又はマスク及び物体を互いに
同期させて移動させてもよい。例えば、マスクの面がい
くつかの平面を含む場合、それぞれの主照明方向があり
うる（図２０）。均一性の程度を増す更に別の方法は照
明補償素子46を設けることである。図２１に示すよう
に、マスク12に先行する光の経路に照明補償素子46が配
置され且つ単一指向性の光が再構成されて適切な方向に
むかうように再設計される。マスク12そのものは厚くて
も薄くてもよい。非常に薄いマスクは空間フレームで支
持しうるであろう。図示のマスク12は固体である。入射
光が無限焦点レンズ系14から散乱しないように、種々の
屈折及び抗反射被覆剤がマスク12に混合されることもあ
る。更に別の解法は、マスク又はそのレンズ系の他の部
分又は両者を、大気と異なる屈折率を有する材料に漬け
ることを含む。

【００３４】薄いか又は厚いマスク及び基板、立体骨
組、又はエッチングされ、形成された原版を用いて原版
が構築されるときの照明の均一性を増す１つの方法は、
そのレンズ系の少なくとも１つの素子を、有利な屈折率
を有する材料に漬けることである。原版基板の屈折率と
概ね同じ屈折率を有する材料に原版及び製品を漬けても
よい。容器の側面がレンズ軸に垂直な少なくとも１つの
面を有する、オイル、水等のような屈折率整合材料の容
器に、原版及び製品が入れられる。照明器、レンズ系が
この容器に入れられることもある。原版及び製品は容器
内で自由に回転させることができる。１の倍率（Ｍ＝＋
１又はＭ＝−１）を有する無限焦点レンズ系の場合、原
版及び製品がともに漬けられると、倍率は横方向でも縦
方向でも変化しない。

【００３５】N'＝イメージ空間の屈折率、N ＝物体空間
の屈折率、M ＝横の倍率とすれば、レンズ系の（レンズ
軸に沿った）縦の倍率が下式で与えられる。

【００３６】

【数５】N'/N = M² - 縦の倍率原版のみが屈折率整合材料に漬けられる場合、縦の倍率
は変化するが横の倍率は同じである。レンズ軸に沿った
寸法の相違は原版の設計を変更することにより補正しう
る。

【００３７】前述の屈折率整合方法は、歪みのない厚い
基板で支持される原版を使用できるので、屈折による照
明輝度の変化を阻止できる。更に、基板材料の仕上げは
臨界的ではない。原版の表面が汚染する可能性は大幅に
減少する。

【００３８】製品に含まれる感光性の材料は光を集積す
るから、所望により、走査式照明を用いてもよい。走査
中に光の輝度及び方向を変えることができる。走査はよ
り高い輝度及び均一性を与え、より厚いマスクの中の屈
折を補償する。マスクの形状によっては、偏光された照
明の使用が好都合なことがある。透過及び反射は偏光に
より変わることがある。

【００３９】本発明は種々の改良による良好な実施例及
び代替実施例により説明されているが、当業者は他の実
施例及び変形が本発明の意図を損なわずに実行しうるこ
とを理解するであろう。例えば、本発明は倍率１の無限
焦点レンズ系に限定されず、より大きいか又はより小さ
い倍率を用いてもよく、その方法及び装置を回路担体以
外のものにも容易に用いることができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、最も簡単なフォトリソ
グラフィ・ツールに無限焦点レンズ系及び３次元原版即
ちマスクを含むことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】回路パターンが印刷されている典型的な３次元
回路担体、即ち基板の斜視図である。

【図２】非無限焦点レンズ及び関連した座標系の斜視図
である。

【図３】無限焦点レンズ及び関連した座標系の斜視図で
ある。

【図４】３次元物体を結像する正の倍率１、ｍ＝＋１の
無限焦点レンズの斜視図である。

【図５】球形物体を結像する正の倍率１、ｍ＝＋１の無
限焦点レンズの斜視図である。

【図６】コリメートされた光に同じ効果を示す、特定の
ｍ＝＋１の無限焦点レンズ系の側面図である。

【図７】点を結像するｍ＝＋１の無限焦点レンズ系の側
面図である。

【図８】３次元物体を結像する負の倍率１、ｍ＝−１の
無限焦点レンズ系の斜視図である。

【図９】コリメートされた光に同じ効果を示す、簡単な
ｍ＝−１の無限焦点レンズ系の側面図である。

【図１０】点を結像する簡単なｍ＝−１の無限焦点レン
ズ系の側面図である。

【図１１】Ｌ形のマスクの外側の面からＬ形の回路担体
の内側の面に点を結像する本発明のフォトリソグラフィ
・ツールの側面図である。

【図１２】Ｌ形のマスクの内側の面からＬ形の回路担体
の外側の面に点を結像するフォトリソグラフィ・ツール
の側面図である。

【図１３】非平面マスクの内側の面から非平面回路担体
の外側の面に点を結像するフォトリソグラフィ・ツール
の側面図である。

【図１４】光透過により３次元マスクから点を投影する
フォトリソグラフィ・ツールの側面図である。

【図１５】光反射により３次元マスクから点を投影する
フォトリソグラフィ・ツールの側面図である。

【図１６】本発明のテレセントリック・フォトリソグラ
フィ・ツールの側面図である。

【図１７】フォトリソグラフィ・ツール及び簡単な照明
器の側面図である。

【図１８】より多くの特性を有するフォトリソグラフィ
・ツール及び照明器の側面図である。

【図１９】特殊な形状のマスクを含むフォトリソグラフ
ィ・ツールの斜視図である。

【図２０】フォトリソグラフィ・ツール及び複数の照明
器の斜視図である。

【図２１】照明補償素子を含むフォトリソグラフィ・ツ
ールの斜視図である。

【符号の説明】

10 フォトリソグラフィ・ツール 11 レンズ軸 12 ３次元マスク／原版 12A 回路パターン 14 無限焦点レンズ系 14B ｍ＝−１の無限焦点レンズ系 16 照明器 16A 集光レンズ 16B 集光レンズ 16C 集光レンズ 17 ランプ 18 ３次元基板／回路担体 20 無限焦点レンズ 22 非無限焦点レンズ 24 物体空間 26 イメージ空間 28 物体空間の焦点 36 ｍ＝＋１の無限焦点レンズ系 40 開口部 42 視野絞り 44 開口部 46 照明補償素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者チャールス・アルバート・ルディシルアメリカ合衆国ノースキャロライナ州、アペックス、バンバーグ・レーン 3908番地 (72)発明者ダニエル・ジョーン・ホイトルアメリカ合衆国ノースキャロライナ州、アペックス、メドウ・ゲート・ドライブ 7025番地 (56)参考文献特開昭52−72219（ＪＰ，Ａ) 特開昭52−100043（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−38749（ＪＰ，Ａ) 特開平４−109760（ＪＰ，Ａ) 特開平４−48542（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】３次元イメージ空間の少なくとも１つの露
光面に合焦されたイメージを投影するための照明手段を
備える結像システムであって、所望の３次元イメージを持つ３次元原版パターン及び
無限焦点レンズ系を備え、前記所望の３次元イメージが前記露光面に投影されるよ
うに前記３次元原版パターン、前記無限焦点レンズ系、
前記イメージ空間及び前記照明手段が相対的に配置して
なる結像システム。
【請求項２】前記３次元イメージ空間の前記露光面が感
光材料で被覆されている、請求項１のシステム。
【請求項３】前記３次元原版パターンのサイズ及び形状
が３次元回路担体と実質的に同一である、請求項１のシ
ステム。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか１つの結
像システムを有するフォトリソグラフィ・システムであ
って、前記無限焦点レンズ系は少なくとも２つの無限焦
点レンズを含み、前記レンズは共通レンズ軸を共有する
ように互いに相対的に配置され、互いに平行であり、同
じ焦点距離を有し、それらの焦点距離の２倍だけ互いに
離されている、請求項３のフォトリソグラフィ・システ
ム。
【請求項５】前記無限焦点レンズは１の倍率を有する、
請求項４のフォトリソグラフィ・システム。
【請求項６】所望の３次元イメージを有する３次元原
版、照明器及び３次元物体を３次元空間に結像する無限
焦点レンズ系を用いて３次元イメージ空間の少なくとも
１つの露光面に前記所望の３次元イメージを投影する方
法であって、前記３次元原版を出る光が前記無限焦点レンズ系を通過
するように前記照明器により前記３次元原版を照明する
ステップと、前記無限焦点レンズ系により前記所望の３
次元イメージが前記露光面に再生されるように、前記３
次元原版から前記３次元イメージ空間の露光面に光を向
けるステップを含む方法。
【請求項７】前記３次元原版に入射した光が反射されて
前記無限焦点レンズ系に入るように前記照明器、前記３
次元原版及び前記無限焦点レンズ系を配置するステップ
を更に含む、請求項６の方法。
【請求項８】前記３次元原版に入射した光が前記３次元
原版を透過して前記無限焦点レンズ系に入るように前記
照明器、前記３次元原版及び前記無限焦点レンズ系を配
置するステップを更に含む、請求項６の方法。
【請求項９】所望の３次元パターンを有する３次元原
版、照明器及び３次元物体を３次元空間に結像する無限
焦点レンズを用いて３次元物体表面の少なくとも１つの
露光面に合焦されたイメージを投影する方法であって、前記照明器から光を発するステップと、前記照明器からの光の経路に前記３次元原版を配置する
ステップと、前記３次元原版を出る光の経路に前記無限焦点レンズ系
を配置するステップと、前記所望の３次元パターンが前記露光面に再生されるよ
うに前記無限焦点レンズ系を出る光に前記露光面を露光
するステップとを含む方法。