JPH0810690B2 - アッシング方法及びアッシング装置 - Google Patents
アッシング方法及びアッシング装置Info
- Publication number
- JPH0810690B2 JPH0810690B2 JP62019254A JP1925487A JPH0810690B2 JP H0810690 B2 JPH0810690 B2 JP H0810690B2 JP 62019254 A JP62019254 A JP 62019254A JP 1925487 A JP1925487 A JP 1925487A JP H0810690 B2 JPH0810690 B2 JP H0810690B2
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- JP
- Japan
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- ashing
- substrate
- processed
- gas
- heated
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、被処理基板に被着された膜を除去するアッ
シング方法及びアッシング装置に関する。
シング方法及びアッシング装置に関する。
（従来の技術） 一般に半導体集積回路を形成する微細パターンの形成
は例えば露光および現像によって形成された有機高分子
のフォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの
下地膜をエッチングすることにより行なわれる。したが
って、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッ
チング過程を経た後には半導体ウエハの表面除去する必
要がある。
は例えば露光および現像によって形成された有機高分子
のフォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの
下地膜をエッチングすることにより行なわれる。したが
って、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッ
チング過程を経た後には半導体ウエハの表面除去する必
要がある。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理と
してアッシング処理が行なわれている。
してアッシング処理が行なわれている。
このアッシング処理はレジストの除去、シリコンウエ
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
紫外線を照射することにより酸素原子ラジカルを発生
させて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシン
グ装置がある。
させて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシン
グ装置がある。
第２図はこのような紫外線照射により酸素原子ラジカ
ルを発生させるアッシング装置を示すもので、処理室１
には、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂直に
配置され、処理室１の上部に設置されている紫外線発光
管３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石英等
の透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填された酸
素を励起してオゾンを発生させる。
ルを発生させるアッシング装置を示すもので、処理室１
には、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂直に
配置され、処理室１の上部に設置されている紫外線発光
管３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石英等
の透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填された酸
素を励起してオゾンを発生させる。
そしてこのオゾン雰囲気から生じる酸素ラジカルを半
導体ウエハ２に作用させてアッシング処理を行なう。
導体ウエハ２に作用させてアッシング処理を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来のアッシング装置では、アッ
シングむらが生ずるおそれがあり、大口径の半導体ウエ
ハの処理にとっては好ましくなかった。
シングむらが生ずるおそれがあり、大口径の半導体ウエ
ハの処理にとっては好ましくなかった。
本発明は、大口径半導体ウエハに対応することができ
るように、アッシングむらを防いだ均一なアッシング処
理を可能とする、アッシング方法並びにアッシング装置
を提供することを目的とする。
るように、アッシングむらを防いだ均一なアッシング処
理を可能とする、アッシング方法並びにアッシング装置
を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 前記目的を達成するため、本発明は、アッシング方法
として、被処理基板に対して所定間隔離れて対向した流
出板に設けられた流出口から、アッシングガスを前記被
処理基板の表面に流出させて、この被処理基板をアッシ
ングする方法において、前記流出板をガラス製とし、さ
らに前記被処理基板を所定の温度に加熱すると共に、前
記アッシングガスを前記流出口に導くガス流導管を加熱
することにより、所定の温度に加熱したアッシングガス
を、前記被処理基板に流出させることを特徴とする、ア
ッシング方法を提供する。
として、被処理基板に対して所定間隔離れて対向した流
出板に設けられた流出口から、アッシングガスを前記被
処理基板の表面に流出させて、この被処理基板をアッシ
ングする方法において、前記流出板をガラス製とし、さ
らに前記被処理基板を所定の温度に加熱すると共に、前
記アッシングガスを前記流出口に導くガス流導管を加熱
することにより、所定の温度に加熱したアッシングガス
を、前記被処理基板に流出させることを特徴とする、ア
ッシング方法を提供する。
また本発明は前記アッシング方法を好適に実施するた
めのアッシング装置として、被処理基板に対して所定間
隔離れて対向した流出板に設けられた流出口から、アッ
シングガスを前記被処理基板の表面に流出させるととも
に、前記被処理基板を加熱して前記被処理基板をアッシ
ングする装置において、前記流出板はガラス製であり、
さらに被処理基板が載置される載置台と、前記載置台に
内蔵された温度制御機構付きのヒータと、前記アッシン
グガスを前記流出口に導くガス流導管と、このガス流導
管を加熱する加熱機構とを具備したことを特徴とする、
アッシング装置を提供する。
めのアッシング装置として、被処理基板に対して所定間
隔離れて対向した流出板に設けられた流出口から、アッ
シングガスを前記被処理基板の表面に流出させるととも
に、前記被処理基板を加熱して前記被処理基板をアッシ
ングする装置において、前記流出板はガラス製であり、
さらに被処理基板が載置される載置台と、前記載置台に
内蔵された温度制御機構付きのヒータと、前記アッシン
グガスを前記流出口に導くガス流導管と、このガス流導
管を加熱する加熱機構とを具備したことを特徴とする、
アッシング装置を提供する。
（作 用） 本発明のアッシング方法によれば、被処理基板に対し
て所定間隔離れて対向した流出板に設けられた流出口か
ら、アッシングガスを前記被処理基板の表面に流出させ
てアッシングする際、前記流出板をガラス製とし、さら
に被処理基板を所定の温度に加熱すると共に、前記アッ
シングガスを前記流出口に導くガス流導管を加熱するこ
とによって、アッシングガスもを所定の温度に加熱する
ようにしたので、被処理基板を冷却することがなく、安
定した温度雰囲気で均一なアッシング処理ができる。
て所定間隔離れて対向した流出板に設けられた流出口か
ら、アッシングガスを前記被処理基板の表面に流出させ
てアッシングする際、前記流出板をガラス製とし、さら
に被処理基板を所定の温度に加熱すると共に、前記アッ
シングガスを前記流出口に導くガス流導管を加熱するこ
とによって、アッシングガスもを所定の温度に加熱する
ようにしたので、被処理基板を冷却することがなく、安
定した温度雰囲気で均一なアッシング処理ができる。
また本発明のアッシング装置によれば、前記アッシン
グ方法を好適に実施することができる。
グ方法を好適に実施することができる。
（実施例） 以下、本発明方法を半導体製造工程におけるアッシン
グ工程に適用した実施例につき図面を参照して説明す
る。
グ工程に適用した実施例につき図面を参照して説明す
る。
第１図において、昇降機構（図示せず）により上下動
自在に断面Ｕ字状で円筒状の上チャンバー５が設けられ
ている。この上チャンバー５にはアッシングガスを均一
に流出させるための例えばガラス製平板６が設けられて
いる。この平板６の中心軸にはアッシングガスを流出さ
せるための例えば口径8mmの流出口７が設けられてい
る。上記上チャンバー５と係合する如く下チャンバー８
が設けられ、この下チャンバー８内には被処理基板例え
ば半導体ウエハ９を載置可能である円板状載置台10が設
けられている。この載置台10にはヒーター11が内設され
ている。このヒーター11は下チャンバー８外部に設けら
れた温度制御機構12により温度制御自在であり、これに
より上記載置台10が温度制御自在に構成されている。こ
の載置台10上に設定した半導体ウエハ９の表面にアッシ
ングガスを流出する如く、ガス流導管13により加熱機構
14例えばセラミックヒーターを介して酸素供給源15を備
えたオゾン発生器16が配設されている。また、下チャン
バー８の底部には処理室18内の排気をする排気機構19が
排気管20を介して設けられている。このようにしてアッ
シング装置が構成されている。次に上述したアッシング
装置による半導体ウエハのアッシング方法を説明する。
自在に断面Ｕ字状で円筒状の上チャンバー５が設けられ
ている。この上チャンバー５にはアッシングガスを均一
に流出させるための例えばガラス製平板６が設けられて
いる。この平板６の中心軸にはアッシングガスを流出さ
せるための例えば口径8mmの流出口７が設けられてい
る。上記上チャンバー５と係合する如く下チャンバー８
が設けられ、この下チャンバー８内には被処理基板例え
ば半導体ウエハ９を載置可能である円板状載置台10が設
けられている。この載置台10にはヒーター11が内設され
ている。このヒーター11は下チャンバー８外部に設けら
れた温度制御機構12により温度制御自在であり、これに
より上記載置台10が温度制御自在に構成されている。こ
の載置台10上に設定した半導体ウエハ９の表面にアッシ
ングガスを流出する如く、ガス流導管13により加熱機構
14例えばセラミックヒーターを介して酸素供給源15を備
えたオゾン発生器16が配設されている。また、下チャン
バー８の底部には処理室18内の排気をする排気機構19が
排気管20を介して設けられている。このようにしてアッ
シング装置が構成されている。次に上述したアッシング
装置による半導体ウエハのアッシング方法を説明する。
昇降機構（図示せず）により上チャンバー５を上昇さ
せ、搬送機構例えばハンドアーム（図示せず）により半
導体ウエハ９を吸着して下チャンバー８に設けられた載
置台10上の予め定められた位置に載置する。上記上チャ
ンバー５を昇降機構により下降させ、下チャンバー８と
気密連結する。
せ、搬送機構例えばハンドアーム（図示せず）により半
導体ウエハ９を吸着して下チャンバー８に設けられた載
置台10上の予め定められた位置に載置する。上記上チャ
ンバー５を昇降機構により下降させ、下チャンバー８と
気密連結する。
次に酸素供給源15を備えたオゾン発生器16により発生
したオゾンを含有したアッシングガスを加熱機構14例え
ばセラミックヒーターにより150〜500℃例えば350℃に
加熱し、平板６に設けられた流出口７から載置台10上に
設定した半導体ウエハ９の表面に流出する。この時すで
に載置台10は温度制御機構12により載置台10に内設して
いるヒーター11が例えば300℃程度に加熱しているた
め、設定した半導体ウエハ９も加熱されている。この状
態で上記加熱されたアッシングガスを半導体ウエハ９の
表面に流出する。上記加熱機構14でアッシングガスを加
熱することにより、アッシングガス流出時のアッシング
ガスによる半導体ウエハ９の冷却を防止する。
したオゾンを含有したアッシングガスを加熱機構14例え
ばセラミックヒーターにより150〜500℃例えば350℃に
加熱し、平板６に設けられた流出口７から載置台10上に
設定した半導体ウエハ９の表面に流出する。この時すで
に載置台10は温度制御機構12により載置台10に内設して
いるヒーター11が例えば300℃程度に加熱しているた
め、設定した半導体ウエハ９も加熱されている。この状
態で上記加熱されたアッシングガスを半導体ウエハ９の
表面に流出する。上記加熱機構14でアッシングガスを加
熱することにより、アッシングガス流出時のアッシング
ガスによる半導体ウエハ９の冷却を防止する。
そして、加熱した半導体ウエハ９表面に被着されたフ
ォトレジスト膜とアッシングガスが反応し、アッシング
が行なわれ、フォトレジスト膜が除去される。
ォトレジスト膜とアッシングガスが反応し、アッシング
が行なわれ、フォトレジスト膜が除去される。
この後、処理室18内のアッシングガスはオゾン分解器
（図示せず）により分解され排気管20を介して排気機構
19より排気する。そして、昇降機構により上チャンバー
５を上昇させ、搬送機構により半導体ウエハ９を次工程
へ搬送する。
（図示せず）により分解され排気管20を介して排気機構
19より排気する。そして、昇降機構により上チャンバー
５を上昇させ、搬送機構により半導体ウエハ９を次工程
へ搬送する。
上記実施例では加熱機構としてセラミックヒーターに
より説明したが、アッシングガスを加熱できるものであ
れば上記に限定するものではない。
より説明したが、アッシングガスを加熱できるものであ
れば上記に限定するものではない。
以上述べたようにこの実施例によれば、アッシングガ
スを予めに加熱することにより、半導体ウエハを冷却し
てしまうことがないため、温度変化によるアッシングむ
らを防止することが可能となる。
スを予めに加熱することにより、半導体ウエハを冷却し
てしまうことがないため、温度変化によるアッシングむ
らを防止することが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、予めにアッシン
グガスを加熱することにより、被処理基板を冷却するこ
とはなく、安定した温度雰囲気でアッシングむらを防い
だ均一なアッシング処理ができ、大口径被処理基板の処
理に適した、被処理基板を１枚１枚処理する枚葉処理を
行なうことが可能となる。
グガスを加熱することにより、被処理基板を冷却するこ
とはなく、安定した温度雰囲気でアッシングむらを防い
だ均一なアッシング処理ができ、大口径被処理基板の処
理に適した、被処理基板を１枚１枚処理する枚葉処理を
行なうことが可能となる。
第１図は本発明のアッシング方法及びアッシング装置に
おけるアッシング装置の構成図、第２図は従来のアッシ
ング装置の構成図を示すものである。 2,9……半導体ウエハ、14……加熱機構、18……処理
室。
おけるアッシング装置の構成図、第２図は従来のアッシ
ング装置の構成図を示すものである。 2,9……半導体ウエハ、14……加熱機構、18……処理
室。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理基板に対して所定間隔離れて対向し
た流出板に設けられた流出口から、アッシングガスを前
記被処理基板の表面に流出させて、この被処理基板をア
ッシングする方法において、 前記流出板をガラス製とし、 さらに前記被処理基板を所定の温度に加熱すると共に、 前記アッシングガスを前記流出口に導くガス流導管を加
熱することにより、所定の温度に加熱したアッシングガ
スを、前記被処理基板に流出させることを特徴とする、
アッシング方法。 - 【請求項２】被処理基板に対して所定間隔離れて対向し
た流出板に設けられた流出口から、アッシングガスを前
記被処理基板の表面に流出させるとともに、前記被処理
基板を加熱して前記被処理基板をアッシングする装置に
おいて、 前記流出板はガラス製であり、 さらに被処理基板が載置される載置台と、 前記載置台に内蔵された温度制御機構付きのヒータと、 前記アッシングガスを前記流出口に導くガス流導管と、 このガス流導管を加熱する加熱機構とを具備したことを
特徴とする、アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019254A JPH0810690B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019254A JPH0810690B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186430A JPS63186430A (ja) | 1988-08-02 |
| JPH0810690B2 true JPH0810690B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=11994289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62019254A Expired - Fee Related JPH0810690B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810690B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT992983B (it) * | 1972-08-18 | 1975-09-30 | Gen Electric | Metodo per asportare materiale fotoresistente da un supporto |
| US4341592A (en) * | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP62019254A patent/JPH0810690B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63186430A (ja) | 1988-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |