JPH08109500A - シリコンの微細加工 - Google Patents
シリコンの微細加工Info
- Publication number
- JPH08109500A JPH08109500A JP25913595A JP25913595A JPH08109500A JP H08109500 A JPH08109500 A JP H08109500A JP 25913595 A JP25913595 A JP 25913595A JP 25913595 A JP25913595 A JP 25913595A JP H08109500 A JPH08109500 A JP H08109500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- region
- acid
- etchant
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010349 cathodic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はシリコンの微細加工法を提供する。
【構成】 シリコンの微細加工法は、シリコンの表面上
に、ｎ−ドープ及びｐ−ドープ領域の整形されたパター
ンを形成し、クロム酸−フッ化水素酸混合物のような酸
化エッチャントで、ｐ−ドープ領域を選択的にエッチン
グ除去することを含む。
に、ｎ−ドープ及びｐ−ドープ領域の整形されたパター
ンを形成し、クロム酸−フッ化水素酸混合物のような酸
化エッチャントで、ｐ−ドープ領域を選択的にエッチン
グ除去することを含む。
Description
【０００１】
【本発明の分野】本発明は微細加工法、より具体的に
は、選択エッチングによるシリコンの微細加工法に係
る。
は、選択エッチングによるシリコンの微細加工法に係
る。
【０００２】
【関連技術の記述】微細加工とういのは、通常数ミクロ
ンオーダーの寸法の非常に小さい機械的構造を作製する
ことを、さす。微細加工された構造の用途には、たとえ
ば歪ゲージ及び液体流に対するごく小さなチャネルを有
するインクジェット印刷ヘッドが含まれる。典型的な場
合、シリコンが作製材料として、用いられる。
ンオーダーの寸法の非常に小さい機械的構造を作製する
ことを、さす。微細加工された構造の用途には、たとえ
ば歪ゲージ及び液体流に対するごく小さなチャネルを有
するインクジェット印刷ヘッドが含まれる。典型的な場
合、シリコンが作製材料として、用いられる。
【０００３】シリコンを微細加工する１つの方法は、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）又は同様の型のアルカリ溶液を
用いた湿式エッチ法である。しかし、この方法は結晶シ
リコンの｛１００｝及び｛１１１｝面でのエッチ速度の
異方性により、制限されている。アルカリエッチングは
結晶面により、制限されている。
酸化カリウム（ＫＯＨ）又は同様の型のアルカリ溶液を
用いた湿式エッチ法である。しかし、この方法は結晶シ
リコンの｛１００｝及び｛１１１｝面でのエッチ速度の
異方性により、制限されている。アルカリエッチングは
結晶面により、制限されている。
【０００４】米国特許第４，９９５，９５４号は水溶性
フッ化水素酸電解液を含む電気化学セル中のシリコン
に、電圧を印加することによるシリコンの湿式エッチン
グの別の方法を、明らかにしている。明らかにされてい
るプロセスにより、シリコン中に多孔質領域が生成し、
それはその後アルカリ槽中で溶解する。
フッ化水素酸電解液を含む電気化学セル中のシリコン
に、電圧を印加することによるシリコンの湿式エッチン
グの別の方法を、明らかにしている。明らかにされてい
るプロセスにより、シリコン中に多孔質領域が生成し、
それはその後アルカリ槽中で溶解する。
【０００５】シリコンを微細加工する別の方法は、シリ
コン中に精密なプロフィルをエッチするために、プラズ
マを用いるドライエッチングである。
コン中に精密なプロフィルをエッチするために、プラズ
マを用いるドライエッチングである。
【０００６】
【本発明の要約】シリコンはパターン形成されたドーピ
ングを用いることにより、微細加工できることを、発見
した。具体的には、本発明の方法は、シリコンのｎ−ド
ープ及びｐ−ドープ領域間で、エッチングに対する抵抗
が、相対的に異なることに基く。従って、ここで述べる
シリコンの微細加工法は、シリコンの表面中に異ってド
ープされた領域のパターンを形成することを含み、前記
領域の少くとも１つは、陰性であるもう１つの前記領域
に対して陽性で、酸で酸化性のエッチング剤で、表面を
エッチングすることを含む。陽性領域は選択的にｐ−ド
ープにし、陰性領域は選択的にｎ−ドープにする。ドー
ピングは標準的なフォトリソグラフィ技術を用いて、行
われる。酸はクロム酸とフッ化水素酸の混合物が好まし
い。
ングを用いることにより、微細加工できることを、発見
した。具体的には、本発明の方法は、シリコンのｎ−ド
ープ及びｐ−ドープ領域間で、エッチングに対する抵抗
が、相対的に異なることに基く。従って、ここで述べる
シリコンの微細加工法は、シリコンの表面中に異ってド
ープされた領域のパターンを形成することを含み、前記
領域の少くとも１つは、陰性であるもう１つの前記領域
に対して陽性で、酸で酸化性のエッチング剤で、表面を
エッチングすることを含む。陽性領域は選択的にｐ−ド
ープにし、陰性領域は選択的にｎ−ドープにする。ドー
ピングは標準的なフォトリソグラフィ技術を用いて、行
われる。酸はクロム酸とフッ化水素酸の混合物が好まし
い。
【０００７】
【好ましい実施例の詳細な記述】本発明の方法は、異な
る速度でエッチングされるシリコン上の領域を生成させ
るために、選択ドーピングを用いる。ドーピング領域を
適切にパターン形成することにより、簡単な化学エッチ
ングにより、シリコンは微細加工できる。
る速度でエッチングされるシリコン上の領域を生成させ
るために、選択ドーピングを用いる。ドーピング領域を
適切にパターン形成することにより、簡単な化学エッチ
ングにより、シリコンは微細加工できる。
【０００８】図１を参照すると、シリコン基体１００が
用意されており、それはｐ−ドープされた並んだ領域１
０２と、ｎ−ドープである整形された領域１０３を有す
る結晶シリコンの基板１０１を含む。シリコン基体は単
結晶シリコンのウエハ又はたとえば化学気相堆積により
堆積させた多結晶シリコンでよい。当業者にはよく知ら
れた標準的な技術（たとえば、フォトリソグラフィ及び
イオン注入）を用いることにより、パターン形成によっ
て、異なって高濃度ドープされた領域が、生成する。ド
ーピングレベルは、１０18／ｃｃを越える電子密度が得
られるようなものが、好ましい。ｎ−領域用にはリン、
ｐ−領域用にはホウ素といった標準的なドーパントを使
用してよい。具体的には、微細加工される構造の所望の
形は、ｎ−ドーピングでパターン形成される。エッチン
グ除去される領域は、ｐ−ドーピングされる。
用意されており、それはｐ−ドープされた並んだ領域１
０２と、ｎ−ドープである整形された領域１０３を有す
る結晶シリコンの基板１０１を含む。シリコン基体は単
結晶シリコンのウエハ又はたとえば化学気相堆積により
堆積させた多結晶シリコンでよい。当業者にはよく知ら
れた標準的な技術（たとえば、フォトリソグラフィ及び
イオン注入）を用いることにより、パターン形成によっ
て、異なって高濃度ドープされた領域が、生成する。ド
ーピングレベルは、１０18／ｃｃを越える電子密度が得
られるようなものが、好ましい。ｎ−領域用にはリン、
ｐ−領域用にはホウ素といった標準的なドーパントを使
用してよい。具体的には、微細加工される構造の所望の
形は、ｎ−ドーピングでパターン形成される。エッチン
グ除去される領域は、ｐ−ドーピングされる。
【０００９】次に、ウエハは酸化エッチャント中に浸す
ことにより、選択的にエッチングされる。好ましい酸化
エッチャントは、クロム酸及びフッ化水素酸の水溶液で
ある。好ましい組成は、１．２Ｍクロム酸と４９重量パ
ーセントフッ化水素酸の１：１混合物である。クロム酸
とフッ化水素酸の他の濃度も、効果的に使用できる。た
とえば、フッ化水素酸に対するクロム酸の比率は、約
０．５：１．５ないし約１．５：０．５の範囲にでき
る。クロム酸の濃度は、約０．５Ｍないし約１．５Ｍの
範囲としうる。フッ化水素酸濃度は、約３０重量パーセ
ントないし約６０重量パーセントの範囲にできる。更
に、硝酸及び過酸化水素のような他の酸化剤を、クロム
酸に置きかえることができる。エッチャント溶液の温度
及びエッチング継続時間は、所望のエッチング度が得ら
れるよう、調整できる。
ことにより、選択的にエッチングされる。好ましい酸化
エッチャントは、クロム酸及びフッ化水素酸の水溶液で
ある。好ましい組成は、１．２Ｍクロム酸と４９重量パ
ーセントフッ化水素酸の１：１混合物である。クロム酸
とフッ化水素酸の他の濃度も、効果的に使用できる。た
とえば、フッ化水素酸に対するクロム酸の比率は、約
０．５：１．５ないし約１．５：０．５の範囲にでき
る。クロム酸の濃度は、約０．５Ｍないし約１．５Ｍの
範囲としうる。フッ化水素酸濃度は、約３０重量パーセ
ントないし約６０重量パーセントの範囲にできる。更
に、硝酸及び過酸化水素のような他の酸化剤を、クロム
酸に置きかえることができる。エッチャント溶液の温度
及びエッチング継続時間は、所望のエッチング度が得ら
れるよう、調整できる。
【００１０】酸化電解液の存在により、ｐ−ドープ及び
ｎ−ドープ領域間に、内部バイアスが誘発される。ｐ−
ドープ領域はｎ−ドープ領域に、電子を供給する。従っ
て、ｐ−ドープ領域は陽性にバイアスされ、一方ｎ−ド
ープ領域は陰性にバイアスされる。外部電源から電圧を
印加することによる外部バイアスの必要はない。陽性の
ｐ−ドープ領域は、選択的にエッチングされる。
ｎ−ドープ領域間に、内部バイアスが誘発される。ｐ−
ドープ領域はｎ−ドープ領域に、電子を供給する。従っ
て、ｐ−ドープ領域は陽性にバイアスされ、一方ｎ−ド
ープ領域は陰性にバイアスされる。外部電源から電圧を
印加することによる外部バイアスの必要はない。陽性の
ｐ−ドープ領域は、選択的にエッチングされる。
【００１１】本発明が実現される化学的又は電気的な機
構の何らかの特定の理論に限定されることは望まない
が、陰極反応は、以下のようであると、示唆される。 Cr2O7 - ＋ 6e- ＋ 14H → 2Cr+3 ＋ 7H2O （１） 陽極反応は、以下のようである。 2H2O ＋ Si → SiO2 ＋ 2H2 （２） SiO2 ＋ 6HF → H2SiF6 ＋ 2H2O （３）
構の何らかの特定の理論に限定されることは望まない
が、陰極反応は、以下のようであると、示唆される。 Cr2O7 - ＋ 6e- ＋ 14H → 2Cr+3 ＋ 7H2O （１） 陽極反応は、以下のようである。 2H2O ＋ Si → SiO2 ＋ 2H2 （２） SiO2 ＋ 6HF → H2SiF6 ＋ 2H2O （３）
【００１２】電子がｐ−ドープ領域から引き抜かれるに
つれ、シリコン原子の構造中に反応性の高い位置が生
じ、それによってシリコンと電解液間に反応が起ると、
信じられる。
つれ、シリコン原子の構造中に反応性の高い位置が生
じ、それによってシリコンと電解液間に反応が起ると、
信じられる。
【００１３】図２はエッチング後得られる構造を示す。
ｐ−ドープ領域１０３は支持台としての基板１０１上に
残る。ｎ−ドープ領域はエッチング除去されている。
ｐ−ドープ領域１０３は支持台としての基板１０１上に
残る。ｎ−ドープ領域はエッチング除去されている。
【００１４】ある程度の結晶面選択性は存在するが、本
発明の方法は、シリコン中に比較的複雑で不規則な形状
を微細加工するために、使用できる。また、制御された
エッチングのような従来のアンダーカット技術も、ここ
で述べた方法とともに、使用できる。たとえば、図３は
ブリッジ部２０３によって接続された２つの微細加工領
域２０２及び２０４を有する基板２０１を含むシリコン
ウエハ２００を示す。図４に示された別の構造では、シ
リコンウエハ３００は突き出した微細加工領域３０２と
そこから横に延びる片持ち梁３０３を有する基板３０１
を含む。そのような微細加工された構造は、シリコン基
板から完全に分離するために、従来の技術により、更に
アンダーカットできる。
発明の方法は、シリコン中に比較的複雑で不規則な形状
を微細加工するために、使用できる。また、制御された
エッチングのような従来のアンダーカット技術も、ここ
で述べた方法とともに、使用できる。たとえば、図３は
ブリッジ部２０３によって接続された２つの微細加工領
域２０２及び２０４を有する基板２０１を含むシリコン
ウエハ２００を示す。図４に示された別の構造では、シ
リコンウエハ３００は突き出した微細加工領域３０２と
そこから横に延びる片持ち梁３０３を有する基板３０１
を含む。そのような微細加工された構造は、シリコン基
板から完全に分離するために、従来の技術により、更に
アンダーカットできる。
【００１５】本発明について、好ましい実施例をあげて
述べてきたが、特許請求の範囲により規定される本発明
の精神又は視野を離れることなく、変形及び修正ができ
ることが、当業者には容易に明らかであろう。
述べてきたが、特許請求の範囲により規定される本発明
の精神又は視野を離れることなく、変形及び修正ができ
ることが、当業者には容易に明らかであろう。
【図１】シリコン中のパターン形成されたドーピング領
域を示す概略側面図である。
域を示す概略側面図である。
【図２】エッチングにより微細加工されたシリコンを示
す側面図である。
す側面図である。
【図３】微細加工により形成されたブリッジ構造を示す
側面図である。
側面図である。
【図４】微細加工により形成された片持ち梁構造を示す
側面図である。
側面図である。
１００ シリコン基体 １０１ 基板 １０２、１０３ 領域 ２００ シリコンウエハ ２０１ 基板 ２０２ 微細加工領域 ２０３ ブリッジ部 ２０４ 微細加工領域 ３００ シリコンウエハ ３０１ 基板 ３０２ 微細加工領域 ３０３ 片持ち梁
Claims (10)
- 【請求項１】 ａ） シリコン基板を準備する工程； ｂ） 前記シリコン基板の表面中に、あらかじめ決めら
れた形状の異なってドープされた領域のパターンを形成
し、前記表面を電解液に接触させて置いた時、前記整形
された領域の少くとも１つは相対的に陽性で、前記整形
された領域の別の少くとも１つは相対的に陰性である工
程；及び ｃ） 酸化酸性エッチャントで前記表面をエッチング
し、エッチャントにより、陽極領域を選択的に除去する
工程を含むシリコン微細構造の作製方法。 - 【請求項２】 前記相対的に陽性の整形された領域は、
ｐ−ドープである請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記相対的に陰性の領域は、ｎ−ドープ
である請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 前記酸化酸性エッチャントは、フッ化水
素酸及び酸化剤の水溶液から成る請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記酸化剤はクロム酸である請求項４記
載の方法。 - 【請求項６】 前記酸化酸性エッチャントは、１．２Ｍ
クロム酸と４９重量パーセント・フッ化水素酸の本質的
に１：１の混合液から成る請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記酸化剤は硝酸である請求項４記載の
方法。 - 【請求項８】 前記酸化剤は過酸化水素である請求項４
記載の方法。 - 【請求項９】 前記シリコンは単結晶である請求項１記
載の方法。 - 【請求項１０】 前記シリコンは多結晶である請求項１
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32061394A | 1994-10-07 | 1994-10-07 | |
| US08/320613 | 1994-10-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08109500A true JPH08109500A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=23247181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25913595A Withdrawn JPH08109500A (ja) | 1994-10-07 | 1995-10-06 | シリコンの微細加工 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08109500A (ja) |
| DE (1) | DE19530944A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515459A (ja) * | 1999-10-22 | 2003-05-07 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | シリコンナノ粒子およびその製造方法 |
| JP2007517406A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-06-28 | インテル コーポレイション | 膜のエッチング選択比の変更方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309975B1 (en) | 1997-03-14 | 2001-10-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of making implanted structures |
| DE10057656C1 (de) * | 2000-11-21 | 2002-04-04 | Rossendorf Forschzent | Verfahren zur Herstellung von integrierten Abtastnadeln |
| EP2556015B1 (en) * | 2010-04-09 | 2016-08-10 | Frank Niklaus | Free form printing of silicon micro- and nanostructures |
| DE102011050136A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht |
-
1995
- 1995-08-23 DE DE1995130944 patent/DE19530944A1/de not_active Withdrawn
- 1995-10-06 JP JP25913595A patent/JPH08109500A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515459A (ja) * | 1999-10-22 | 2003-05-07 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | シリコンナノ粒子およびその製造方法 |
| JP2007517406A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-06-28 | インテル コーポレイション | 膜のエッチング選択比の変更方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19530944A1 (de) | 1996-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4807754B2 (ja) | 結晶基板に孔を形成する方法 | |
| KR101072760B1 (ko) | 실리콘에 정사각형 커트를 생성하기에 적합한 습식 에칭 및그로부터 얻은 구조체 | |
| US8193095B2 (en) | Method for forming silicon trench | |
| JPH08112723A (ja) | 電解研磨法を利用した自動整列基板蝕刻方法 | |
| Kleimann et al. | Formation of three-dimensional microstructures by electrochemical etching of silicon | |
| Ottow et al. | Development of three-dimensional microstructure processing using macroporous n-type silicon | |
| EP1493711B1 (en) | Process for the obtainment of a semiconductor device comprising a suspended micro-system and corresponding device | |
| KR20220008007A (ko) | 실리콘 기판의 금속촉매습식식각 방법 | |
| JPH08109500A (ja) | シリコンの微細加工 | |
| Van Den Meerakker et al. | Anodic silicon etching; the formation of uniform arrays of macropores or nanowires | |
| US6358861B1 (en) | Manufacturing method of silicon device | |
| US7199029B2 (en) | Selective deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate using a nickel catalyst and either patterned polysilicon or silicon surface modification | |
| JPH06326077A (ja) | シリコン基板内に孔構造を形成する方法 | |
| Kim et al. | Photo-assisted electrochemical etching of a nano-gap trench with high aspect ratio for MEMS applications | |
| KR0175009B1 (ko) | 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법 | |
| Navarro et al. | Electrochemical etching of porous silicon sacrificial layers for micromachining applications | |
| US4465553A (en) | Method for dry etching of a substrate surface | |
| Guozheng et al. | Influence of etching current density on the morphology of macroporous silicon arrays by photo-electrochemical etching | |
| TW415107B (en) | Method of etching non-doped polysilicon | |
| EP3540762B1 (en) | Method for the fabrication of a porous semiconductor with controlled pores distribution | |
| US20250133965A1 (en) | Selective etching of scandium-doped aluminum nitride | |
| EP1241703B1 (en) | Method for masking silicon during anisotropic wet etching | |
| Cao et al. | Origin of mosaic structure obtained during the production of porous silicon with electrochemical etching | |
| Paul et al. | Fabrication of micromechanical structures in silicon using SF6/O2 gas mixtures | |
| KR0186101B1 (ko) | 필드 에미션 디스플레이의 마이크로팁 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |