JPH08110630A - グレーティングマスクの製造方法 - Google Patents
グレーティングマスクの製造方法Info
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- JPH08110630A JPH08110630A JP24526494A JP24526494A JPH08110630A JP H08110630 A JPH08110630 A JP H08110630A JP 24526494 A JP24526494 A JP 24526494A JP 24526494 A JP24526494 A JP 24526494A JP H08110630 A JPH08110630 A JP H08110630A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易にグレーティングマスクが得られるグレ
ーティングマスクの製造方法の提供。 【構成】 放射線感応性樹脂組成物として、ポリ（ジ−
ｔ−ブトキシシロキサン）と、これに対して１０ｗｔ％
の酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフラ
ートとを含むＭＩＢＫ溶液を石英基板１０に回転塗布し
た後、加熱を行い厚さ４００ｎｍのＳＯＧ膜１２を形成
する。次に、このＳＯＧ膜１２を露光後、ベーキングお
よび現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜パター
ン１４を形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜１２に対
して、電子線を用い、深さ２５０ｎｍラインアンドスペ
ースの描画する。次に、描画済のＳＯＧ膜を加熱、現像
して、ＳＯＧ膜パターン膜１４を形成する。
ーティングマスクの製造方法の提供。 【構成】 放射線感応性樹脂組成物として、ポリ（ジ−
ｔ−ブトキシシロキサン）と、これに対して１０ｗｔ％
の酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフラ
ートとを含むＭＩＢＫ溶液を石英基板１０に回転塗布し
た後、加熱を行い厚さ４００ｎｍのＳＯＧ膜１２を形成
する。次に、このＳＯＧ膜１２を露光後、ベーキングお
よび現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜パター
ン１４を形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜１２に対
して、電子線を用い、深さ２５０ｎｍラインアンドスペ
ースの描画する。次に、描画済のＳＯＧ膜を加熱、現像
して、ＳＯＧ膜パターン膜１４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信技術で用いら
れる、光学フィルタ、ＤＦＢレーザあるいはＤＲＢレー
ザといった素子のグレーティングを干渉露光法により製
造する際に用いるグレーティングマスクの製造方法に関
する。
れる、光学フィルタ、ＤＦＢレーザあるいはＤＲＢレー
ザといった素子のグレーティングを干渉露光法により製
造する際に用いるグレーティングマスクの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、波長変換効率の良いグレーティン
グを得るためには、高い寸法精度（例えば２００ｎｍ程
度）での加工が要求される。この寸法精度を達成するこ
とは、通常フォトリソグラフィ技術では極めて困難であ
る。
グを得るためには、高い寸法精度（例えば２００ｎｍ程
度）での加工が要求される。この寸法精度を達成するこ
とは、通常フォトリソグラフィ技術では極めて困難であ
る。
【０００３】そこで、グレーティングマスクを用いた干
渉露光法によりグレーティング製造する方法が、文献：
「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｃｕｍ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ１０（６），１９
９２，ｐｐ．２５３０−２５３５」に開示されている。
この文献に開示の技術によれば、電子線直接描画および
ドライエッチングの手法を用いて３層のレジストパター
ンを形成し、これをエッチングマスクとして用いて、ド
ライエッチングにより基板を一定の深さに彫り込むこと
でグレーティングマスクを形成する。
渉露光法によりグレーティング製造する方法が、文献：
「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｃｕｍ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ１０（６），１９
９２，ｐｐ．２５３０−２５３５」に開示されている。
この文献に開示の技術によれば、電子線直接描画および
ドライエッチングの手法を用いて３層のレジストパター
ンを形成し、これをエッチングマスクとして用いて、ド
ライエッチングにより基板を一定の深さに彫り込むこと
でグレーティングマスクを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
文献に開示の従来方法では、３層のレジストパターンを
形成する必要があるため、工程が煩雑である。具体的に
は、クロム付きのマスクブランク上に、３層のレジスト
層を形成するために３工程必要であり、また、この３そ
のレジスト層をエッチングして３層のレジストパターン
を形成するために３工程必要であり、また、マスク基板
の加工に２工程が必要となる。
文献に開示の従来方法では、３層のレジストパターンを
形成する必要があるため、工程が煩雑である。具体的に
は、クロム付きのマスクブランク上に、３層のレジスト
層を形成するために３工程必要であり、また、この３そ
のレジスト層をエッチングして３層のレジストパターン
を形成するために３工程必要であり、また、マスク基板
の加工に２工程が必要となる。
【０００５】このように、工程が煩雑になる結果、寸法
変換誤差やマスク面内でパターンの深さの不均一といっ
た、マスク性能を劣化させる要因が増加する。さらに、
各工程で使用される設備も必要となるため、製造コスト
が増大する。
変換誤差やマスク面内でパターンの深さの不均一といっ
た、マスク性能を劣化させる要因が増加する。さらに、
各工程で使用される設備も必要となるため、製造コスト
が増大する。
【０００６】このため、容易にグレーティングマスクが
得られるグレーティングマスクの製造方法の実現が望ま
れていた。
得られるグレーティングマスクの製造方法の実現が望ま
れていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のグレーティン
グマスクの製造方法によれば、透明基板上に、酸の作用
により分解する樹脂と放射線により分解して酸を発生す
る酸発生剤とを含む放射線感応性樹脂組成物を塗布して
ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）膜を形成する工
程と、このＳＯＧ膜を露光後、ベーキングおよび現像を
行って周期的なパターンを有するＳＯＧ膜パターンを形
成する工程とを含むことを特徴とする。
グマスクの製造方法によれば、透明基板上に、酸の作用
により分解する樹脂と放射線により分解して酸を発生す
る酸発生剤とを含む放射線感応性樹脂組成物を塗布して
ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）膜を形成する工
程と、このＳＯＧ膜を露光後、ベーキングおよび現像を
行って周期的なパターンを有するＳＯＧ膜パターンを形
成する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】また、好ましくは、前記ＳＯＧ膜パターン
をエッチングマスクとして用いて、透明基板に対してド
ライエッチングを行うことにより、透明基板に当該ＳＯ
Ｇ膜パターンのパターンを転写すると良い。
をエッチングマスクとして用いて、透明基板に対してド
ライエッチングを行うことにより、透明基板に当該ＳＯ
Ｇ膜パターンのパターンを転写すると良い。
【０００９】但し、ここで放射線とは、紫外線、可視光
線、Ｘ線および電子線を含む。
線、Ｘ線および電子線を含む。
【００１０】
【作用】この発明のグレーティングマスクの製造方法に
よれば、放射線感応性樹脂組成物を用いたＳＯＧ膜パタ
ーンを形成する。この放射線感応性樹脂組成物は、例え
ば市販のＳＯＧの材料に、放射線に感応して酸を発生す
る酸発生材を添加することにより得られる。
よれば、放射線感応性樹脂組成物を用いたＳＯＧ膜パタ
ーンを形成する。この放射線感応性樹脂組成物は、例え
ば市販のＳＯＧの材料に、放射線に感応して酸を発生す
る酸発生材を添加することにより得られる。
【００１１】この放射線感応性樹脂組成物をＳＯＧ膜と
して用いると、通常のレジストよりも感度が良く、さら
に、例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の様な
実質ガラス質となる樹脂を用いれば、実質ガラス質のＳ
ＯＧ膜パターンが容易に得られる。 そして、この発明
では、このＳＯＧ膜パターンをそのままグレーティング
マスクとして用いることができるので、容易にグレーテ
ィングマスクを得ることができる。また、ＳＯＧ膜パタ
ーンをそのままグレーティングマスクとして用いる場合
は、ＳＯＧ膜パターン形成時の精度、例えば電子線描画
時の描画精度のみで、パターンの寸法精度が決まる。従
って、従来例の工程に比べて寸法変換誤差やマスク面内
でパターンの深さの不均一といった、マスク性能を劣化
させる要因が遥かに少ない。このため、寸法精度の良い
グレーティングマスクを容易に得ることができる。
して用いると、通常のレジストよりも感度が良く、さら
に、例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の様な
実質ガラス質となる樹脂を用いれば、実質ガラス質のＳ
ＯＧ膜パターンが容易に得られる。 そして、この発明
では、このＳＯＧ膜パターンをそのままグレーティング
マスクとして用いることができるので、容易にグレーテ
ィングマスクを得ることができる。また、ＳＯＧ膜パタ
ーンをそのままグレーティングマスクとして用いる場合
は、ＳＯＧ膜パターン形成時の精度、例えば電子線描画
時の描画精度のみで、パターンの寸法精度が決まる。従
って、従来例の工程に比べて寸法変換誤差やマスク面内
でパターンの深さの不均一といった、マスク性能を劣化
させる要因が遥かに少ない。このため、寸法精度の良い
グレーティングマスクを容易に得ることができる。
【００１２】また、ＳＯＧ膜パターンを透明基板に転写
すれば、例えば有機ＳＯＧといった非ガラス質の材料を
用いた場合にも、耐久性および耐光性に優れたグレーテ
ィングマスクを容易に得ることができる。
すれば、例えば有機ＳＯＧといった非ガラス質の材料を
用いた場合にも、耐久性および耐光性に優れたグレーテ
ィングマスクを容易に得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明のグレーテ
ィングマスクの製造方法の例について説明する。尚、以
下の説明中で述べる、使用材料および材料の使用料、処
理時間、温度、膜厚等の数値的条件は、この発明の範囲
内の好適例にすぎない。従って、この発明はこれら条件
にのみ限定されるものではない。尚、以下の図面では、
断面を表すハッチングを一部省略して示す。
ィングマスクの製造方法の例について説明する。尚、以
下の説明中で述べる、使用材料および材料の使用料、処
理時間、温度、膜厚等の数値的条件は、この発明の範囲
内の好適例にすぎない。従って、この発明はこれら条件
にのみ限定されるものではない。尚、以下の図面では、
断面を表すハッチングを一部省略して示す。
【００１４】＜第１実施例＞図１の（Ａ）および（Ｂ）
は、この発明のグレーティングの製造方法の第１実施例
の説明に供する断面工程図である。
は、この発明のグレーティングの製造方法の第１実施例
の説明に供する断面工程図である。
【００１５】先ず、透明基板１０上に、酸の作用により
分解する樹脂と放射線により分解して酸を発生する酸発
生剤とを含む放射線感応性樹脂組成物を塗布してＳＯＧ
膜１２を形成する。この実施例では、透明基板１０とし
て、クロム枠パターン２２付きの４インチ角の石英基板
１０を用いる。また、放射線感応性樹脂組成物として、
ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の樹脂と、これに
対して１０ｗｔ％の酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフラートとを含むＭＩＢＫ溶液を用いる。
そして、このＭＩＢＫ溶液を石英基板に回転塗布した
後、ホットプレート上の８０℃の温度で１分間ベーキン
グすることにより厚さ４００ｎｍのＳＯＧ膜１２を形成
する（図１の（Ａ））。
分解する樹脂と放射線により分解して酸を発生する酸発
生剤とを含む放射線感応性樹脂組成物を塗布してＳＯＧ
膜１２を形成する。この実施例では、透明基板１０とし
て、クロム枠パターン２２付きの４インチ角の石英基板
１０を用いる。また、放射線感応性樹脂組成物として、
ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の樹脂と、これに
対して１０ｗｔ％の酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフラートとを含むＭＩＢＫ溶液を用いる。
そして、このＭＩＢＫ溶液を石英基板に回転塗布した
後、ホットプレート上の８０℃の温度で１分間ベーキン
グすることにより厚さ４００ｎｍのＳＯＧ膜１２を形成
する（図１の（Ａ））。
【００１６】次に、このＳＯＧ膜１２を露光後、ベーキ
ングおよび現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜
パターン１４を形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜１
２に対して、加速電圧２０ｋＶの電子線を用い、周期的
なパターンとして１００ｎｍ幅のラインをピッチ２５ｎ
ｍ〜２４０ｎｍまで１ｎｍづつ増加させた、深さ２５０
ｎｍのラインアンドスペース（以下、Ｌ／Ｓとも表記す
る）を周期的なパターンとして描画することにより露光
する。描画済のＳＯＧ膜をホットプレート上で１００℃
の温度でベークキングし、アニソールで３０秒間現像
し、キシレンで３０秒間リンスする。さらにこれを２０
０℃の温度で１０分間ベーキングしてＳＯＧ膜パターン
膜１４を形成する。得られたＳＯＧ膜パターンをＳＥＭ
で観察したところ、厚さ２５０ｎｍのＬ／Ｓのパターン
が形成できていることが確認された（図１の（Ｂ））。
ングおよび現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜
パターン１４を形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜１
２に対して、加速電圧２０ｋＶの電子線を用い、周期的
なパターンとして１００ｎｍ幅のラインをピッチ２５ｎ
ｍ〜２４０ｎｍまで１ｎｍづつ増加させた、深さ２５０
ｎｍのラインアンドスペース（以下、Ｌ／Ｓとも表記す
る）を周期的なパターンとして描画することにより露光
する。描画済のＳＯＧ膜をホットプレート上で１００℃
の温度でベークキングし、アニソールで３０秒間現像
し、キシレンで３０秒間リンスする。さらにこれを２０
０℃の温度で１０分間ベーキングしてＳＯＧ膜パターン
膜１４を形成する。得られたＳＯＧ膜パターンをＳＥＭ
で観察したところ、厚さ２５０ｎｍのＬ／Ｓのパターン
が形成できていることが確認された（図１の（Ｂ））。
【００１７】この実施例で用いた放射線感応性樹脂組成
物から得られたＳＯＧ膜パターンは実質ガラス質であ
る。このため、このＳＯＧ膜パターンは、耐久性および
耐光性に優れており、そのままグレーティングマスクと
して用いて好適である。
物から得られたＳＯＧ膜パターンは実質ガラス質であ
る。このため、このＳＯＧ膜パターンは、耐久性および
耐光性に優れており、そのままグレーティングマスクと
して用いて好適である。
【００１８】以下、このＳＯＧ膜パターンをそのままグ
レーティングマスクとして用いた場合の性能についての
測定結果について説明する。
レーティングマスクとして用いた場合の性能についての
測定結果について説明する。
【００１９】測定にあたっては、このＳＯＧ膜パターン
のグレーティングマスクを回転ステージに装着し、アル
ゴンイオンレーザ（波長３６３．８ｎｍ）の透過光に対
する１次回折光の回折効率をグレーティングのピッチを
変えて測定した。測定の結果は、グレーティングピッチ
に対するライン幅の比が３０％のときの回折効率が０．
４５となり、この比の付近の回折効率が極大であった。
また、比が４０％および６０％ときの回折効率は、それ
ぞれ０．２５％および０．０８％であった。これらの回
折効率の値からこの実施例では、上述した文献に記載の
従来のグレーティングマスクの回折効率の値と概ね同じ
傾向と性能が得られていることが分かった。
のグレーティングマスクを回転ステージに装着し、アル
ゴンイオンレーザ（波長３６３．８ｎｍ）の透過光に対
する１次回折光の回折効率をグレーティングのピッチを
変えて測定した。測定の結果は、グレーティングピッチ
に対するライン幅の比が３０％のときの回折効率が０．
４５となり、この比の付近の回折効率が極大であった。
また、比が４０％および６０％ときの回折効率は、それ
ぞれ０．２５％および０．０８％であった。これらの回
折効率の値からこの実施例では、上述した文献に記載の
従来のグレーティングマスクの回折効率の値と概ね同じ
傾向と性能が得られていることが分かった。
【００２０】＜第２実施例＞先ず、透明基板上に、酸の
作用により分解する樹脂と放射線により分解して酸を発
生する酸発生剤とを含む放放射線感応性樹脂組成物を塗
布してＳＯＧ膜を形成する。この実施例では、透明基板
として、クロム枠パターン２２付きの４インチ角の石英
基板を用いる。また、放射線感応性樹脂組成物として、
東京応化製のＯＣＤ−Ｔｙｐｅ７（商品名）の樹脂の溶
液に、これに対して１ｗｔ％の酸発生剤としてのトリフ
ェニルスルホニウムトリフラートを溶解させた溶液を用
いる。そして、この溶液を石英基板に回転塗布した後、
ホットプレート上の８０℃の温度で１分間ベーキングす
ることにより厚さ２５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する。
作用により分解する樹脂と放射線により分解して酸を発
生する酸発生剤とを含む放放射線感応性樹脂組成物を塗
布してＳＯＧ膜を形成する。この実施例では、透明基板
として、クロム枠パターン２２付きの４インチ角の石英
基板を用いる。また、放射線感応性樹脂組成物として、
東京応化製のＯＣＤ−Ｔｙｐｅ７（商品名）の樹脂の溶
液に、これに対して１ｗｔ％の酸発生剤としてのトリフ
ェニルスルホニウムトリフラートを溶解させた溶液を用
いる。そして、この溶液を石英基板に回転塗布した後、
ホットプレート上の８０℃の温度で１分間ベーキングす
ることにより厚さ２５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する。
【００２１】次に、このＳＯＧ膜を露光後、ベーキング
および現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜パタ
ーンを形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜に対して、
加速電圧２０ｋＶの電子線を用い、周期的なパターンと
して１００ｎｍ幅のラインをピッチ２５ｎｍ〜２４０ｎ
ｍまで１ｎｍづつ増加させた、深さ２５０ｎｍラインア
ンドスペース（以下、Ｌ／Ｓとも表記する）を周期的な
パターンとして描画することにより露光する。描画済の
ＳＯＧ膜をホットプレート上で１００℃の温度でベーク
キングし、アニソールで３０秒間現像し、キシレンで３
０秒間リンスする。さらにこれを２００℃の温度で１０
分間ベーキングしてＳＯＧ膜パターン膜を形成する。得
られたＳＯＧ膜パターンをＳＥＭで観察したところ、厚
さ２３０ｎｍのＬ／Ｓのパターンが形成できていること
が確認された。
および現像を行って周期パターンを有するＳＯＧ膜パタ
ーンを形成する。この実施例では、ＳＯＧ膜に対して、
加速電圧２０ｋＶの電子線を用い、周期的なパターンと
して１００ｎｍ幅のラインをピッチ２５ｎｍ〜２４０ｎ
ｍまで１ｎｍづつ増加させた、深さ２５０ｎｍラインア
ンドスペース（以下、Ｌ／Ｓとも表記する）を周期的な
パターンとして描画することにより露光する。描画済の
ＳＯＧ膜をホットプレート上で１００℃の温度でベーク
キングし、アニソールで３０秒間現像し、キシレンで３
０秒間リンスする。さらにこれを２００℃の温度で１０
分間ベーキングしてＳＯＧ膜パターン膜を形成する。得
られたＳＯＧ膜パターンをＳＥＭで観察したところ、厚
さ２３０ｎｍのＬ／Ｓのパターンが形成できていること
が確認された。
【００２２】以下、このＳＯＧ膜パターンをそのままグ
レーティングマスクとして用いた場合の性能についての
測定結果について説明する。
レーティングマスクとして用いた場合の性能についての
測定結果について説明する。
【００２３】測定にあたっては、このＳＯＧ膜パターン
のグレーティングマスクを回転ステージに装着し、Ａｒ
イオンレーザ（波長３６３．８ｎｍ）の透過光に対する
１次回折光の回折効率をグレーティングのピッチを変え
て測定した。測定の結果は、グレーティングピッチに対
するライン幅の比が３０％のときの回折効率が０．４２
となり、この比の付近の回折効率が極大であった。ま
た、比が４０％および６０％ときの回折効率は、それぞ
れ０．２１％および０．０５％であった。これらの回折
効率の値からこの実施例では、上述した文献に記載の従
来のグレーティングマスクの回折効率の値と概ね同じ傾
向と性能が得られていることが分かった。
のグレーティングマスクを回転ステージに装着し、Ａｒ
イオンレーザ（波長３６３．８ｎｍ）の透過光に対する
１次回折光の回折効率をグレーティングのピッチを変え
て測定した。測定の結果は、グレーティングピッチに対
するライン幅の比が３０％のときの回折効率が０．４２
となり、この比の付近の回折効率が極大であった。ま
た、比が４０％および６０％ときの回折効率は、それぞ
れ０．２１％および０．０５％であった。これらの回折
効率の値からこの実施例では、上述した文献に記載の従
来のグレーティングマスクの回折効率の値と概ね同じ傾
向と性能が得られていることが分かった。
【００２４】＜第３実施例＞図２の（Ａ）〜（Ｃ）は、
この発明のグレーティングの製造方法の第３実施例の説
明に供する断面工程図である。
この発明のグレーティングの製造方法の第３実施例の説
明に供する断面工程図である。
【００２５】先ず、第２実施例と同一の材料および条件
で、石英基板１０上に、酸の作用により分解する樹脂と
放射線により分解して酸を発生する酸発生剤とを含む放
放射線感応性樹脂組成物を塗布してＳＯＧ膜１６を形成
する（図２の（Ａ））。
で、石英基板１０上に、酸の作用により分解する樹脂と
放射線により分解して酸を発生する酸発生剤とを含む放
放射線感応性樹脂組成物を塗布してＳＯＧ膜１６を形成
する（図２の（Ａ））。
【００２６】次に、第２実施例と同一の方法および条件
で、ＳＯＧ膜１６を露光後、ベーキングおよび現像を行
って周期パターンを有するＳＯＧ膜パターン１８を形成
する（図２の（Ｂ））。
で、ＳＯＧ膜１６を露光後、ベーキングおよび現像を行
って周期パターンを有するＳＯＧ膜パターン１８を形成
する（図２の（Ｂ））。
【００２７】ところで、第２および第３実施例で、放射
線感応性樹脂組成物として用いたＯＣＤ−Ｔｙｐｅ７か
ら形成したＳＯＧ膜パターンは、有機ＳＯＧ膜パターン
となる。このため、第１実施例の得られた無機ＳＯＧ膜
パターンに比べて耐久性および耐光性が劣る。そこで、
第３実施例では、ＳＯＧ膜パターンをエッチングマスク
として用いて、透明基板に対してドライエッチングを行
うことにより、透明基板に当該ＳＯＧ膜パターンのパタ
ーンを転写する。
線感応性樹脂組成物として用いたＯＣＤ−Ｔｙｐｅ７か
ら形成したＳＯＧ膜パターンは、有機ＳＯＧ膜パターン
となる。このため、第１実施例の得られた無機ＳＯＧ膜
パターンに比べて耐久性および耐光性が劣る。そこで、
第３実施例では、ＳＯＧ膜パターンをエッチングマスク
として用いて、透明基板に対してドライエッチングを行
うことにより、透明基板に当該ＳＯＧ膜パターンのパタ
ーンを転写する。
【００２８】石英基板にパターンを転写するためのドラ
イエッチングを行うにあたっては、平行平板型ドライエ
ッチャーを用い、エッチャントとしてＣＨＦ3 およびＯ
2 をそれぞれ２０ｓｃｃｍおよび２ｓｃｃｍずつ混合し
た混合ガスを用いる。この混合ガスは、石英基板および
ＳＯＧ膜パターンに対する選択比がほぼ１である。そし
て、ｒｆパワー密度０．１２Ｗ／ｃｍ2 で石英基板を２
３０ｎｍ程度の深さまでエッチングする。ドライエッチ
ングを行った石英基板をＳＥＭを用いた観察したとこ
ろ、ＳＯＧ膜パターンのパターンが石英基板に転写され
て、マスクパターン２０が得られたことが確認された
（図２の（Ｃ））。
イエッチングを行うにあたっては、平行平板型ドライエ
ッチャーを用い、エッチャントとしてＣＨＦ3 およびＯ
2 をそれぞれ２０ｓｃｃｍおよび２ｓｃｃｍずつ混合し
た混合ガスを用いる。この混合ガスは、石英基板および
ＳＯＧ膜パターンに対する選択比がほぼ１である。そし
て、ｒｆパワー密度０．１２Ｗ／ｃｍ2 で石英基板を２
３０ｎｍ程度の深さまでエッチングする。ドライエッチ
ングを行った石英基板をＳＥＭを用いた観察したとこ
ろ、ＳＯＧ膜パターンのパターンが石英基板に転写され
て、マスクパターン２０が得られたことが確認された
（図２の（Ｃ））。
【００２９】以下、このマスクパターンをグレーティン
グマスクとして用いた場合の性能についての測定結果に
ついて説明する。
グマスクとして用いた場合の性能についての測定結果に
ついて説明する。
【００３０】測定にあたっては、このグレーティングマ
スクを回転ステージに装着し、Ａｒイオンレーザ（波長
３６３．８ｎｍ）の透過光に対する１次回折光の回折効
率をグレーティングのピッチを変えて測定した。測定の
結果は、グレーティングピッチに対するライン幅の比が
３０％のときの回折効率が０．４７となり、この比の付
近の回折効率が極大であった。また、比が４０％および
６０％ときの回折効率は、それぞれ０．２８％および
０．１２％であった。これらの回折効率の値からこの実
施例では、上述した文献に記載の従来のグレーティング
マスクの回折効率の値と概ね同じ傾向と性能が得られて
いることが分かった。
スクを回転ステージに装着し、Ａｒイオンレーザ（波長
３６３．８ｎｍ）の透過光に対する１次回折光の回折効
率をグレーティングのピッチを変えて測定した。測定の
結果は、グレーティングピッチに対するライン幅の比が
３０％のときの回折効率が０．４７となり、この比の付
近の回折効率が極大であった。また、比が４０％および
６０％ときの回折効率は、それぞれ０．２８％および
０．１２％であった。これらの回折効率の値からこの実
施例では、上述した文献に記載の従来のグレーティング
マスクの回折効率の値と概ね同じ傾向と性能が得られて
いることが分かった。
【００３１】上述した各実施例では、この発明を、特定
の材料を使用し、特定の条件で形成した例について説明
したが、この発明は多くの変更および変形を行うことが
できる。例えば、上述したＳＯＧ膜の露光を電子線によ
る描画により行ったが、この発明では、例えば、光やＸ
線によるパターンの転写によりＳＯＧ膜の露光を行って
も良い。
の材料を使用し、特定の条件で形成した例について説明
したが、この発明は多くの変更および変形を行うことが
できる。例えば、上述したＳＯＧ膜の露光を電子線によ
る描画により行ったが、この発明では、例えば、光やＸ
線によるパターンの転写によりＳＯＧ膜の露光を行って
も良い。
【００３２】
【発明の効果】この発明のグレーティングマスクの製造
方法によれば、放射線感応性樹脂組成物を用いたＳＯＧ
膜パターンを形成する。この放射線感応性樹脂組成物
は、例えば市販のＳＯＧの材料に、放射線に感応して酸
を発生する酸発生材を添加することにより得られる。
方法によれば、放射線感応性樹脂組成物を用いたＳＯＧ
膜パターンを形成する。この放射線感応性樹脂組成物
は、例えば市販のＳＯＧの材料に、放射線に感応して酸
を発生する酸発生材を添加することにより得られる。
【００３３】この放射線感応性樹脂組成物をＳＯＧ膜と
して用いると、通常のレジストよりも感度が良く、さら
に、例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の様な
実質ガラス質となる樹脂を用いれば、実質ガラス質のＳ
ＯＧ膜パターンが容易に得られる。
して用いると、通常のレジストよりも感度が良く、さら
に、例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の様な
実質ガラス質となる樹脂を用いれば、実質ガラス質のＳ
ＯＧ膜パターンが容易に得られる。
【００３４】そして、この発明では、このＳＯＧ膜パタ
ーンをそのままグレーティングマスクとして用いること
ができるので、容易にグレーティングマスクを得ること
ができる。また、ＳＯＧ膜パターンをそのまま用いる場
合は、ＳＯＧ膜パターン形成時の例えば電子線描画時の
描画精度のみで、パターンの寸法精度が決まる。従っ
て、従来例の工程に比べて寸法変換誤差やマスク面内で
パターンの深さの不均一といった、マスク性能を劣化さ
せる要因が遥かに少ない。このため、寸法精度の良いグ
レーティングマスクを容易に得ることができる。 ま
た、ＳＯＧ膜パターンを透明基板に転写すれば、例えば
有機ＳＯＧといった非ガラス質の材料を用いた場合に
も、耐久性および耐光性に優れたグレーティングマスク
を容易に得ることができる。
ーンをそのままグレーティングマスクとして用いること
ができるので、容易にグレーティングマスクを得ること
ができる。また、ＳＯＧ膜パターンをそのまま用いる場
合は、ＳＯＧ膜パターン形成時の例えば電子線描画時の
描画精度のみで、パターンの寸法精度が決まる。従っ
て、従来例の工程に比べて寸法変換誤差やマスク面内で
パターンの深さの不均一といった、マスク性能を劣化さ
せる要因が遥かに少ない。このため、寸法精度の良いグ
レーティングマスクを容易に得ることができる。 ま
た、ＳＯＧ膜パターンを透明基板に転写すれば、例えば
有機ＳＯＧといった非ガラス質の材料を用いた場合に
も、耐久性および耐光性に優れたグレーティングマスク
を容易に得ることができる。
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は、第１実施例の説明に供
する断面工程図である。
する断面工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３実施例の説明に供する
断面工程図である。
断面工程図である。
１０：石英基板 １２：ＳＯＧ膜 １４：ＳＯＧ膜パターン １６：ＳＯＧ膜 １８：ＳＯＧ膜パターン ２０：マスクパターン ２２：クロム枠パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に、酸の作用により分解する
樹脂と放射線により分解して酸を発生する酸発生剤とを
含む放射線感応性樹脂組成物を塗布してＳＯＧ（ｓｐｉ
ｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）膜を形成する工程と、 該ＳＯＧ膜を露光後、ベーキングおよび現像を行って周
期的なパターンを有するＳＯＧ膜パターンを形成する工
程とを含むことを特徴とするグレーティングマスクの製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のグレーティングマスク
の製造方法において、 前記ＳＯＧ膜パターンをエッチングマスクとして用い
て、前記透明基板に対してドライエッチングを行うこと
により、前記透明基板に当該ＳＯＧ膜パターンのパター
ンを転写することを特徴とするグレーティングマスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24526494A JPH08110630A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | グレーティングマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24526494A JPH08110630A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | グレーティングマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110630A true JPH08110630A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17131100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24526494A Withdrawn JPH08110630A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | グレーティングマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08110630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001188115A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 回折格子マスク |
| US7629087B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask, method of making a photomask and photolithography method and system using the same |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24526494A patent/JPH08110630A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001188115A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 回折格子マスク |
| US7629087B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask, method of making a photomask and photolithography method and system using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |