JPH08114655A - 半導体装置の電気的特性検査方法および装置 - Google Patents
半導体装置の電気的特性検査方法および装置Info
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- JPH08114655A JPH08114655A JP6275941A JP27594194A JPH08114655A JP H08114655 A JPH08114655 A JP H08114655A JP 6275941 A JP6275941 A JP 6275941A JP 27594194 A JP27594194 A JP 27594194A JP H08114655 A JPH08114655 A JP H08114655A
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Abstract
ル検査を実現する。 【構成】 ICカードの応答信号出力タイミングを検査
する検査装置20において、各DUT1からの応答信号
を記憶する応答信号メモリー35と、そのメモリーに記
憶された各応答信号を呼び出して期待値メモリー35に
予め設定された期待値と比較する比較部36とを設け
る。各DUT1、1・・・の応答信号がパラレルに測定
され、各DUTにつき測定された応答信号はメモリー3
3に記憶されて行く。設定時間経過後、メモリー33に
記憶された各応答信号が呼び出されてメモリー35の期
待値と比較される。これにより、各応答信号の出力タイ
ミングの良否が判定される。 【効果】 応答信号の測定時間の許容範囲を大きく設定
でき、不良率低下を回避できる。判定作業が後で実行さ
れるため、検査時間の延長が防止できる。複数のDUT
の応答信号出力タイミングをパラレルに検査できるた
め、シリアルに実行される場合に比べて検査時間を短縮
できる。
Description
性検査技術、特に、半導体装置の応答信号を検査する技
術に関し、例えば、ICカードやASIC等の非同期応
答タイミングデバイスを検査するのに利用して有効なも
のに関する。
ルデバイス。以下、ロジックという。)製品のうちIC
カードやASIC等(以下、非同期応答タイミングデバ
イスということがある。)においては、応答信号の出力
タイミングが各デバイス間で大きく異なってしまうこと
が多く発生する傾向にある。
イミングデバイスについての電気的特性検査が汎用のロ
ジックICテスタによって実施されるに際して、応答信
号の出力タイミングの検査はデバイス個々にそれぞれ
(シリアルに)実行されている。これは、デバイス個々
に応答信号の出力タイミングが大きく異なると、同一の
ストローブ信号によっては各応答信号の出力タイミング
を同時に(パラレルに)比較判定することができないた
めである。また、個々の非同期応答タイミングデバイス
内における出力ピン個々についての応答信号出力タイミ
ングの検査も、ピン個々にそれぞれ(シリアルに)実行
されている。これは、複数本の出力ピンの応答信号出力
タイミングを同時に(パラレルに)検査しようとする
と、テストパターンが複雑になってアプリケーション・
プログラムの開発に長期間が消費されてしまうためであ
る。
ある例としては、株式会社工業調査会発行「電子材料1
984年11月号別冊」昭和59年11月20日発行
P157〜P164、がある。
たように応答信号出力タイミングの検査がデバイス個々
にシリアルに、かつ、ピン個々にもシリアルに実行され
ていたのでは、応答信号出力タイミング検査時間が大幅
に延長されてしまうばかりでなく、その検査時間が延長
された分だけ他の重要な電気的特性項目の検査について
ロジック用ICテスタを使用することができなくなるた
め、きわめて高価なロジック用ICテスタを充分に活用
することができないという問題点がある。
おける応答信号出力タイミングの検査についても、所謂
パラレル検査を実行することが考えられる。しかし、こ
れを実現するためには、各応答信号タイミング間相互の
ばらつきを解消するのに、次のような問題点がある。 (1) 応答信号タイミングを非同期応答タイミングデ
バイス側で解消するのは、本質的に不能である。 (2) 応答信号タイミングのばらつきを最大遅延時間
によって吸収するように制御信号を設定した場合には、
パラレル検査が実行されても検査時間が結局長くなって
しまう。 (3) 応答信号タイミングのばらつきを最小遅延時間
によって吸収するように制御信号を設定した場合には、
不良率が高くなり不当に歩留りが低下してしまうことに
なる。
増加を抑制しつつ、パラレル検査を実現可能な半導体装
置の電気的特性検査技術を提供することにある。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
る半導体装置の電気的特性検査装置において、半導体装
置からの応答信号を記憶するメモリーと、そのメモリー
に記憶された応答信号を呼び出して予め設定されている
期待値と比較することによって検査を実行する比較手段
とを設けることを特徴とする。
体装置について同種の応答信号がパラレルに測定される
と、各半導体装置について測定された応答信号はメモリ
ーにそれぞれ随時記憶されて行く。そして、例えば、予
め設定された許容遅延時間経過後に、メモリーに記憶さ
れた各応答信号がそれぞれ呼び出されて予め設定されて
いる期待値とそれぞれ比較される。この比較により、例
えば、各応答信号の出力タイミングの時期の良否が判定
される。
応答信号がメモリーに一時的に記憶されるため、応答信
号の測定時間についての許容範囲を大きく設定すること
ができる。したがって、その許容範囲を狭く設定するこ
とによって不良率が低下してしまう事態の発生を未然に
回避することができる。他方、実際の判定作業は測定後
に実行されるため、測定時間の許容範囲が比較的に広く
設定されても、検査作業全体としての時間には影響が及
ばない。
の応答信号がパラレルに測定される場合には、複数台の
半導体装置についての応答信号の出力タイミングを同時
に検査することができるため、複数台の半導体装置につ
いての応答信号検査作業がシリアルに実行される場合に
比べて、全体としての検査時間を大幅に短縮することが
できる。
応答信号検査装置を示すブロック図である。図2はその
作用を説明するための説明図である。
置の電気的特性検査装置は、ICカードの応答信号の出
力タイミングを検査するICカードの応答信号検査装置
として構成されている。検査対象物としてのICカード
(以下、DUTということがある。)は、ロジックを備
えているマイクロ・コンピュータの一種であり、非同期
応答タイミングデバイスの一例である。
応答信号検査方法は、DUTであるICカードについて
ロジックの応答信号の出力タイミングを検査するものと
して使用されている。まず、ICカードの電気的特性検
査方法の実施に際して、被検査物としてのICカード
(DUT)1が多数個、テスティングボード(図示せ
ず)に各接触子を介して着脱自在に装着される。テステ
ィングボードに装着された各DUT1はICカードの応
答信号検査装置20にコネクタ群を介して互いに並列に
電気的に接続される。
号検査装置20は、実体的にはロジックICテスタ(図
示せず)の一部として構成されており、中央処理ユニッ
ト(CPU)21、メインメモリー22、ロジックパタ
ーンジェネレータ23、タイミングジェネレータ24、
パターンフォマッタ25、ドライバ26、サンプリング
信号ジェネレータ27、始期設定部28、終期設定部2
9、Hコンパレータ30、Lコンパレータ31、ラッチ
回路32、応答信号メモリー33、アドレスコントロー
ラ34、期待値メモリー35、比較部36を備えてい
る。
であり、コンピュータのハードウエアおよびソトフウエ
アによって構築されており、テスタの各構成部(図示せ
ず)の動作と共に、ICカードの応答信号検査装置20
の各構成部の動作を統括して制御し得るようになってい
る。メインメモリー22はロジックICテスタのメモリ
ーであり、CPU21のアルゴリズムやテスティング情
報等が記憶されており、その記憶データがCPU21に
よって任意かつ高速に呼び出されるように構成されてい
る。
U21のメインメモリー22に予め記憶されたテスティ
ング情報に基づいて実際に使用されるテスティング信号
を生成し、パターンフォマッタ25に送信するように構
成されている。タイミングジェネレータ24はロジック
パターンジェネレータ23からのパルス信号を、パター
ンフォマッタ25でパルス幅を持つパターン信号に生成
するために、波形の立ち上がり、立ち下がりのタイミン
グを指定するジェネレータである。パターンフォマッタ
25はDUT1の機能試験をするために必要なもので、
DUT1の各入力ピンに供給するパターン信号を生成さ
せる回路である。本実施例においては、パターンフォマ
ッタ25はDUT1から所望の応答信号を得るためのパ
ターン信号を生成することになる。
タフェース部分であり、パターンフォマッタ25からの
信号をDUT1の入力ピンに供給するものである。本実
施例において、ドライバ26は複数(一部のみが図示さ
れている。)装備されており、複数台のDUT1の指定
された入力ピンにパターンフォマッタ25からの指令信
号をそれぞれ供給するようになっている。
T1からの応答信号をメモリー33に格納するのに必要
なサンプリング信号を生成するためのものであり、タイ
ミングジェネレータ24からのタイミング信号に基づい
て、図2(d)に示されているように一定のパルス幅を
持つサンプリング信号を生成するように構成されてい
る。始期設定部28はサンプリング信号の発生開始時期
を指令するための設定部であり、終期設定部29はサン
プリング信号の発生終了時期を指令するための設定部で
ある。この始期設定部28の開始指令と終期設定部29
の終了指令とによって、応答信号のサンプリング期間が
規定されることになる。このサンプリング期間は、応答
信号の出力タイミング検査に際して、DUT1からの応
答信号の出力タイミングのばらつきを複数台のDUT1
の全体にわたって吸収し得る最短の期間内であって、テ
スティング時間を過度に長期化させなく済み、かつ、テ
スティングの不良率の増加を最も効率的に抑制し得る期
間に設定される。例えば、開始時期は、同種のDUTに
関する過去のデータのうちで応答信号の出力タイミング
が最も速かった時期とし、終了時期は同様に応答信号の
出力タイミングが最も遅かった時期とする。なお、サン
プリング期間は後述する許容時間Tとは異なる。
31はDUT1との出力側のインタフェースであって、
指定されたDUT1の出力ピンからの応答信号を受ける
ものである。Hコンパレータ30およびLコンパレータ
31は一対で組を構成し、本実施例においては複数組が
装備され、各組が各DUT1の指定された出力ピンにそ
れぞれ電気的に接続されている。各DUT1内におい
て、一組のコンパレータ30、31が接続された出力ピ
ンはドライバ26が接続された入力ピンに対応されてお
り、入力信号に対応した応答信号を出力するようになっ
ている。
0およびLコンパレータ31に対応して一対で組を構成
し、コンパレータの組に対応して複数組が装備されてい
る。各組において、一方のラッチ回路32のD端子には
Hコンパレータ30の出力端子が接続され、他方のラッ
チ回路32のD端子にはLコンパレータ31の出力端子
が接続されている。また、両ラッチ回路32、32のク
ロック(C)端子にはサンプリング信号ジェネレータ2
7の出力端子がそれぞれ接続されて、サンプリング信号
が供給されるようになっている。両ラッチ回路32、3
2のQ端子は各組毎に応答信号メモリー33にそれぞれ
接続されている。
32、32から送信されて来る応答信号を、アドレスコ
ントローラ34のアドレス制御によって各組毎に逐次記
憶して行くようにされている。すなわち、応答信号メモ
リー33は各DUT1からの応答信号を区分けしてそれ
ぞれ記憶するように構成されている。
タ25によって生成されてDUT1に入力された指令信
号に応答してDUT1自身が出力すべき信号(期待値)
が記憶されているものである。この期待値である信号
は、CPU21のメインメモリー22に予め記憶された
テスティング情報に基づいて、ロジックパターンジェネ
レータ23への信号に対応されて予め生成され、期待値
メモリー35に記憶される。ちなみに、期待値メモリー
35および応答信号メモリー33はメインメモリー22
を共用して構築することもできる。
された各応答信号を順次呼び出して、期待値メモリー3
5に記憶された期待値と比較することによって、その出
力タイミングの誤差を各応答信号毎にそれぞれ求め、各
誤差が公差(許容時間T、図2(a)参照)の範囲内に
入っている否かをそれぞれ判定するように構成されてい
る。すなわち、比較部36は誤差が公差(許容時間T)
の範囲内である場合には良と判定し、その範囲外である
場合には不良と判定する。ちなみに、比較部36はCP
U21の論理回路を共用して構築することもできるし、
ソフトウエアとしてプログラミングすることもできる。
号検査装置の作用を説明することにより、本発明の一実
施例であるICカードの応答信号検査方法を図2に基づ
き説明する。
して、テスティングボードにはDUTとしてのICカー
ドが多数個、各接触子を介して電気的に接続される。テ
スティングボードに装着された各DUT1、1・・・は
ICカードの応答信号検査装置20に互いに並列に接続
された状態になる。
によってパターンフォマッタ25で生成されたテスティ
ング信号がドライバ26を経由して各DUT1にパラレ
ルに入力される。
応してそれぞれ動作し、所定の応答信号をパラレルに出
力する。例えば、入力信号が「RAMの動作は正常か
?」であると、DUT1は「RAMの動作は正常であ
る。」の応答信号をそれぞれ出力する。各DUT1、1
・・・からパラレルに出力された応答信号は、各DUT
1に対応する各組のHコンパレータ30およびLコンパ
レータ31によってそれぞれ波形整形されて、各組のコ
ンパレータ30、31に対応する各組のラッチ回路3
2、32のD端子にそれぞれ印加される。
ネレータ27からのサンプリング信号に対応して、図2
(e)に示されているように、各組のコンパレータ3
0、31からの信号をポイント毎にサンプリングし、各
ポイント毎の状態を応答信号メモリー33にパラレルに
入力する。この応答信号メモリー33への入力は各組の
ラッチ回路32が同時に実行することができるため、並
行(パラレル)処理が実行された状態になる。
32からパラレルに送信されて来る各ポイント毎の状態
を順次記憶して行く。このとき、応答信号メモリー33
はアドレスコントローラ34のアドレス制御によって、
1組のラッチ回路32からのポイントの状態を時系列の
連続(信号波形)として区分けして記憶して行く。ここ
で、各組のラッチ回路32は各DUT1、1・・・に対
応しているため、応答信号メモリー33の各区分に記憶
された信号波形(サンプリングポイントが連続した時系
列)は、各DUT1の応答信号にそれぞれ相当すること
になる。つまり、応答信号メモリー33は各DUT1、
1・・・からの応答信号を後で識別し得るように記憶す
る。
とによって予め規定されたサンプリング期間が経過する
と、応答信号メモリー33への各DUT1の応答信号の
記憶動作は打ち切られる。この状態において、応答信号
の記憶は全てのDUT1について完了している。万一、
応答信号の記憶が終了していないDUT1は、応答タイ
ミングの遅延度が大き過ぎるため、不良と判定されるこ
とになる。しかし、サンプリング期間は充分に長く確保
されているため、不良率が不当に高くなることは未然に
回避されている。
設定された期間が経過した後に、比較部36は応答信号
メモリー33に記憶された各応答信号を順次呼び出し
て、期待値メモリー35に記憶された期待値とを比較す
る。この比較によって、各応答信号の出力タイミングの
誤差をそれぞれ求め、各誤差が許容時間(公差)内に入
っている否かを判定する。すなわち、比較部36は誤差
が許容時間内である場合には良と判定し、その時間外で
ある場合には不良と判定する。
(a)が期待値信号で出力タイミングの許容時間(公
差)がTであり、(b)が第1DUTから送られて来た
応答信号、(c)が第2DUTから送られて来た応答信
号である仮定とする。(b)の信号の応答タイミングは
(a)の許容時間Tの範囲内に入っているので、第1D
UTは比較部36によって「良」と判定される。これに
対して、(c)の信号の応答タイミングは(a)の許容
時間Tの範囲内に入っていないので、第2DUTは比較
部36によって「不良」と判定される。
場合には、その旨が比較部36によってCPU21に送
信される。CPU21は第2DUTを検査対象から除外
する。この除外によって、例えば、他の検査項目につい
ての検査の作業時間が短縮されることになる。
力タイミングについての検査作業が実行されている間
に、CPU21は各DUT1に対して他の検査項目につ
いての検査作業を同時に進行させる。他の検査項目には
各DUT1の検査済のピンとは別のピンに対する応答信
号の出力タイミングについての検査も含まれる。
が得られる。 (1) 複数個のDUTに対して応答信号検査を同時
(パラレル)に実行することができるため、応答信号検
査の作業性を大幅に高めることができる。
メモリーに一時的に記憶されることにより、応答信号の
測定時間についての許容範囲を大きく設定することがで
きるため、その許容範囲を狭く設定することによって不
良率が低下してしまう事態の発生を未然に回避すること
ができ、他方、実際の比較判定作業は測定後に実行され
るため、測定時間の許容範囲が比較的に広く設定されて
も、検査作業全体としての時間には影響が及ばない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
ェネレータを利用して生成するに限らず、専用の発振器
やクロック回路を使用してもよい。
応答信号を記憶させるための手段としては、Hコンパレ
ータ、Lコンパレータ、ラッチ回路、アドレスコントロ
ーラによる構成を使用するに限らず、他の構成を使用し
てもよい。
クICテスタに組み込むに限らず、ウエハプローバーや
オートハンドラに組み込むこともできる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるICカ
ードの応答信号検査技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、ASIC等のロ
ジック全般に適用することができる。特に、本発明は、
応答信号の出力タイミングが個々のデバイス(個々の製
品)相互間で大きなばらつきがある非同期応答タイミン
グデバイスの応答信号の出力タイミング検査に使用して
優れた効果が得られる。
グの検査の場合について説明したが、それに限らず、応
答信号自体の良否判定、さらには、半導体装置に関する
その他の電気的特性検査全般に適用することができる。
ラレル検査の場合について説明したが、本発明は、個々
のDUT内の各ピンに対するパラレル検査の場合につい
ても適用することができる。さらに、本発明は、個々の
DUTの個々のピンに対するシリアル検査についても適
用することができることはいうまでもない。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
時的に記憶した後に、記憶された応答信号を呼び出して
実質的な検査作業を実行することにより、応答信号の測
定時間についての許容範囲を大きく設定することができ
る。その結果、応答信号の測定時間についての許容範囲
を狭く設定することによって不良率が低下してしまう事
態の発生を未然に回避することができる。他方、実質的
な検査作業は測定後に実行されるため、測定時間の許容
範囲が比較的に広く設定されても、検査作業全体として
の時間には影響が及ばない。
導体装置内の複数本のピンについて同種の応答信号をパ
ラレルに測定することにより、複数台の半導体装置や複
数本のピンについての応答信号をパラレルに検査するこ
とができるため、複数台の半導体装置や複数本のピンに
ついて応答信号検査作業がシリアルに実行される場合に
比べて、検査作業全体としての時間を大幅に短縮するこ
とができる。
検査装置を示すブロック図である。
検査装置、21…CPU、22…メインメモリー、23
…ロジックパターンジェネレータ、24…タイミングジ
ェネレータ、25…パターンフォマッタ、26…ドライ
バ、27…サンプリング信号ジェネレータ、28…始期
設定部、29…終期設定部、30…Hコンパレータ、3
1…Lコンパレータ、32…ラッチ回路、33…応答信
号メモリー、34…アドレスコントローラ、35…期待
値メモリー、36…比較部。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体装置の応答信号を検査する半導体
装置の電気的特性検査方法において、 前記半導体装置からの応答信号がメモリーに記憶され、
その後、メモリーに記憶された応答信号が呼び出されて
予め設定されている期待値と比較されることにより検査
が実行されることを特徴とする半導体装置の電気的特性
検査方法。 - 【請求項2】 複数の同種の応答信号がパラレルに測定
され、その測定された各応答信号がメモリーにそれぞれ
随時記憶されて行くことを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置の電気的特性検査方法。 - 【請求項3】 半導体装置の応答信号を検査する半導体
装置の電気的特性検査装置において、 前記半導体装置からの応答信号を記憶するメモリーと、 そのメモリーに記憶された応答信号を呼び出して予め設
定されている期待値と比較することによって検査を実行
する比較手段と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の電気的特性
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6275941A JPH08114655A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体装置の電気的特性検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6275941A JPH08114655A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体装置の電気的特性検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08114655A true JPH08114655A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17562569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6275941A Pending JPH08114655A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体装置の電気的特性検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08114655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100950510B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2010-03-30 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 테스트 시스템 |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP6275941A patent/JPH08114655A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100950510B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2010-03-30 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 테스트 시스템 |
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