JPH08114819A - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH08114819A JPH08114819A JP25105894A JP25105894A JPH08114819A JP H08114819 A JPH08114819 A JP H08114819A JP 25105894 A JP25105894 A JP 25105894A JP 25105894 A JP25105894 A JP 25105894A JP H08114819 A JPH08114819 A JP H08114819A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクス液晶表示装置のゲート
配線およびドレイン配線に対して、断線等により修正が
必要となった箇所にレーザを用いて局所的に金属膜の形
成を行なう際に、配線表面でレーザ光が反射されるのを
防止する。 【構成】 行列方向に配置された複数の薄膜トランジス
タ素子と、各行ごとに薄膜トランジスタ素子のゲート電
極１２を共通に接続したゲート配線３と、各列ごとに薄
膜トランジスタ素子のドレイン電極１０を共通に接続し
たドレイン配線４を備えてなるアクティブマトリクス液
晶表示装置において、上記ゲート配線３および上記ドレ
イン配線４の上方に低反射率の被覆層５ａ，５ｂを設け
てなることを特徴とする。
配線およびドレイン配線に対して、断線等により修正が
必要となった箇所にレーザを用いて局所的に金属膜の形
成を行なう際に、配線表面でレーザ光が反射されるのを
防止する。 【構成】 行列方向に配置された複数の薄膜トランジス
タ素子と、各行ごとに薄膜トランジスタ素子のゲート電
極１２を共通に接続したゲート配線３と、各列ごとに薄
膜トランジスタ素子のドレイン電極１０を共通に接続し
たドレイン配線４を備えてなるアクティブマトリクス液
晶表示装置において、上記ゲート配線３および上記ドレ
イン配線４の上方に低反射率の被覆層５ａ，５ｂを設け
てなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと略記する）素子を用いて駆動するアクティ
ブマトリクス液晶表示装置の配線構造に関する。
下、ＴＦＴと略記する）素子を用いて駆動するアクティ
ブマトリクス液晶表示装置の配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス液晶表示装
置は、特公平３−３２２３１号公報に記載されているよ
うな回路構成を有しており、ＴＦＴのゲート、ソース、
ドレインの各電極に接続された配線は、アルミ等の金属
で形成された単層配線構造であった。
置は、特公平３−３２２３１号公報に記載されているよ
うな回路構成を有しており、ＴＦＴのゲート、ソース、
ドレインの各電極に接続された配線は、アルミ等の金属
で形成された単層配線構造であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
液晶表示装置では、製造過程でごみ等の異物やエッチン
グの不良あるいは基板上に形成された各種のパターンに
よる基板表面の凹凸等により、ゲート配線またはドレイ
ン配線に断線が発生する場合がある。そして配線の断線
個所が比較的少ない基板に対して、断線個所に局所的に
金属膜等を形成して接続修正する方法が用いられてい
る。修正方法としてはレーザを用いて金属膜を形成する
方法が知られている。この修正方法は、形成しようとす
る金属を含む原料ガス中で断線個所に選択的にレーザを
照射して、基板表面に吸着された原料ガスをレーザの光
エネルギーにより分解、反応せしめて金属膜を形成する
ものである。あるいは、形成しようとする金属を含む成
膜材料をあらかじめ基板表面に塗布しておき、その後、
断線個所に選択的にレーザを照射してレーザの熱エネル
ギーにより分解、反応せしめて金属膜を形成する方法も
ある。
液晶表示装置では、製造過程でごみ等の異物やエッチン
グの不良あるいは基板上に形成された各種のパターンに
よる基板表面の凹凸等により、ゲート配線またはドレイ
ン配線に断線が発生する場合がある。そして配線の断線
個所が比較的少ない基板に対して、断線個所に局所的に
金属膜等を形成して接続修正する方法が用いられてい
る。修正方法としてはレーザを用いて金属膜を形成する
方法が知られている。この修正方法は、形成しようとす
る金属を含む原料ガス中で断線個所に選択的にレーザを
照射して、基板表面に吸着された原料ガスをレーザの光
エネルギーにより分解、反応せしめて金属膜を形成する
ものである。あるいは、形成しようとする金属を含む成
膜材料をあらかじめ基板表面に塗布しておき、その後、
断線個所に選択的にレーザを照射してレーザの熱エネル
ギーにより分解、反応せしめて金属膜を形成する方法も
ある。
【０００４】しかし、上述した従来のアクティブマトリ
クス液晶表示装置では、配線がアルミ等の金属からなる
単層配線であるため、配線表面の反射率が高い。このた
め、配線上に修正用の金属膜等を形成する場合に、配線
表面でレーザ光が反射されるために、配線上で反応に必
要な光エネルギーが得られず、修正用の金属膜の形成が
困難であった。特に、配線交差部付近の断線修正時に
は、断線箇所を有する配線上に、配線交差部を横断する
長さの修正用金属配線を形成する必要があり、配線表面
の高反射率に起因する修正用の金属配線の細りや断線が
起こり易かった。また、レーザの熱エネルギーを用いて
配線上に修正用の金属配線を形成する場合、レーザ光が
照射された個所で発生する熱が、基板上のＴＦＴ素子、
絶縁膜、金属配線、透明電極等に悪影響を及ぼすという
問題があった。本発明は、上記課題の少なくとも１つを
解決するもので、断線等により修正が必要となった配線
に対して、配線上で、レーザを用いて局所的に金属膜の
形成を行なうことができるようにし、また修正時に発生
する熱によるＴＦＴ素子、配線等の劣化が少ないアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
クス液晶表示装置では、配線がアルミ等の金属からなる
単層配線であるため、配線表面の反射率が高い。このた
め、配線上に修正用の金属膜等を形成する場合に、配線
表面でレーザ光が反射されるために、配線上で反応に必
要な光エネルギーが得られず、修正用の金属膜の形成が
困難であった。特に、配線交差部付近の断線修正時に
は、断線箇所を有する配線上に、配線交差部を横断する
長さの修正用金属配線を形成する必要があり、配線表面
の高反射率に起因する修正用の金属配線の細りや断線が
起こり易かった。また、レーザの熱エネルギーを用いて
配線上に修正用の金属配線を形成する場合、レーザ光が
照射された個所で発生する熱が、基板上のＴＦＴ素子、
絶縁膜、金属配線、透明電極等に悪影響を及ぼすという
問題があった。本発明は、上記課題の少なくとも１つを
解決するもので、断線等により修正が必要となった配線
に対して、配線上で、レーザを用いて局所的に金属膜の
形成を行なうことができるようにし、また修正時に発生
する熱によるＴＦＴ素子、配線等の劣化が少ないアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、行
列方向に配置された複数の薄膜トランジスタ素子と、各
行ごとに薄膜トランジスタ素子のゲート電極を共通に接
続したゲート配線と、各列ごとに薄膜トランジスタ素子
のドレイン電極を共通に接続したドレイン配線を備えて
なるアクティブマトリクス液晶表示装置において、上記
ゲート配線および上記ドレイン配線の上方に低反射率の
被覆層を設けてなることを特徴とするものである。低反
射率の被覆層の形成は、上記ゲート配線およびドレイン
配線を、低反射率の被覆層を有する多層配線構造とする
こともできるし、また上記ゲート配線の上方に設けられ
る低反射率の被覆層と上記ドレイン配線の上方に設けら
れる低反射率の被覆層とを同一層内に形成することもで
きる。そして上記ゲート配線およびドレイン配線と低反
射率の被覆層の間に絶縁膜を介在させてもよい。さらに
上記多層配線構造の場合には、上記ゲート配線およびド
レイン配線上にそれぞれ低反射率の被覆層を積層しても
よい。あるいは、ゲート配線およびドレイン配線の表面
上に低反射率の被覆層を設けた構成としてもよい。
に、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、行
列方向に配置された複数の薄膜トランジスタ素子と、各
行ごとに薄膜トランジスタ素子のゲート電極を共通に接
続したゲート配線と、各列ごとに薄膜トランジスタ素子
のドレイン電極を共通に接続したドレイン配線を備えて
なるアクティブマトリクス液晶表示装置において、上記
ゲート配線および上記ドレイン配線の上方に低反射率の
被覆層を設けてなることを特徴とするものである。低反
射率の被覆層の形成は、上記ゲート配線およびドレイン
配線を、低反射率の被覆層を有する多層配線構造とする
こともできるし、また上記ゲート配線の上方に設けられ
る低反射率の被覆層と上記ドレイン配線の上方に設けら
れる低反射率の被覆層とを同一層内に形成することもで
きる。そして上記ゲート配線およびドレイン配線と低反
射率の被覆層の間に絶縁膜を介在させてもよい。さらに
上記多層配線構造の場合には、上記ゲート配線およびド
レイン配線上にそれぞれ低反射率の被覆層を積層しても
よい。あるいは、ゲート配線およびドレイン配線の表面
上に低反射率の被覆層を設けた構成としてもよい。
【０００６】
【作用】本発明では、ゲート配線およびドレイン配線の
上方に低反射率の被覆層を設けたので、これらの配線上
に向かってレーザを照射しても、該被覆層によってレー
ザ光が反射するのを防止することができ、レーザの光エ
ネルギーの損失を抑えることができる。これによって、
反射率が高い配線上であっても、修正が必要な個所に、
レーザ光を用いて確実に金属膜を形成することが可能と
なる。また、ゲート配線およびドレイン配線と低反射率
の被覆層との間に絶縁膜を介在させることにより、これ
らの配線上に向かってレーザ光を照射することによって
発生した熱が、絶縁膜によって遮断されるので、基板上
のＴＦＴ素子、絶縁膜、金属配線、透明電極等に対する
熱的悪影響を低減させることができる。
上方に低反射率の被覆層を設けたので、これらの配線上
に向かってレーザを照射しても、該被覆層によってレー
ザ光が反射するのを防止することができ、レーザの光エ
ネルギーの損失を抑えることができる。これによって、
反射率が高い配線上であっても、修正が必要な個所に、
レーザ光を用いて確実に金属膜を形成することが可能と
なる。また、ゲート配線およびドレイン配線と低反射率
の被覆層との間に絶縁膜を介在させることにより、これ
らの配線上に向かってレーザ光を照射することによって
発生した熱が、絶縁膜によって遮断されるので、基板上
のＴＦＴ素子、絶縁膜、金属配線、透明電極等に対する
熱的悪影響を低減させることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。まず本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装
置の第１の実施例を図１、図２および図３を用いて説明
する。図１は本発明によるアクティブマトリクス液晶表
示装置における配線交差部の断面図である。図１におい
て、符号１はガラス基板、２ａおよび２ｂは絶縁膜、３
はゲート配線、４はドレイン配線、５ａおよび５ｂは被
覆層をそれぞれ示す。図２は本発明によるアクティブマ
トリクス液晶表示装置における１画素の回路構成図であ
る。図２において、符号９は半導体層、１０はドレイン
電極、１１はソース電極、１２はゲート電極、１３ａ、
１３ｂ、１３ｃは貫通孔、１４は透明電極をそれぞれ示
す。また図１と同一の構成要素には同一符号を付けてい
る。図３は本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における断線部の欠陥修正例を示したものである。
図３（ａ）は欠陥修正部の上面図であり、図３（ｂ）は
欠陥修正部の断面図である。図３において、符号６ａ、
６ｂは貫通孔、７は修正用金属配線、８は断線個所であ
り、図１と同一の構成要素には同一符号を付けている。
る。まず本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装
置の第１の実施例を図１、図２および図３を用いて説明
する。図１は本発明によるアクティブマトリクス液晶表
示装置における配線交差部の断面図である。図１におい
て、符号１はガラス基板、２ａおよび２ｂは絶縁膜、３
はゲート配線、４はドレイン配線、５ａおよび５ｂは被
覆層をそれぞれ示す。図２は本発明によるアクティブマ
トリクス液晶表示装置における１画素の回路構成図であ
る。図２において、符号９は半導体層、１０はドレイン
電極、１１はソース電極、１２はゲート電極、１３ａ、
１３ｂ、１３ｃは貫通孔、１４は透明電極をそれぞれ示
す。また図１と同一の構成要素には同一符号を付けてい
る。図３は本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における断線部の欠陥修正例を示したものである。
図３（ａ）は欠陥修正部の上面図であり、図３（ｂ）は
欠陥修正部の断面図である。図３において、符号６ａ、
６ｂは貫通孔、７は修正用金属配線、８は断線個所であ
り、図１と同一の構成要素には同一符号を付けている。
【０００８】図１に示すように、ガラス基板１上には絶
縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成され
ている。ゲート配線３上には低反射率の被覆層５ａが形
成されている。さらにその上には絶縁膜２ｂが形成さ
れ、絶縁膜２ｂ上にドレイン配線４が形成されている。
ドレイン配線４上には低反射率の被覆層５ｂが形成され
ている。画素部の構成は図２に示すように、半導体層９
の一方にドレイン電極１０が配置され、もう一方にソー
ス電極１１が配置されている。半導体層９の上層にはゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極１２が配置されている。
ゲート電極１２の上層に絶縁膜を介してゲート配線３が
配置され、貫通孔１３ａでゲート電極１２とゲート配線
３とが接続されている。ドレイン電極１０の上層には絶
縁膜を介してドレイン配線４が配置され、貫通孔１３ｂ
でドレイン電極１０とドレイン配線４とが接続されてい
る。ゲート配線３およびドレイン配線４上にはそれぞれ
低反射率の被覆層が形成されている。ソース電極１１の
上方には絶縁膜を介して透明電極１４が配置され、貫通
孔１３ｃでソース電極１１と透明電極１４とが接続され
ている。
縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成され
ている。ゲート配線３上には低反射率の被覆層５ａが形
成されている。さらにその上には絶縁膜２ｂが形成さ
れ、絶縁膜２ｂ上にドレイン配線４が形成されている。
ドレイン配線４上には低反射率の被覆層５ｂが形成され
ている。画素部の構成は図２に示すように、半導体層９
の一方にドレイン電極１０が配置され、もう一方にソー
ス電極１１が配置されている。半導体層９の上層にはゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極１２が配置されている。
ゲート電極１２の上層に絶縁膜を介してゲート配線３が
配置され、貫通孔１３ａでゲート電極１２とゲート配線
３とが接続されている。ドレイン電極１０の上層には絶
縁膜を介してドレイン配線４が配置され、貫通孔１３ｂ
でドレイン電極１０とドレイン配線４とが接続されてい
る。ゲート配線３およびドレイン配線４上にはそれぞれ
低反射率の被覆層が形成されている。ソース電極１１の
上方には絶縁膜を介して透明電極１４が配置され、貫通
孔１３ｃでソース電極１１と透明電極１４とが接続され
ている。
【０００９】本実施例において、低反射率の被覆層５ａ
および５ｂは、ゲート配線３およびドレイン配線４のそ
れぞれの上に形成されており、ゲート配線３およびドレ
イン配線４が金属配線層と被覆層からなる二層配線構造
となっている。またゲート配線３およびドレイン配線４
を構成する金属配線層を、異なる金属からなる多層構造
とすることもでき、この場合にはゲート配線３およびド
レイン配線４が低反射率の被覆層を含む三層以上の多層
配線構造となる。またゲート配線３およびドレイン配線
４と低反射率の被覆層５ａ、５ｂとの間にそれぞれ絶縁
膜を介在させてもよい。そして、このようにゲート配線
３およびドレイン配線４を多層配線構造とするとき、低
反射率の被覆層５ａおよび５ｂは、上方から照射される
レーザ光の反射を防止できるように、これら多層配線構
造の最上層に形成される。ただし必要に応じて低反射率
の被覆層上にレーザ光を透過できる層を設けることは可
能である。ここで、低反射率の被覆層５ａおよび５ｂ
は、照射されるレーザ光の反射率が低いものであれば適
宜のものを用いることができ、例えば照射されるレーザ
光を吸収するような着色透明層、あるいは、表面が鏡面
とならないように処理液等を用いて粗面化された透明層
などを好適に用いることができる。
および５ｂは、ゲート配線３およびドレイン配線４のそ
れぞれの上に形成されており、ゲート配線３およびドレ
イン配線４が金属配線層と被覆層からなる二層配線構造
となっている。またゲート配線３およびドレイン配線４
を構成する金属配線層を、異なる金属からなる多層構造
とすることもでき、この場合にはゲート配線３およびド
レイン配線４が低反射率の被覆層を含む三層以上の多層
配線構造となる。またゲート配線３およびドレイン配線
４と低反射率の被覆層５ａ、５ｂとの間にそれぞれ絶縁
膜を介在させてもよい。そして、このようにゲート配線
３およびドレイン配線４を多層配線構造とするとき、低
反射率の被覆層５ａおよび５ｂは、上方から照射される
レーザ光の反射を防止できるように、これら多層配線構
造の最上層に形成される。ただし必要に応じて低反射率
の被覆層上にレーザ光を透過できる層を設けることは可
能である。ここで、低反射率の被覆層５ａおよび５ｂ
は、照射されるレーザ光の反射率が低いものであれば適
宜のものを用いることができ、例えば照射されるレーザ
光を吸収するような着色透明層、あるいは、表面が鏡面
とならないように処理液等を用いて粗面化された透明層
などを好適に用いることができる。
【００１０】このようなアクティブマトリクス液晶表示
装置において、例えば、図３（ａ）および（ｂ）に示す
ように、ゲート配線３とドレイン配線４の配線交差部に
おいてドレイン配線４に断線（図中符号８は断線箇所を
示す）が発生した場合には、次のようにして配線の修正
を行なうことができる。まず、ドレイン配線４の断線箇
所８の両側で、かつゲート配線３とドレイン配線４の配
線交差部の両側に、切断用のレーザを用いて２つの貫通
孔６ａ、６ｂを形成する。 この後に、レーザを用いた
修正法により２つの貫通孔６ａ、６ｂを結ぶ修正用の金
属配線７を形成することによって欠陥を修正する。すな
わち、形成しようとする金属を含む原料ガス中で修正個
所に選択的にレーザを照射して、被覆層５ｂの表面に吸
着された原料ガスをレーザの光エネルギーにより分解、
反応せしめて金属配線７を形成する。あるいは、形成し
ようとする金属を含む成膜材料をあらかじめ被覆層５ｂ
の表面に塗布しておき、その後修正個所に選択的にレー
ザを照射してレーザの熱エネルギーにより分解、反応せ
しめて金属配線７を形成する方法でもよい。
装置において、例えば、図３（ａ）および（ｂ）に示す
ように、ゲート配線３とドレイン配線４の配線交差部に
おいてドレイン配線４に断線（図中符号８は断線箇所を
示す）が発生した場合には、次のようにして配線の修正
を行なうことができる。まず、ドレイン配線４の断線箇
所８の両側で、かつゲート配線３とドレイン配線４の配
線交差部の両側に、切断用のレーザを用いて２つの貫通
孔６ａ、６ｂを形成する。 この後に、レーザを用いた
修正法により２つの貫通孔６ａ、６ｂを結ぶ修正用の金
属配線７を形成することによって欠陥を修正する。すな
わち、形成しようとする金属を含む原料ガス中で修正個
所に選択的にレーザを照射して、被覆層５ｂの表面に吸
着された原料ガスをレーザの光エネルギーにより分解、
反応せしめて金属配線７を形成する。あるいは、形成し
ようとする金属を含む成膜材料をあらかじめ被覆層５ｂ
の表面に塗布しておき、その後修正個所に選択的にレー
ザを照射してレーザの熱エネルギーにより分解、反応せ
しめて金属配線７を形成する方法でもよい。
【００１１】本実施例によれば、図３（ｂ）に示すよう
に、ドレイン配線４上に低反射率の被覆層５ｂが設けら
れているため、ドレイン配線４上に上記のようなレーザ
を用いた修正法により修正用の金属配線７を形成する場
合でも、この被覆層５ｂによってレーザ光の反射が低減
され、確実に修正用の金属配線７を形成することが可能
となる。これによりレーザを用いた修正法による修正用
金属配線７の形成時における修正用配線７の細りや断線
等を無くすことができ、容易に欠陥を修正することがで
きる。また、ゲート配線３およびドレイン配線４と低反
射率の被覆層５ａ、５ｂとの間に絶縁膜を介在させた場
合には、被覆層５ａ、５ｂ上にレーザを用いた修正法で
修正用金属配線７を形成する際に、レーザ照射によって
発生する熱が、絶縁膜よって断熱されるため、該絶縁膜
よりも下方のＴＦＴ素子、絶縁膜、金属配線、透明電極
等が熱によって劣化するのが防止される。さらに、ゲー
ト配線３およびドレイン配線４の上方に形成される被覆
層５ａ、５ｂおよび絶縁膜等を透明層で形成すると、こ
れらゲート配線３およびドレイン配線４を目視で観察す
ることができ、外観検査や断線個所の確認を容易に行な
うことができる。
に、ドレイン配線４上に低反射率の被覆層５ｂが設けら
れているため、ドレイン配線４上に上記のようなレーザ
を用いた修正法により修正用の金属配線７を形成する場
合でも、この被覆層５ｂによってレーザ光の反射が低減
され、確実に修正用の金属配線７を形成することが可能
となる。これによりレーザを用いた修正法による修正用
金属配線７の形成時における修正用配線７の細りや断線
等を無くすことができ、容易に欠陥を修正することがで
きる。また、ゲート配線３およびドレイン配線４と低反
射率の被覆層５ａ、５ｂとの間に絶縁膜を介在させた場
合には、被覆層５ａ、５ｂ上にレーザを用いた修正法で
修正用金属配線７を形成する際に、レーザ照射によって
発生する熱が、絶縁膜よって断熱されるため、該絶縁膜
よりも下方のＴＦＴ素子、絶縁膜、金属配線、透明電極
等が熱によって劣化するのが防止される。さらに、ゲー
ト配線３およびドレイン配線４の上方に形成される被覆
層５ａ、５ｂおよび絶縁膜等を透明層で形成すると、こ
れらゲート配線３およびドレイン配線４を目視で観察す
ることができ、外観検査や断線個所の確認を容易に行な
うことができる。
【００１２】次に本発明によるアクティブマトリクス液
晶表示装置の第２の実施例を図４を用いて説明する。図
４は本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の
第２の実施例における配線交差部を示したものである。
図４において図１と同一の構成要素には同一符号を付け
ている。本実施例においては、図４に示すようにガラス
基板１上に絶縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線
３が形成されている。ゲート配線３上には絶縁膜２ｂが
形成され、さらにドレイン配線４が形成されている。こ
の上層には、絶縁膜２ｃを介してゲート配線３およびド
レイン配線４を覆うように低反射率の被覆層５ｃが形成
されている。被覆層５ｃは絶縁体で形成されており、行
方向および列方向に並列して配設されているゲート配線
３およびドレイン配線４を覆う格子状に形成された単層
膜からなっている。
晶表示装置の第２の実施例を図４を用いて説明する。図
４は本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の
第２の実施例における配線交差部を示したものである。
図４において図１と同一の構成要素には同一符号を付け
ている。本実施例においては、図４に示すようにガラス
基板１上に絶縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線
３が形成されている。ゲート配線３上には絶縁膜２ｂが
形成され、さらにドレイン配線４が形成されている。こ
の上層には、絶縁膜２ｃを介してゲート配線３およびド
レイン配線４を覆うように低反射率の被覆層５ｃが形成
されている。被覆層５ｃは絶縁体で形成されており、行
方向および列方向に並列して配設されているゲート配線
３およびドレイン配線４を覆う格子状に形成された単層
膜からなっている。
【００１３】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装
置において、低反射率の被覆層は上記第１の実施例のよ
うに、ゲート配線３の上方およびドレイン配線４の上方
にそれぞれ形成することもできるが、本実施例のように
これらを同一層内に形成することもできる。本実施例に
あってはゲート配線３およびドレイン配線４を覆う被覆
層５ｃが単層膜であるので、その形成工程は一度で済み
製造が簡略である。また、本実施例のようにゲート配線
３およびドレイン配線４を覆う被覆層５ｃが一体となっ
ている場合には、被覆層５ｃは絶縁体で形成する必要が
ある。これによって、複数の断線箇所に対して、被覆層
５ｃ上の複数個所に修正用金属配線を形成しても、修正
用金属配線間を電気的に絶縁して、配線間の短絡等を防
止することができる。ここで、低反射率の被覆層５ｃ
は、照射されるレーザ光の反射率が低いもので、あれば
適宜のものを用いることができるが、例えば照射される
レーザ光を吸収するような着色透明絶縁層、あるいは、
表面が鏡面とならないように処理液等により粗面化され
た透明絶縁層などを好適に用いることができる。
置において、低反射率の被覆層は上記第１の実施例のよ
うに、ゲート配線３の上方およびドレイン配線４の上方
にそれぞれ形成することもできるが、本実施例のように
これらを同一層内に形成することもできる。本実施例に
あってはゲート配線３およびドレイン配線４を覆う被覆
層５ｃが単層膜であるので、その形成工程は一度で済み
製造が簡略である。また、本実施例のようにゲート配線
３およびドレイン配線４を覆う被覆層５ｃが一体となっ
ている場合には、被覆層５ｃは絶縁体で形成する必要が
ある。これによって、複数の断線箇所に対して、被覆層
５ｃ上の複数個所に修正用金属配線を形成しても、修正
用金属配線間を電気的に絶縁して、配線間の短絡等を防
止することができる。ここで、低反射率の被覆層５ｃ
は、照射されるレーザ光の反射率が低いもので、あれば
適宜のものを用いることができるが、例えば照射される
レーザ光を吸収するような着色透明絶縁層、あるいは、
表面が鏡面とならないように処理液等により粗面化され
た透明絶縁層などを好適に用いることができる。
【００１４】このようなアクティブマトリクス液晶表示
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例において、被覆層５ｃは低反射率であり照射さ
れたレーザの反射が低減されるため、金属膜の形成反応
が確実に行われ、容易に修正用金属配線を形成すること
ができる。したがって、反射率の高いゲート配線３およ
びドレイン配線４上でもレーザを用いた修正法により修
正用の金属配線が容易に形成できる。また、被覆層５ｃ
上にレーザを用いた修正法で修正用金属配線を形成する
際に、レーザ照射によって発生する熱が、被覆層５ｃの
下層に設けられている絶縁膜２ｃによって断熱されるた
め、該絶縁膜２ｃよりも下方のＴＦＴ素子、絶縁膜、金
属配線、透明電極等が熱によって劣化するのが防止され
る。さらに、ゲート配線３およびドレイン配線４の上方
に形成される被覆層５ｃおよび絶縁膜２ｃ、２ｂを透明
層で形成すると、これらゲート配線３およびドレイン配
線４を目視で観察することができ、外観検査や断線個所
の確認を容易に行なうことができる。
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例において、被覆層５ｃは低反射率であり照射さ
れたレーザの反射が低減されるため、金属膜の形成反応
が確実に行われ、容易に修正用金属配線を形成すること
ができる。したがって、反射率の高いゲート配線３およ
びドレイン配線４上でもレーザを用いた修正法により修
正用の金属配線が容易に形成できる。また、被覆層５ｃ
上にレーザを用いた修正法で修正用金属配線を形成する
際に、レーザ照射によって発生する熱が、被覆層５ｃの
下層に設けられている絶縁膜２ｃによって断熱されるた
め、該絶縁膜２ｃよりも下方のＴＦＴ素子、絶縁膜、金
属配線、透明電極等が熱によって劣化するのが防止され
る。さらに、ゲート配線３およびドレイン配線４の上方
に形成される被覆層５ｃおよび絶縁膜２ｃ、２ｂを透明
層で形成すると、これらゲート配線３およびドレイン配
線４を目視で観察することができ、外観検査や断線個所
の確認を容易に行なうことができる。
【００１５】本発明によるアクティブマトリクス液晶表
示装置の第３の実施例を図５を用いて説明する。図５
は、本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の
第３の実施例における配線交差部を示したものである。
図１と同一の構成要素には同一符号を付けている。本実
施例においては、図５に示すようにガラス基板１上に絶
縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成され
ている。ゲート配線３上には絶縁膜２ｂが形成され、さ
らにドレイン配線４が形成されている。この上層には、
絶縁膜２ｃを介してゲート配線３およびドレイン配線４
を覆うように低反射率の被覆層５ｄが形成されている。
被覆層５ｄはゲート配線３とドレイン配線４の各配線交
差部分で分断して形成されている。また、分断された被
覆層５ｄをさらに複数に分割してもよい。ここで、低反
射率の被覆層５ｄは、照射されるレーザ光の反射率が低
いもので、あれば適宜のものを用いることができ、例え
ば照射されるレーザ光を吸収するような着色透明絶縁
層、あるいは、表面が鏡面とならないように処理液等に
より粗面化された透明絶縁層などを好適に用いることが
できる。
示装置の第３の実施例を図５を用いて説明する。図５
は、本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の
第３の実施例における配線交差部を示したものである。
図１と同一の構成要素には同一符号を付けている。本実
施例においては、図５に示すようにガラス基板１上に絶
縁膜２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成され
ている。ゲート配線３上には絶縁膜２ｂが形成され、さ
らにドレイン配線４が形成されている。この上層には、
絶縁膜２ｃを介してゲート配線３およびドレイン配線４
を覆うように低反射率の被覆層５ｄが形成されている。
被覆層５ｄはゲート配線３とドレイン配線４の各配線交
差部分で分断して形成されている。また、分断された被
覆層５ｄをさらに複数に分割してもよい。ここで、低反
射率の被覆層５ｄは、照射されるレーザ光の反射率が低
いもので、あれば適宜のものを用いることができ、例え
ば照射されるレーザ光を吸収するような着色透明絶縁
層、あるいは、表面が鏡面とならないように処理液等に
より粗面化された透明絶縁層などを好適に用いることが
できる。
【００１６】このようなアクティブマトリクス液晶表示
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例によれば、ゲート配線３およびドレイン配線４
上に低反射率の被覆層５ｄが設けられているため、レー
ザの表面での反射が低減され、反射率の高い配線上でも
レーザを用いた修正法により修正用の金属配線が容易に
形成できる。また、被覆層５ｄ上にレーザを用いた修正
法で修正用金属配線を形成する際に、レーザ照射によっ
て発生する熱を、被覆層５ｄの下層に設けられている絶
縁膜２ｃが断熱するため、基板上のＴＦＴ素子、絶縁
膜、金属配線、透明電極等が熱によって劣化するのを防
ぐことができる。さらにゲート配線３およびドレイン配
線４の上方に形成される被覆層５ｄおよび絶縁膜２ｃ、
２ｂを透明層で形成すると、これらゲート配線３および
ドレイン配線４を目視できる他、分断された被覆層５ｄ
の隙間からもこれらの配線を目視で観察することがで
き、外観検査や断線個所の確認をさらに容易に行なうこ
とができる。
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例によれば、ゲート配線３およびドレイン配線４
上に低反射率の被覆層５ｄが設けられているため、レー
ザの表面での反射が低減され、反射率の高い配線上でも
レーザを用いた修正法により修正用の金属配線が容易に
形成できる。また、被覆層５ｄ上にレーザを用いた修正
法で修正用金属配線を形成する際に、レーザ照射によっ
て発生する熱を、被覆層５ｄの下層に設けられている絶
縁膜２ｃが断熱するため、基板上のＴＦＴ素子、絶縁
膜、金属配線、透明電極等が熱によって劣化するのを防
ぐことができる。さらにゲート配線３およびドレイン配
線４の上方に形成される被覆層５ｄおよび絶縁膜２ｃ、
２ｂを透明層で形成すると、これらゲート配線３および
ドレイン配線４を目視できる他、分断された被覆層５ｄ
の隙間からもこれらの配線を目視で観察することがで
き、外観検査や断線個所の確認をさらに容易に行なうこ
とができる。
【００１７】本発明によるアクティブマトリクス液晶表
示装置の第４の実施例を図６を用いて説明する。図６は
本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の第４
の実施例を示す配線交差部を示したものである。図１と
同一の構成要素には同一符号を付けている。本実施例に
おいては、図６に示すように、ガラス基板１上に絶縁膜
２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成されてい
る。ゲート配線３の表面、すなわち上面および側面には
被覆層５ｅが形成されている。その上に絶縁膜２ｂが形
成され、さらにその上にドレイン配線４が形成されてい
る。ドレイン配線４の表面、すなわち上面および側面に
は、ゲート配線３と同様の構造で被覆層５ｆが形成され
ている。本実施例のような構造は、ゲート配線３および
ドレイン配線４をそれぞれ形成した後に、これらの表面
上に膜成長を行なう成膜方法等によって得られる。ここ
で、低反射率の被覆層５ｅ，５ｆは、照射されるレーザ
光の反射率が低いものであれば適宜のものを用いること
ができ、例えば照射されるレーザ光を吸収するような着
色透明絶縁層、あるいは、表面が鏡面とならないように
処理液等により粗面化された透明絶縁層などを好適に用
いることができる。
示装置の第４の実施例を図６を用いて説明する。図６は
本発明によるアクティブマトリクス液晶表示装置の第４
の実施例を示す配線交差部を示したものである。図１と
同一の構成要素には同一符号を付けている。本実施例に
おいては、図６に示すように、ガラス基板１上に絶縁膜
２ａが形成され、その上にゲート配線３が形成されてい
る。ゲート配線３の表面、すなわち上面および側面には
被覆層５ｅが形成されている。その上に絶縁膜２ｂが形
成され、さらにその上にドレイン配線４が形成されてい
る。ドレイン配線４の表面、すなわち上面および側面に
は、ゲート配線３と同様の構造で被覆層５ｆが形成され
ている。本実施例のような構造は、ゲート配線３および
ドレイン配線４をそれぞれ形成した後に、これらの表面
上に膜成長を行なう成膜方法等によって得られる。ここ
で、低反射率の被覆層５ｅ，５ｆは、照射されるレーザ
光の反射率が低いものであれば適宜のものを用いること
ができ、例えば照射されるレーザ光を吸収するような着
色透明絶縁層、あるいは、表面が鏡面とならないように
処理液等により粗面化された透明絶縁層などを好適に用
いることができる。
【００１８】このようなアクティブマトリクス液晶表示
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例によれば、ゲート配線３およびドレイン配線４
の表面に低反射率の被覆層５ｅ、５ｆが設けられている
ため、照射されたレーザの反射が低減され、反射率の高
い配線上でもレーザを用いた修正法により修正用の金属
配線が容易に、かつ確実に形成できる。また、ゲート配
線３およびドレイン配線４の表面上に形成される被覆層
を透明層で形成すると、これらゲート配線３およびドレ
イン配線４を目視で観察することができ、外観検査や断
線個所の確認を容易に行なうことが可能である。
装置において、断線が発生した場合は上記第１の実施例
と同様にして修正用金属配線を形成することができる。
本実施例によれば、ゲート配線３およびドレイン配線４
の表面に低反射率の被覆層５ｅ、５ｆが設けられている
ため、照射されたレーザの反射が低減され、反射率の高
い配線上でもレーザを用いた修正法により修正用の金属
配線が容易に、かつ確実に形成できる。また、ゲート配
線３およびドレイン配線４の表面上に形成される被覆層
を透明層で形成すると、これらゲート配線３およびドレ
イン配線４を目視で観察することができ、外観検査や断
線個所の確認を容易に行なうことが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置は、行列方向に配置された複
数の薄膜トランジスタ素子と、各行ごとに薄膜トランジ
スタ素子のゲート電極を共通に接続したゲート配線と、
各列ごとに薄膜トランジスタ素子のドレイン電極を共通
に接続したドレイン配線を備えてなるアクティブマトリ
クス液晶表示装置において、上記ゲート配線および上記
ドレイン配線の上方に低反射率の被覆層を設けてなるこ
とを特徴とするものである。したがって、ゲート配線お
よびドレイン配線上に向かってレーザを照射しても、該
被覆層によってレーザ光が反射するのを防止することが
でき、レーザの光エネルギーの損失を抑えることができ
る。すなわち、反射率が高い配線上であっても、レーザ
光を用いて確実に金属膜を形成することが可能となる。
よって配線上の修正が必要な個所に、容易に、かつ確実
に修正用の金属配線を形成することができる。さらに、
ゲート配線およびドレイン配線と低反射率の被覆層との
間に絶縁膜を介在させると、配線の修正箇所にレーザ光
を用いて修正用の金属配線を容易に、かつ確実に形成す
ることができるとともに、これらの配線上に向かってレ
ーザ光を照射することによって発生した熱が、絶縁膜に
よって遮断されるので、基板上のＴＦＴ素子、絶縁膜、
金属配線、透明電極等に対する熱的悪影響を低減させる
ことができる。
ブマトリクス液晶表示装置は、行列方向に配置された複
数の薄膜トランジスタ素子と、各行ごとに薄膜トランジ
スタ素子のゲート電極を共通に接続したゲート配線と、
各列ごとに薄膜トランジスタ素子のドレイン電極を共通
に接続したドレイン配線を備えてなるアクティブマトリ
クス液晶表示装置において、上記ゲート配線および上記
ドレイン配線の上方に低反射率の被覆層を設けてなるこ
とを特徴とするものである。したがって、ゲート配線お
よびドレイン配線上に向かってレーザを照射しても、該
被覆層によってレーザ光が反射するのを防止することが
でき、レーザの光エネルギーの損失を抑えることができ
る。すなわち、反射率が高い配線上であっても、レーザ
光を用いて確実に金属膜を形成することが可能となる。
よって配線上の修正が必要な個所に、容易に、かつ確実
に修正用の金属配線を形成することができる。さらに、
ゲート配線およびドレイン配線と低反射率の被覆層との
間に絶縁膜を介在させると、配線の修正箇所にレーザ光
を用いて修正用の金属配線を容易に、かつ確実に形成す
ることができるとともに、これらの配線上に向かってレ
ーザ光を照射することによって発生した熱が、絶縁膜に
よって遮断されるので、基板上のＴＦＴ素子、絶縁膜、
金属配線、透明電極等に対する熱的悪影響を低減させる
ことができる。
【図１】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における配線交差部の断面図である。
装置における配線交差部の断面図である。
【図２】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における１画素の構成図である。
装置における１画素の構成図である。
【図３】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における断線部の欠陥修正例を示すもので（ａ）は
上面図、（ｂ）は断面図である。
装置における断線部の欠陥修正例を示すもので（ａ）は
上面図、（ｂ）は断面図である。
【図４】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における第２の実施例を示す配線交差部の断面斜視
図である。
装置における第２の実施例を示す配線交差部の断面斜視
図である。
【図５】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における第３の実施例を示す配線交差部の断面斜視
図である。
装置における第３の実施例を示す配線交差部の断面斜視
図である。
【図６】 本発明によるアクティブマトリクス液晶表示
装置における第４の実施例を示す配線交差部の断面図で
ある。
装置における第４の実施例を示す配線交差部の断面図で
ある。
２ａ，２ｂ，２ｃ…絶縁膜、 ３…ゲート配線、 ４…ドレイン配線、 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ…被覆層、 １０…ドレイン電極 １２…ゲート電極
Claims (6)
- 【請求項１】 行列方向に配置された複数の薄膜トラン
ジスタ素子と、各行ごとに薄膜トランジスタ素子のゲー
ト電極を共通に接続したゲート配線と、各列ごとに薄膜
トランジスタ素子のドレイン電極を共通に接続したドレ
イン配線を備えてなるアクティブマトリクス液晶表示装
置において、上記ゲート配線および上記ドレイン配線の
上方に低反射率の被覆層を設けてなることを特徴とする
アクティブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項２】 上記ゲート配線およびドレイン配線を、
低反射率の被覆層を有する多層配線構造としたことを特
徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス液晶表示
装置。 - 【請求項３】 上記ゲート配線およびドレイン配線上に
それぞれ低反射率の被覆層を積層してなることを特徴と
する請求項２記載のアクティブマトリクス液晶表示装
置。 - 【請求項４】 上記ゲート配線の上方に設けられる低反
射率の被覆層と上記ドレイン配線の上方に設けられる低
反射率の被覆層とが同一層内に形成されていることを特
徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス液晶表示
装置。 - 【請求項５】 上記ゲート配線およびドレイン配線の上
方に絶縁膜を介して低反射率の被覆層を設けてなること
を特徴とする請求項１、２または４のいずれかに記載の
アクティブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項６】 上記ゲート配線およびドレイン配線の表
面上に低反射率の被覆層を設けてなることを特徴とする
請求項１記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25105894A JPH08114819A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25105894A JPH08114819A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08114819A true JPH08114819A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17217002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25105894A Pending JPH08114819A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08114819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403150C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 主动矩阵型液晶显示装置 |
| JP2009076722A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sony Corp | 回路基板、表示装置及び回路基板のリペア方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156382A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 |
| JPH0219838A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの修正法 |
| JPH02157828A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Hosiden Electron Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH05257155A (ja) * | 1993-02-18 | 1993-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
-
1994
- 1994-10-17 JP JP25105894A patent/JPH08114819A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156382A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 |
| JPH0219838A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの修正法 |
| JPH02157828A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Hosiden Electron Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH05257155A (ja) * | 1993-02-18 | 1993-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403150C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 主动矩阵型液晶显示装置 |
| JP2009076722A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sony Corp | 回路基板、表示装置及び回路基板のリペア方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971111 |