JPS6156382A - 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法Info
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- JPS6156382A JPS6156382A JP59179049A JP17904984A JPS6156382A JP S6156382 A JPS6156382 A JP S6156382A JP 59179049 A JP59179049 A JP 59179049A JP 17904984 A JP17904984 A JP 17904984A JP S6156382 A JPS6156382 A JP S6156382A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、薄膜トランジスター（以後ＴＰＴと記す）
表示パネルの欠陥修正方法に関する。
表示パネルの欠陥修正方法に関する。
（従来技術）
ＴＰＴ ）ランジスタアレイを平坦な基板上に、約数万
から１０万個形成し、ＸＹ電極群に選択的に信号を送シ
、各画素を駆動させる、ＴＰＴ表示パネルの開発が行わ
れている。第３図はこの種の表示パネルの縦断面図であ
υ、特にパネルのエツジ部を明示した。第５図２１．２
２は透明な基板、２３は表示用液晶層、２４は、ゲート
電極、ゲート絶縁膜、半導体層、リース電極、ドレイン
電極からなるＴＰＴであり、２５は画素表示用透明電極
、２６は外部駆動回路と接続するための引き出し電極、
２７は液晶層ギャップ保持および液晶封入用シール材で
ある。
から１０万個形成し、ＸＹ電極群に選択的に信号を送シ
、各画素を駆動させる、ＴＰＴ表示パネルの開発が行わ
れている。第３図はこの種の表示パネルの縦断面図であ
υ、特にパネルのエツジ部を明示した。第５図２１．２
２は透明な基板、２３は表示用液晶層、２４は、ゲート
電極、ゲート絶縁膜、半導体層、リース電極、ドレイン
電極からなるＴＰＴであり、２５は画素表示用透明電極
、２６は外部駆動回路と接続するための引き出し電極、
２７は液晶層ギャップ保持および液晶封入用シール材で
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
ＴＦＴアレイの製造方法は、透明基板上に、１０００Ｘ
〜８０００Ｘの薄膜全組、絶縁膜、半導体層などを薄膜
製造装置によって、４〜８層積み重ねる方法である。こ
のような方法での問題点は、数千Ｘの段差上に、導電性
金属例えばアルミニウムを数千Ｘ形成する場合、アルミ
ニウムの段切れが生じ、電気的接続がとれないために、
画素欠陥となることが多々発生する。また、第２の問題
点ば、金３、金属間の多層配線において、上下金属間で
電気的接続を行う場合、プロセス途中で大気との接触、
酸類などの薬液との接触によって、下側金属の表面に絶
縁性の酸化膜が形成され、そのために、上側金属と下側
金属との電気的接続が損なわれることがある。これは、
表示パネルのライン欠陥や、点欠陥となシ、ＴＰＴ表示
パネルの製造歩留り低下の大きな原因である。
〜８０００Ｘの薄膜全組、絶縁膜、半導体層などを薄膜
製造装置によって、４〜８層積み重ねる方法である。こ
のような方法での問題点は、数千Ｘの段差上に、導電性
金属例えばアルミニウムを数千Ｘ形成する場合、アルミ
ニウムの段切れが生じ、電気的接続がとれないために、
画素欠陥となることが多々発生する。また、第２の問題
点ば、金３、金属間の多層配線において、上下金属間で
電気的接続を行う場合、プロセス途中で大気との接触、
酸類などの薬液との接触によって、下側金属の表面に絶
縁性の酸化膜が形成され、そのために、上側金属と下側
金属との電気的接続が損なわれることがある。これは、
表示パネルのライン欠陥や、点欠陥となシ、ＴＰＴ表示
パネルの製造歩留り低下の大きな原因である。
本発明は、上記の表示欠陥パネルの欠陥部分を修正し、
製造歩留９を向上させ、製造コストの大幅低下を目的と
する。
製造歩留９を向上させ、製造コストの大幅低下を目的と
する。
（問題点を解決するだめの手段）
上記問題点を解決するために、導電性金属の段差被膜性
不良による段切れ部分、また、金属表面上の酸化膜によ
る金属間の導電性不良部分に、レーザー光線を照射して
、金属薄膜を局部的に溶解１．１ して導通不良
を回復するようにした。
不良による段切れ部分、また、金属表面上の酸化膜によ
る金属間の導電性不良部分に、レーザー光線を照射して
、金属薄膜を局部的に溶解１．１ して導通不良
を回復するようにした。
（作 用）
本発明による電極の電気的接続不良部の修正方法は、Ｔ
ＦＴアレイの製造プロセス途中で随時、他の画素部分に
悪影響をあたえないで実施できること。また、ＴＦＴア
レイを形成し、液晶注入後の完成品の動作試験時で始め
て発見された、電極間導通不良によるライン欠陥や、画
素の点欠陥についても、透明基板によって吸収されない
波長のレーザー光線を使って、金属間の導通不良を回復
することができる。そのだめに、製造歩留りが、大幅に
向上した。
ＦＴアレイの製造プロセス途中で随時、他の画素部分に
悪影響をあたえないで実施できること。また、ＴＦＴア
レイを形成し、液晶注入後の完成品の動作試験時で始め
て発見された、電極間導通不良によるライン欠陥や、画
素の点欠陥についても、透明基板によって吸収されない
波長のレーザー光線を使って、金属間の導通不良を回復
することができる。そのだめに、製造歩留りが、大幅に
向上した。
（実施例）
次に本発明によるＴＰＴ表示パイ・ルの製造方法につい
て図面によって詳細に説明する。
て図面によって詳細に説明する。
第１図は、本発明によるＴＰＴ表示パネルの製造方法、
とくに電極の段切れの修正方法について、ＴＰＴの縦断
面図を用いて概念的に示しだ図である。第１図、１は基
板、２はゲート電極であシ、スパッターになってクロム
を１００ＯＡ形成した。
とくに電極の段切れの修正方法について、ＴＰＴの縦断
面図を用いて概念的に示しだ図である。第１図、１は基
板、２はゲート電極であシ、スパッターになってクロム
を１００ＯＡ形成した。
３はゲート酸化膜、４は半導体層であり、水素化
、！アモルファスシリコン、５は酸化膜であり、それ
ぞれプラズマＣｖＤによって作成し、各層の膜厚−スミ
極、７はドレーン電極、９は画素用透明電極であり、ソ
ースとドレーン電極はアルミニウムをスパッターによっ
て６００ＯＡ形成した。透明電極は工ＴＯ５００Ａ形成
した。８はｎ アモルファスシリコン層であシ、半導体
層４とアルミニウム電極６．７との電気的接続を得るた
めに形成した。ソース電極６は画素電極９と電気的に接
続していなければならないが、第１図では、半導体層と
酸化膜合計６００ＯＡの段差において、アルミニウムの
被膜性が悪く、段切れが発生している。したがってこの
部分は画素の点欠陥となる。これを修正するために、Ｙ
ＡＧレーザー発生機９によって、レーザー光を５〜１０
μｍのビームに絞シ、アルミニウムの断切れ部に照射し
た。この結果、断切れ部のアルミニウムは局部的に溶解
し、電気的に接続した。ＹＡＧレーザーのパワーは約１
０ワツト、照射時間は１秒以下で行うことにより、基板
や、半導体層の膜質は全く変化しない。
、！アモルファスシリコン、５は酸化膜であり、それ
ぞれプラズマＣｖＤによって作成し、各層の膜厚−スミ
極、７はドレーン電極、９は画素用透明電極であり、ソ
ースとドレーン電極はアルミニウムをスパッターによっ
て６００ＯＡ形成した。透明電極は工ＴＯ５００Ａ形成
した。８はｎ アモルファスシリコン層であシ、半導体
層４とアルミニウム電極６．７との電気的接続を得るた
めに形成した。ソース電極６は画素電極９と電気的に接
続していなければならないが、第１図では、半導体層と
酸化膜合計６００ＯＡの段差において、アルミニウムの
被膜性が悪く、段切れが発生している。したがってこの
部分は画素の点欠陥となる。これを修正するために、Ｙ
ＡＧレーザー発生機９によって、レーザー光を５〜１０
μｍのビームに絞シ、アルミニウムの断切れ部に照射し
た。この結果、断切れ部のアルミニウムは局部的に溶解
し、電気的に接続した。ＹＡＧレーザーのパワーは約１
０ワツト、照射時間は１秒以下で行うことにより、基板
や、半導体層の膜質は全く変化しない。
第２図は、本発明によるＴＰＴ表示パネルの製造方法の
一実施例を示し、外部回路との接続用電極引き出し部の
電極間の電気的接続方法を概念的に示した縦断面図であ
る。１は基板、２はゲート電極であり、クロム５００Ａ
をスパッターによって形成した。３はＴ１１’Ｔ製造プ
ロセス途中で形成されたクロムの自然酸化膜を示し、き
わめて薄い。
一実施例を示し、外部回路との接続用電極引き出し部の
電極間の電気的接続方法を概念的に示した縦断面図であ
る。１は基板、２はゲート電極であり、クロム５００Ａ
をスパッターによって形成した。３はＴ１１’Ｔ製造プ
ロセス途中で形成されたクロムの自然酸化膜を示し、き
わめて薄い。
１１は外部回路との接続用ボンデングバットでありアリ
ミニラムをスパッターによって６００ＯＡ形成した。１
３は外部回路接続用ワイヤー、１２はボンディング部で
ある。クロムの自然酸化膜によって、ゲート電極２とパ
ッド電極１１はオーミックコンタクトが得られていない
。これを基板の裏面からＹＡＧレーザー発生機９によっ
てレーザービーム１０を照射し、局部的にクロム電極を
溶解して自然酸化膜を破壊し、電気的な接続（オーミッ
クコンタクト）を得た。ＹＡＧレーザーの波長は約１μ
ｍであシ、さらにクロム′ＥＩ″Ｌ極の表面上でレーザ
ービーム径が最小となるように照射するだめ、透明基板
はほとんど加熱されず、クロム電極のみ加熱される。
ミニラムをスパッターによって６００ＯＡ形成した。１
３は外部回路接続用ワイヤー、１２はボンディング部で
ある。クロムの自然酸化膜によって、ゲート電極２とパ
ッド電極１１はオーミックコンタクトが得られていない
。これを基板の裏面からＹＡＧレーザー発生機９によっ
てレーザービーム１０を照射し、局部的にクロム電極を
溶解して自然酸化膜を破壊し、電気的な接続（オーミッ
クコンタクト）を得た。ＹＡＧレーザーの波長は約１μ
ｍであシ、さらにクロム′ＥＩ″Ｌ極の表面上でレーザ
ービーム径が最小となるように照射するだめ、透明基板
はほとんど加熱されず、クロム電極のみ加熱される。
また、上記実施例では示さなかったが、レーザ−光源は
、ＹＡＧの他にＨｅ−Ｎｅレーザー、炭酸ガスレーザー
等を使用することができる。また、表示パネルを組立て
後、液晶層を通してレーザー修正を行うことができるこ
とはもちろんである。
、ＹＡＧの他にＨｅ−Ｎｅレーザー、炭酸ガスレーザー
等を使用することができる。また、表示パネルを組立て
後、液晶層を通してレーザー修正を行うことができるこ
とはもちろんである。
（発明の効果）
以上述べて全だように、本発明によるＴＰＴ表示パネル
の製造方法によれば、製造プロセス途中で、電極の段切
れなどの原因による接続不良が発生したときに、ＴＦＴ
アレイの他の部分に悪影響をあたえないで、レーザー光
を照射することによって・修正回復ができること、また
、表示パネル完成後に発見された電気的接続不良による
表示画像の線欠陥を、パネルを分解することなく外部か
ら透明基板を通してレーザー光で修正することができる
ために、ＴＰＴ表示パネルの製造歩留）が大幅に向上し
、そのためにコストダウンができると１．１ い
うすぐれた効果を有する。
の製造方法によれば、製造プロセス途中で、電極の段切
れなどの原因による接続不良が発生したときに、ＴＦＴ
アレイの他の部分に悪影響をあたえないで、レーザー光
を照射することによって・修正回復ができること、また
、表示パネル完成後に発見された電気的接続不良による
表示画像の線欠陥を、パネルを分解することなく外部か
ら透明基板を通してレーザー光で修正することができる
ために、ＴＰＴ表示パネルの製造歩留）が大幅に向上し
、そのためにコストダウンができると１．１ い
うすぐれた効果を有する。
第１図は本発明によるＴＰＴ表示パネルの製造方法を示
す一寅施例、第２図は本発明の一実施例、第５図は、Ｔ
ＰＴ表示パイ・ルの縦断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・ゲー
ト電極５・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・
・半導体膜５・・・・・・酸化膜 ６・・・
・・・ンース電極７・・・・・・ドレイン電極
８・・・・・・ｎａ−８１９・・・・・・レーザー発生
機 １０・・・レーザービー１１・・・ワイヤー
ム１２・・・ボンド部 ２１・・
・下側透明基板２２・・・上側透明基板 ２３・・
・液晶層２４ ・・・ ＴＰＴ ２５・・・表示用透明１５．極 ２６・・・引き出し
電極２７・・・シール材 以 上
す一寅施例、第２図は本発明の一実施例、第５図は、Ｔ
ＰＴ表示パイ・ルの縦断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・ゲー
ト電極５・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・
・半導体膜５・・・・・・酸化膜 ６・・・
・・・ンース電極７・・・・・・ドレイン電極
８・・・・・・ｎａ−８１９・・・・・・レーザー発生
機 １０・・・レーザービー１１・・・ワイヤー
ム１２・・・ボンド部 ２１・・
・下側透明基板２２・・・上側透明基板 ２３・・
・液晶層２４ ・・・ ＴＰＴ ２５・・・表示用透明１５．極 ２６・・・引き出し
電極２７・・・シール材 以 上
Claims (1)
- 基板上に形成した薄膜トランジスター、該薄膜トランジ
スター駆動用電極、表示用電極、表示部などから成る薄
膜トランジスター表示パネルの製造方法において、前記
電極の電気的断線部にレーザー光線を照射し、局部的に
電極を溶解して電気的に接続することを特徴とする薄膜
トランジスター表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179049A JPS6156382A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179049A JPS6156382A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156382A true JPS6156382A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16059227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179049A Pending JPS6156382A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 薄膜トランジスタ−表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156382A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183481A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-28 | 三菱電機株式会社 | 回路基板およびその修復方法 |
| JPS63205638A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶デイスプレイの欠陥修正方法 |
| JPS63216091A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型表示装置 |
| JPH03133135A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Nec Corp | 薄膜集積回路の配線接続方法 |
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| JPH04229831A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| US5151807A (en) * | 1989-01-31 | 1992-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and active matrix display apparatus |
| US5164851A (en) * | 1990-02-05 | 1992-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having spare switching elements connectable to divisional subpixel electrodes |
| JPH08114819A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | G T C:Kk | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581914A (ja) * | 1981-04-27 | 1983-01-07 | 池田 毅 | 透明パタ−ン電極の製造方法 |
| JPS59101693A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示装置の画像欠陥救済方法 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59179049A patent/JPS6156382A/ja active Pending
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