JPH08116138A - 半導体レーザ素子の冷却装置 - Google Patents
半導体レーザ素子の冷却装置Info
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- JPH08116138A JPH08116138A JP6277079A JP27707994A JPH08116138A JP H08116138 A JPH08116138 A JP H08116138A JP 6277079 A JP6277079 A JP 6277079A JP 27707994 A JP27707994 A JP 27707994A JP H08116138 A JPH08116138 A JP H08116138A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ素子及びレーザ光出射面の放
熱，冷却が促進され、その結果大出力化のために電流量
を多く流しても素子の温度上昇が少なく、効率の低下，
発振波長の変化，寿命の短縮等の特性悪化を起こすこと
がない半導体レーザ素子の冷却装置を提供する。 【構成】 透明なレーザ光出射窓６を有し、内部に半導
体レーザ素子１をレーザ光３がレーザ光出射窓６を通し
て出射する位置に設置させた筐体５と、筐体５内部に、
半導体レーザ素子１及びそのレーザ光出射面２を冷却す
るために、液体注入口８から注入され液体排出口９から
排出されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体７
とからなっている。
熱，冷却が促進され、その結果大出力化のために電流量
を多く流しても素子の温度上昇が少なく、効率の低下，
発振波長の変化，寿命の短縮等の特性悪化を起こすこと
がない半導体レーザ素子の冷却装置を提供する。 【構成】 透明なレーザ光出射窓６を有し、内部に半導
体レーザ素子１をレーザ光３がレーザ光出射窓６を通し
て出射する位置に設置させた筐体５と、筐体５内部に、
半導体レーザ素子１及びそのレーザ光出射面２を冷却す
るために、液体注入口８から注入され液体排出口９から
排出されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体７
とからなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子の冷却
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子では、温度上昇により
発振出力の低下，効率の低下，発振波長の変化，寿命の
短縮等の特性悪化が起こり、またレーザ光出射面の温度
上昇によりその熱的損傷が起こる。そこで半導体レーザ
装置では一般に、大出力化，高効率化，発振波長安定
化，長寿命化のために、半導体レーザ素子及びそのレー
ザ光出射面の温度が上昇しないように、素子で生じた熱
を放熱し冷却する必要がある。図４斜視図に従来の冷却
法の一例を示すと、半導体レーザ素子１で生成した熱
は、伝熱部２０で放熱部２１（ヒートシンク，ペルチェ
素子等）に伝熱され、空気中等に放出される。レーザ光
３を出すレーザ光出射面２の熱は、素子１，伝熱部２０
を通しての熱伝導と面に接する空気への熱伝達によって
しか放熱されない。また図５斜視図に従来の冷却法の他
の例を示すと、半導体レーザ素子１で生成した熱は、伝
熱部２０に伝わり、その中に作られた流路２２を流れる
冷却液２３に放熱される。レーザ光出射面２の熱は、素
子１，伝熱部２０を通してしか放熱されない。更に図６
斜視図に従来の冷却法の別の例を示すと、複数の半導体
レーザ素子１を並べたアレイ型半導体レーザ装置では、
素子１で生じた熱を伝熱部２０で放熱部２１に伝熱し、
放熱部２１から放熱を行う。このとき放熱部２１が放熱
に必要な面積を充分持つように素子間隔を設定する必要
がある。レーザ光出射面２の熱は、素子１，伝熱部２０
を通しての熱伝導と面に接する空気への熱伝達によって
しか放熱されない。
発振出力の低下，効率の低下，発振波長の変化，寿命の
短縮等の特性悪化が起こり、またレーザ光出射面の温度
上昇によりその熱的損傷が起こる。そこで半導体レーザ
装置では一般に、大出力化，高効率化，発振波長安定
化，長寿命化のために、半導体レーザ素子及びそのレー
ザ光出射面の温度が上昇しないように、素子で生じた熱
を放熱し冷却する必要がある。図４斜視図に従来の冷却
法の一例を示すと、半導体レーザ素子１で生成した熱
は、伝熱部２０で放熱部２１（ヒートシンク，ペルチェ
素子等）に伝熱され、空気中等に放出される。レーザ光
３を出すレーザ光出射面２の熱は、素子１，伝熱部２０
を通しての熱伝導と面に接する空気への熱伝達によって
しか放熱されない。また図５斜視図に従来の冷却法の他
の例を示すと、半導体レーザ素子１で生成した熱は、伝
熱部２０に伝わり、その中に作られた流路２２を流れる
冷却液２３に放熱される。レーザ光出射面２の熱は、素
子１，伝熱部２０を通してしか放熱されない。更に図６
斜視図に従来の冷却法の別の例を示すと、複数の半導体
レーザ素子１を並べたアレイ型半導体レーザ装置では、
素子１で生じた熱を伝熱部２０で放熱部２１に伝熱し、
放熱部２１から放熱を行う。このとき放熱部２１が放熱
に必要な面積を充分持つように素子間隔を設定する必要
がある。レーザ光出射面２の熱は、素子１，伝熱部２０
を通しての熱伝導と面に接する空気への熱伝達によって
しか放熱されない。
【０００３】このように従来法では、半導体レーザ素子
１で生じた熱の放熱に固体の熱伝導及び空冷を用いてい
るため、放熱量に限界があり、十分な放熱，冷却がむず
かしく、温度制御もむずかしい。このため、半導体レー
ザ素子１の温度上昇と温度不安定による発振出力の低
下，効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特性
悪化が問題となっている。またレーザ光出射面２の直接
の冷却も素子本体と同様、固体の熱伝導及び空冷を用い
ているため、放熱量に限界があり、十分な放熱，冷却が
むずかしい。このため、レーザ光出射面２の温度上昇に
よるその熱的損傷が問題となっている。なお従来法で
は、放熱のための大きな部品を発振部付近に配置しなけ
ればならず、構造が複雑になりがちであり、特に複数の
半導体レーザ素子１を並べたアレイ型半導体レーザ装置
では、放熱に必要な面積を十分に取る必要性のため素子
間隔を小さくできない。
１で生じた熱の放熱に固体の熱伝導及び空冷を用いてい
るため、放熱量に限界があり、十分な放熱，冷却がむず
かしく、温度制御もむずかしい。このため、半導体レー
ザ素子１の温度上昇と温度不安定による発振出力の低
下，効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特性
悪化が問題となっている。またレーザ光出射面２の直接
の冷却も素子本体と同様、固体の熱伝導及び空冷を用い
ているため、放熱量に限界があり、十分な放熱，冷却が
むずかしい。このため、レーザ光出射面２の温度上昇に
よるその熱的損傷が問題となっている。なお従来法で
は、放熱のための大きな部品を発振部付近に配置しなけ
ればならず、構造が複雑になりがちであり、特に複数の
半導体レーザ素子１を並べたアレイ型半導体レーザ装置
では、放熱に必要な面積を十分に取る必要性のため素子
間隔を小さくできない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑みて提案されたもので、半導体レーザ素子及び
レーザ光出射面の放熱，冷却が促進され、その結果大出
力化のために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少
なく、効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特
性悪化を起こすことなく、またレーザ光出射面の温度上
昇による熱的損傷もなく、発振出力の向上を図ることが
できる半導体レーザ素子の冷却装置を提供することを目
的とする。
事情に鑑みて提案されたもので、半導体レーザ素子及び
レーザ光出射面の放熱，冷却が促進され、その結果大出
力化のために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少
なく、効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特
性悪化を起こすことなく、またレーザ光出射面の温度上
昇による熱的損傷もなく、発振出力の向上を図ることが
できる半導体レーザ素子の冷却装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そのために本発明は、透
明なレーザ光出射窓を有し内部に半導体レーザ素子をレ
ーザ光が上記レーザ光出射窓を通して出射する位置に設
置させた筐体と、上記筐体内部に上記半導体レーザ素子
を冷却するため注入されるレーザ発振波長において透明
な絶縁性液体とからなることを特徴とする。
明なレーザ光出射窓を有し内部に半導体レーザ素子をレ
ーザ光が上記レーザ光出射窓を通して出射する位置に設
置させた筐体と、上記筐体内部に上記半導体レーザ素子
を冷却するため注入されるレーザ発振波長において透明
な絶縁性液体とからなることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明半導体レーザ素子の冷却装置において
は、半導体レーザ素子の周囲全体に直接冷却用の絶縁性
液体を流し強制冷却するために、素子の放熱，冷却が効
率よく行われ、またレーザ光出射面にも直接液体が接触
して強制冷却が行われ、レーザ光出射面の温度上昇が抑
えられる。更に素子付近に大きな放熱用部品をとりつけ
る必要がなくなり、特に複数の半導体レーザ素子を並べ
たアレイ型半導体レーザ装置では、放熱に必要な面積に
制限されることがなくなる。なお半導体レーザ素子の周
辺に制御された低温度の液体を強制的に流すことによ
り、半導体レーザ素子を安定に冷却し、またその液体を
外部に取り出すことによって外部で冷却して温度制御を
することができる。なお更に冷却用絶縁性液体としてレ
ーザ光出射窓と同じ屈折率の液体を用いた場合、出射窓
内面での反射を防ぐことができる。
は、半導体レーザ素子の周囲全体に直接冷却用の絶縁性
液体を流し強制冷却するために、素子の放熱，冷却が効
率よく行われ、またレーザ光出射面にも直接液体が接触
して強制冷却が行われ、レーザ光出射面の温度上昇が抑
えられる。更に素子付近に大きな放熱用部品をとりつけ
る必要がなくなり、特に複数の半導体レーザ素子を並べ
たアレイ型半導体レーザ装置では、放熱に必要な面積に
制限されることがなくなる。なお半導体レーザ素子の周
辺に制御された低温度の液体を強制的に流すことによ
り、半導体レーザ素子を安定に冷却し、またその液体を
外部に取り出すことによって外部で冷却して温度制御を
することができる。なお更に冷却用絶縁性液体としてレ
ーザ光出射窓と同じ屈折率の液体を用いた場合、出射窓
内面での反射を防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】本発明半導体レーザ素子の冷却装置の実施例
を図面について説明すると、図１は単数の半導体レーザ
素子を対象とした第１実施例の斜視図、図２は複数の半
導体レーザ素子を対象とした第２実施例の斜視図、図３
は同上の変形した第３実施例の斜視図である。まず図１
の第１実施例において、レーザ光出射面２からレーザ光
３を出す１個の半導体レーザ素子１は、銅製の放熱板を
兼ねる支柱４で固定されたうえ、円筒状の筐体５の内部
に設置されており、この筐体５には、レーザ光出射面２
に対向する位置にガラス，石英等透明な物質で作られた
レーザ光出射窓６が設けられている。また筐体５には、
レーザ発振波長において透明な絶縁性液体７、例えば純
水，フロン，代替フロン，標準屈折液等を内部に注入す
る液体注入口８と、この絶縁性液体７の液体流れ７′を
外部へ排出する液体排出口９とが設けられている。
を図面について説明すると、図１は単数の半導体レーザ
素子を対象とした第１実施例の斜視図、図２は複数の半
導体レーザ素子を対象とした第２実施例の斜視図、図３
は同上の変形した第３実施例の斜視図である。まず図１
の第１実施例において、レーザ光出射面２からレーザ光
３を出す１個の半導体レーザ素子１は、銅製の放熱板を
兼ねる支柱４で固定されたうえ、円筒状の筐体５の内部
に設置されており、この筐体５には、レーザ光出射面２
に対向する位置にガラス，石英等透明な物質で作られた
レーザ光出射窓６が設けられている。また筐体５には、
レーザ発振波長において透明な絶縁性液体７、例えば純
水，フロン，代替フロン，標準屈折液等を内部に注入す
る液体注入口８と、この絶縁性液体７の液体流れ７′を
外部へ排出する液体排出口９とが設けられている。
【０００８】このような装置において、液体注入口８か
ら筐体５内に注入される絶縁性液体７は、半導体レーザ
素子１の周囲に液体流れ７′となって流れ半導体レーザ
素子１を強制的に冷却するとともに、レーザ光出射面２
にも直接接触してその放熱，冷却も行い、液体排出口９
から排出され外部の熱交換部で熱を大気中に放熱する。
この際筐体５のレーザ光出射窓６とレーザ光出射面２と
の間は空気の泡が混ざらないよう絶縁性液体７を満たす
ようにすれば、絶縁性液体７と空気との境界面によるレ
ーザ光３の散乱が起こらないようにすることができる。
更に絶縁性液体７にレーザ光出射窓６とほゞ同じ屈折率
1.3 の液体（標準屈折液）を用いれば、レーザ光出射窓
６内面での反射損失が約４％減少し、出射されるレーザ
光３が増加する。なおこの実施例では絶縁性液体７を液
体流れ７′として筐体５内部を流したが、絶縁性液体７
を筐体５に満たすのみとした場合でも、半導体レーザ素
子１の熱が液体７を通して筐体５に伝達され、液体７が
ない場合と比べて半導体レーザ素子１の放熱が効率よく
なり、レーザ光出射窓６での反射がないこととあわせて
レーザ出力の増加に寄与する。
ら筐体５内に注入される絶縁性液体７は、半導体レーザ
素子１の周囲に液体流れ７′となって流れ半導体レーザ
素子１を強制的に冷却するとともに、レーザ光出射面２
にも直接接触してその放熱，冷却も行い、液体排出口９
から排出され外部の熱交換部で熱を大気中に放熱する。
この際筐体５のレーザ光出射窓６とレーザ光出射面２と
の間は空気の泡が混ざらないよう絶縁性液体７を満たす
ようにすれば、絶縁性液体７と空気との境界面によるレ
ーザ光３の散乱が起こらないようにすることができる。
更に絶縁性液体７にレーザ光出射窓６とほゞ同じ屈折率
1.3 の液体（標準屈折液）を用いれば、レーザ光出射窓
６内面での反射損失が約４％減少し、出射されるレーザ
光３が増加する。なおこの実施例では絶縁性液体７を液
体流れ７′として筐体５内部を流したが、絶縁性液体７
を筐体５に満たすのみとした場合でも、半導体レーザ素
子１の熱が液体７を通して筐体５に伝達され、液体７が
ない場合と比べて半導体レーザ素子１の放熱が効率よく
なり、レーザ光出射窓６での反射がないこととあわせて
レーザ出力の増加に寄与する。
【０００９】次に図２の第２実施例において、横一列に
アレイ状に並んだ複数の半導体レーザ素子１１は銅製の
放熱板を兼ねる支柱１４の列でそれぞれ固定されたう
え、長方箱状の筐体１５の内部に設置されており、この
筐体１５には、レーザ光出射面１２の列に対向する位置
に透明な物質で作られたレーザ光出射窓１６が設けられ
るとともに、レーザ発振波長において透明な絶縁性液体
１７を内部に注入する液体注入口１８と、液体流れ１
７′を外部へ排出する液体排出口１９とが設けられてい
る。このような装置において、液体注入口１８から筐体
１５内に注入される絶縁性液体１７は、アレイ状の半導
体レーザ素子１１の周囲に液体流れ１７′となって流
れ、各半導体レーザ素子１１を強制的に冷却するととも
に、各レーザ光出射面１２にも直接接触して放熱，冷却
を行い、液体排出口１９から排出され外部の熱交換部で
熱を大気中に放熱する。
アレイ状に並んだ複数の半導体レーザ素子１１は銅製の
放熱板を兼ねる支柱１４の列でそれぞれ固定されたう
え、長方箱状の筐体１５の内部に設置されており、この
筐体１５には、レーザ光出射面１２の列に対向する位置
に透明な物質で作られたレーザ光出射窓１６が設けられ
るとともに、レーザ発振波長において透明な絶縁性液体
１７を内部に注入する液体注入口１８と、液体流れ１
７′を外部へ排出する液体排出口１９とが設けられてい
る。このような装置において、液体注入口１８から筐体
１５内に注入される絶縁性液体１７は、アレイ状の半導
体レーザ素子１１の周囲に液体流れ１７′となって流
れ、各半導体レーザ素子１１を強制的に冷却するととも
に、各レーザ光出射面１２にも直接接触して放熱，冷却
を行い、液体排出口１９から排出され外部の熱交換部で
熱を大気中に放熱する。
【００１０】続いて図３の第３実施例において、第２実
施例と同様に、横一列にアレイ状に並んだ複数の半導体
レーザ素子１１が長方箱状の筐体１５の内部に設置され
るとともに、透明な物質製のレーザ光出射窓１６が設け
られるが、この場合には、筐体１５内へレーザ発振波長
において透明な絶縁性液体１７を注入するために、半導
体レーザ素子１１の数に応じた複数の液体注入口１８ａ
が各半導体レーザ素子１１のレーザ光出射面１２に向け
て設けられている。しかしてこのような装置において
は、各液体注入口１８ａから筐体１５内に注入される絶
縁性液体１７は、特に温度が上昇する各レーザ光出射面
１２に向けて高速で流れ、各半導体レーザ素子１１特に
そのレーザ光出射面１２を強制的に冷却し、液体排出口
１９から排出され外部の熱交換部で熱を大気中に放熱し
て冷却され、液体注入口１８ａに戻って再度半導体レー
ザ素子１１の冷却に用いられる。この場合、循環される
絶縁性液体１７は外部の冷却器で温度が一定に制御され
て、半導体レーザ素子１１の温度は精度よく一定に制御
され、これによりレーザ光１３の出力及び発振波長が一
定に保たれる。なお絶縁性液体１７はレーザ光出射窓１
６にも直接接触しているので、その放熱，冷却も行われ
る。
施例と同様に、横一列にアレイ状に並んだ複数の半導体
レーザ素子１１が長方箱状の筐体１５の内部に設置され
るとともに、透明な物質製のレーザ光出射窓１６が設け
られるが、この場合には、筐体１５内へレーザ発振波長
において透明な絶縁性液体１７を注入するために、半導
体レーザ素子１１の数に応じた複数の液体注入口１８ａ
が各半導体レーザ素子１１のレーザ光出射面１２に向け
て設けられている。しかしてこのような装置において
は、各液体注入口１８ａから筐体１５内に注入される絶
縁性液体１７は、特に温度が上昇する各レーザ光出射面
１２に向けて高速で流れ、各半導体レーザ素子１１特に
そのレーザ光出射面１２を強制的に冷却し、液体排出口
１９から排出され外部の熱交換部で熱を大気中に放熱し
て冷却され、液体注入口１８ａに戻って再度半導体レー
ザ素子１１の冷却に用いられる。この場合、循環される
絶縁性液体１７は外部の冷却器で温度が一定に制御され
て、半導体レーザ素子１１の温度は精度よく一定に制御
され、これによりレーザ光１３の出力及び発振波長が一
定に保たれる。なお絶縁性液体１７はレーザ光出射窓１
６にも直接接触しているので、その放熱，冷却も行われ
る。
【００１１】かくしてこのような実施例装置によれば、
単数又は複数の半導体レーザ素子１，１１を絶縁性液体
７，１７中に直接浸け置き、又はその液体７，１７を流
すことにより、半導体レーザ素子１，１１及びそのレー
ザ光出射面２，１２の放熱，冷却が促進され、その結果
大出力化のために電流量を多く流しても半導体レーザ素
子１，１１の温度上昇が少なく、効率の低下，発振波長
の変化，寿命の短縮等の特性悪化を起こすことなく、ま
たレーザ光出射面２，１２が温度上昇により熱的損傷を
起こすこともなく、発振出力の向上を図ることができ
る。また放熱のための部品を発振部付近に配置する必要
がないので、半導体レーザ素子１，１１周辺の構造が簡
単になり、特に複数の半導体レーザ素子１１を並べたア
レイ型半導体レーザ装置では、放熱，冷却が促進される
ため放熱に必要な間隔を十分に取る必要がなくなり、素
子間隔を小さくできコンパクトな大出力アレイを作るこ
とができる。更に半導体レーザ素子１，１１の周辺に低
温の絶縁性液体７，１７を強制的に流すことにより、半
導体レーザ素子１，１１を急速に冷却し、また絶縁性液
体７，１７を外部に取り出すことによって外部で冷却し
て温度制御をすることができ、その結果大出力レーザ素
子で大量の放熱を必要とする場合などに特に有効に放熱
できるとともに、素子部の精密な温度制御によって安定
したレーザ出力，発振波長を得ることができる。なお絶
縁性液体７，１７としてレーザ光出射窓６，１６と同じ
屈折率の液体を用いた場合、出射窓６，１６内面での反
射を防ぐことができ、レーザ出力の該内面での損失をな
くし出力が増加する。
単数又は複数の半導体レーザ素子１，１１を絶縁性液体
７，１７中に直接浸け置き、又はその液体７，１７を流
すことにより、半導体レーザ素子１，１１及びそのレー
ザ光出射面２，１２の放熱，冷却が促進され、その結果
大出力化のために電流量を多く流しても半導体レーザ素
子１，１１の温度上昇が少なく、効率の低下，発振波長
の変化，寿命の短縮等の特性悪化を起こすことなく、ま
たレーザ光出射面２，１２が温度上昇により熱的損傷を
起こすこともなく、発振出力の向上を図ることができ
る。また放熱のための部品を発振部付近に配置する必要
がないので、半導体レーザ素子１，１１周辺の構造が簡
単になり、特に複数の半導体レーザ素子１１を並べたア
レイ型半導体レーザ装置では、放熱，冷却が促進される
ため放熱に必要な間隔を十分に取る必要がなくなり、素
子間隔を小さくできコンパクトな大出力アレイを作るこ
とができる。更に半導体レーザ素子１，１１の周辺に低
温の絶縁性液体７，１７を強制的に流すことにより、半
導体レーザ素子１，１１を急速に冷却し、また絶縁性液
体７，１７を外部に取り出すことによって外部で冷却し
て温度制御をすることができ、その結果大出力レーザ素
子で大量の放熱を必要とする場合などに特に有効に放熱
できるとともに、素子部の精密な温度制御によって安定
したレーザ出力，発振波長を得ることができる。なお絶
縁性液体７，１７としてレーザ光出射窓６，１６と同じ
屈折率の液体を用いた場合、出射窓６，１６内面での反
射を防ぐことができ、レーザ出力の該内面での損失をな
くし出力が増加する。
【００１２】
【発明の効果】要するに本発明によれば、透明なレーザ
光出射窓を有し内部に半導体レーザ素子をレーザ光が上
記レーザ光出射窓を通して出射する位置に設置させた筐
体と、上記筐体内部に上記半導体レーザ素子を冷却する
ため注入されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液
体とからなることにより、半導体レーザ素子及びレーザ
光出射面の放熱，冷却が促進され、その結果大出力化の
ために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少なく、
効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特性悪化
を起こすことなく、またレーザ光出射面の温度上昇によ
る熱的損傷もなく、発振出力の向上を図ることができる
半導体レーザ素子の冷却装置を得るから、本発明は産業
上極めて有益なものである。
光出射窓を有し内部に半導体レーザ素子をレーザ光が上
記レーザ光出射窓を通して出射する位置に設置させた筐
体と、上記筐体内部に上記半導体レーザ素子を冷却する
ため注入されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液
体とからなることにより、半導体レーザ素子及びレーザ
光出射面の放熱，冷却が促進され、その結果大出力化の
ために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少なく、
効率の低下，発振波長の変化，寿命の短縮等の特性悪化
を起こすことなく、またレーザ光出射面の温度上昇によ
る熱的損傷もなく、発振出力の向上を図ることができる
半導体レーザ素子の冷却装置を得るから、本発明は産業
上極めて有益なものである。
【図１】本発明半導体レーザ素子の冷却装置の第１実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
【図２】本装置の第２実施例の斜視図である。
【図３】本装置の第３実施例の斜視図である。
【図４】従来の冷却法の斜視図である。
【図５】従来の他の冷却法の斜視図である。
【図６】従来の更に他の冷却法の斜視図である。
１，11 半導体レーザ素子 ２, 12 レーザ光出射面 ３，13 レーザ光 ４，14 支柱 ５，15 筐体 ６，16 レーザ光出射窓 ７，17 絶縁性液体 ７′，17′ 液体流れ ８，18 18ａ 液体注入口 ９，19 液体排出口
Claims (4)
- 【請求項１】 透明なレーザ光出射窓を有し内部に半導
体レーザ素子をレーザ光が上記レーザ光出射窓を通して
出射する位置に設置させた筐体と、上記筐体内部に上記
半導体レーザ素子を冷却するため注入されるレーザ発振
波長において透明な絶縁性液体とからなることを特徴と
する半導体レーザ素子の冷却装置。 - 【請求項２】 筐体のレーザ光出射窓と絶縁性液体の屈
折率を一致させたことを特徴とする請求項１の半導体レ
ーザ素子の冷却装置。 - 【請求項３】 筐体に絶縁性液体を注入する注入口と同
液体を排出する排出口とを設けたことを特徴とする請求
項１の半導体レーザ素子の冷却装置。 - 【請求項４】 絶縁性液体が半導体レーザ素子のレーザ
光出射面に注入されるように注入口を設けたことを特徴
とする請求項３の半導体レーザ素子の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6277079A JPH08116138A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 半導体レーザ素子の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6277079A JPH08116138A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 半導体レーザ素子の冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116138A true JPH08116138A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17578489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6277079A Pending JPH08116138A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 半導体レーザ素子の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08116138A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-10-17 JP JP6277079A patent/JPH08116138A/ja active Pending
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