JPH08117213A - X線撮像装置 - Google Patents
X線撮像装置Info
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- JPH08117213A JPH08117213A JP6265760A JP26576094A JPH08117213A JP H08117213 A JPH08117213 A JP H08117213A JP 6265760 A JP6265760 A JP 6265760A JP 26576094 A JP26576094 A JP 26576094A JP H08117213 A JPH08117213 A JP H08117213A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型でかつ小熱容量のX線管装置を用いた場
合であっても、濃淡の少ない良好なX線画像が得られ、
しかも、迅速にX線撮像が可能なX線撮像装置を提供す
る。 【構成】 X線管装置1から発生し、被写体2を透過し
たX線は、多数の検出素子で構成された検出部3で検出
され、各素子毎のディジタルデータとして第2の記憶素
子マトリックス6に記憶される。補正手段9は、予め被
写体2が存在しない状態でX線を照射し、その各素子毎
の検出データを記憶した第1の記憶素子マトリックスか
ら、対応するデータを読み出して、第二の記憶素子マト
リックス6に記憶した検出データを正規化する。そし
て、すべての記憶データの正規化が終了すると、表示回
路7は、補正手段9の指示に基づき、正規化された第二
の記憶素子マトリックス6のデータを読み出し、表示装
置8にX線画像として表示させる。
合であっても、濃淡の少ない良好なX線画像が得られ、
しかも、迅速にX線撮像が可能なX線撮像装置を提供す
る。 【構成】 X線管装置1から発生し、被写体2を透過し
たX線は、多数の検出素子で構成された検出部3で検出
され、各素子毎のディジタルデータとして第2の記憶素
子マトリックス6に記憶される。補正手段9は、予め被
写体2が存在しない状態でX線を照射し、その各素子毎
の検出データを記憶した第1の記憶素子マトリックスか
ら、対応するデータを読み出して、第二の記憶素子マト
リックス6に記憶した検出データを正規化する。そし
て、すべての記憶データの正規化が終了すると、表示回
路7は、補正手段9の指示に基づき、正規化された第二
の記憶素子マトリックス6のデータを読み出し、表示装
置8にX線画像として表示させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被写体のX線画像を得
るX線撮像装置、特にX線の強度分布を補正し優れた濃
度均一性を持つX線画像を提供するX線診断装置に関す
る。
るX線撮像装置、特にX線の強度分布を補正し優れた濃
度均一性を持つX線画像を提供するX線診断装置に関す
る。
【0002】
【従来技術】X線を被写体に照射し、その透過X線を直
接X線フィルムに照射してX線像を得るX線撮像装置が
長年用いられてきたが、最近では、CR(コンピューテ
ッド・ラジオロジー)と呼ばれるディジタルX線画像シ
ステムが開発されている。
接X線フィルムに照射してX線像を得るX線撮像装置が
長年用いられてきたが、最近では、CR(コンピューテ
ッド・ラジオロジー)と呼ばれるディジタルX線画像シ
ステムが開発されている。
【0003】図3は、かかるディジタルX線画像システ
ムの一例を示す概略図であり、X線管装置11から照射
され被写体12を透過したX線は、検出素子をマトリッ
クス状に配列した検出部13で検出され、それぞれの素
子毎の検出データがディジタルデータとして記憶素子マ
トリックス15に記憶される。そして、一旦記憶された
素子毎の検出データは、表示回路17に読み出され、表
示装置18にX線画像として表示される。
ムの一例を示す概略図であり、X線管装置11から照射
され被写体12を透過したX線は、検出素子をマトリッ
クス状に配列した検出部13で検出され、それぞれの素
子毎の検出データがディジタルデータとして記憶素子マ
トリックス15に記憶される。そして、一旦記憶された
素子毎の検出データは、表示回路17に読み出され、表
示装置18にX線画像として表示される。
【0004】また、蛍光輝尽性のフィルムを用いて一旦
X線量をフィルムに記憶させた後、レーザー光により二
次元マトリクスデータとしてディジタル信号で読み出す
ものや、イメージインテンシファイアの画像をCCD素
子で読み出すもの、あるいは、半導体センサーを用い
て、半導体内のX線による電離信号を読み出したり、X
線フォトンを個々に計数するよう構成されたディジタル
X線画像システムも存在する。
X線量をフィルムに記憶させた後、レーザー光により二
次元マトリクスデータとしてディジタル信号で読み出す
ものや、イメージインテンシファイアの画像をCCD素
子で読み出すもの、あるいは、半導体センサーを用い
て、半導体内のX線による電離信号を読み出したり、X
線フォトンを個々に計数するよう構成されたディジタル
X線画像システムも存在する。
【0005】図4aは、かかるX線撮像装置に用いられ
るX線管装置11の全体概略図である。同図において、
陽極11dや陰極11eはガラスや金属製の真空バルブ
11bで覆われ真空状態に保持されている。真空バルブ
11bは陽極11dで発生する熱を吸収するために絶縁
油11cに浸されているため、陽極11dより発生した
X線は、その間に介在するガラスや油によって減弱さ
れ、その強度に差が生じる。
るX線管装置11の全体概略図である。同図において、
陽極11dや陰極11eはガラスや金属製の真空バルブ
11bで覆われ真空状態に保持されている。真空バルブ
11bは陽極11dで発生する熱を吸収するために絶縁
油11cに浸されているため、陽極11dより発生した
X線は、その間に介在するガラスや油によって減弱さ
れ、その強度に差が生じる。
【0006】また、図4bに示されるように、X線は、
陰極11eから放出した熱電子e-が陽極11dに衝突
することによって発生するのであるが、X線の強度分布
は、図4cに示されるように、一般に実焦点と呼ばれて
いる電子流の陽極上での分布と、それを取り出す見かけ
上の焦点に依存し、陽極11eの形状とX線を取り出す
方向で決まる。このため、図4bにおいて、X線強度は
θ方向に従って減少する分布を示し、同図φで示したタ
ーゲットの角度より大きいθ(θ>φ)ではX線は発生
しない。
陰極11eから放出した熱電子e-が陽極11dに衝突
することによって発生するのであるが、X線の強度分布
は、図4cに示されるように、一般に実焦点と呼ばれて
いる電子流の陽極上での分布と、それを取り出す見かけ
上の焦点に依存し、陽極11eの形状とX線を取り出す
方向で決まる。このため、図4bにおいて、X線強度は
θ方向に従って減少する分布を示し、同図φで示したタ
ーゲットの角度より大きいθ(θ>φ)ではX線は発生
しない。
【0007】かかる場合、X線の強度差は撮像画像の濃
淡として現れ、特に画像の端部では中心部に比べて非常
に濃度の薄いコントラスト比の悪い画像となり、正確な
診断ができない。このため、従来のX線撮像装置では、
X線管装置11と検出部13との距離を十分とることに
よって、かかるX線の強度分布差による撮像画像への影
響を軽減していた。
淡として現れ、特に画像の端部では中心部に比べて非常
に濃度の薄いコントラスト比の悪い画像となり、正確な
診断ができない。このため、従来のX線撮像装置では、
X線管装置11と検出部13との距離を十分とることに
よって、かかるX線の強度分布差による撮像画像への影
響を軽減していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、陽極1
1dに衝突する電子のエネルギーのうちX線に変換され
る割合は非常に小さく概ね1%程度であり、さらに、発
生するX線は四方に拡散するため、実際にX線画像を得
るために寄与するX線の割合はさらに小さいものとな
る。このため、X線管装置11と検出部13との距離を
十分とる場合には、相当強いX線を発生させなければな
らないが、かかる場合、投入パワーの大部分が熱に変わ
るため、X線撮像を行うにはX線管装置を十分冷却でき
る機能が必要となり、装置全体が大型化するという問題
があった。
1dに衝突する電子のエネルギーのうちX線に変換され
る割合は非常に小さく概ね1%程度であり、さらに、発
生するX線は四方に拡散するため、実際にX線画像を得
るために寄与するX線の割合はさらに小さいものとな
る。このため、X線管装置11と検出部13との距離を
十分とる場合には、相当強いX線を発生させなければな
らないが、かかる場合、投入パワーの大部分が熱に変わ
るため、X線撮像を行うにはX線管装置を十分冷却でき
る機能が必要となり、装置全体が大型化するという問題
があった。
【0009】また、小熱容量のX線管装置を用いると、
その冷却時間が非常に長くなり、撮像に多大な時間を要
するため、迅速な撮像を行うにはある程度大きい熱容量
のX線管装置を用いざるを得なかった。
その冷却時間が非常に長くなり、撮像に多大な時間を要
するため、迅速な撮像を行うにはある程度大きい熱容量
のX線管装置を用いざるを得なかった。
【0010】そこで、本発明は、かかる課題を解決する
ために創案されたものであって、小型でかつ小熱容量の
X線管装置を用いた場合であっても、濃淡の少ない良好
なX線画像が得られ、しかも、迅速にX線撮像が可能な
X線撮像装置を提供することを目的とする。
ために創案されたものであって、小型でかつ小熱容量の
X線管装置を用いた場合であっても、濃淡の少ない良好
なX線画像が得られ、しかも、迅速にX線撮像が可能な
X線撮像装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるX線撮像
装置は、X線を発生するX線管装置と、複数の検出素子
より構成され、照射されたX線を各素子ごとのデータと
して出力するX線検出手段と、被写体が存在しない状態
で照射されたX線の前記各素子毎のデータを記憶する記
憶素子マトリックスと、被写体を透過したX線の各素子
毎のデータを前記記憶素子マトリックスに記憶された対
応するデータで正規化する補正手段と、前記正規化され
たデータをX線画像として表示する表示手段と、を備え
たことを特徴とする。
装置は、X線を発生するX線管装置と、複数の検出素子
より構成され、照射されたX線を各素子ごとのデータと
して出力するX線検出手段と、被写体が存在しない状態
で照射されたX線の前記各素子毎のデータを記憶する記
憶素子マトリックスと、被写体を透過したX線の各素子
毎のデータを前記記憶素子マトリックスに記憶された対
応するデータで正規化する補正手段と、前記正規化され
たデータをX線画像として表示する表示手段と、を備え
たことを特徴とする。
【0012】
【作用】X線管装置1から発生し、被写体2を透過した
X線は、多数の検出素子で構成された検出部3で検出さ
れ、各素子毎のディジタルデータとして第2の記憶素子
マトリックス6に記憶される。補正手段9は、予め被写
体2が存在しない状態でX線を照射し、その各素子毎の
検出データを記憶した第1の記憶素子マトリックスか
ら、対応するデータを読み出して、第二の記憶素子マト
リックス6に記憶した検出データを正規化する。そし
て、すべての記憶データの正規化が終了すると、表示回
路7は、補正手段9の指示に基づき、正規化された第二
の記憶素子マトリックス6のデータを読み出し、表示装
置8にX線画像として表示させる。
X線は、多数の検出素子で構成された検出部3で検出さ
れ、各素子毎のディジタルデータとして第2の記憶素子
マトリックス6に記憶される。補正手段9は、予め被写
体2が存在しない状態でX線を照射し、その各素子毎の
検出データを記憶した第1の記憶素子マトリックスか
ら、対応するデータを読み出して、第二の記憶素子マト
リックス6に記憶した検出データを正規化する。そし
て、すべての記憶データの正規化が終了すると、表示回
路7は、補正手段9の指示に基づき、正規化された第二
の記憶素子マトリックス6のデータを読み出し、表示装
置8にX線画像として表示させる。
【0013】
【実施例】本発明の実施例を図1及び図2を基づいて説
明する。図1は本発明にかかるX線撮像装置の概要図で
あり、1はX線管装置で、上述した図4の構成を有し、
X線を発生する。2はX線の撮像対象となる被写体であ
る。
明する。図1は本発明にかかるX線撮像装置の概要図で
あり、1はX線管装置で、上述した図4の構成を有し、
X線を発生する。2はX線の撮像対象となる被写体であ
る。
【0014】3は多数の検出素子を2次元状に配列した
検出部で、各素子毎にX線の検出データをディジタル信
号4として出力するよう構成されている。
検出部で、各素子毎にX線の検出データをディジタル信
号4として出力するよう構成されている。
【0015】5は第1の記憶素子マトリックスで、予め
被写体2が存在しない状態でX線を照射したときに、検
出部3の各検出素子毎に得られた検出データが記憶され
ている。6は第2の記憶素子マトリックスで、被写体2
のX線透過データが一時的に記憶される。
被写体2が存在しない状態でX線を照射したときに、検
出部3の各検出素子毎に得られた検出データが記憶され
ている。6は第2の記憶素子マトリックスで、被写体2
のX線透過データが一時的に記憶される。
【0016】7は表示回路で、第2の記憶素子マトリッ
クス6に記憶された被写体2のX線透過データを読み出
し、CRT等により構成される表示装置8に被写体2の
X線画像を表示させる。
クス6に記憶された被写体2のX線透過データを読み出
し、CRT等により構成される表示装置8に被写体2の
X線画像を表示させる。
【0017】9は補正手段で、第2の記憶素子マトリッ
クス6に記憶された被写体2のX線透過データを第1の
記憶素子マトリックスに記憶されたデータを用いて正規
化すると共に、表示回路7に正規化されたデータの読み
出し指示を与える。
クス6に記憶された被写体2のX線透過データを第1の
記憶素子マトリックスに記憶されたデータを用いて正規
化すると共に、表示回路7に正規化されたデータの読み
出し指示を与える。
【0018】次に、本発明の作用を補正手段9の動作を
示す図2のフローチャートに基づいて説明する。まず、
被写体2のX線撮像を行う前に、予め被写体2が存在し
ない状態でX線を照射し、検出部3の各素子毎に得られ
た検出データA(i,j)を第1の記憶素子マトリック
ス5に記憶させる。この際、補正手段9は、この検出デ
ータA(i,j)の中から最大値MAX{A}を特定し
て記憶する。そして、被写体2のX線撮像を行い、検出
部3で検出された各素子毎の撮像データB(i,j)を
第2の記憶素子マトリックス5に記憶させる。
示す図2のフローチャートに基づいて説明する。まず、
被写体2のX線撮像を行う前に、予め被写体2が存在し
ない状態でX線を照射し、検出部3の各素子毎に得られ
た検出データA(i,j)を第1の記憶素子マトリック
ス5に記憶させる。この際、補正手段9は、この検出デ
ータA(i,j)の中から最大値MAX{A}を特定し
て記憶する。そして、被写体2のX線撮像を行い、検出
部3で検出された各素子毎の撮像データB(i,j)を
第2の記憶素子マトリックス5に記憶させる。
【0019】この状態で、補正手段9は、第2の記憶素
子マトリックス6に記憶された各素子毎の一の撮像デー
タB(i,j)と、第1の記憶素子マトリックス5に記
憶された対応する素子についての検出データA(i,
j)を読み出す(S1,S2)。
子マトリックス6に記憶された各素子毎の一の撮像デー
タB(i,j)と、第1の記憶素子マトリックス5に記
憶された対応する素子についての検出データA(i,
j)を読み出す(S1,S2)。
【0020】そして、下記の演算処理を施すことによっ
て、撮像データB(i,j)を検出データA(i,j)
で正規化する(S3)。
て、撮像データB(i,j)を検出データA(i,j)
で正規化する(S3)。
【0021】 C(i,j)=B(i,j)×Max{A}/A(i,j) 演算処理が終わると補正手段9は、正規化されたデータ
C(i,j)を第2の記憶素子マトリックス6の対応す
る記憶素子に記憶する(S4)。
C(i,j)を第2の記憶素子マトリックス6の対応す
る記憶素子に記憶する(S4)。
【0022】そして、上述したS1〜S4の動作を繰り
返し(S5)、全マトリックスについて処理が終了する
と、補正手段9は、表示回路7に正規化されたデータの
表示指示を与えて処理を終了する(S6)。表示回路7
は、この指示を受け取ると第2の記憶素子マトリックス
6から正規化されたデータC(i,j)を順次読み出
し、表示装置8にX線画像を表示させる。
返し(S5)、全マトリックスについて処理が終了する
と、補正手段9は、表示回路7に正規化されたデータの
表示指示を与えて処理を終了する(S6)。表示回路7
は、この指示を受け取ると第2の記憶素子マトリックス
6から正規化されたデータC(i,j)を順次読み出
し、表示装置8にX線画像を表示させる。
【0023】なお、上述した実施例では、第2の記憶素
子マトリックス6の記憶データA(i,j)のすべてを
正規化したのち、X線像の表示を行ったが、X線撮像デ
ータB(i,j)及びそれを正規化したデータC(i,
j)は各素子ごとに独立であるから、正規化したデータ
C(i,j)を第2の記憶素子マトリックス6に再書き
込みすることなく、表示回路7に直接出力するよう構成
してもよい。また、予め、Max{A}/A(i,j)
の演算処理を施し、これを第1の記憶素子マトリックス
に記憶しておけば、正規化の処理時間が短縮される。
子マトリックス6の記憶データA(i,j)のすべてを
正規化したのち、X線像の表示を行ったが、X線撮像デ
ータB(i,j)及びそれを正規化したデータC(i,
j)は各素子ごとに独立であるから、正規化したデータ
C(i,j)を第2の記憶素子マトリックス6に再書き
込みすることなく、表示回路7に直接出力するよう構成
してもよい。また、予め、Max{A}/A(i,j)
の演算処理を施し、これを第1の記憶素子マトリックス
に記憶しておけば、正規化の処理時間が短縮される。
【0024】また、第1の記憶素子マトリックス5に記
憶された検出データA(i,j)は被写体2が存在しな
い状態で撮像されたデータであるため、相隣り合うデー
タA(i,j)とA(i+1,j)の値に大きな差は生
じないと考えられる。このため、複数素子、例えば、B
(i,j)、B(i+1,j)、B(i,j+1)、B
(i+1,j+1)の2×2の素子を、一つのデータ、
例えば対応する素子A(i,j)、A(i+1,j)、
A(i,j+1)、A(i+1,j+1)のいずれか一
つ、あるいは、これらの平均値で正規化するようにすれ
ば、第1の記憶素子マトリックス5のメモリサイズを4
分の1にすることができる。
憶された検出データA(i,j)は被写体2が存在しな
い状態で撮像されたデータであるため、相隣り合うデー
タA(i,j)とA(i+1,j)の値に大きな差は生
じないと考えられる。このため、複数素子、例えば、B
(i,j)、B(i+1,j)、B(i,j+1)、B
(i+1,j+1)の2×2の素子を、一つのデータ、
例えば対応する素子A(i,j)、A(i+1,j)、
A(i,j+1)、A(i+1,j+1)のいずれか一
つ、あるいは、これらの平均値で正規化するようにすれ
ば、第1の記憶素子マトリックス5のメモリサイズを4
分の1にすることができる。
【0025】さらに、検出データA(i,j)それぞれ
の差分を第1の記憶素子マトリックス5に記憶するよう
構成すれば、一素子当たりのビット数を減らすことがで
きるためメモリ容量が削減される。
の差分を第1の記憶素子マトリックス5に記憶するよう
構成すれば、一素子当たりのビット数を減らすことがで
きるためメモリ容量が削減される。
【0026】以上の通り、本発明によれば、X線管装置
と検出部間の距離を十分短くすることにより、照射され
るX線強度にバラツキが生じても、濃淡のない正確なX
線像が得られる。このため、X線利用率の向上が図るこ
とができ、その分X線管装置に発生する熱量も減少させ
ることができるため、装置全体を小型化できると共に、
小熱容量のX線管装置を用いた場合であっても、冷却時
間が短くなり迅速なX線撮像が可能となる。
と検出部間の距離を十分短くすることにより、照射され
るX線強度にバラツキが生じても、濃淡のない正確なX
線像が得られる。このため、X線利用率の向上が図るこ
とができ、その分X線管装置に発生する熱量も減少させ
ることができるため、装置全体を小型化できると共に、
小熱容量のX線管装置を用いた場合であっても、冷却時
間が短くなり迅速なX線撮像が可能となる。
【0027】なお、ここでの検出部3は、例えば、蛍光
輝尽性のフィルムを用いたもの、すなわち、入射したX
線量に応じて準安定状態となる物質でフィルムを形成
し、レーザー光の2次元的走査によりそれを読み出すも
ので、別途設けた光ファイバなどで信号を取り出す検出
器であってもよい。但し、これから出力される信号はア
ナログ信号であるのでA/D変換器を通しレーザー光の
走査周期とA/D変換器とを同期させることで各々の画
素をディジタル化するよう構成される。
輝尽性のフィルムを用いたもの、すなわち、入射したX
線量に応じて準安定状態となる物質でフィルムを形成
し、レーザー光の2次元的走査によりそれを読み出すも
ので、別途設けた光ファイバなどで信号を取り出す検出
器であってもよい。但し、これから出力される信号はア
ナログ信号であるのでA/D変換器を通しレーザー光の
走査周期とA/D変換器とを同期させることで各々の画
素をディジタル化するよう構成される。
【0028】また、X線イメージインテンシファイアも
検出器として使用できる。X線イメージインテンシファ
イアはX線を光に変換するシンチレータを用いこの光を
光電膜により電子に変換し加速電圧を印加することで電
子のエネルギーを強め出力蛍光面を強力に発光させる検
出器である。この出力蛍光面を撮像管やCCD素子で取
り込みその信号をA/D変換すれば、ディジタル画像を
得ることができる。
検出器として使用できる。X線イメージインテンシファ
イアはX線を光に変換するシンチレータを用いこの光を
光電膜により電子に変換し加速電圧を印加することで電
子のエネルギーを強め出力蛍光面を強力に発光させる検
出器である。この出力蛍光面を撮像管やCCD素子で取
り込みその信号をA/D変換すれば、ディジタル画像を
得ることができる。
【0029】さらに、光電膜に生成される電子をTFT
素子やMIM素子、MIS素子などの能動型素子をマト
リックス状に設けて、その電荷量を読み出す方法も考え
られる。
素子やMIM素子、MIS素子などの能動型素子をマト
リックス状に設けて、その電荷量を読み出す方法も考え
られる。
【0030】また、半導体センサーマトリックスを用い
て、半導体の空乏層内でX線によって電離される電離信
号をアナログ的に読み出し、A/D変換器を用いてディ
ジタル化する検出器や、また、A/D変換器を使わずに
電離信号をパルス的に個々計数することで直接ディジタ
ル信号で取り出す検出器が考えられる。前者には例えば
Si、GaAsなど一般の半導体材料が使用できるし、
後者にはHgI2 やdTeを用いたものが好ましい。
て、半導体の空乏層内でX線によって電離される電離信
号をアナログ的に読み出し、A/D変換器を用いてディ
ジタル化する検出器や、また、A/D変換器を使わずに
電離信号をパルス的に個々計数することで直接ディジタ
ル信号で取り出す検出器が考えられる。前者には例えば
Si、GaAsなど一般の半導体材料が使用できるし、
後者にはHgI2 やdTeを用いたものが好ましい。
【0031】第1及び第2の記憶素子マトリックス5,
6は一般のいわゆるICメモリがもっとも経済的かつコ
ンパクトであるため好ましい。また、医療用画像で必要
とされる画素数(検出素子の数に対応)は最低でも51
2×512マトリックスで、一般のX線フィルムと同等
程度の分解能を得るには2048×2048マトリック
ス以上の画素数が必要であり、それらの1画素のビット
数は12ビット以上好ましくは最低でも16ビットが必
要である。これは1枚のX線画像に要求されるダイナミ
ックレンジが10進数で3桁以上であること、撮影にお
けるX線量の変化すなわちX線管電流・電圧による線量
変化が1桁あること、被写体の厚さによる変化が1桁以
上あることからこれらを満足するには5桁以上のダイナ
ミックレンジが必要である。16ビットの分解能は、2
の16乗=65536の分解能であるから5桁を超える
ダイナミックレンジを満足している。
6は一般のいわゆるICメモリがもっとも経済的かつコ
ンパクトであるため好ましい。また、医療用画像で必要
とされる画素数(検出素子の数に対応)は最低でも51
2×512マトリックスで、一般のX線フィルムと同等
程度の分解能を得るには2048×2048マトリック
ス以上の画素数が必要であり、それらの1画素のビット
数は12ビット以上好ましくは最低でも16ビットが必
要である。これは1枚のX線画像に要求されるダイナミ
ックレンジが10進数で3桁以上であること、撮影にお
けるX線量の変化すなわちX線管電流・電圧による線量
変化が1桁あること、被写体の厚さによる変化が1桁以
上あることからこれらを満足するには5桁以上のダイナ
ミックレンジが必要である。16ビットの分解能は、2
の16乗=65536の分解能であるから5桁を超える
ダイナミックレンジを満足している。
【0032】
【発明の効果】本発明にかかるX線撮像装置によれば、
X線管装置から発生するX線の強度分布を正規化して画
像化するため、濃度均一性に優れた画像を得ることがで
きる。また、これに伴い、X線管装置と検出部の距離を
短くしても濃度均一性に優れた良好な画像を得ることが
できるため、結果的にX線の利用率を向上させることが
できる。従って、X線管装置の負担が軽減されると共
に、その発熱量を抑制でき装置の小型化及びその冷却時
間の短縮により診断に要する時間の短縮も図れる。
X線管装置から発生するX線の強度分布を正規化して画
像化するため、濃度均一性に優れた画像を得ることがで
きる。また、これに伴い、X線管装置と検出部の距離を
短くしても濃度均一性に優れた良好な画像を得ることが
できるため、結果的にX線の利用率を向上させることが
できる。従って、X線管装置の負担が軽減されると共
に、その発熱量を抑制でき装置の小型化及びその冷却時
間の短縮により診断に要する時間の短縮も図れる。
【図1】本発明にかかるX線撮像装置の概略図である。
【図2】本発明にかかる補正手段の動作を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図3】従来のX線撮像装置の概略図である。
【図4】X線管装置の概略図である。
1・・・X線管装置 2・・・被写体 3・・・検出部 5・・・第1の記憶素子マトリックス 6・・・第2の記憶素子マトリックス 7・・・表示回路 8・・・表示装置 9・・・補正手段
Claims (1)
- 【請求項1】 X線を発生するX線管装置と、 複数の検出素子より構成され、照射されたX線を各素子
ごとのデータとして出力するX線検出手段と、 被写体が存在しない状態で照射されたX線の前記各素子
毎のデータを記憶する記憶素子マトリックスと、 被写体を透過したX線の各素子毎のデータを前記記憶素
子マトリックスに記憶された対応するデータで正規化す
る補正手段と、 前記正規化されたデータをX線画像として表示する表示
手段と、 を備えたことを特徴とするX線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26576094A JP3353499B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | X線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26576094A JP3353499B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | X線撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08117213A true JPH08117213A (ja) | 1996-05-14 |
| JP3353499B2 JP3353499B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=17421642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26576094A Ceased JP3353499B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | X線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353499B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6748049B1 (en) | 1999-03-29 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-ray camera |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149476A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 画像情報再生方法 |
| JPS6243499A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JPH0228779A (ja) * | 1988-04-20 | 1990-01-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像処理方法 |
| JPH04186484A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Konica Corp | 放射線画像読取り装置 |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP26576094A patent/JP3353499B2/ja not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149476A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 画像情報再生方法 |
| JPS6243499A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JPH0228779A (ja) * | 1988-04-20 | 1990-01-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像処理方法 |
| JPH04186484A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Konica Corp | 放射線画像読取り装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6748049B1 (en) | 1999-03-29 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-ray camera |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3353499B2 (ja) | 2002-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |