JPH0811772B2 - レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 - Google Patents
レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法Info
- Publication number
- JPH0811772B2 JPH0811772B2 JP1199642A JP19964289A JPH0811772B2 JP H0811772 B2 JPH0811772 B2 JP H0811772B2 JP 1199642 A JP1199642 A JP 1199642A JP 19964289 A JP19964289 A JP 19964289A JP H0811772 B2 JPH0811772 B2 JP H0811772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- irradiated
- processing method
- aromatic
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 25
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 krypton ion Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、紫外レーザーを用いる芳香族系高分子成形
物の表面加工方法に関するものである。
物の表面加工方法に関するものである。
（従来技術及びその問題点） S.ラザレらは（S.Lazare.R.Srinivasan.J.Phys.Che
m.,Vol.90,2124（1986））、高分子フィルムの表面を、
エキシマーレーザーなどの高強度紫外レーザーで照射す
ると、その照射部位は照射直後に容易に改質され、現像
工程等の後処理を行なうことなく、直接的に形態学的な
凹凸が形成されることを報告している。このように、紫
外レーザーを用いた高分子表面の加工法は、精度良く、
高速で行なうことができ、また、レーザーの照射条件を
制御することで、照射高分子表面の構造特性や機能性を
向上させることができるという特徴があり、多彩な表面
反応を制御良く行うことが可能な手法である。しかしな
がら、高分子の化学構造の中に芳香環を有する芳香族系
高分子の場合では、一般にその加工時にすす状の付着性
分解物を発生しやすく、特に、長波長のレーザーを用い
た場合にその分解物の発生は顕著となる。大気中で加工
を行なった時、この分解物の一部は、成形物表面に戻り
非照射部分に堆積し、さらに、真空中では、窓や真空容
器の内壁に付着し、加工効率が低下するという欠点があ
る。この欠点を解消するために、G.コーレンらは（G.Ko
ren and J.J.Donelon,Appl.Phys.,Vol.B45,45（198
8））、ポリイミドに対し、XeClエキシマレーザーを照
射後、炭酸ガスレーザーを照射する、二段照射法によっ
て、発生したレーザー照射分解物を除去している。ま
た、R.J.フォンガットフェルドらは（R.J.vonGutfeld a
nd R.Srinivasan.Appl.Phys.,Vol.51,15（1987））、レ
ーザー照射部の周囲に電極を設け、その分解物を収集し
ている。しかし、これらの方法は、工程が複雑になると
いう欠点がある。
m.,Vol.90,2124（1986））、高分子フィルムの表面を、
エキシマーレーザーなどの高強度紫外レーザーで照射す
ると、その照射部位は照射直後に容易に改質され、現像
工程等の後処理を行なうことなく、直接的に形態学的な
凹凸が形成されることを報告している。このように、紫
外レーザーを用いた高分子表面の加工法は、精度良く、
高速で行なうことができ、また、レーザーの照射条件を
制御することで、照射高分子表面の構造特性や機能性を
向上させることができるという特徴があり、多彩な表面
反応を制御良く行うことが可能な手法である。しかしな
がら、高分子の化学構造の中に芳香環を有する芳香族系
高分子の場合では、一般にその加工時にすす状の付着性
分解物を発生しやすく、特に、長波長のレーザーを用い
た場合にその分解物の発生は顕著となる。大気中で加工
を行なった時、この分解物の一部は、成形物表面に戻り
非照射部分に堆積し、さらに、真空中では、窓や真空容
器の内壁に付着し、加工効率が低下するという欠点があ
る。この欠点を解消するために、G.コーレンらは（G.Ko
ren and J.J.Donelon,Appl.Phys.,Vol.B45,45（198
8））、ポリイミドに対し、XeClエキシマレーザーを照
射後、炭酸ガスレーザーを照射する、二段照射法によっ
て、発生したレーザー照射分解物を除去している。ま
た、R.J.フォンガットフェルドらは（R.J.vonGutfeld a
nd R.Srinivasan.Appl.Phys.,Vol.51,15（1987））、レ
ーザー照射部の周囲に電極を設け、その分解物を収集し
ている。しかし、これらの方法は、工程が複雑になると
いう欠点がある。
（発明の課題） 本発明は、紫外レーザーを用いて芳香族系高分子成形
物の表面加工を行う場合に発生するレーザー照射分解物
に起因する不都合な問題を解決することをその課題とす
る。
物の表面加工を行う場合に発生するレーザー照射分解物
に起因する不都合な問題を解決することをその課題とす
る。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ね
た結果、本発明を完成するに至った。
た結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によれば、紫外レーザーを芳香族系
高分子成形物に照射する表面加工法において、該高分子
成形物の少なくとも照射表面部に液体を存在させること
を特徴とする芳香族系高分子成形物の表面加工方法が提
供される。
高分子成形物に照射する表面加工法において、該高分子
成形物の少なくとも照射表面部に液体を存在させること
を特徴とする芳香族系高分子成形物の表面加工方法が提
供される。
S.ラザレらは上記の報文において、この紫外レーザー
による高分子表面のエッチングは、その表面状態を観察
するのに迅速で簡便な方法であるとしている。しかし、
彼らは、そのエッチングについて気相雰囲気又は真空下
での検討しか行なっておらず、本発明における如き照射
面に液体を存在させる湿式照射については全く検討され
ていない。
による高分子表面のエッチングは、その表面状態を観察
するのに迅速で簡便な方法であるとしている。しかし、
彼らは、そのエッチングについて気相雰囲気又は真空下
での検討しか行なっておらず、本発明における如き照射
面に液体を存在させる湿式照射については全く検討され
ていない。
本発明の方法は、紫外レーザーを芳香族系高分子成形
物の表面に照射するに際し、その芳香族系高分子成形物
の少なくとも紫外レーザー照射部に、液体を存在させ
る。液体としては、照射レーザー波長での吸光係数が微
小な、かつ、高分子を溶かさないものが好ましく、例え
ば、水の他、ヘキサン、アルコール、フロン等の有機溶
媒が好適である。成形物の表面部に液体を存在させる方
法としては、成形物を液体中に浸漬する方法、成形物の
表面に液体を噴射したり、流通させる方法等がある。
物の表面に照射するに際し、その芳香族系高分子成形物
の少なくとも紫外レーザー照射部に、液体を存在させ
る。液体としては、照射レーザー波長での吸光係数が微
小な、かつ、高分子を溶かさないものが好ましく、例え
ば、水の他、ヘキサン、アルコール、フロン等の有機溶
媒が好適である。成形物の表面部に液体を存在させる方
法としては、成形物を液体中に浸漬する方法、成形物の
表面に液体を噴射したり、流通させる方法等がある。
本発明は、芳香族系高分子成形物の改質したい表面部
位に相当するマスク（金属板製パターンなど）を通過さ
せたレーザービームを照射することで、希望する照射部
分のみに加工を施すことができる。この場合、エキシマ
レーザーのビームは、ヘリウム−ネオンレーザー、アル
ゴン及びクリプトンイオンレーザー、Nd+:YAGレーザー
等の他のレーザーのビームと比較して、ビーム形状が大
きいために、このビームを走査させて改質すべき部位を
照射することで、大面積化にも容易に対応できる。特
に、本発明は、紫外レーザーによる非熱的な光化学分解
反応を用いる加工法であるため、照射部位以外の周辺に
は熱的損傷を何ら生じない。しかも、レーザーの照射に
より発生したレーザー照射分解物は、周囲には何ら付着
しない。また、成形物の表面に形成する模様の形状、大
きさ、及び除去されるフィルムの量（すなわち切削され
る深さ）は、照射するレーザーの波長、フルエンス、パ
ルス数により制御できる。こうして、レーザー照射部分
の成形物表面上に、物理的、化学的に安定な加工を行な
うことができる。
位に相当するマスク（金属板製パターンなど）を通過さ
せたレーザービームを照射することで、希望する照射部
分のみに加工を施すことができる。この場合、エキシマ
レーザーのビームは、ヘリウム−ネオンレーザー、アル
ゴン及びクリプトンイオンレーザー、Nd+:YAGレーザー
等の他のレーザーのビームと比較して、ビーム形状が大
きいために、このビームを走査させて改質すべき部位を
照射することで、大面積化にも容易に対応できる。特
に、本発明は、紫外レーザーによる非熱的な光化学分解
反応を用いる加工法であるため、照射部位以外の周辺に
は熱的損傷を何ら生じない。しかも、レーザーの照射に
より発生したレーザー照射分解物は、周囲には何ら付着
しない。また、成形物の表面に形成する模様の形状、大
きさ、及び除去されるフィルムの量（すなわち切削され
る深さ）は、照射するレーザーの波長、フルエンス、パ
ルス数により制御できる。こうして、レーザー照射部分
の成形物表面上に、物理的、化学的に安定な加工を行な
うことができる。
本発明におけるレーザーとしては、波長400nm以下の
紫外レーザーが適しており、特に好適には、XeF（351n
m）、XeCl（308nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）ある
いはF2（157nm）エキシマレーザーである。また、Nd+:Y
AG、色素レーザー、Krイオンレーザー、Arイオンレーザ
ーあるいは銅蒸気レーザーの基本発振波長光を非線形光
学素子などにより、紫外光領域のレーザーに変換したも
のも有効である。レーザーのフルエンスとしては、素材
により異なるが、約0.1mJ/cm2/パルス以上の高輝度レー
ザーが望ましい。
紫外レーザーが適しており、特に好適には、XeF（351n
m）、XeCl（308nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）ある
いはF2（157nm）エキシマレーザーである。また、Nd+:Y
AG、色素レーザー、Krイオンレーザー、Arイオンレーザ
ーあるいは銅蒸気レーザーの基本発振波長光を非線形光
学素子などにより、紫外光領域のレーザーに変換したも
のも有効である。レーザーのフルエンスとしては、素材
により異なるが、約0.1mJ/cm2/パルス以上の高輝度レー
ザーが望ましい。
本発明において被加工物として用いる成形物は、各種
の形状及び構造を有することができ、少なくともその加
工表面部が芳香族系高分子から構成されたものであれば
よい。この場合、芳香族系高分子としては、各種のもの
が用いられ、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよ
い。芳香族系高分子としては、例えば、芳香族ポリフェ
ニレンサルファイド、芳香族ポリエーテルエーテルケト
ン、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルス
ルホン、芳香族ポリイミド、芳香族ポリエステル、芳香
族エポキシ樹脂等の縮合物又は共縮重合物あるいはそれ
らの混合物を好ましいものとして挙げることができる。
の形状及び構造を有することができ、少なくともその加
工表面部が芳香族系高分子から構成されたものであれば
よい。この場合、芳香族系高分子としては、各種のもの
が用いられ、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよ
い。芳香族系高分子としては、例えば、芳香族ポリフェ
ニレンサルファイド、芳香族ポリエーテルエーテルケト
ン、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルス
ルホン、芳香族ポリイミド、芳香族ポリエステル、芳香
族エポキシ樹脂等の縮合物又は共縮重合物あるいはそれ
らの混合物を好ましいものとして挙げることができる。
本発明における芳香族系高分子成形物としては、フィ
ルム、シート、棒体、繊維の他、各種構造物が挙げられ
る。また、その成形物は、ガラス繊維や炭素繊維等の各
種繊維や、充填剤で強化された成形物であることがで
き、また、芳香族系高分子と他の素材との複合体である
ことができる。
ルム、シート、棒体、繊維の他、各種構造物が挙げられ
る。また、その成形物は、ガラス繊維や炭素繊維等の各
種繊維や、充填剤で強化された成形物であることがで
き、また、芳香族系高分子と他の素材との複合体である
ことができる。
（発明の効果） 本発明による紫外レーザーを用いる芳香族系高分子成
形物の加工法によれば、表面部からその高分子の削除
（分解）による微細凹部を成形物表面に形成することが
できる。この加工法によれば、表面に多数の微細凹凸を
形成されることができ、このような表面は化学的に活性
な改質表面として作用する。本発明の方法では、その成
形物の照射面に液体を存在させたことから、芳香族系高
分子成形物の紫外レーザー加工に際して発生する分解物
は液体に懸濁物を生じることなく容易に捕捉され、成形
物表面や加工装置表面に分解物が付着するのが防止され
る。
形物の加工法によれば、表面部からその高分子の削除
（分解）による微細凹部を成形物表面に形成することが
できる。この加工法によれば、表面に多数の微細凹凸を
形成されることができ、このような表面は化学的に活性
な改質表面として作用する。本発明の方法では、その成
形物の照射面に液体を存在させたことから、芳香族系高
分子成形物の紫外レーザー加工に際して発生する分解物
は液体に懸濁物を生じることなく容易に捕捉され、成形
物表面や加工装置表面に分解物が付着するのが防止され
る。
（実施例） 以下、本発明を実施例により、さらに詳細に説明す
る。
る。
実施例１ 純水中において、ポリエチレンナフタレートフィルム
の平滑な面に、XeClエキシマーシーザーをエネルギー密
度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチング特
性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は完全
に除去されていた。さらに、延伸フィルムを用いた場合
には、照射面に形態学的な凹凸が生成していた。
の平滑な面に、XeClエキシマーシーザーをエネルギー密
度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチング特
性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は完全
に除去されていた。さらに、延伸フィルムを用いた場合
には、照射面に形態学的な凹凸が生成していた。
実施例２ ヘキサン中において、ポリエチレンナフタレートフィ
ルムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネルギ
ー密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチン
グ特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は
完全に除去されていた。さらに、延伸フィルムを用いた
場合には、照射面に形態学的な凹凸が生成していた。
ルムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネルギ
ー密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチン
グ特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は
完全に除去されていた。さらに、延伸フィルムを用いた
場合には、照射面に形態学的な凹凸が生成していた。
実施例３ 純水中において、芳香族ポリエーテルスルホンフィル
ムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネルギー
密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチング
特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は完
全に除去された。また、照射面に形態学的な凹凸が生成
していた。
ムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネルギー
密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチング
特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物は完
全に除去された。また、照射面に形態学的な凹凸が生成
していた。
実施例４ ヘキサン中において、芳香族ポリエーテルスルホンフ
ィルムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネル
ギー密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチ
ング特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物
は完全に除去された。また、照射面に形態学的な凹凸が
生成していた。
ィルムの平滑な面に、XeClエキシマーレーザーをエネル
ギー密度1J/cm2で30ショット照射させた。良好なエッチ
ング特性が得られ、照射部の周囲には分解物等の不純物
は完全に除去された。また、照射面に形態学的な凹凸が
生成していた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−46893（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−164737（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−269994（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−273287（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】紫外レーザーを芳香族系高分子成形物に照
射する表面加工法において、該芳香族系高分子成形物の
少なくとも照射表面部に液体を存在させることを特徴と
する芳香族系高分子成形物の表面加工方法。 - 【請求項２】該芳香族系高分子成形物を液体中に浸漬
し、これに紫外レーザーを照射する請求項１の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199642A JPH0811772B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199642A JPH0811772B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362831A JPH0362831A (ja) | 1991-03-18 |
| JPH0811772B2 true JPH0811772B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=16411246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199642A Expired - Lifetime JPH0811772B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0811772B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06228343A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-16 | Hamamatsu Photonics Kk | フッ素樹脂の表面改質方法及びその装置 |
| EP0644227B1 (en) * | 1993-03-23 | 2003-07-23 | Tokai University | Solid surface modifying method and apparatus |
| MY113227A (en) * | 1995-01-18 | 2001-12-31 | Kurashiki Boseki Kk | Tube-shaped film having its inner peripheral surface treated, method for treating inner peripheral surface of tube-shaped film and apparatus therefor |
| JP2003332215A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 加工方法、半導体装置の製造方法、及び加工装置 |
| TWI265550B (en) | 2002-05-14 | 2006-11-01 | Toshiba Corp | Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device |
| US8017795B2 (en) | 2005-04-21 | 2011-09-13 | Ndsu Research Foundation | Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor |
| DE102018214834B4 (de) * | 2018-08-31 | 2024-02-22 | Airbus Defence and Space GmbH | Verfahren zur Nanostrukturierung von Kohlefaseroberflächen in Faserverbundkunststoffen basierend auf Schwefel und aromatischen Kohlenwasserstoffen sowie ein gemäß dem Verfahren hergestellter Faserverbundkunststoff sowie ein Verfahren zur Reparatur mindestens einer Faser in einem Faserverbundkunststoff |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046893A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-13 | Seiko Epson Corp | レ−ザ−加工装置 |
-
1989
- 1989-08-01 JP JP1199642A patent/JPH0811772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362831A (ja) | 1991-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0233755B1 (en) | Ultraviolet laser treating of molded surfaces | |
| JP3012926B1 (ja) | 透明材料のレーザー微細加工法 | |
| US4414059A (en) | Far UV patterning of resist materials | |
| JPH075773B2 (ja) | 紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成形品の表面改質方法 | |
| JPH0811772B2 (ja) | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 | |
| JP2740764B2 (ja) | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 | |
| Hiraoka et al. | Dopant‐induced ablation of polymers by a 308 nm excimer laser | |
| JPS6189636A (ja) | 光加工方法 | |
| Brannon | Excimer-laser ablation and etching | |
| Wada et al. | Direct photoetching of polymer films using vacuum ultraviolet radiation generated by high‐order anti‐Stokes Raman scattering | |
| JP3754890B2 (ja) | レーザエッチング方法及びレーザエッチング装置 | |
| JP3864211B2 (ja) | 真空紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成型品の表面改質方法 | |
| Niino et al. | Excimer laser ablation of polymers and carbon fiber composites | |
| JP2782595B2 (ja) | 紫外レーザーを用いるフッ素系高分子成形品の表面改質方法 | |
| JPH0655846B2 (ja) | 高分子成形品のエッチング加工方法 | |
| JP3106040B2 (ja) | 基板表面のドライ・クリーニング・システム | |
| JPH06179764A (ja) | 紫外レーザーを用いた高分子成形品表面および固体基板表面への有機化合物の固定化方法 | |
| JPH07118421A (ja) | 親水性フッ素系樹脂成型品 | |
| JP3194010B2 (ja) | 高反応性活性種が表面に固定されている改質された固体表面 | |
| JPH0796097B2 (ja) | 導電性薄膜の形成法 | |
| JPH075775B2 (ja) | 紫外レーザーを用いた高分子成形品表面および固体基板表面への有機化合物の固定化方法 | |
| JP4334107B2 (ja) | 光増感パルスレーザアブレーション堆積法によるポリテトラフルオロエチレン薄膜の作成法 | |
| Fukami et al. | Ablation of silicone rubber using UV-nanosecond and IR-femtosecond lasers | |
| Wang et al. | Micromachining of transparent materials by laser ablation of organic solution | |
| Okoshi et al. | Microfabrication of polyethylene using femtosecond Ti: sapphire laser and nanosecond ArF laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |