JPH08124122A - 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置Info
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- JPH08124122A JPH08124122A JP26000894A JP26000894A JPH08124122A JP H08124122 A JPH08124122 A JP H08124122A JP 26000894 A JP26000894 A JP 26000894A JP 26000894 A JP26000894 A JP 26000894A JP H08124122 A JPH08124122 A JP H08124122A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基板５上に、厚さ２μｍの下部シールド膜（Ｎ
ｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍ の磁気ギャップ形成用
絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜
（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜
（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）５０を積層した後、磁気抵抗効果膜の高さを決
めるためのパターニングを行う。次に、有機レジスト膜
を積層した後、所望の形状にパターニングを行う。 【効果】磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける再生出力を
増大させることが可能となる。
ｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍ の磁気ギャップ形成用
絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜
（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜
（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）５０を積層した後、磁気抵抗効果膜の高さを決
めるためのパターニングを行う。次に、有機レジスト膜
を積層した後、所望の形状にパターニングを行う。 【効果】磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける再生出力を
増大させることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果再生ヘッドならびにそれを用いた磁気
記録再生装置に関する。
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果再生ヘッドならびにそれを用いた磁気
記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果（以下ＭＲ）センサ
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られて
いる。ＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読み
取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感知
する磁束の量および方向の関数として検出するもので、
従来のインダクティブヘッドを用いた場合にくらべて、
より大きな再生出力をえることができる。
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られて
いる。ＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読み
取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感知
する磁束の量および方向の関数として検出するもので、
従来のインダクティブヘッドを用いた場合にくらべて、
より大きな再生出力をえることができる。
【０００３】しかし、記録密度が大きくなるにつれて、
記録媒体から発生する磁界が小さくなり、ＭＲヘッドを
用いても適当な再生出力を確保することが困難となる。
記録媒体から発生する磁界が小さくなり、ＭＲヘッドを
用いても適当な再生出力を確保することが困難となる。
【０００４】なお、従来では、ＭＲ素子が最適に動作す
るためには、二つのバイアス磁界をかける必要があるこ
とが示されている。磁束に対する応答が線形になるよう
にＭＲ素子にバイアスをかけるために、一般に横方向バ
イアス磁界を使用する。このバイアス磁界は、磁気媒体
の面に垂直で平坦なＭＲ素子の表面に平行である。この
バイアス印加法には電流バイアス，シャントバイアス，
ソフトバイアス，ソフトアジィセントレーヤ（以下ＳＡ
Ｌ）バイアス等、種々の方法がある。これらの横方向バ
イアスはヘッドをＲーＨ特性曲線の最も直線的な範囲に
バイアスさせるのに十分なレベルで発生される。本発明
は、このうち、ＳＡＬバイアス法を用いたものである
が、他のバイアス法にも適用可能なものである。
るためには、二つのバイアス磁界をかける必要があるこ
とが示されている。磁束に対する応答が線形になるよう
にＭＲ素子にバイアスをかけるために、一般に横方向バ
イアス磁界を使用する。このバイアス磁界は、磁気媒体
の面に垂直で平坦なＭＲ素子の表面に平行である。この
バイアス印加法には電流バイアス，シャントバイアス，
ソフトバイアス，ソフトアジィセントレーヤ（以下ＳＡ
Ｌ）バイアス等、種々の方法がある。これらの横方向バ
イアスはヘッドをＲーＨ特性曲線の最も直線的な範囲に
バイアスさせるのに十分なレベルで発生される。本発明
は、このうち、ＳＡＬバイアス法を用いたものである
が、他のバイアス法にも適用可能なものである。
【０００５】ＭＲ素子で使用されている他のバイアス磁
界は、当技術分野で縦バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平
行である。縦バイアス磁界の機能は、ＭＲ素子内の多磁
区作用から生じるバルクハウゼンノイズを抑えることで
ある。縦バイアス磁界は特開昭62−40610 号や特開昭63
−117309号公報に示されているように、反強磁性膜を用
いる方法や特開平2−220213号や特開平3−29105号公報
に示されているように永久磁石膜を用いる方法がある。
本発明は、このうち、永久磁石膜バイアス法あるいは反
強磁性膜バイアス法を用いたものであるが、他のバイア
ス法をも適用可能なものである。なお、反強磁性膜バイ
アス法を用いる場合、反強磁性膜あるいは磁気抵抗効果
膜を電極直下に設ける場合、あるいは軟磁性膜を電極直
下に設ける場合の３種類の方法があるが、本発明はいず
れの方法にも適用可能である。
界は、当技術分野で縦バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平
行である。縦バイアス磁界の機能は、ＭＲ素子内の多磁
区作用から生じるバルクハウゼンノイズを抑えることで
ある。縦バイアス磁界は特開昭62−40610 号や特開昭63
−117309号公報に示されているように、反強磁性膜を用
いる方法や特開平2−220213号や特開平3−29105号公報
に示されているように永久磁石膜を用いる方法がある。
本発明は、このうち、永久磁石膜バイアス法あるいは反
強磁性膜バイアス法を用いたものであるが、他のバイア
ス法をも適用可能なものである。なお、反強磁性膜バイ
アス法を用いる場合、反強磁性膜あるいは磁気抵抗効果
膜を電極直下に設ける場合、あるいは軟磁性膜を電極直
下に設ける場合の３種類の方法があるが、本発明はいず
れの方法にも適用可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、記録媒体か
ら磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜に入る磁界は、媒体対抗
面が最大であり、媒体対抗面から離れるにつれて急激に
減少する。このため、媒体による磁界が入った場合の磁
気抵抗効果膜中の磁化は媒体対抗面近傍が大きく回転
し、媒体対抗面と反対側では、磁化はほとんど変化しな
い。この磁化がほとんど変化しない部分は雑音を大きく
する効果のみがあり、出力にはほとんど影響しない。し
かし、この部分を単純に削除すると、反磁界のために、
媒体による磁界が入った場合に磁化が回転する領域はさ
らに少なくなる。
ら磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜に入る磁界は、媒体対抗
面が最大であり、媒体対抗面から離れるにつれて急激に
減少する。このため、媒体による磁界が入った場合の磁
気抵抗効果膜中の磁化は媒体対抗面近傍が大きく回転
し、媒体対抗面と反対側では、磁化はほとんど変化しな
い。この磁化がほとんど変化しない部分は雑音を大きく
する効果のみがあり、出力にはほとんど影響しない。し
かし、この部分を単純に削除すると、反磁界のために、
媒体による磁界が入った場合に磁化が回転する領域はさ
らに少なくなる。
【０００７】本発明の目的は上述の欠点で解消し、高記
録密度で高い再生出力を得ることできるＭＲヘッドを提
供することにある。
録密度で高い再生出力を得ることできるＭＲヘッドを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１あるいは図２に示す
ように、磁気抵抗効果膜における媒体対向面と反対側の
面間の距離ａを電極における媒体対向面と反対側の面間
の距離ｂよりも長くすることにより、媒体による磁界が
入った場合に磁化が回転する領域を大きくし、これによ
り、大きな再生出力の磁気抵抗効果型ヘッドを作成し
た。
ように、磁気抵抗効果膜における媒体対向面と反対側の
面間の距離ａを電極における媒体対向面と反対側の面間
の距離ｂよりも長くすることにより、媒体による磁界が
入った場合に磁化が回転する領域を大きくし、これによ
り、大きな再生出力の磁気抵抗効果型ヘッドを作成し
た。
【０００９】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気記
録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて記録再生分離型磁
気ヘッドを構成するのが好ましい。本発明の記録再生ヘ
ッドは2000Ｏｅ以上の高い保磁力の記録媒体の信号を再
生する際にとくに有効である。
録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて記録再生分離型磁
気ヘッドを構成するのが好ましい。本発明の記録再生ヘ
ッドは2000Ｏｅ以上の高い保磁力の記録媒体の信号を再
生する際にとくに有効である。
【００１０】
【作用】本発明において、図１あるいは、図２の磁気抵
抗効果膜中の離間した電極８０に対向した部分１には電
流が多く流れるが、磁気抵抗効果膜中の離間した電極に
対向しない部分２には電流はあまり流れない。しかしこ
の部分が存在することにより、前述したように、媒体か
ら磁界が入った場合に磁気抵抗効果膜の磁化が回転する
領域が大きくなるため、再生出力を大きくできる。
抗効果膜中の離間した電極８０に対向した部分１には電
流が多く流れるが、磁気抵抗効果膜中の離間した電極に
対向しない部分２には電流はあまり流れない。しかしこ
の部分が存在することにより、前述したように、媒体か
ら磁界が入った場合に磁気抵抗効果膜の磁化が回転する
領域が大きくなるため、再生出力を大きくできる。
【００１１】本発明は、横バイアス印加用の軟磁性膜，
非磁性導電膜、および、磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵
抗効果型ヘッドに関するものであるが、その他の磁気抵
抗効果型ヘッド、例えば、非磁性導電膜のかわりに、非
磁性絶縁膜を用いたヘッドや、横バイアス印加用の軟磁
性膜の代わりに磁気抵抗効果膜を用いたデュアルタイプ
ＭＲヘッド、あるいは、横バイアス磁界印加のために、
永久磁石膜を用いたヘッドなどにも有効である。
非磁性導電膜、および、磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵
抗効果型ヘッドに関するものであるが、その他の磁気抵
抗効果型ヘッド、例えば、非磁性導電膜のかわりに、非
磁性絶縁膜を用いたヘッドや、横バイアス印加用の軟磁
性膜の代わりに磁気抵抗効果膜を用いたデュアルタイプ
ＭＲヘッド、あるいは、横バイアス磁界印加のために、
永久磁石膜を用いたヘッドなどにも有効である。
【００１２】
（実施例１）図３に、本発明の一実施例の磁気抵抗効果
型ヘッドの感磁部の容易軸方向の断面図を示す。
型ヘッドの感磁部の容易軸方向の断面図を示す。
【００１３】基板５上に、厚さ２μｍの下部シールド膜
(ＮｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍの磁気ギャップ形成
用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜
（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，長さ１５ｎｍの非磁性導電膜
（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）５０を積層した後、磁気抵抗効果膜の高さを決
めるためのパターニングを行う。次に、有機レジスト膜
を積層した後、所望の形状にパターニングを行う。
(ＮｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍの磁気ギャップ形成
用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜
（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，長さ１５ｎｍの非磁性導電膜
（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）５０を積層した後、磁気抵抗効果膜の高さを決
めるためのパターニングを行う。次に、有機レジスト膜
を積層した後、所望の形状にパターニングを行う。
【００１４】さらに、厚さ３０ｎｍの永久磁石膜用下地
膜（Ｃｒ膜）６０、および厚さ３０ｎｍの永久磁石膜
（ＣｏＣｒＰｔ膜）７０を積層し所望の形状に加工した
後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層、加工し電極８０とする。
さらに、厚さ０.１５５μｍの磁気ギャップ形成用絶縁
膜（Ａｌ2Ｏ3膜）９０，厚さ２μｍの上部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）１００を積層し所望の形状に加工して磁
気ヘッドとした。
膜（Ｃｒ膜）６０、および厚さ３０ｎｍの永久磁石膜
（ＣｏＣｒＰｔ膜）７０を積層し所望の形状に加工した
後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層、加工し電極８０とする。
さらに、厚さ０.１５５μｍの磁気ギャップ形成用絶縁
膜（Ａｌ2Ｏ3膜）９０，厚さ２μｍの上部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）１００を積層し所望の形状に加工して磁
気ヘッドとした。
【００１５】以上の過程を経て作製した磁気抵抗効果型
ヘッドは、図１における長さａが３.５μｍ、ｂが２.５
μｍであり、電極間距離は３.５μｍ であった。このヘ
ッドを用いて得た１００ｋＦＣＩにおける再生出力は
０.１９ｍＶ であり、従来のａとｂの長さがともに２.
５μｍと等しいヘッドの再生出力０.１２ｍＶにくらべ
て、６０％ほど特性が向上した。
ヘッドは、図１における長さａが３.５μｍ、ｂが２.５
μｍであり、電極間距離は３.５μｍ であった。このヘ
ッドを用いて得た１００ｋＦＣＩにおける再生出力は
０.１９ｍＶ であり、従来のａとｂの長さがともに２.
５μｍと等しいヘッドの再生出力０.１２ｍＶにくらべ
て、６０％ほど特性が向上した。
【００１６】（実施例２）図４に、本発明の別の実施例
の磁気抵抗効果型ヘッドの感磁部の容易軸方向の断面図
を示す。基板５上に、厚さ２μｍの下部シールド膜（Ｎ
ｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍ の磁気ギャップ形成用
絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの磁区制御用
ＮｉＯ膜１１０，厚さ２０ｎｍの絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜１２
０を積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜を所望の形状に加
工する。次に、厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦ
ｅ膜）５０，厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０を
積層した後、所望の形状に加工する。次に電極用Ｎｂ／
Ａｕ／Ｎｂ８０を積層し、所望の形状に加工した後、厚
さ０.１５５μｍの磁気ギャップ形成膜(Ａｌ2Ｏ3膜）９
０，厚さ２μｍの磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１００
を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。
の磁気抵抗効果型ヘッドの感磁部の容易軸方向の断面図
を示す。基板５上に、厚さ２μｍの下部シールド膜（Ｎ
ｉＦｅ膜）１０，厚さ０.２μｍ の磁気ギャップ形成用
絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０，厚さ２０ｎｍの磁区制御用
ＮｉＯ膜１１０，厚さ２０ｎｍの絶縁用Ａｌ2Ｏ3膜１２
０を積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜を所望の形状に加
工する。次に、厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦ
ｅ膜）５０，厚さ１５ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０を
積層した後、所望の形状に加工する。次に電極用Ｎｂ／
Ａｕ／Ｎｂ８０を積層し、所望の形状に加工した後、厚
さ０.１５５μｍの磁気ギャップ形成膜(Ａｌ2Ｏ3膜）９
０，厚さ２μｍの磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１００
を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。
【００１７】以上の過程を経て作製した磁気抵抗効果型
ヘッドは、図１における長さａが３.５μｍ、ｂが２.５
μｍであり、電極間距離は３.５μｍ であった。このヘ
ッドを用いて得た１００ｋＦＣＩにおけ再生出力は０.
１９ｍＶ であり、従来のａとｂの長さがともに２.５μ
ｍと等しいヘッドの再生出力０.１２ｍＶにくらべて、
６０％ほど特性が向上した。
ヘッドは、図１における長さａが３.５μｍ、ｂが２.５
μｍであり、電極間距離は３.５μｍ であった。このヘ
ッドを用いて得た１００ｋＦＣＩにおけ再生出力は０.
１９ｍＶ であり、従来のａとｂの長さがともに２.５μ
ｍと等しいヘッドの再生出力０.１２ｍＶにくらべて、
６０％ほど特性が向上した。
【００１８】（実施例３）本発明の磁気抵抗効果素子を
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図５に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図５に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。
【００１９】Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体を
スライダ用の基板５とした。実施例２に示した方法によ
り下部シールド膜１０形成し、その上に磁気ギャップ形
成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜），磁区制御用ＮｉＯ膜，絶縁
用Ａｌ2Ｏ3膜積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜を所望の
形状に加工した。次に、磁気抵抗効果膜(ＮｉＦｅ膜)，
非磁性導電膜（Ｔａ膜），厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（Ｎ
ｉＦｅＮｂ膜）３０を積層した後、所望の形状に加工す
る。次に電極用Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ８０を積層し、所望の
形状に加工した後、磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ
3膜），磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１００を形成し
た。以上の部分が再生ヘッドとして働く。
スライダ用の基板５とした。実施例２に示した方法によ
り下部シールド膜１０形成し、その上に磁気ギャップ形
成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜），磁区制御用ＮｉＯ膜，絶縁
用Ａｌ2Ｏ3膜積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜を所望の
形状に加工した。次に、磁気抵抗効果膜(ＮｉＦｅ膜)，
非磁性導電膜（Ｔａ膜），厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（Ｎ
ｉＦｅＮｂ膜）３０を積層した後、所望の形状に加工す
る。次に電極用Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ８０を積層し、所望の
形状に加工した後、磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ
3膜），磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１００を形成し
た。以上の部分が再生ヘッドとして働く。
【００２０】次に、磁気記録用ヘッドとして、厚さ３μ
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
３０，上部磁極１４０およびコイル１５０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１３０，上部磁極１
４０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極130お
よび上部磁極１４０の間のギャップ層には、スパッタリ
ング法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌ2Ｏ3を用いた。
コイル１５０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。
下部磁極１３０と上部磁極１４０は磁気的に結合されて
磁気回路を構成し、コイル１５０はその磁気回路に鎖交
している。
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
３０，上部磁極１４０およびコイル１５０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１３０，上部磁極１
４０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極130お
よび上部磁極１４０の間のギャップ層には、スパッタリ
ング法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌ2Ｏ3を用いた。
コイル１５０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。
下部磁極１３０と上部磁極１４０は磁気的に結合されて
磁気回路を構成し、コイル１５０はその磁気回路に鎖交
している。
【００２１】以上述べた構造の磁気ヘッドを用い、磁気
抵抗効果素子に流すセンス電流を１×１０7Ａ／cm2とし
て記録再生実験を行ったところ、ＭＲ膜の媒体対向面と
反対側の距離が電極の媒体対向面と反対側の距離に等し
い従来の磁気ヘッドを用いた場合に比べて、６０％大き
な出力値を得た。
抵抗効果素子に流すセンス電流を１×１０7Ａ／cm2とし
て記録再生実験を行ったところ、ＭＲ膜の媒体対向面と
反対側の距離が電極の媒体対向面と反対側の距離に等し
い従来の磁気ヘッドを用いた場合に比べて、６０％大き
な出力値を得た。
【００２２】（実施例４）実施例３で述べた本発明によ
る磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図
６に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
る磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図
６に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
【００２３】磁気記録媒体１６０には、残留磁束密度
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１６０は駆動部１７０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１８０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１８０は、駆動部１９０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１６０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド180による記録再生信号は記録再
生信号処理系２００で処理される。
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１６０は駆動部１７０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１８０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１８０は、駆動部１９０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１６０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド180による記録再生信号は記録再
生信号処理系２００で処理される。
【００２４】磁気ヘッド１８０に用いた磁気抵抗効果素
子は、従来の構造の磁気抵抗効果素子の１.６ 倍の出力
を出すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い
磁気ディスク装置を作製することもできる。
子は、従来の構造の磁気抵抗効果素子の１.６ 倍の出力
を出すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い
磁気ディスク装置を作製することもできる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によると、磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドにおける再生出力を増大させることが可能となる。
ッドにおける再生出力を増大させることが可能となる。
【図１】縦バイアスとして永久磁石膜を用いた場合の本
発明による磁気抵抗効果膜と電極の断面図。
発明による磁気抵抗効果膜と電極の断面図。
【図２】縦バイアスとして反強磁性膜を用いた場合の本
発明による磁気抵抗効果膜と電極の断面図。
発明による磁気抵抗効果膜と電極の断面図。
【図３】縦バイアスとして永久磁石膜を用いた場合の本
発明による磁気抵抗効果素子の断面図。
発明による磁気抵抗効果素子の断面図。
【図４】縦バイアスとして反強磁性膜を用いた場合の本
発明による磁気抵抗効果素子の断面図。
発明による磁気抵抗効果素子の断面図。
【図５】本発明の磁気抵抗効果素子を用いた記録再生分
離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
【図６】記録再生装置の説明図。
５…基板、１０…下部シールド膜、２０…下部磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石用下地膜、
７０…永久磁石膜、８０…電極、９０…上部磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜、１００…上部シールド膜。
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石用下地膜、
７０…永久磁石膜、８０…電極、９０…上部磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜、１００…上部シールド膜。
フロントページの続き (72)発明者 相原 誠 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 吉田 和悦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 福井 宏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に積層して設けられた横バイアス印
加用の軟磁性膜，非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜，前記
磁気抵抗効果膜の両端に設けられた縦バイアス印加用の
一対の永久磁石膜，前記永久磁石膜上に設けられた一対
の電極を備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁
気抵抗効果膜における媒体対向面と反対側の面間の距離
が、前記磁気抵抗効果膜に接した電極の媒体対向面と反
対側の面間の距離よりも長いことを特徴とする磁気抵抗
効果再生ヘッド。 - 【請求項２】基板上に積層して設けられた横バイアス印
加用の軟磁性膜，非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜，前記
磁気抵抗効果膜上に離間して設けられた一対の反強磁性
膜を含む多層膜，前記多層膜の上に設けられた一対の電
極を備え、前記一対の反強磁性膜は電極の下方領域に設
けられている磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、前記
磁気抵抗効果膜の磁化回転部における媒体対向面と反対
側の面間の距離が、反強磁性膜に接した電極の媒体対向
面と反対側の面間の距離よりも長いことを特徴とする磁
気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３】基板上に積層して設けられた一対の反強磁
性膜，その上に積層された磁気抵抗効果膜，非磁性導電
膜，バイアス磁界印加用の軟磁性膜を含む多層膜と、前
記多層膜の上に設けられた一対の電極とを備え、前記軟
磁性膜は前記一対の電極の下方に設けられている磁気抵
抗効果型再生ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜の磁
化回転部における媒体対向面と反対側の面間の距離が、
前記軟磁性膜に接した電極における媒体対向面と反対側
の面間の距離よりも長いことを特徴とする磁気抵抗効果
再生ヘッド。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、積層方向
に離間して設けられた一対の磁気シールド膜を更に備
え、前記多層膜および前記一対の電極は前記一対の磁気
シールド膜の間に設けられている磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、一対
の磁極，該一対の磁極を磁気的に焼結する磁気回路手段
および前記磁気回路に鎖交するコイルを含む磁気記録用
誘導型薄膜ヘッドと、磁気抵抗効果型再生ヘッドとを備
える記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５において、
前記磁気記録媒体と、ヘッドと前記磁気記録媒体と前記
ヘッドとを相対的に駆動する駆動手段と、前記ヘッドに
接続された記録再生信号処理計とを含む磁気記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26000894A JPH08124122A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26000894A JPH08124122A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124122A true JPH08124122A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17342029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26000894A Pending JPH08124122A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0916914A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造 方法 |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP26000894A patent/JPH08124122A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0916914A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造 方法 |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7085109B1 (en) | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
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