JPH0981910A - 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置Info
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- JPH0981910A JPH0981910A JP23813895A JP23813895A JPH0981910A JP H0981910 A JPH0981910 A JP H0981910A JP 23813895 A JP23813895 A JP 23813895A JP 23813895 A JP23813895 A JP 23813895A JP H0981910 A JPH0981910 A JP H0981910A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】縦バイアス磁界印加法として永久磁石膜あるい
は反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵
抗効果型再生ヘッドのバルクハウゼンノイズの発生を抑
える。 【構成】基板５上に積層して設けられた横バイアス印加
用の軟磁性膜(ＳＡＬ)３０，非磁性導電膜４０，磁気抵
抗効果膜（ＭＲ膜）５０から成る多層膜，多層膜の両端
に設けられた縦バイアス印加用の一対の永久磁石膜６
０、及び多層膜上に設けられた一対の電極７０とを備
え、多層膜及び永久磁石膜６０の膜厚方向の層構造を、
多層膜両端部で、永久磁石膜層６０が軟磁性膜層３０と
磁気抵抗効果膜層５０によって挟まれた構造にする。
は反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵
抗効果型再生ヘッドのバルクハウゼンノイズの発生を抑
える。 【構成】基板５上に積層して設けられた横バイアス印加
用の軟磁性膜(ＳＡＬ)３０，非磁性導電膜４０，磁気抵
抗効果膜（ＭＲ膜）５０から成る多層膜，多層膜の両端
に設けられた縦バイアス印加用の一対の永久磁石膜６
０、及び多層膜上に設けられた一対の電極７０とを備
え、多層膜及び永久磁石膜６０の膜厚方向の層構造を、
多層膜両端部で、永久磁石膜層６０が軟磁性膜層３０と
磁気抵抗効果膜層５０によって挟まれた構造にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれを用いた磁
気記録再生装置に関する。
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれを用いた磁
気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果型（ＭＲ）センサま
たはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読
み取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感
知する磁束の量および方向の関数として検出するもの
で、従来のインダクティブヘッドを用いた場合に比べ
て、より大きな再生出力を得ることができる。そのた
め、径の小さな磁気記録媒体ディスク上に大きな線記録
密度で記録されたデータを読み取ることが可能である。
たはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このＭＲセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読
み取り素子の抵抗変化を利用して、磁気信号を素子が感
知する磁束の量および方向の関数として検出するもの
で、従来のインダクティブヘッドを用いた場合に比べ
て、より大きな再生出力を得ることができる。そのた
め、径の小さな磁気記録媒体ディスク上に大きな線記録
密度で記録されたデータを読み取ることが可能である。
【０００３】ＭＲ素子の動作を最適化するためには、２
種類のバイアス磁界を印加する必要がある。第１のバイ
アス磁界は、外部磁界に対するＭＲ素子の応答を線形に
するためのもので、横方向バイアス磁界と呼ばれ、磁気
記録媒体の表面に垂直な方向であり、かつ平坦なＭＲ素
子の表面に平行な方向に印加される。
種類のバイアス磁界を印加する必要がある。第１のバイ
アス磁界は、外部磁界に対するＭＲ素子の応答を線形に
するためのもので、横方向バイアス磁界と呼ばれ、磁気
記録媒体の表面に垂直な方向であり、かつ平坦なＭＲ素
子の表面に平行な方向に印加される。
【０００４】この横方向バイアス磁界印加法には、ＭＲ
膜上に絶縁膜を介して導体膜を積層し、この導体膜を流
れるバイアス用電流によって発生する磁界によりＭＲ膜
にバイアスを印加する電流バイアス法，ＭＲ膜上に直接
導体膜を積層し、導体膜に分流するセンス電流によって
発生する磁界により、バイアスを印加するシャントバイ
アス法，ＭＲ膜上に絶縁膜を介して軟磁性膜を積層し、
センス電流によって発生する磁界により軟磁性膜を磁化
し、その漏洩磁界によりバイアスを印加するソフトバイ
アス法，ＭＲ膜上に非磁性導電膜を介して軟磁性膜を積
層することによって前記ソフトバイアスの作用とシャン
トバイアスの作用を併用するソフトアジィセントレーヤ
（ＳＡＬ）バイアス法等、種々の方法がある。
膜上に絶縁膜を介して導体膜を積層し、この導体膜を流
れるバイアス用電流によって発生する磁界によりＭＲ膜
にバイアスを印加する電流バイアス法，ＭＲ膜上に直接
導体膜を積層し、導体膜に分流するセンス電流によって
発生する磁界により、バイアスを印加するシャントバイ
アス法，ＭＲ膜上に絶縁膜を介して軟磁性膜を積層し、
センス電流によって発生する磁界により軟磁性膜を磁化
し、その漏洩磁界によりバイアスを印加するソフトバイ
アス法，ＭＲ膜上に非磁性導電膜を介して軟磁性膜を積
層することによって前記ソフトバイアスの作用とシャン
トバイアスの作用を併用するソフトアジィセントレーヤ
（ＳＡＬ）バイアス法等、種々の方法がある。
【０００５】これらの横方向バイアスはＭＲ素子をＲ−
Ｈ特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさせるのに十
分なレベルで発生される。本発明はこのうち、ＳＡＬバ
イアス法を用いたものであるが、他のバイアス法にも適
用可能なものである。
Ｈ特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさせるのに十
分なレベルで発生される。本発明はこのうち、ＳＡＬバ
イアス法を用いたものであるが、他のバイアス法にも適
用可能なものである。
【０００６】ＭＲ素子の動作を最適化するための第２の
バイアス磁界は、縦バイアス磁界と呼ばれるもので、磁
気媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平行
に印加される。縦バイアス磁界の機能は、ＭＲ素子内の
多磁区構造から生じるバルクハウゼンノイズを抑えるこ
とである。
バイアス磁界は、縦バイアス磁界と呼ばれるもので、磁
気媒体の表面に平行、かつ、ＭＲ素子の長手方向に平行
に印加される。縦バイアス磁界の機能は、ＭＲ素子内の
多磁区構造から生じるバルクハウゼンノイズを抑えるこ
とである。
【０００７】縦バイアス磁界の印加方法には、特開昭62
−40610号公報や特開昭63−117309号公報あるいは特開
平5−303724 号明細書に示されている反強磁性膜を用い
る方法や、特開平2−220213号公報や特開平3−29105 号
公報に示されている永久磁石膜を用いる方法がある。
−40610号公報や特開昭63−117309号公報あるいは特開
平5−303724 号明細書に示されている反強磁性膜を用い
る方法や、特開平2−220213号公報や特開平3−29105 号
公報に示されている永久磁石膜を用いる方法がある。
【０００８】本発明は、このうち永久磁石膜バイアス法
を用いたものである。この方法を用いたＭＲ素子の特性
は、ＭＲ膜やＳＡＬの磁化状態が、永久磁石膜と接して
いる面近くで乱れる可能性があり、その乱れによりバル
クハウゼンノイズが発生する可能性がある。
を用いたものである。この方法を用いたＭＲ素子の特性
は、ＭＲ膜やＳＡＬの磁化状態が、永久磁石膜と接して
いる面近くで乱れる可能性があり、その乱れによりバル
クハウゼンノイズが発生する可能性がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、横方
向バイアス磁界及び縦バイアス磁界印加手段を有する磁
気抵抗効果型センサまたはヘッド、特に、横方向バイア
ス磁界印加法としてソフトアジェイセントバイアス法を
用い、縦バイアス磁界印加法として永久磁石膜あるいは
反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵抗
効果センサまたはヘッドのバルクハウゼンノイズを抑え
ることにある。
向バイアス磁界及び縦バイアス磁界印加手段を有する磁
気抵抗効果型センサまたはヘッド、特に、横方向バイア
ス磁界印加法としてソフトアジェイセントバイアス法を
用い、縦バイアス磁界印加法として永久磁石膜あるいは
反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵抗
効果センサまたはヘッドのバルクハウゼンノイズを抑え
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板上に積
層して設けられた横バイアス印加用の軟磁性膜(SAL），
非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）から成る多層
膜，前記多層膜の両端に設けられた縦バイアス印加用の
一対の永久磁石膜、及び前記多層膜上に設けられた一対
の電極とを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドで、多層膜
及び永久磁石膜の膜厚方向の層構造を、多層膜両端部
で、永久磁石膜層が軟磁性膜層と磁気抵抗効果膜層によ
って挟まれた構造にすることにより、前記目的を達成す
る。
層して設けられた横バイアス印加用の軟磁性膜(SAL），
非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）から成る多層
膜，前記多層膜の両端に設けられた縦バイアス印加用の
一対の永久磁石膜、及び前記多層膜上に設けられた一対
の電極とを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドで、多層膜
及び永久磁石膜の膜厚方向の層構造を、多層膜両端部
で、永久磁石膜層が軟磁性膜層と磁気抵抗効果膜層によ
って挟まれた構造にすることにより、前記目的を達成す
る。
【００１１】このような構造では、非磁性導電膜のトラ
ック幅方向の幅が軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜のトラッ
ク幅方向の幅より短くなる。
ック幅方向の幅が軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜のトラッ
ク幅方向の幅より短くなる。
【００１２】このような構造は、基板上に軟磁性膜及び
非磁性導電膜を積層し、所望の形状にパターンニングし
た後、二層膜の両端に永久磁石膜パターンを形成し、そ
の後、磁気抵抗効果膜を積層、所望の形状にパターンニ
ングすることにより実現できる。
非磁性導電膜を積層し、所望の形状にパターンニングし
た後、二層膜の両端に永久磁石膜パターンを形成し、そ
の後、磁気抵抗効果膜を積層、所望の形状にパターンニ
ングすることにより実現できる。
【００１３】上記の磁気抵抗効果型ヘッドでは、縦バイ
アス印加用に永久磁石膜を用いたが、永久磁石膜の代わ
りに、反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いても
前記目的を達成する。
アス印加用に永久磁石膜を用いたが、永久磁石膜の代わ
りに、反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いても
前記目的を達成する。
【００１４】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドは、磁
気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて記録再生分離
型磁気ヘッドを構成するのが望ましく、２０００Ｏｅ以
上の高い保持力の記録媒体の信号を再生する際に特に有
効である。
気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて記録再生分離
型磁気ヘッドを構成するのが望ましく、２０００Ｏｅ以
上の高い保持力の記録媒体の信号を再生する際に特に有
効である。
【００１５】
【作用】縦バイアス磁界印加法として永久磁石膜あるい
は反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵
抗効果型ヘッドでは、永久磁石膜、あるいは反強磁性膜
と軟磁性膜から成る多層膜内の磁化は、通常トラック幅
方向(縦バイアスの方向)を向いている。その膜の保磁力
は３００〜４００Ｏｅ以上である。この保磁力以上の大
きさの磁界が磁化の方向と反対方向にかかった場合、磁
化は印加磁界の方向に向く。しかし、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの使用時には、トラック幅方向にこの保磁力以上の
大きさの磁界がかかることはない。したがって、永久磁
石膜、あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜内
の磁化方向が、初期の方向から乱れる可能性は小さい。
は反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いる磁気抵
抗効果型ヘッドでは、永久磁石膜、あるいは反強磁性膜
と軟磁性膜から成る多層膜内の磁化は、通常トラック幅
方向(縦バイアスの方向)を向いている。その膜の保磁力
は３００〜４００Ｏｅ以上である。この保磁力以上の大
きさの磁界が磁化の方向と反対方向にかかった場合、磁
化は印加磁界の方向に向く。しかし、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの使用時には、トラック幅方向にこの保磁力以上の
大きさの磁界がかかることはない。したがって、永久磁
石膜、あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜内
の磁化方向が、初期の方向から乱れる可能性は小さい。
【００１６】一方、隣り合う磁化の間には交換相互作用
と呼ばれる力が働き、同方向を向こうとする性質があ
る。磁気抵抗効果型ヘッドのＳＡＬ及びＭＲ膜は、その
トラック幅方向の両端部で、永久磁石膜、あるいは反強
磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜と面で接している。こ
のため、交換相互作用によって、ＳＡＬ及びＭＲ膜内の
磁化と永久磁石膜、あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から
成る多層膜内の磁化は、両者が接している面近くで同方
向を向こうとする。前に述べたように、永久磁石膜、あ
るいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜内の磁化
は、強い保磁力によってトラック幅方向を向いているた
め、ＳＡＬ及びＭＲ膜内の磁化はその両端部近くで同じ
トラック幅方向に向こうとする。
と呼ばれる力が働き、同方向を向こうとする性質があ
る。磁気抵抗効果型ヘッドのＳＡＬ及びＭＲ膜は、その
トラック幅方向の両端部で、永久磁石膜、あるいは反強
磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜と面で接している。こ
のため、交換相互作用によって、ＳＡＬ及びＭＲ膜内の
磁化と永久磁石膜、あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から
成る多層膜内の磁化は、両者が接している面近くで同方
向を向こうとする。前に述べたように、永久磁石膜、あ
るいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜内の磁化
は、強い保磁力によってトラック幅方向を向いているた
め、ＳＡＬ及びＭＲ膜内の磁化はその両端部近くで同じ
トラック幅方向に向こうとする。
【００１７】交換相互作用が弱いと、ＳＡＬ及びＭＲ膜
内の磁化をトラック幅方向に向ける力が弱くなるため、
ヘッドの動作時に何らかの原因によって、ＳＡＬ及びＭ
Ｒ膜のトラック幅方向の端部で、磁化がトラック幅方向
以外の方向を向き、その部分の磁化状態が乱れ、磁壁や
磁区が発生する可能性がある。この乱れは、バルクハウ
ゼンノイズの原因の一つになると考えられる。
内の磁化をトラック幅方向に向ける力が弱くなるため、
ヘッドの動作時に何らかの原因によって、ＳＡＬ及びＭ
Ｒ膜のトラック幅方向の端部で、磁化がトラック幅方向
以外の方向を向き、その部分の磁化状態が乱れ、磁壁や
磁区が発生する可能性がある。この乱れは、バルクハウ
ゼンノイズの原因の一つになると考えられる。
【００１８】交換相互作用は、ＳＡＬ及びＭＲ膜と、永
久磁石膜あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜
とが接している面の面積に比例して大きくなる。
久磁石膜あるいは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜
とが接している面の面積に比例して大きくなる。
【００１９】図２は、縦バイアス印加に永久磁石膜を用
いた従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体対向面側から見
たときの図、言い換えるとヘッドの膜厚方向の層構造を
表す図である。図３は従来の磁気抵抗効果型ヘッドのＳ
ＡＬ，非磁性導電膜，ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作
製方法を示している。従来構造では、スパッタ法により
ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０，ＭＲ膜５０の順で積層
した後に、フォトマスク１００をフォトリソグラフィに
より形成する（ａ）。図２中Ａ′，Ｂ′の部分に見られ
るように、端部で裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，
非磁性導電膜４０，ＭＲ膜５０と、後から積層する永久
磁石膜６０との接触性をよくするために、フォトマスク
１００の形状を茸型、言い換えるとオーバーハングの形
状にする。次に、それらをイオンミリング法によりエッ
チングすると両端部が裾を引いた形状になる（ｂ）。そ
の後、永久磁石膜６０をスパッタ法で積層する（ｃ）。
最後に、フォトマスク１００を取り除く（ｄ）。
いた従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体対向面側から見
たときの図、言い換えるとヘッドの膜厚方向の層構造を
表す図である。図３は従来の磁気抵抗効果型ヘッドのＳ
ＡＬ，非磁性導電膜，ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作
製方法を示している。従来構造では、スパッタ法により
ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０，ＭＲ膜５０の順で積層
した後に、フォトマスク１００をフォトリソグラフィに
より形成する（ａ）。図２中Ａ′，Ｂ′の部分に見られ
るように、端部で裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，
非磁性導電膜４０，ＭＲ膜５０と、後から積層する永久
磁石膜６０との接触性をよくするために、フォトマスク
１００の形状を茸型、言い換えるとオーバーハングの形
状にする。次に、それらをイオンミリング法によりエッ
チングすると両端部が裾を引いた形状になる（ｂ）。そ
の後、永久磁石膜６０をスパッタ法で積層する（ｃ）。
最後に、フォトマスク１００を取り除く（ｄ）。
【００２０】しかし、このような手順で作製する従来の
磁気抵抗効果型ヘッドの構造では、下の層であるＳＡＬ
３０はパターンの両端部に露出する面積（図２中Ａ′）
が大きくなるが、上の層であるＭＲ膜５０が露出する面
積（図２中Ｂ′）は大きくならない。このため、ＳＡＬ
３０と永久磁石膜６０の接触面積（図２中Ａ′）は大き
くできるが、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０（図中２
Ｂ′）の接触面積は大きくできない。このため、ＭＲ膜
５０と永久磁石膜６０間の交換相互作用が小さく、ＭＲ
膜５０内に磁壁や磁区が発生しやすいと考えられる。
磁気抵抗効果型ヘッドの構造では、下の層であるＳＡＬ
３０はパターンの両端部に露出する面積（図２中Ａ′）
が大きくなるが、上の層であるＭＲ膜５０が露出する面
積（図２中Ｂ′）は大きくならない。このため、ＳＡＬ
３０と永久磁石膜６０の接触面積（図２中Ａ′）は大き
くできるが、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０（図中２
Ｂ′）の接触面積は大きくできない。このため、ＭＲ膜
５０と永久磁石膜６０間の交換相互作用が小さく、ＭＲ
膜５０内に磁壁や磁区が発生しやすいと考えられる。
【００２１】一方、図１に示す本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドでは、図４に示す手順でＳＡＬ，非磁性導電膜，
ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作製を行う。すなわち、
スパッタ法により、ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０の順
で積層した後に、フォトマスク１００をフォトリソグラ
フィにより形成する（ａ）。図１中Ａの部分に見られる
ように、端部で裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，非
磁性導電膜４０と、後から積層する永久磁石膜６０との
接触性をよくするために、フォトマスク１００の形状を
茸型、言い換えるとオーバーハングの形状にする。
ヘッドでは、図４に示す手順でＳＡＬ，非磁性導電膜，
ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作製を行う。すなわち、
スパッタ法により、ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０の順
で積層した後に、フォトマスク１００をフォトリソグラ
フィにより形成する（ａ）。図１中Ａの部分に見られる
ように、端部で裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，非
磁性導電膜４０と、後から積層する永久磁石膜６０との
接触性をよくするために、フォトマスク１００の形状を
茸型、言い換えるとオーバーハングの形状にする。
【００２２】次に、それらをイオンミリング法によりエ
ッチングすると両端部が裾を引いた形状になる。その
後、永久磁石膜６０をスパッタ法で積層する（ｂ）。次
に、フォトマスク１００を取り除き、ＭＲ膜の形状を決
めるためのフォトマスク１１０をフォトリソグラフィに
より形成する（ｃ）。その後、スパッタ法により、ＭＲ
膜５０を積層する（ｄ）。最後に、フォトマスク１１０
を取り除く。
ッチングすると両端部が裾を引いた形状になる。その
後、永久磁石膜６０をスパッタ法で積層する（ｂ）。次
に、フォトマスク１００を取り除き、ＭＲ膜の形状を決
めるためのフォトマスク１１０をフォトリソグラフィに
より形成する（ｃ）。その後、スパッタ法により、ＭＲ
膜５０を積層する（ｄ）。最後に、フォトマスク１１０
を取り除く。
【００２３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの構造で
は、図に示すように、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０の接
触面積（図１中Ｂ）をＳＡＬ３０と永久磁石膜６０の接
触面積（図１中Ａ）と同程度に大きくできる。したがっ
て、ＭＲ膜５０と永久磁石膜間の交換相互作用も大きく
なり、ＭＲ膜５０内でも磁壁や磁区が発生しにくくなる
と考えられる。
は、図に示すように、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０の接
触面積（図１中Ｂ）をＳＡＬ３０と永久磁石膜６０の接
触面積（図１中Ａ）と同程度に大きくできる。したがっ
て、ＭＲ膜５０と永久磁石膜間の交換相互作用も大きく
なり、ＭＲ膜５０内でも磁壁や磁区が発生しにくくなる
と考えられる。
【００２４】このような考えに基づいて、図１，図２に
示す層構造の磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス状態にお
けるＭＲ膜内の磁化分布を計算機シミュレーションによ
り求めた。
示す層構造の磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス状態にお
けるＭＲ膜内の磁化分布を計算機シミュレーションによ
り求めた。
【００２５】シミュレーションの条件は次の通りであ
る。ＭＲヘッドの寸法は、高さを２．０μｍ，縦バイア
ス方向の長さをＭＲ膜２.０μｍ，ＳＡＬ２.１μｍと
し、ＭＲ膜５０，ＳＡＬ３０及び非磁性導電膜４０の膜
厚は、それぞれ２０,２０,１０ｎｍとした。縦バイアス
磁界印加用の永久磁石膜６０は残留磁束密度（Ｂr ）と
膜厚（ｔmag）との積（Ｂrｔmag ）を２８０Ｇ・μｍと
し、ＭＲ膜及びＳＡＬと接している面に、磁束密度と膜
厚の積から算出される量の磁化が一様に分布していると
仮定して、永久磁石が作る縦バイアス磁界を計算した。
飽和磁束密度(Ｂs）はＭＲ膜が１.０Ｔ，ＳＡＬが０.８
Ｔであるとし、異方性磁界はトラック幅方向にＭＲ膜が
５Ｏｅ，ＳＡＬが１０Ｏｅとした。また、比抵抗はＭＲ
膜が２４μΩ・cm，非磁性導電膜が１８０μΩ・cm，Ｓ
ＡＬが７０μΩ・cmであるとした。また、ＭＲ膜におけ
る電流密度は２×１０7Ａ／cm2 とした。
る。ＭＲヘッドの寸法は、高さを２．０μｍ，縦バイア
ス方向の長さをＭＲ膜２.０μｍ，ＳＡＬ２.１μｍと
し、ＭＲ膜５０，ＳＡＬ３０及び非磁性導電膜４０の膜
厚は、それぞれ２０,２０,１０ｎｍとした。縦バイアス
磁界印加用の永久磁石膜６０は残留磁束密度（Ｂr ）と
膜厚（ｔmag）との積（Ｂrｔmag ）を２８０Ｇ・μｍと
し、ＭＲ膜及びＳＡＬと接している面に、磁束密度と膜
厚の積から算出される量の磁化が一様に分布していると
仮定して、永久磁石が作る縦バイアス磁界を計算した。
飽和磁束密度(Ｂs）はＭＲ膜が１.０Ｔ，ＳＡＬが０.８
Ｔであるとし、異方性磁界はトラック幅方向にＭＲ膜が
５Ｏｅ，ＳＡＬが１０Ｏｅとした。また、比抵抗はＭＲ
膜が２４μΩ・cm，非磁性導電膜が１８０μΩ・cm，Ｓ
ＡＬが７０μΩ・cmであるとした。また、ＭＲ膜におけ
る電流密度は２×１０7Ａ／cm2 とした。
【００２６】計算では、まず、ＭＲ膜，ＳＡＬ内の磁化
をすべて縦バイアス方向に向けた状態を初期状態とし
て、横バイアス発生用電流を印加してバイアス状態の磁
化分布を計算した。図５，図６に、図１，図２の構造の
ヘッドのバイアス状態におけるＭＲ膜内の磁化分布５
１，５２をそれぞれ示す。図で、個々の矢印は磁性膜内
の磁化の方向を示している。計算の結果、従来構造のヘ
ッドではＭＲ膜５１の右端部に磁化の乱れ（磁壁）が発
生するが、本発明のヘッドではＭＲ膜５２内に磁壁が発
生しないことを見出した。この磁壁は、永久磁石のＢr
ｔmagが１２０Ｇ・μｍ以上で発生した。この結果か
ら、本発明のヘッド構造ではＭＲ膜と永久磁石膜間の交
換相互作用が従来型のヘッドに比べて強くなることがわ
かる。以上のことから、本発明のヘッドではバルクハウ
ゼンノイズが発生しにくくなることがわかる。
をすべて縦バイアス方向に向けた状態を初期状態とし
て、横バイアス発生用電流を印加してバイアス状態の磁
化分布を計算した。図５，図６に、図１，図２の構造の
ヘッドのバイアス状態におけるＭＲ膜内の磁化分布５
１，５２をそれぞれ示す。図で、個々の矢印は磁性膜内
の磁化の方向を示している。計算の結果、従来構造のヘ
ッドではＭＲ膜５１の右端部に磁化の乱れ（磁壁）が発
生するが、本発明のヘッドではＭＲ膜５２内に磁壁が発
生しないことを見出した。この磁壁は、永久磁石のＢr
ｔmagが１２０Ｇ・μｍ以上で発生した。この結果か
ら、本発明のヘッド構造ではＭＲ膜と永久磁石膜間の交
換相互作用が従来型のヘッドに比べて強くなることがわ
かる。以上のことから、本発明のヘッドではバルクハウ
ゼンノイズが発生しにくくなることがわかる。
【００２７】本発明は、横バイアス磁界印加用の軟磁性
膜，縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜あるいは反強磁
性膜と軟磁性膜から成る多層膜，非磁性導電膜、及び磁
気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し
て説明したが、縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜ある
いは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いたその
他の磁気抵抗効果型再生ヘッド、例えば、非磁性導電膜
の代わりに、非磁性絶縁膜を用いたヘッドや、横バイア
ス印加用の軟磁性膜の代わりに磁気抵抗効果膜を用いた
デュアルタイプＭＲヘッドなどにも有効である。
膜，縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜あるいは反強磁
性膜と軟磁性膜から成る多層膜，非磁性導電膜、及び磁
気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し
て説明したが、縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜ある
いは反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いたその
他の磁気抵抗効果型再生ヘッド、例えば、非磁性導電膜
の代わりに、非磁性絶縁膜を用いたヘッドや、横バイア
ス印加用の軟磁性膜の代わりに磁気抵抗効果膜を用いた
デュアルタイプＭＲヘッドなどにも有効である。
【００２８】
（実施例１）図１に、本発明の一実施例のハードバイア
ス構造の磁気抵抗効果型再生ヘッドを媒体対向面側から
見た図、言い換えると膜厚方向の積層構造の図を示す。
本実施例では、図に示す構造の磁気抵抗効果型ヘッドを
以下に述べる方法で作製した。
ス構造の磁気抵抗効果型再生ヘッドを媒体対向面側から
見た図、言い換えると膜厚方向の積層構造の図を示す。
本実施例では、図に示す構造の磁気抵抗効果型ヘッドを
以下に述べる方法で作製した。
【００２９】基板５上に、厚さ２μｍの下部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）１０，厚さ０.１５μｍの磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０を積層し、その上にフ
ォトマスクを形成し、イオンミリング法により所望の形
状に加工した。
（ＮｉＦｅ膜）１０，厚さ０.１５μｍの磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）２０を積層し、その上にフ
ォトマスクを形成し、イオンミリング法により所望の形
状に加工した。
【００３０】次に、図４に示す手順でＳＡＬ，非磁性導
電膜，ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作製を行った。す
なわち、スパッタ法により、飽和磁束密度（Ｂｓ）０.
８Ｔ，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＮｉＦｅ膜：ＳＡＬ）
３０，厚さ１０ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０を積
層し、その上にフォトマスク１００をフォトリソグラフ
ィにより形成した（ａ）。
電膜，ＭＲ膜及び永久磁石膜層部分の作製を行った。す
なわち、スパッタ法により、飽和磁束密度（Ｂｓ）０.
８Ｔ，厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＮｉＦｅ膜：ＳＡＬ）
３０，厚さ１０ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０を積
層し、その上にフォトマスク１００をフォトリソグラフ
ィにより形成した（ａ）。
【００３１】図１中Ａの部分に見られるように、端部で
裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０
と、後から積層する永久磁石膜６０との接触性をよくす
るために、フォトマスク１００の形状を茸型、言い換え
るとオーバーハングの形状にした。次に、それらをイオ
ンミリング法によりエッチングすると両端部が裾を引い
た形状になった。その後、永久磁石膜（CoCrPt膜）６０
をスパッタ法で積層した（ｂ）。
裾を引いた形状にして、ＳＡＬ３０，非磁性導電膜４０
と、後から積層する永久磁石膜６０との接触性をよくす
るために、フォトマスク１００の形状を茸型、言い換え
るとオーバーハングの形状にした。次に、それらをイオ
ンミリング法によりエッチングすると両端部が裾を引い
た形状になった。その後、永久磁石膜（CoCrPt膜）６０
をスパッタ法で積層した（ｂ）。
【００３２】次に、フォトマスク１００を取り除き、Ｍ
Ｒ膜の形状を決めるためのフォトマスク１１０をフォト
リソグラフィにより形成した（ｃ）。その後、スパッタ
法により、Ｂｓ１.０Ｔ ，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果
膜(ＮｉＦｅ膜：ＭＲ膜５０)を積層した（ｄ）。最後
に、フォトマスク１１０を取り除いた（ｅ）。
Ｒ膜の形状を決めるためのフォトマスク１１０をフォト
リソグラフィにより形成した（ｃ）。その後、スパッタ
法により、Ｂｓ１.０Ｔ ，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果
膜(ＮｉＦｅ膜：ＭＲ膜５０)を積層した（ｄ）。最後
に、フォトマスク１１０を取り除いた（ｅ）。
【００３３】その後、電極７０となるＮｂ／Ａｕ／Ｎｂ
を積層し、所望の形状に加工した。さらに、厚さ０.２
μｍ の磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８
０，厚さ２μｍの上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を
積層し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。
を積層し、所望の形状に加工した。さらに、厚さ０.２
μｍ の磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８
０，厚さ２μｍの上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を
積層し所望の形状に加工して磁気ヘッドとした。
【００３４】以上の過程を経て作製した磁気抵抗効果型
再生ヘッドでは、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０が接する
面（図１中Ｂ）の面積を、ＳＡＬ３０と永久磁石膜６０
が接する面（図１中Ａ）の面積と同程度に大きくするこ
とが可能であった。永久磁石膜６０と、ＭＲ膜５０ある
いはＳＡＬ３０との間の交換相互作用は両者の接触面積
に比例して強まる。このヘッドのバイアス状態における
ＭＲ膜５０内の磁化分布を計算機シミュレーションによ
り求めたところ、図６に示すように磁壁の無い単磁区構
造となった。したがって、本発明の磁気抵抗効果型ヘッ
ドでは、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０間の交換相互作用
がＳＡＬ３０と永久磁石膜６０間のそれと同程度まで強
まることがわかった。
再生ヘッドでは、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０が接する
面（図１中Ｂ）の面積を、ＳＡＬ３０と永久磁石膜６０
が接する面（図１中Ａ）の面積と同程度に大きくするこ
とが可能であった。永久磁石膜６０と、ＭＲ膜５０ある
いはＳＡＬ３０との間の交換相互作用は両者の接触面積
に比例して強まる。このヘッドのバイアス状態における
ＭＲ膜５０内の磁化分布を計算機シミュレーションによ
り求めたところ、図６に示すように磁壁の無い単磁区構
造となった。したがって、本発明の磁気抵抗効果型ヘッ
ドでは、ＭＲ膜５０と永久磁石膜６０間の交換相互作用
がＳＡＬ３０と永久磁石膜６０間のそれと同程度まで強
まることがわかった。
【００３５】実際に本発明のヘッドのＲ／Ｗ特性を測定
したところ、バルクハウゼンノイズの発生率が、図２に
示す層構造の従来型のヘッドでの１０％以上から、約１
％以下に低減できた。
したところ、バルクハウゼンノイズの発生率が、図２に
示す層構造の従来型のヘッドでの１０％以上から、約１
％以下に低減できた。
【００３６】本実施例では、縦バイアス印加に永久磁石
膜を用いたが、その代わりにFeMn，ＮｉＯ等の反強磁性
膜と軟磁性膜（ＮｉＦｅ）から成る多層膜を用いても、
本実施例と同様の効果が得られた。
膜を用いたが、その代わりにFeMn，ＮｉＯ等の反強磁性
膜と軟磁性膜（ＮｉＦｅ）から成る多層膜を用いても、
本実施例と同様の効果が得られた。
【００３７】本実施例によれば、バルクハウゼンノイズ
の発生を抑制した磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ること
が可能となる。
の発生を抑制した磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ること
が可能となる。
【００３８】（実施例２）再生用ヘッドとして本発明の
磁気抵抗効果再生ヘッドを用い、従来公知の誘導型薄膜
ヘッドを記録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気
ヘッドを作製した。図７に本実施例による記録再生分離
型ヘッドの一部分を切断した斜視図を示す。
磁気抵抗効果再生ヘッドを用い、従来公知の誘導型薄膜
ヘッドを記録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気
ヘッドを作製した。図７に本実施例による記録再生分離
型ヘッドの一部分を切断した斜視図を示す。
【００３９】Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体を
スライダ用の基板５とした。まず、基板５の上に下部シ
ールド膜１０を形成し、その上に磁気ギャップ形成用絶
縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）を積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜
を所望の形状に加工した。
スライダ用の基板５とした。まず、基板５の上に下部シ
ールド膜１０を形成し、その上に磁気ギャップ形成用絶
縁膜（Ａｌ2Ｏ3膜）を積層した後、最上部のＡｌ2Ｏ3膜
を所望の形状に加工した。
【００４０】次に、厚さ２０ｎｍの軟磁性膜（ＮｉＦｅ
膜）３０，厚さ１０ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅ膜）５０
を積層した後、所望の形状に加工した。次に、厚さ３０
ｎｍの永久磁石膜（CoCrPt膜）６０を積層し所望の形状
に加工した。その後、電極７０となるＮｂ／Ａｕ／Ｎｂ
を積層し、所望の形状に加工した。次に、厚さ０.２μ
ｍ の磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０，厚さ２
μｍの磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を形成した。
以上の部分が再生ヘッドとして働く。
膜）３０，厚さ１０ｎｍの非磁性導電膜（Ｔａ膜）４
０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果膜（ＮｉＦｅ膜）５０
を積層した後、所望の形状に加工した。次に、厚さ３０
ｎｍの永久磁石膜（CoCrPt膜）６０を積層し所望の形状
に加工した。その後、電極７０となるＮｂ／Ａｕ／Ｎｂ
を積層し、所望の形状に加工した。次に、厚さ０.２μ
ｍ の磁気ギャップ形成膜（Ａｌ2Ｏ3膜）８０，厚さ２
μｍの磁気シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を形成した。
以上の部分が再生ヘッドとして働く。
【００４１】次に、磁気記録用ヘッドとして、厚さ３μ
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
３０，上部磁極１４０およびコイル１５０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１３０，上部磁極１
４０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極130お
よび上部磁極１４０の間のギャップ層には、スパッタリ
ング法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌ2Ｏ3を用いた。
コイル１５０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。
下部磁極１３０と上部磁極１４０は磁気的に結合されて
磁気回路を構成し、コイル１５０はその磁気回路に鎖交
している。
ｍのＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１
３０，上部磁極１４０およびコイル１５０からなる誘導
型薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１３０，上部磁極１
４０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ
のＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極130お
よび上部磁極１４０の間のギャップ層には、スパッタリ
ング法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌ2Ｏ3を用いた。
コイル１５０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。
下部磁極１３０と上部磁極１４０は磁気的に結合されて
磁気回路を構成し、コイル１５０はその磁気回路に鎖交
している。
【００４２】以上述べた構造の磁気ヘッドを用い、磁気
抵抗効果型再生ヘッドに流すセンス電流を２×１０7Ａ
／cm2として記録再生実験を行ったところ、バルクハウ
ゼンノイズの発生率が約１％以下となった。
抵抗効果型再生ヘッドに流すセンス電流を２×１０7Ａ
／cm2として記録再生実験を行ったところ、バルクハウ
ゼンノイズの発生率が約１％以下となった。
【００４３】（実施例３）前記実施例２で述べた本発明
による磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製し
た。図８に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
による磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製し
た。図８に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
【００４４】磁気記録媒体１６０には、残留磁束密度
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１６０は駆動部１７０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１８０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ，再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１８０は、駆動部１９０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１６０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド180による記録再生信号は記録再
生信号処理系２００で処理される。
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１６０は駆動部１７０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１８０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ，再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１８０は、駆動部１９０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１６０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド180による記録再生信号は記録再
生信号処理系２００で処理される。
【００４５】磁気ヘッド１８０に用いた磁気抵抗効果型
再生ヘッドは、バルクハウゼンノイズの発生率が、従来
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの１０％以上から約１％以
下に低減されているため、非常に安定な記録再生特性を
示した。
再生ヘッドは、バルクハウゼンノイズの発生率が、従来
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの１０％以上から約１％以
下に低減されているため、非常に安定な記録再生特性を
示した。
【００４６】
【発明の効果】本発明によると、磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドにおけるバルクハウゼンノイズの発生を抑制するこ
とが可能となる。
ッドにおけるバルクハウゼンノイズの発生を抑制するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの層構造を
示す説明図。
示す説明図。
【図２】従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドの断面図。
【図３】従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドの作製方法を
表す説明図。
表す説明図。
【図４】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの作製方法
を表す説明図。
を表す説明図。
【図５】従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドのバイアス状
態におけるＭＲ膜内の磁化分布を示す説明図。
態におけるＭＲ膜内の磁化分布を示す説明図。
【図６】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドのバイアス
状態におけるＭＲ膜内の磁化分布を示す説明図。
状態におけるＭＲ膜内の磁化分布を示す説明図。
【図７】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた記
録再生分離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
録再生分離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
【図８】記録再生装置の説明図。
５…基板、１０…下部シールド膜、２０…下部磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シールド膜。
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シールド膜。
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に積層して設けられた横バイアス印
加用の軟磁性膜，非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜から成
る多層膜，前記多層膜の両端に設けられた縦バイアス印
加用の一対の永久磁石膜，前記多層膜上に設けられた一
対の電極とを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおい
て、前記多層膜及び永久磁石膜の膜厚方向の層構造が、
前記多層膜のトラック幅方向の両端部で、前記永久磁石
膜層が軟磁性膜層と磁気抵抗効果膜層によって挟まれた
構造になっていることを特徴とする磁気抵抗効果型再生
ヘッド。 - 【請求項２】基板上に積層して設けられた横バイアス印
加用の軟磁性膜，非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜から成
る多層膜，前記多層膜の両端に設けられた縦バイアス印
加用の一対の永久磁石膜、及び前記多層膜上に設けられ
た一対の電極とを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いて、前記非磁性導電膜のトラック幅方向の幅が前記軟
磁性膜及び磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の幅より短
いことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - 【請求項３】基板上に積層して設けられた横バイアス印
加用の軟磁性膜，非磁性導電膜，磁気抵抗効果膜から成
る多層膜，前記多層膜の両端に設けられた縦バイアス印
加用の一対の永久磁石膜、及び前記多層膜上に設けられ
た一対の電極とを備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いて、前記基板上に前記軟磁性膜及び非磁性導電膜を積
層し、所望の形状にパターンニングした後、前記二層膜
の両端に永久磁石膜パターンを形成し、その後、磁気抵
抗効果膜を積層、所望の形状にパターンニングすること
により作製されたことを特徴とする磁気抵抗効果型再生
ヘッド。 - 【請求項４】前記縦バイアス印加用の永久磁石膜の代わ
りに、反強磁性膜と軟磁性膜から成る多層膜を用いた請
求項１，２または３に記載の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ド。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４に記載の磁気抵
抗効果型再生ヘッドが、積層方向に離間して設けられた
一対の磁気シールド膜の間に設けられている磁気抵抗効
果型再生ヘッド。 - 【請求項６】一対の磁極、該一対の磁極を磁気的に焼結
する磁気回路手段及び前記磁気回路に鎖交するコイルを
含む磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと、請求項１，２，
３，４または５に記載の磁気抵抗効果型再生ヘッドとを
備える記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項７】磁気記録媒体と、請求項１，２，３，４，
５または６に記載のヘッドと前記磁気記録媒体と前記ヘ
ッドとを相対的に駆動する駆動手段と、前記ヘッドに接
続された記録再生信号処理系とを含む磁気記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23813895A JPH0981910A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23813895A JPH0981910A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981910A true JPH0981910A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17025764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23813895A Pending JPH0981910A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0981910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449850B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-09-24 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 자기 저항 효과형 헤드 및 그것을 이용한 자기 기록 재생장치 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP23813895A patent/JPH0981910A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449850B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-09-24 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 자기 저항 효과형 헤드 및 그것을 이용한 자기 기록 재생장치 |
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