JPH08124149A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH08124149A JPH08124149A JP6260198A JP26019894A JPH08124149A JP H08124149 A JPH08124149 A JP H08124149A JP 6260198 A JP6260198 A JP 6260198A JP 26019894 A JP26019894 A JP 26019894A JP H08124149 A JPH08124149 A JP H08124149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon film
- recording medium
- film
- magnetic recording
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
- G11B5/7266—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising a lubricant over the inorganic carbon coating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
- G11B5/7268—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising elemental nitrogen in the inorganic carbon coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電磁変換特性と実用信頼性（走行
安定性、耐久性、耐候性）とを高次元で両立することの
できる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を提供することを
目的とする。 【構成】 非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３を形成
し、強磁性金属薄膜３上に窒素原子を含有し、且つラマ
ンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）の
積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜を
形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する。
安定性、耐久性、耐候性）とを高次元で両立することの
できる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を提供することを
目的とする。 【構成】 非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３を形成
し、強磁性金属薄膜３上に窒素原子を含有し、且つラマ
ンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）の
積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜を
形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ、磁気ディスク
装置等に用いられる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関
するものであり、特に電磁変換特性と実用信頼性とを高
次元両立させるために磁性層上に炭素膜及び潤滑剤層を
順次形成させた磁気記録媒体に関するものである。
装置等に用いられる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関
するものであり、特に電磁変換特性と実用信頼性とを高
次元両立させるために磁性層上に炭素膜及び潤滑剤層を
順次形成させた磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置には大容量化、高速
化、高画質・高音質化、小型軽量化等が要望されるよう
になってきた。それに伴い磁気記録媒体としては高密度
記録を達成することが必要不可欠であり、従来からの磁
性体を結合剤中に分散させた塗布型磁気記録媒体に対
し、磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（Ｈｃ）
が共に大きく、磁性層の薄膜化が可能であり、しかも磁
性層表面の超平滑化に最適である強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体の開発、実用化が積極的に行われている。
化、高画質・高音質化、小型軽量化等が要望されるよう
になってきた。それに伴い磁気記録媒体としては高密度
記録を達成することが必要不可欠であり、従来からの磁
性体を結合剤中に分散させた塗布型磁気記録媒体に対
し、磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（Ｈｃ）
が共に大きく、磁性層の薄膜化が可能であり、しかも磁
性層表面の超平滑化に最適である強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体の開発、実用化が積極的に行われている。
【０００３】しかしながら強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体の磁性層は、硬度が低く塑性変形しやすいため、高速
回転するＶＴＲの磁気ヘッド及び金属シリンダと直接接
触する場合、磁性層は瞬間的に摩耗・損傷され、ヘッド
摺動面に金属凝着を引き起こし、その結果、耐久性の悪
化（繰り返し走行による大幅な記録再生出力の低下、ス
チルライフの著しい減少等）を招くという問題が生じ
た。また磁性層表面は、酸化被膜が形成され保護されて
ているものの高湿環境下における耐食性は、不充分であ
るといった問題を有していた。
体の磁性層は、硬度が低く塑性変形しやすいため、高速
回転するＶＴＲの磁気ヘッド及び金属シリンダと直接接
触する場合、磁性層は瞬間的に摩耗・損傷され、ヘッド
摺動面に金属凝着を引き起こし、その結果、耐久性の悪
化（繰り返し走行による大幅な記録再生出力の低下、ス
チルライフの著しい減少等）を招くという問題が生じ
た。また磁性層表面は、酸化被膜が形成され保護されて
ているものの高湿環境下における耐食性は、不充分であ
るといった問題を有していた。
【０００４】そこで従来より、強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体の潤滑性、耐摩耗性及び耐食性を向上させるため
に、微小突起を形成したベースフィルムを使用したり、
磁性層上に保護膜あるいは滑り性・撥水性効果を合わせ
持つ含フッ素系潤滑剤層を形成することが提案されてい
る。特に保護膜については、磁性層と磁気ヘッド間のス
ペーシング損失を低減するために、保護膜の膜厚を薄く
設定する必要があり、そのため高硬度で摩耗しにくいダ
イヤモンド状炭素膜を磁性層上に形成する構成が数多く
の提案されている（例えば特開昭６１−２１０５１８号
公報及び特開昭６３−９８８２４号公報等に記載）。
録媒体の潤滑性、耐摩耗性及び耐食性を向上させるため
に、微小突起を形成したベースフィルムを使用したり、
磁性層上に保護膜あるいは滑り性・撥水性効果を合わせ
持つ含フッ素系潤滑剤層を形成することが提案されてい
る。特に保護膜については、磁性層と磁気ヘッド間のス
ペーシング損失を低減するために、保護膜の膜厚を薄く
設定する必要があり、そのため高硬度で摩耗しにくいダ
イヤモンド状炭素膜を磁性層上に形成する構成が数多く
の提案されている（例えば特開昭６１−２１０５１８号
公報及び特開昭６３−９８８２４号公報等に記載）。
【０００５】しかしながら従来より行われてきた方法を
用いて、走行安定性及び耐久性を充分に満足させた磁気
記録媒体を提供することは非常に困難であり、様々な問
題が生じている。
用いて、走行安定性及び耐久性を充分に満足させた磁気
記録媒体を提供することは非常に困難であり、様々な問
題が生じている。
【０００６】磁性層上に硬質保護膜（例えばダイヤモン
ド状炭素膜）のみを形成した場合には、高速回転するＶ
ＴＲの磁気ヘッドとの直接接触により、保護膜自体が脆
性破壊を起こし、しかもヘッド摺動面が著しい損傷を受
けるため、スチルライフが大幅に減少するとともに繰り
返し走行時の再生出力の安定性を確保することができな
い。
ド状炭素膜）のみを形成した場合には、高速回転するＶ
ＴＲの磁気ヘッドとの直接接触により、保護膜自体が脆
性破壊を起こし、しかもヘッド摺動面が著しい損傷を受
けるため、スチルライフが大幅に減少するとともに繰り
返し走行時の再生出力の安定性を確保することができな
い。
【０００７】また磁性層上に含フッ素系潤滑剤層のみを
形成した場合には、せん断力を低下させることができる
ものの、媒体表面の硬度が低く摩耗しやすいため、走行
安定性が悪化するとともに、スチルライフが減少する結
果を招いてしまう。
形成した場合には、せん断力を低下させることができる
ものの、媒体表面の硬度が低く摩耗しやすいため、走行
安定性が悪化するとともに、スチルライフが減少する結
果を招いてしまう。
【０００８】そこで上記課題を解決するために、磁性層
上にダイヤモンド状炭素で形成された層とポリマー状炭
素で形成された層とが順次積層された保護被膜を設ける
構成（特開平１−１３８６１０号公報に記載）、磁性層
上に硬度の異なる（磁性層側が表面側より硬度の高い）
アモルファス状カーボン膜を積層した保護膜を設ける構
成（特開平１−２５８２２３号公報に記載）等が提案さ
れている。
上にダイヤモンド状炭素で形成された層とポリマー状炭
素で形成された層とが順次積層された保護被膜を設ける
構成（特開平１−１３８６１０号公報に記載）、磁性層
上に硬度の異なる（磁性層側が表面側より硬度の高い）
アモルファス状カーボン膜を積層した保護膜を設ける構
成（特開平１−２５８２２３号公報に記載）等が提案さ
れている。
【０００９】また特開平１−２４５４１７号公報及び特
開平２−１５８９０９号公報等において、磁性層上にダ
イヤモンド状炭素膜を形成し、さらにこのダイヤモンド
状炭素膜上に潤滑剤層（含フッ素脂肪酸層）を形成する
構成が開示されている。
開平２−１５８９０９号公報等において、磁性層上にダ
イヤモンド状炭素膜を形成し、さらにこのダイヤモンド
状炭素膜上に潤滑剤層（含フッ素脂肪酸層）を形成する
構成が開示されている。
【００１０】しかしながら上記した構成においても、走
行安定性及び耐久性を大幅に改善するには到っておら
ず、多くの問題が生じている。
行安定性及び耐久性を大幅に改善するには到っておら
ず、多くの問題が生じている。
【００１１】磁性層上に硬度の異なる炭素膜を設けた場
合には、保護膜表面の耐摩耗性が不充分であり、しかも
潤滑剤分子に比べてせん断力が大きいため、走行安定性
が悪く、スチルライフが減少する結果を招いてしまう。
合には、保護膜表面の耐摩耗性が不充分であり、しかも
潤滑剤分子に比べてせん断力が大きいため、走行安定性
が悪く、スチルライフが減少する結果を招いてしまう。
【００１２】また磁性層上に高硬度なダイヤモンド状炭
素膜および潤滑剤層を順次形成させた場合においても、
ダイヤモンド状炭素膜の表面状態が化学的に非常に不活
性であるため、潤滑剤との接着性が不充分となり、記録
再生時にヘッド摺動面に潤滑剤成分からなる焼付きが生
じ、著しい出力低下を招いたり、長時間のヘッド目づま
りを発生させる等の問題を有していた。
素膜および潤滑剤層を順次形成させた場合においても、
ダイヤモンド状炭素膜の表面状態が化学的に非常に不活
性であるため、潤滑剤との接着性が不充分となり、記録
再生時にヘッド摺動面に潤滑剤成分からなる焼付きが生
じ、著しい出力低下を招いたり、長時間のヘッド目づま
りを発生させる等の問題を有していた。
【００１３】そこで最近では、保護膜と潤滑剤層との接
着性を改善するために、強磁性金属薄膜層上に少なくと
も炭素原子と窒素原子とを含有させ、且つ表面層の窒素
原子の濃度を炭素原子の濃度に対して４０原子％以上に
した有機高分子化合物からなる保護膜層を設け、さらに
この保護膜層上に潤滑剤層を形成する構成（特開昭６２
−５８４１６号公報）、強磁性金属薄膜上に窒素イオン
注入層を有するダイヤモンド状硬質炭素薄膜を配した
後、潤滑剤層を設ける構成（特開平１−２６３９１２号
公報）、強磁性金属薄膜上に窒素を５原子％から１５原
子％含んだダイヤモンド状硬質炭素薄膜を配した後、潤
滑剤層を設ける構成（特開平１−３２０６２２号公
報）、強磁性金属薄膜上に硬質炭素保護膜、含窒素プラ
ズマ重合膜、含フッ素カルボン酸を含む潤滑剤層を順次
形成する構成（特開平２−１２６４１７号公報）、強磁
性金属薄膜上に特定のラマンスペクトルの積分強度比、
密度及びビッカース硬度を有する硬質炭素保護膜、含窒
素プラズマ重合膜、含フッ素系潤滑剤層を順次形成する
構成（特開平６−４４５５８号公報）等が提案されてい
る。
着性を改善するために、強磁性金属薄膜層上に少なくと
も炭素原子と窒素原子とを含有させ、且つ表面層の窒素
原子の濃度を炭素原子の濃度に対して４０原子％以上に
した有機高分子化合物からなる保護膜層を設け、さらに
この保護膜層上に潤滑剤層を形成する構成（特開昭６２
−５８４１６号公報）、強磁性金属薄膜上に窒素イオン
注入層を有するダイヤモンド状硬質炭素薄膜を配した
後、潤滑剤層を設ける構成（特開平１−２６３９１２号
公報）、強磁性金属薄膜上に窒素を５原子％から１５原
子％含んだダイヤモンド状硬質炭素薄膜を配した後、潤
滑剤層を設ける構成（特開平１−３２０６２２号公
報）、強磁性金属薄膜上に硬質炭素保護膜、含窒素プラ
ズマ重合膜、含フッ素カルボン酸を含む潤滑剤層を順次
形成する構成（特開平２−１２６４１７号公報）、強磁
性金属薄膜上に特定のラマンスペクトルの積分強度比、
密度及びビッカース硬度を有する硬質炭素保護膜、含窒
素プラズマ重合膜、含フッ素系潤滑剤層を順次形成する
構成（特開平６−４４５５８号公報）等が提案されてい
る。
【００１４】また特開平２−１２６４１８号公報には、
強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜を形成し、この硬質炭素
膜表面をアンモニアガスにてグロー放電処理し、さらに
含フッ素カルボン酸を含む潤滑剤層を形成する構成が開
示されている。
強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜を形成し、この硬質炭素
膜表面をアンモニアガスにてグロー放電処理し、さらに
含フッ素カルボン酸を含む潤滑剤層を形成する構成が開
示されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構成においても、優れた電磁変換特性及び耐久性を兼ね
備えた磁気記録媒体を提供することは困難であり、未だ
数多くの問題が存在している。
構成においても、優れた電磁変換特性及び耐久性を兼ね
備えた磁気記録媒体を提供することは困難であり、未だ
数多くの問題が存在している。
【００１６】例えば表面層の窒素原子の濃度を炭素原子
の濃度に対して４０原子％以上にした有機高分子化合物
からなる保護膜層上に潤滑剤層を形成する構成では、保
護膜層と潤滑剤層との接着性は改善されるものの窒素原
子濃度が高すぎるために保護膜層自体の硬度が低下し、
その結果、スチルライフ等の耐久性が悪化するという問
題が生じた。一方、窒素イオン注入層を有するダイヤモ
ンド状硬質炭素薄膜上に潤滑剤層を設ける構成ならびに
窒素を５原子％から１５原子％含んだダイヤモンド状硬
質炭素薄膜上に潤滑剤層を設ける構成では、潤滑剤分子
中に導入された極性基と化学的親和力の強い窒素原子を
含有しているものの、炭素膜中の炭素原子の結合状態が
ＳＰ3 結合を主体とし、ＳＰ2 成分が極めて少ない膜構
造を有しているため、潤滑剤層との接着性が充分に改善
されず、走行耐久性の大幅な向上を達成することができ
ない。
の濃度に対して４０原子％以上にした有機高分子化合物
からなる保護膜層上に潤滑剤層を形成する構成では、保
護膜層と潤滑剤層との接着性は改善されるものの窒素原
子濃度が高すぎるために保護膜層自体の硬度が低下し、
その結果、スチルライフ等の耐久性が悪化するという問
題が生じた。一方、窒素イオン注入層を有するダイヤモ
ンド状硬質炭素薄膜上に潤滑剤層を設ける構成ならびに
窒素を５原子％から１５原子％含んだダイヤモンド状硬
質炭素薄膜上に潤滑剤層を設ける構成では、潤滑剤分子
中に導入された極性基と化学的親和力の強い窒素原子を
含有しているものの、炭素膜中の炭素原子の結合状態が
ＳＰ3 結合を主体とし、ＳＰ2 成分が極めて少ない膜構
造を有しているため、潤滑剤層との接着性が充分に改善
されず、走行耐久性の大幅な向上を達成することができ
ない。
【００１７】また硬質炭素保護膜と潤滑剤層との界面に
含窒素プラズマ重合膜を形成する構成では、含窒素プラ
ズマ重合膜の硬度が低く摩耗しやすいため、走行安定
性、耐久性を飛躍的に向上させることはできない。特に
耐摩耗性を改善するために含窒素プラズマ重合膜の膜厚
を大きく設定した場合には、磁性層と磁気ヘッド間のス
ペーシング損失が増大し、電磁変換特性が悪化する結果
を招いてしまう。
含窒素プラズマ重合膜を形成する構成では、含窒素プラ
ズマ重合膜の硬度が低く摩耗しやすいため、走行安定
性、耐久性を飛躍的に向上させることはできない。特に
耐摩耗性を改善するために含窒素プラズマ重合膜の膜厚
を大きく設定した場合には、磁性層と磁気ヘッド間のス
ペーシング損失が増大し、電磁変換特性が悪化する結果
を招いてしまう。
【００１８】さらに硬質炭素保護膜表面をアンモニアガ
スにてグロー放電処理した後に潤滑剤層を形成する構成
では、硬質炭素保護膜表面が非重合性ガスであるアンモ
ニアから生成した荷電粒子の衝撃により著しいダメージ
を受けるため、耐久性及び耐候性が大幅に悪化するとい
う問題を有していた。
スにてグロー放電処理した後に潤滑剤層を形成する構成
では、硬質炭素保護膜表面が非重合性ガスであるアンモ
ニアから生成した荷電粒子の衝撃により著しいダメージ
を受けるため、耐久性及び耐候性が大幅に悪化するとい
う問題を有していた。
【００１９】本発明は上記課題を解決するものであり、
電磁変換特性と実用信頼性とを高次元で両立させること
のできる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
電磁変換特性と実用信頼性とを高次元で両立させること
のできる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第１の本発明は、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子を含有し、且つ
ラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−
ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）
の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜
を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構
成とする。
に第１の本発明は、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子を含有し、且つ
ラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−
ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）
の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜
を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構
成とする。
【００２１】第２の本発明は、非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度
が最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少な
くとも２層以上の積層構造を有し、且つ最上層に関する
ラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−
ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）
の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜
を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構
成とする。
属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度
が最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少な
くとも２層以上の積層構造を有し、且つ最上層に関する
ラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−
ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）
の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜
を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構
成とする。
【００２２】第３の本発明は、非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度
が最表面から深さ方向に向かって連続的に減少する膜構
造を有し、且つ最表面近傍部分に関するラマンスペクト
ルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５
５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比
（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜を形成し、さ
らにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構成とする。
属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度
が最表面から深さ方向に向かって連続的に減少する膜構
造を有し、且つ最表面近傍部分に関するラマンスペクト
ルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５
５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比
（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である炭素膜を形成し、さ
らにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成する構成とする。
【００２３】
【作用】第１の本発明によれば、強磁性金属薄膜上に形
成した炭素膜が潤滑剤分子中に導入された極性基と化学
的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有し、しかも
炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体としながらも、
ＳＰ2 成分が比較的多い膜構造を有しているために、テ
ープ表面に潤滑剤分子を強固に保持することができる。
したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との
相乗効果により、電磁変換特性、走行安定性、耐久性、
耐候性に優れた磁気記録媒体を提供することが可能とな
る。
成した炭素膜が潤滑剤分子中に導入された極性基と化学
的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有し、しかも
炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体としながらも、
ＳＰ2 成分が比較的多い膜構造を有しているために、テ
ープ表面に潤滑剤分子を強固に保持することができる。
したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との
相乗効果により、電磁変換特性、走行安定性、耐久性、
耐候性に優れた磁気記録媒体を提供することが可能とな
る。
【００２４】第２の本発明によれば、強磁性金属薄膜上
に形成した炭素膜の最上層が潤滑剤分子中に導入された
極性基と化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含
有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体と
しながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い構造を有している
ために、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持すること
ができる。さらに炭素膜中の窒素原子濃度が潤滑剤層と
接する側の界面から深さ方向に向かって段階的に減少し
ている積層構造となっており、炭素膜の最上層以外の各
層がＳＰ3 結合数の多い高硬度でしかも緻密な構造を有
しているために、炭素膜自体の耐摩耗性を確保すること
が可能となる。したがって磁性層上に形成された炭素膜
と潤滑剤層との相乗効果を充分に発揮することができる
ため、電磁変換特性、走行安定性、耐久性、耐候性に優
れた磁気記録媒体を提供することが可能となる。
に形成した炭素膜の最上層が潤滑剤分子中に導入された
極性基と化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含
有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体と
しながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い構造を有している
ために、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持すること
ができる。さらに炭素膜中の窒素原子濃度が潤滑剤層と
接する側の界面から深さ方向に向かって段階的に減少し
ている積層構造となっており、炭素膜の最上層以外の各
層がＳＰ3 結合数の多い高硬度でしかも緻密な構造を有
しているために、炭素膜自体の耐摩耗性を確保すること
が可能となる。したがって磁性層上に形成された炭素膜
と潤滑剤層との相乗効果を充分に発揮することができる
ため、電磁変換特性、走行安定性、耐久性、耐候性に優
れた磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００２５】第３の本発明によれば、強磁性金属薄膜上
に形成した炭素膜の最表面近傍部分が潤滑剤分子中に導
入された極性基と化学的親和力の強い窒素原子を適切な
量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合
を主体としながらも、ＳＰ2成分が比較的多い構造を有
しているために、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持
することができる。さらに炭素膜中の窒素原子濃度が潤
滑剤層と接する側の界面から深さ方向に向かって連続的
に減少している膜構造となっており、炭素膜の潤滑剤層
との界面近傍以外の部分がＳＰ3 結合数の多い高硬度で
しかも緻密な膜構造を有しているために、炭素膜自体の
内部応力を適度に緩和することができるとともに炭素膜
自体の耐摩耗性を確保することが可能となる。したがっ
て磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との相乗効果
を充分に発揮することができるため、電磁変換特性、走
行安定性、耐久性、耐候性に優れた磁気記録媒体を提供
することが可能となる。
に形成した炭素膜の最表面近傍部分が潤滑剤分子中に導
入された極性基と化学的親和力の強い窒素原子を適切な
量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合
を主体としながらも、ＳＰ2成分が比較的多い構造を有
しているために、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持
することができる。さらに炭素膜中の窒素原子濃度が潤
滑剤層と接する側の界面から深さ方向に向かって連続的
に減少している膜構造となっており、炭素膜の潤滑剤層
との界面近傍以外の部分がＳＰ3 結合数の多い高硬度で
しかも緻密な膜構造を有しているために、炭素膜自体の
内部応力を適度に緩和することができるとともに炭素膜
自体の耐摩耗性を確保することが可能となる。したがっ
て磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との相乗効果
を充分に発揮することができるため、電磁変換特性、走
行安定性、耐久性、耐候性に優れた磁気記録媒体を提供
することが可能となる。
【００２６】
（実施例１）以下第１の本発明の実施例について図面を
参照しながら詳細に説明する。
参照しながら詳細に説明する。
【００２７】図１は第１の本発明の強磁性金属薄膜型磁
気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、１は非
磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表面に
は最大高さ粗さ（Ｒmax ）が１０ｎｍ〜３０ｎｍの微小
突起層２が形成されている。３は強磁性金属薄膜であ
り、真空雰囲気中でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属もしくは
合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわず
かな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化さ
せた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は１５０ｎｍ
〜２００ｎｍである。４はバックコート層であり、カー
ボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニ
トロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥さ
せることにより形成する。その膜厚は５００ｎｍ程度で
ある。５は窒素原子含有炭素膜であり、プラズマＣＶＤ
法等により形成することができ、その膜厚は短波長領域
での再生出力を確保するために、８ｎｍ〜２０ｎｍが最
適である。また６はカルボキシル基等の極性基を分子中
に導入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式塗布法ある
いは有機蒸着法により形成し、その膜厚は３ｎｍ程度で
ある。
気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、１は非
磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表面に
は最大高さ粗さ（Ｒmax ）が１０ｎｍ〜３０ｎｍの微小
突起層２が形成されている。３は強磁性金属薄膜であ
り、真空雰囲気中でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属もしくは
合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわず
かな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化さ
せた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は１５０ｎｍ
〜２００ｎｍである。４はバックコート層であり、カー
ボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニ
トロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥さ
せることにより形成する。その膜厚は５００ｎｍ程度で
ある。５は窒素原子含有炭素膜であり、プラズマＣＶＤ
法等により形成することができ、その膜厚は短波長領域
での再生出力を確保するために、８ｎｍ〜２０ｎｍが最
適である。また６はカルボキシル基等の極性基を分子中
に導入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式塗布法ある
いは有機蒸着法により形成し、その膜厚は３ｎｍ程度で
ある。
【００２８】また図２は、第１の本発明の強磁性金属薄
膜型磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５を
プラズマＣＶＤ法を用いて形成するための成膜装置の概
略図を示したものである。図中、７は真空槽であり、真
空ポンプ８を用いて真空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒ
ｒ〜１０-5ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行
っている。９は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３及び
バックコート層４を形成させた金属薄膜型磁気テープ用
原反であり、巻き出しロール１０から送り出され、２本
のパスロール１１、１２及び円筒状の冷却キャン１３の
外周面を経由して巻き取りロール１４に巻き取られる。
なお冷却キャン１３は金属薄膜型磁気テープ用原反９を
一定速度で搬送できるように回転制御する働きをしてい
る。
膜型磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５を
プラズマＣＶＤ法を用いて形成するための成膜装置の概
略図を示したものである。図中、７は真空槽であり、真
空ポンプ８を用いて真空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒ
ｒ〜１０-5ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行
っている。９は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３及び
バックコート層４を形成させた金属薄膜型磁気テープ用
原反であり、巻き出しロール１０から送り出され、２本
のパスロール１１、１２及び円筒状の冷却キャン１３の
外周面を経由して巻き取りロール１４に巻き取られる。
なお冷却キャン１３は金属薄膜型磁気テープ用原反９を
一定速度で搬送できるように回転制御する働きをしてい
る。
【００２９】１５は窒素原子含有炭素膜５を金属薄膜型
磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上に成膜す
るための放電管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放
電管１５の内部には、パイプ状の放電電極１６が設置さ
れている。パイプ状の放電電極１６はプラズマ発生用電
源１７と接続されており、プラズマ発生用電源１７とし
ては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加す
る方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する方
式の３種類の放電方式を採用することができる。１８は
含窒素有機系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス（原料ガス）を放電管１５内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上に成膜す
るための放電管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放
電管１５の内部には、パイプ状の放電電極１６が設置さ
れている。パイプ状の放電電極１６はプラズマ発生用電
源１７と接続されており、プラズマ発生用電源１７とし
ては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加す
る方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する方
式の３種類の放電方式を採用することができる。１８は
含窒素有機系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス（原料ガス）を放電管１５内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
【００３０】実施例１−１ 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による表面形状分析で
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
【００３１】次に図２に示した成膜装置の真空槽７内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、放電管１５内にアリルアミンガス
（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とアルゴンガス（無機
系ガス：Ａｒ）をそれぞれ導入し、アリルアミンガスと
アルゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２
５ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。その
後、金属薄膜型磁気テープ用原反９を４ｍ／ｍｉｎの走
行スピードで搬送させるとともに、パイプ状の放電電極
１６に直流電圧を１２００Ｖ印加することで、非平衡プ
ラズマを発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強
磁性金属薄膜３表面上に窒素原子含有炭素膜５を膜厚１
２ｎｍ成膜する。
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、放電管１５内にアリルアミンガス
（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とアルゴンガス（無機
系ガス：Ａｒ）をそれぞれ導入し、アリルアミンガスと
アルゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２
５ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。その
後、金属薄膜型磁気テープ用原反９を４ｍ／ｍｉｎの走
行スピードで搬送させるとともに、パイプ状の放電電極
１６に直流電圧を１２００Ｖ印加することで、非平衡プ
ラズマを発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強
磁性金属薄膜３表面上に窒素原子含有炭素膜５を膜厚１
２ｎｍ成膜する。
【００３２】次に窒素原子含有炭素膜５表面上に含フッ
素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ）からなる
含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により膜厚３ｎｍ程
度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ）からなる
含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により膜厚３ｎｍ程
度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３３】実施例１−２ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスであるアリルア
ミンガスとアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧
力を０．３０ｔｏｒｒとし、さらに放電印加電圧を直流
電圧１０００Ｖ、原反搬送スピードを６ｍ／ｍｉｎとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成
膜すること以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍ
ｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
ミンガスとアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧
力を０．３０ｔｏｒｒとし、さらに放電印加電圧を直流
電圧１０００Ｖ、原反搬送スピードを６ｍ／ｍｉｎとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成
膜すること以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍ
ｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３４】実施例１−３ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、アリル
アミンの代わりにブチルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ
4Ｈ11Ｎ ）を用い、ブチルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、さらに放電印加電圧を直流電圧７００Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜する
こと以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴ
Ｒ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
アミンの代わりにブチルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ
4Ｈ11Ｎ ）を用い、ブチルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、さらに放電印加電圧を直流電圧７００Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜する
こと以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴ
Ｒ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３５】実施例１−４ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、アリル
アミンの代わりにピリジン（含窒素有機系ガス：Ｃ5Ｈ5
Ｎ）を用い、ピリジンガスとアルゴンガスとの圧力比を
３：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとし、さらに放
電印加電圧を直流電圧１５００Ｖ、原反搬送スピードを
６ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５
を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は実施例１−１と同様
な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作
製した。
アミンの代わりにピリジン（含窒素有機系ガス：Ｃ5Ｈ5
Ｎ）を用い、ピリジンガスとアルゴンガスとの圧力比を
３：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとし、さらに放
電印加電圧を直流電圧１５００Ｖ、原反搬送スピードを
６ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５
を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は実施例１−１と同様
な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作
製した。
【００３６】比較例１−１ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスであるアリルア
ミンの代わりにヘキサン（炭化水素系ガス：Ｃ6Ｈ14 ）
を用い、さらに原反搬送スピードを６ｍ／ｍｉｎとする
ことにより、炭素膜を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は
実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
ミンの代わりにヘキサン（炭化水素系ガス：Ｃ6Ｈ14 ）
を用い、さらに原反搬送スピードを６ｍ／ｍｉｎとする
ことにより、炭素膜を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は
実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
【００３７】比較例１−２ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスであるアリルア
ミンガスとアルゴンガスの総ガス圧力を０．１５ｔｏｒ
ｒとし、さらに放電印加電圧を直流電圧１８００Ｖとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成
膜すること以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍ
ｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
ミンガスとアルゴンガスの総ガス圧力を０．１５ｔｏｒ
ｒとし、さらに放電印加電圧を直流電圧１８００Ｖとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成
膜すること以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍ
ｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３８】比較例１−３ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、アリル
アミンの代わりにプロピルアミン（含窒素有機系ガス：
Ｃ3Ｈ9Ｎ）を用い、プロピルアミンガスとアルゴンガス
との圧力比を９：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、さらに放電印加電圧を直流電圧５００Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜する
こと以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴ
Ｒ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
アミンの代わりにプロピルアミン（含窒素有機系ガス：
Ｃ3Ｈ9Ｎ）を用い、プロピルアミンガスとアルゴンガス
との圧力比を９：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、さらに放電印加電圧を直流電圧５００Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜する
こと以外は実施例１−１と同様な方法により８ｍｍＶＴ
Ｒ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３９】比較例１−４ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、アリル
アミンとアルゴンの代わりにブチルアミンのみを用い、
ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、さらに放電印加電圧
を交流電圧７００Ｖ（周波数３０ｋＨｚ）、原反搬送ス
ピードを２ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有
炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は実施例１−
１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テ
ープを作製した。
アミンとアルゴンの代わりにブチルアミンのみを用い、
ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、さらに放電印加電圧
を交流電圧７００Ｖ（周波数３０ｋＨｚ）、原反搬送ス
ピードを２ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有
炭素膜５を膜厚１２ｎｍ成膜すること以外は実施例１−
１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テ
ープを作製した。
【００４０】実施例及び比較例における窒素原子含有炭
素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）に関する２つの
ラマンピークの積分強度比は、励起光としてアルゴンイ
オンレーザー（波長：５１４．５ｎｍ）を利用したラマ
ン分光分析（ＲＳ）により得られた２つのラマンピーク
（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲線にて波形分離処理
し、波形分離処理後のラマンピーク（Ａ）の積分強度を
波形分離処理後のラマンピーク（Ｂ）の積分強度で除し
た値に相当する。その結果を（表１）に示す。
素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）に関する２つの
ラマンピークの積分強度比は、励起光としてアルゴンイ
オンレーザー（波長：５１４．５ｎｍ）を利用したラマ
ン分光分析（ＲＳ）により得られた２つのラマンピーク
（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲線にて波形分離処理
し、波形分離処理後のラマンピーク（Ａ）の積分強度を
波形分離処理後のラマンピーク（Ｂ）の積分強度で除し
た値に相当する。その結果を（表１）に示す。
【００４１】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）における化
学組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６未形成の
金属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分解Ｘ線光
電子分光法（Angle ResolvedＸＰＳ）により表面分析し
たものであり、その結果を（表１）に示す。
有炭素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）における化
学組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６未形成の
金属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分解Ｘ線光
電子分光法（Angle ResolvedＸＰＳ）により表面分析し
たものであり、その結果を（表１）に示す。
【００４２】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表１）に示す。
有炭素膜５（比較例１−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表１）に示す。
【００４３】さらに金属薄膜型磁気テープ用原反９の代
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例１
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により膜厚１２ｎｍに相当する窒素原
子含有炭素膜（比較例１−１の場合は炭素膜）のビッカ
ース硬度を算出し、その値を窒素原子含有炭素膜５（比
較例１−１の場合は炭素膜）のビッカース硬度値とし
た。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜（比較例１−
１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメータにより測定
した値を採用した。その結果を（表１）に示す。
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例１
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により膜厚１２ｎｍに相当する窒素原
子含有炭素膜（比較例１−１の場合は炭素膜）のビッカ
ース硬度を算出し、その値を窒素原子含有炭素膜５（比
較例１−１の場合は炭素膜）のビッカース硬度値とし
た。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜（比較例１−
１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメータにより測定
した値を採用した。その結果を（表１）に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】以上の実施例及び比較例にて得られた各８
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープ（以下、単に磁気テ
ープと称する。）について以下の測定を行った。 （１）スチルライフ スチルライフ測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２
３℃−１０％ＲＨの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、３０ｇ荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が６ｄＢ落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長１０時間で打ち切った。 （２）耐候性試験 耐候性試験としては、４０℃−９０％ＲＨの環境下で３
０日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し５段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを５とし、実用上問題を有するものを
１とした。 （３）高温高湿環境保存後のスチルライフ スチルライフ測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２
３℃−１０％ＲＨの環境下、耐候性試験後の各磁気テー
プに映像信号を記録し、３０ｇ荷重の条件でスチルモー
ドにて再生を行い、その再生出力が６ｄＢ落ち込むまで
の時間を示した。なお測定は最長５時間で打ち切った。 （４）高温高湿環境保存後の摩擦係数μk 直径４ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓのステンレス（ＳＵＳ４
２０Ｊ２）円柱に耐候性試験後の各磁気テープの磁性層
形成面が９０゜に渡って接触するようにし、ステンレス
円柱に対して、入側張力を３０ｇ、テープ走行速度を
０．５ｍｍ／ｓｅｃに設定した時の出側張力Ｘｇを測定
し、次式から摩擦係数を求めた。
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープ（以下、単に磁気テ
ープと称する。）について以下の測定を行った。 （１）スチルライフ スチルライフ測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２
３℃−１０％ＲＨの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、３０ｇ荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が６ｄＢ落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長１０時間で打ち切った。 （２）耐候性試験 耐候性試験としては、４０℃−９０％ＲＨの環境下で３
０日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し５段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを５とし、実用上問題を有するものを
１とした。 （３）高温高湿環境保存後のスチルライフ スチルライフ測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２
３℃−１０％ＲＨの環境下、耐候性試験後の各磁気テー
プに映像信号を記録し、３０ｇ荷重の条件でスチルモー
ドにて再生を行い、その再生出力が６ｄＢ落ち込むまで
の時間を示した。なお測定は最長５時間で打ち切った。 （４）高温高湿環境保存後の摩擦係数μk 直径４ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓのステンレス（ＳＵＳ４
２０Ｊ２）円柱に耐候性試験後の各磁気テープの磁性層
形成面が９０゜に渡って接触するようにし、ステンレス
円柱に対して、入側張力を３０ｇ、テープ走行速度を
０．５ｍｍ／ｓｅｃに設定した時の出側張力Ｘｇを測定
し、次式から摩擦係数を求めた。
【００４６】
【数１】
【００４７】なお測定環境は２５℃−３０％ＲＨであ
り、摩擦係数としては、走行１００パス目の測定値を採
用することにした。 （５）走行耐久性試験 ＲＦ出力測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２３℃
−１０％ＲＨの環境下、６０分長の各磁気テープに映像
信号を記録し、繰り返し走行による耐久試験を行った。
評価は再生１パス目の出力を基準（０ｄＢ）とし、再生
出力が３ｄＢ低下するまでのパス回数で示した。なお繰
り返し走行回数は最大３００パスとした。
り、摩擦係数としては、走行１００パス目の測定値を採
用することにした。 （５）走行耐久性試験 ＲＦ出力測定用に改造した８ｍｍＶＴＲを用い、２３℃
−１０％ＲＨの環境下、６０分長の各磁気テープに映像
信号を記録し、繰り返し走行による耐久試験を行った。
評価は再生１パス目の出力を基準（０ｄＢ）とし、再生
出力が３ｄＢ低下するまでのパス回数で示した。なお繰
り返し走行回数は最大３００パスとした。
【００４８】（表２）に各実施例、比較例にて作製した
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
【００４９】
【表２】
【００５０】（表１）及び（表２）から明らかなよう
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄
膜上に形成した炭素膜が潤滑剤分子中に導入された極性
基（カルボキシル基）と化学的親和力の強い窒素原子を
適切な量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ
3 結合を主体としながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い膜
構造を有しているために、炭素膜の硬度を低下させるこ
となく、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持すること
ができる。したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤
滑剤層との相乗効果により、耐久性、耐候性、走行安定
性を大幅に向上させることが可能となった。
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄
膜上に形成した炭素膜が潤滑剤分子中に導入された極性
基（カルボキシル基）と化学的親和力の強い窒素原子を
適切な量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ
3 結合を主体としながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い膜
構造を有しているために、炭素膜の硬度を低下させるこ
となく、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持すること
ができる。したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤
滑剤層との相乗効果により、耐久性、耐候性、走行安定
性を大幅に向上させることが可能となった。
【００５１】比較例１−１では、炭素膜が窒素原子を含
有せず、しかもＳＰ3 結合を主体とし、ＳＰ2 成分が極
めて少ない膜構造となっているために、また比較例１−
２では、炭素膜中の炭素に対する窒素の原子比率及び酸
素に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以下と
なっており、しかもＳＰ2 成分が比較的少ない膜構造と
なっているために、炭素膜と含フッ素系潤滑剤層との接
着性が改善されず、耐久性、耐候性の悪化等を招く結果
となった。
有せず、しかもＳＰ3 結合を主体とし、ＳＰ2 成分が極
めて少ない膜構造となっているために、また比較例１−
２では、炭素膜中の炭素に対する窒素の原子比率及び酸
素に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以下と
なっており、しかもＳＰ2 成分が比較的少ない膜構造と
なっているために、炭素膜と含フッ素系潤滑剤層との接
着性が改善されず、耐久性、耐候性の悪化等を招く結果
となった。
【００５２】比較例１−３及び比較例１−４では、炭素
膜中の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基（カ
ルボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜と潤滑
剤層とが強固に接着するものの、炭素膜中の炭素に対す
る窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以上となってい
るために、炭素膜自体の耐摩耗性が低下し、耐久性、耐
候性が悪化した。
膜中の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基（カ
ルボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜と潤滑
剤層とが強固に接着するものの、炭素膜中の炭素に対す
る窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以上となってい
るために、炭素膜自体の耐摩耗性が低下し、耐久性、耐
候性が悪化した。
【００５３】（実施例２）以下第２の本発明の実施例に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５４】図３は第２の本発明の強磁性金属薄膜型磁
気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、１は非
磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表面に
は最大高さ粗さ（Ｒmax ）が１０ｎｍ〜３０ｎｍの微小
突起層２が形成されている。３は強磁性金属薄膜であ
り、真空雰囲気中でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属もしくは
合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわず
かな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化さ
せた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は１５０ｎｍ
〜２００ｎｍである。４はバックコート層であり、カー
ボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニ
トロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥さ
せることにより形成する。その膜厚は５００ｎｍ程度で
ある。５は窒素原子含有炭素膜であり、窒素原子濃度が
最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少なく
とも２層以上の積層構造を有し、各層の厚さの総和は短
波長領域での再生出力を確保するために、４ｎｍ〜２０
ｎｍが最適である。なお窒素原子含有炭素膜５はプラズ
マＣＶＤ法等により形成することができる。また６はカ
ルボキシル基等の極性基を分子中に導入した含フッ素系
潤滑剤層であり、湿式塗布法あるいは有機蒸着法により
形成し、その膜厚は３ｎｍ程度である。
気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、１は非
磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表面に
は最大高さ粗さ（Ｒmax ）が１０ｎｍ〜３０ｎｍの微小
突起層２が形成されている。３は強磁性金属薄膜であ
り、真空雰囲気中でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属もしくは
合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわず
かな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化さ
せた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は１５０ｎｍ
〜２００ｎｍである。４はバックコート層であり、カー
ボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニ
トロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥さ
せることにより形成する。その膜厚は５００ｎｍ程度で
ある。５は窒素原子含有炭素膜であり、窒素原子濃度が
最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少なく
とも２層以上の積層構造を有し、各層の厚さの総和は短
波長領域での再生出力を確保するために、４ｎｍ〜２０
ｎｍが最適である。なお窒素原子含有炭素膜５はプラズ
マＣＶＤ法等により形成することができる。また６はカ
ルボキシル基等の極性基を分子中に導入した含フッ素系
潤滑剤層であり、湿式塗布法あるいは有機蒸着法により
形成し、その膜厚は３ｎｍ程度である。
【００５５】また図４は、第２の本発明の強磁性金属薄
膜型磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５
（上層部／下層部の２層構造）をプラズマＣＶＤ法を用
いて形成するための成膜装置の概略図を示したものであ
る。図中、７は真空槽であり、真空ポンプ８を用いて真
空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜１０-5ｔｏｒｒの
高真空状態となるように排気を行っている。９は非磁性
基板１上に強磁性金属薄膜３及びバックコート層４を形
成させた金属薄膜型磁気テープ用原反であり、巻き出し
ロール１０から送り出され、２本のパスロール１１、１
２及び円筒状の冷却キャン１３の外周面を経由して巻き
取りロール１４に巻き取られる。なお冷却キャン１３は
金属薄膜型磁気テープ用原反９を一定速度で搬送できる
ように回転制御する働きをしている。
膜型磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５
（上層部／下層部の２層構造）をプラズマＣＶＤ法を用
いて形成するための成膜装置の概略図を示したものであ
る。図中、７は真空槽であり、真空ポンプ８を用いて真
空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜１０-5ｔｏｒｒの
高真空状態となるように排気を行っている。９は非磁性
基板１上に強磁性金属薄膜３及びバックコート層４を形
成させた金属薄膜型磁気テープ用原反であり、巻き出し
ロール１０から送り出され、２本のパスロール１１、１
２及び円筒状の冷却キャン１３の外周面を経由して巻き
取りロール１４に巻き取られる。なお冷却キャン１３は
金属薄膜型磁気テープ用原反９を一定速度で搬送できる
ように回転制御する働きをしている。
【００５６】１５は窒素原子含有炭素膜５の下層部を金
属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上
に成膜するための放電管（非平衡プラズマ発生空間）で
あり、放電管１５の内部には、パイプ状の放電電極１６
が設置されている。パイプ状の放電電極１６はプラズマ
発生用電源１７と接続されており、プラズマ発生用電源
１７としては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみ
を印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印
加する方式の３種類の放電方式を採用することができ
る。１８は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスと
の混合ガス（原料ガス）を放電管１５内に導入するため
の原料ガス導入口である。
属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上
に成膜するための放電管（非平衡プラズマ発生空間）で
あり、放電管１５の内部には、パイプ状の放電電極１６
が設置されている。パイプ状の放電電極１６はプラズマ
発生用電源１７と接続されており、プラズマ発生用電源
１７としては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみ
を印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印
加する方式の３種類の放電方式を採用することができ
る。１８は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスと
の混合ガス（原料ガス）を放電管１５内に導入するため
の原料ガス導入口である。
【００５７】１９は窒素原子含有炭素膜５の上層部を下
層部表面上に成膜するための放電管（非平衡プラズマ発
生空間）であり、放電管１９の内部には、パイプ状の放
電電極２０が設置されている。パイプ状の放電電極２０
はプラズマ発生用電源２１と接続されており、プラズマ
発生用電源２１としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の３種類の放電方式を採用するこ
とができる。２２は含窒素有機系ガスとアルゴン等の無
機系ガスとの混合ガス（原料ガス）を放電管１９内に導
入するための原料ガス導入口である。
層部表面上に成膜するための放電管（非平衡プラズマ発
生空間）であり、放電管１９の内部には、パイプ状の放
電電極２０が設置されている。パイプ状の放電電極２０
はプラズマ発生用電源２１と接続されており、プラズマ
発生用電源２１としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の３種類の放電方式を採用するこ
とができる。２２は含窒素有機系ガスとアルゴン等の無
機系ガスとの混合ガス（原料ガス）を放電管１９内に導
入するための原料ガス導入口である。
【００５８】実施例２−１ 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による表面形状分析で
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
【００５９】次に図４に示した成膜装置の真空槽７内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、放電管１５内にベンゼンガス（炭
化水素系ガス：Ｃ6Ｈ6）とアルゴンガス（無機系ガス：
Ａｒ）をそれぞれ導入し、ベンゼンガスとアルゴンガス
との圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２０ｔｏｒｒと
なるようにガス流量の調整を行う。また放電管１９内に
アリルアミンガス（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とア
ルゴンガスをそれぞれ導入し、アリルアミンガスとアル
ゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２５ｔ
ｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。その後、金
属薄膜型磁気テープ用原反９を１６ｍ／ｍｉｎの走行ス
ピードで搬送させるとともに、パイプ状の放電電極１６
に直流電圧を１３００Ｖ印加することで、非平衡プラズ
マを発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性
金属薄膜３表面上に窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚
さ９ｎｍ形成する。さらにパイプ状の放電電極２０に直
流電圧を１１００Ｖ印加することで、非平衡プラズマを
発生させ、窒素原子含有炭素膜５の下層部表面上に上層
部を厚さ３ｎｍ形成する。
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、放電管１５内にベンゼンガス（炭
化水素系ガス：Ｃ6Ｈ6）とアルゴンガス（無機系ガス：
Ａｒ）をそれぞれ導入し、ベンゼンガスとアルゴンガス
との圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２０ｔｏｒｒと
なるようにガス流量の調整を行う。また放電管１９内に
アリルアミンガス（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とア
ルゴンガスをそれぞれ導入し、アリルアミンガスとアル
ゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２５ｔ
ｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。その後、金
属薄膜型磁気テープ用原反９を１６ｍ／ｍｉｎの走行ス
ピードで搬送させるとともに、パイプ状の放電電極１６
に直流電圧を１３００Ｖ印加することで、非平衡プラズ
マを発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性
金属薄膜３表面上に窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚
さ９ｎｍ形成する。さらにパイプ状の放電電極２０に直
流電圧を１１００Ｖ印加することで、非平衡プラズマを
発生させ、窒素原子含有炭素膜５の下層部表面上に上層
部を厚さ３ｎｍ形成する。
【００６０】次に窒素原子含有炭素膜５の上層部表面上
に含フッ素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ
）からなる含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により
膜厚３ｎｍ程度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
に含フッ素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ
）からなる含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により
膜厚３ｎｍ程度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００６１】実施例２−２ 窒素原子含有炭素膜５下層部形成用の原料ガスとして、
ベンゼンの代わりにトルエン（炭化水素系ガス：Ｃ
7Ｈ8）を用い、トルエンガスとアルゴンガスとの圧力比
を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧１５００Ｖとすること、また上層部形
成用の原料ガスとして、アリルアミンの代わりにブチル
アミン（含窒素有機系ガス：Ｃ4Ｈ11Ｎ ）を用い、放電
管１９の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の
１／３倍に設定し、その際のブチルアミンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏ
ｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧６５０Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚さ１１ｎ
ｍ、上層部を厚さ１ｎｍ形成すること以外は実施例２−
１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テ
ープを作製した。
ベンゼンの代わりにトルエン（炭化水素系ガス：Ｃ
7Ｈ8）を用い、トルエンガスとアルゴンガスとの圧力比
を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧１５００Ｖとすること、また上層部形
成用の原料ガスとして、アリルアミンの代わりにブチル
アミン（含窒素有機系ガス：Ｃ4Ｈ11Ｎ ）を用い、放電
管１９の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の
１／３倍に設定し、その際のブチルアミンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏ
ｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧６５０Ｖとすること
により、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚さ１１ｎ
ｍ、上層部を厚さ１ｎｍ形成すること以外は実施例２−
１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テ
ープを作製した。
【００６２】実施例２−３ 窒素原子含有炭素膜５下層部形成用の原料ガスとして、
ベンゼンの代わりにメタン（炭化水素系ガス：ＣＨ4 ）
を用い、放電管１５の原反長手方向（原反搬送方向）の
長さを標準の３／５倍に設定し、その際のメタンガスと
アルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を０．０
８ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧８００Ｖとす
ること、また上層部形成用の原料ガスとして、アリルア
ミンの代わりにブチルアミンを用い、ブチルアミンガス
とアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧力を０．
３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧６５０Ｖと
すること、さらに原反搬送スピードを３ｍ／ｍｉｎとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚さ３
ｎｍ、上層部を厚さ１５ｎｍ形成すること以外は実施例
２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁
気テープを作製した。
ベンゼンの代わりにメタン（炭化水素系ガス：ＣＨ4 ）
を用い、放電管１５の原反長手方向（原反搬送方向）の
長さを標準の３／５倍に設定し、その際のメタンガスと
アルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を０．０
８ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧８００Ｖとす
ること、また上層部形成用の原料ガスとして、アリルア
ミンの代わりにブチルアミンを用い、ブチルアミンガス
とアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガス圧力を０．
３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧６５０Ｖと
すること、さらに原反搬送スピードを３ｍ／ｍｉｎとす
ることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚さ３
ｎｍ、上層部を厚さ１５ｎｍ形成すること以外は実施例
２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁
気テープを作製した。
【００６３】実施例２−４ 放電管１５の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標
準の１／２倍に設定し、その際のベンゼンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏ
ｒｒとすること、また上層部形成用の原料ガスとして、
アリルアミンの代わりにピリジンを用い、ピリジンガス
とアルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を０．
２０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧１４００Ｖ
とすること、さらに原反搬送スピードを１２ｍ／ｍｉｎ
とすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚
さ６ｎｍ、上層部を厚さ６ｎｍ形成すること以外は実施
例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
準の１／２倍に設定し、その際のベンゼンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏ
ｒｒとすること、また上層部形成用の原料ガスとして、
アリルアミンの代わりにピリジンを用い、ピリジンガス
とアルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を０．
２０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧１４００Ｖ
とすること、さらに原反搬送スピードを１２ｍ／ｍｉｎ
とすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部を厚
さ６ｎｍ、上層部を厚さ６ｎｍ形成すること以外は実施
例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
【００６４】比較例２−１ 窒素原子含有炭素膜５上層部形成用の原料ガスであるア
リルアミンの代わりにメタンを用い、放電印加電圧を直
流電圧５００Ｖとすることにより、炭素膜の上層部を厚
さ３ｎｍ形成すること以外は実施例２−１と同様な方法
により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
リルアミンの代わりにメタンを用い、放電印加電圧を直
流電圧５００Ｖとすることにより、炭素膜の上層部を厚
さ３ｎｍ形成すること以外は実施例２−１と同様な方法
により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
【００６５】比較例２−２ 放電管１５の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標
準の２／３倍に設定し、その際のベンゼンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏ
ｒｒとすること、また放電管１９の原反長手方向（原反
搬送方向）の長さを標準の２倍に設定し、その際のアリ
ルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガ
ス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電
圧１９００Ｖとすることにより、窒素原子含有炭素膜５
の下層部を厚さ６ｎｍ、上層部を厚さ６ｎｍ形成するこ
と以外は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
準の２／３倍に設定し、その際のベンゼンガスとアルゴ
ンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏ
ｒｒとすること、また放電管１９の原反長手方向（原反
搬送方向）の長さを標準の２倍に設定し、その際のアリ
ルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガ
ス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電
圧１９００Ｖとすることにより、窒素原子含有炭素膜５
の下層部を厚さ６ｎｍ、上層部を厚さ６ｎｍ形成するこ
と以外は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００６６】比較例２−３ 窒素原子含有炭素膜５下層部形成用の原料ガスとして、
ベンゼンの代わりにメタンを用い、放電管１５の原反長
手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２／５倍に設定
し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比を
３：１、総ガス圧力を０．０８ｔｏｒｒとし、放電印加
電圧を直流電圧８００Ｖとすること、また上層部形成用
の原料ガスとして、アリルアミンの代わりにプロピルア
ミン（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ9Ｎ）を用い、プロピル
アミンガスとアルゴンガスとの圧力比を９：１、総ガス
圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧
４５０Ｖとすること、さらに原反搬送スピードを３ｍ／
ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層
部を厚さ２ｎｍ、上層部を厚さ１６ｎｍ形成すること以
外は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金
属薄膜型磁気テープを作製した。
ベンゼンの代わりにメタンを用い、放電管１５の原反長
手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２／５倍に設定
し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比を
３：１、総ガス圧力を０．０８ｔｏｒｒとし、放電印加
電圧を直流電圧８００Ｖとすること、また上層部形成用
の原料ガスとして、アリルアミンの代わりにプロピルア
ミン（含窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ9Ｎ）を用い、プロピル
アミンガスとアルゴンガスとの圧力比を９：１、総ガス
圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧
４５０Ｖとすること、さらに原反搬送スピードを３ｍ／
ｍｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層
部を厚さ２ｎｍ、上層部を厚さ１６ｎｍ形成すること以
外は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金
属薄膜型磁気テープを作製した。
【００６７】比較例２−４ 窒素原子含有炭素膜５下層部形成用の原料ガスとして、
ベンゼンの代わりにメタンを用い、放電管１５の原反長
手方向（原反搬送方向）の長さを標準の５／２倍に設定
し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比を
４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加
電圧を直流電圧５００Ｖとすること、また上層部形成用
の原料ガスとして、アリルアミンとアルゴンの代わりに
ブチルアミンのみを用い、ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒ
とし、放電印加電圧を交流電圧７００Ｖ（周波数３０ｋ
Ｈｚ）とすること、さらに原反搬送スピードを８ｍ／ｍ
ｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部
を厚さ１５ｎｍ、上層部を厚さ３ｎｍ形成すること以外
は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
ベンゼンの代わりにメタンを用い、放電管１５の原反長
手方向（原反搬送方向）の長さを標準の５／２倍に設定
し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比を
４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加
電圧を直流電圧５００Ｖとすること、また上層部形成用
の原料ガスとして、アリルアミンとアルゴンの代わりに
ブチルアミンのみを用い、ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒ
とし、放電印加電圧を交流電圧７００Ｖ（周波数３０ｋ
Ｈｚ）とすること、さらに原反搬送スピードを８ｍ／ｍ
ｉｎとすることにより、窒素原子含有炭素膜５の下層部
を厚さ１５ｎｍ、上層部を厚さ３ｎｍ形成すること以外
は実施例２−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
【００６８】実施例及び比較例における窒素原子含有炭
素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の上層部、下層
部に関する２つのラマンピークの積分強度比は、励起光
としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．５ｎ
ｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得られた
２つのラマンピーク（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲
線にて波形分離処理し、波形分離処理後のラマンピーク
（Ａ）の積分強度を波形分離処理後のラマンピーク
（Ｂ）の積分強度で除した値に相当する。その結果を
（表３）に示す。
素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の上層部、下層
部に関する２つのラマンピークの積分強度比は、励起光
としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．５ｎ
ｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得られた
２つのラマンピーク（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲
線にて波形分離処理し、波形分離処理後のラマンピーク
（Ａ）の積分強度を波形分離処理後のラマンピーク
（Ｂ）の積分強度で除した値に相当する。その結果を
（表３）に示す。
【００６９】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の上層部に
おける化学組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６
未形成の金属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分
解Ｘ線光電子分光法（AngleResolved ＸＰＳ）により
表面分析したものであり、その結果を（表３）に示す。
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の上層部に
おける化学組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６
未形成の金属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分
解Ｘ線光電子分光法（AngleResolved ＸＰＳ）により
表面分析したものであり、その結果を（表３）に示す。
【００７０】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表３）に示す。
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表３）に示す。
【００７１】さらに金属薄膜型磁気テープ用原反９の代
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例２
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により厚さ１２ｎｍ（実施例２−３、
比較例２−３、比較例２−４の場合は厚さ１８ｎｍ）に
相当する窒素原子含有炭素膜（比較例２−１の場合は炭
素膜）のビッカース硬度を算出し、その値を窒素原子含
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）のビッカー
ス硬度値とした。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜
（比較例２−１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメー
タにより測定した値を採用した。その結果を（表３）に
示す。
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例２
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により厚さ１２ｎｍ（実施例２−３、
比較例２−３、比較例２−４の場合は厚さ１８ｎｍ）に
相当する窒素原子含有炭素膜（比較例２−１の場合は炭
素膜）のビッカース硬度を算出し、その値を窒素原子含
有炭素膜５（比較例２−１の場合は炭素膜）のビッカー
ス硬度値とした。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜
（比較例２−１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメー
タにより測定した値を採用した。その結果を（表３）に
示す。
【００７２】
【表３】
【００７３】以上の実施例及び比較例にて得られた各８
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープについて（実施例
１）と同一内容の測定を行った。
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープについて（実施例
１）と同一内容の測定を行った。
【００７４】（表４）に各実施例、比較例にて作製した
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
【００７５】
【表４】
【００７６】（表３）及び（表４）から明らかなよう
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、炭素膜の上層
部が潤滑剤分子中に導入された極性基（カルボキシル
基）と化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有
し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体とし
ながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い構造を有しているた
めに、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持することが
できる。さらに炭素膜の下層部がＳＰ3 結合数の多い高
硬度でしかも緻密な構造を有しているために、炭素膜自
体の耐摩耗性を確保することが可能となる。したがって
磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との相乗効果を
充分に発揮することができるため、耐久性、耐候性、走
行安定性を飛躍的に向上させることが可能となった。
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、炭素膜の上層
部が潤滑剤分子中に導入された極性基（カルボキシル
基）と化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有
し、しかも炭素原子の結合状態がＳＰ3 結合を主体とし
ながらも、ＳＰ2 成分が比較的多い構造を有しているた
めに、テープ表面に潤滑剤分子を強固に保持することが
できる。さらに炭素膜の下層部がＳＰ3 結合数の多い高
硬度でしかも緻密な構造を有しているために、炭素膜自
体の耐摩耗性を確保することが可能となる。したがって
磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層との相乗効果を
充分に発揮することができるため、耐久性、耐候性、走
行安定性を飛躍的に向上させることが可能となった。
【００７７】比較例２−１では、炭素膜の上層部が窒素
原子を含有していないために、また比較例２−２では、
炭素膜の上層部の炭素に対する窒素の原子比率及び酸素
に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以下とな
っており、しかもＳＰ2 成分が比較的少ない構造となっ
ているために、炭素膜と含フッ素系潤滑剤層との接着性
が改善されず、耐久性、耐候性の悪化等を招く結果とな
った。
原子を含有していないために、また比較例２−２では、
炭素膜の上層部の炭素に対する窒素の原子比率及び酸素
に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以下とな
っており、しかもＳＰ2 成分が比較的少ない構造となっ
ているために、炭素膜と含フッ素系潤滑剤層との接着性
が改善されず、耐久性、耐候性の悪化等を招く結果とな
った。
【００７８】比較例２−３及び比較例２−４では、炭素
膜の上層部の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性
基（カルボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜
と潤滑剤層とが強固に接着するものの、炭素膜の上層部
の炭素に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以
上となっており、しかも比較例２−３の場合には、炭素
膜の上層部の厚さが大きく、上層部／下層部の厚さ比率
が大きすぎるために、また比較例２−３の場合には、下
層部の炭素原子のＳＰ3 結合数が少なすぎるために、炭
素膜自体の耐摩耗性が低下し、耐久性、耐候性が悪化し
た。
膜の上層部の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性
基（カルボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜
と潤滑剤層とが強固に接着するものの、炭素膜の上層部
の炭素に対する窒素の原子比率が本発明の適切な範囲以
上となっており、しかも比較例２−３の場合には、炭素
膜の上層部の厚さが大きく、上層部／下層部の厚さ比率
が大きすぎるために、また比較例２−３の場合には、下
層部の炭素原子のＳＰ3 結合数が少なすぎるために、炭
素膜自体の耐摩耗性が低下し、耐久性、耐候性が悪化し
た。
【００７９】（実施例３）以下第３の本発明の実施例に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。なお本実施
例が実施例１と相違する点は、窒素原子含有炭素膜５の
窒素原子濃度が含フッ素系潤滑剤層６と接する側の界面
から深さ方向に向かって連続的に減少していることにあ
る。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。なお本実施
例が実施例１と相違する点は、窒素原子含有炭素膜５の
窒素原子濃度が含フッ素系潤滑剤層６と接する側の界面
から深さ方向に向かって連続的に減少していることにあ
る。
【００８０】図５は、第３の本発明の強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５をプラ
ズマＣＶＤ法を用いて形成するための成膜装置の概略図
を示したものである。図中、７は真空槽であり、真空ポ
ンプ８を用いて真空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜
１０-5ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行って
いる。９は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３及びバッ
クコート層４を形成させた金属薄膜型磁気テープ用原反
であり、巻き出しロール１０から送り出され、２本のパ
スロール１１、１２及び円筒状の冷却キャン１３の外周
面を経由して巻き取りロール１４に巻き取られる。なお
冷却キャン１３は金属薄膜型磁気テープ用原反９を一定
速度で搬送できるように回転制御する働きをしている。
磁気テープを構成している窒素原子含有炭素膜５をプラ
ズマＣＶＤ法を用いて形成するための成膜装置の概略図
を示したものである。図中、７は真空槽であり、真空ポ
ンプ８を用いて真空槽７内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜
１０-5ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行って
いる。９は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜３及びバッ
クコート層４を形成させた金属薄膜型磁気テープ用原反
であり、巻き出しロール１０から送り出され、２本のパ
スロール１１、１２及び円筒状の冷却キャン１３の外周
面を経由して巻き取りロール１４に巻き取られる。なお
冷却キャン１３は金属薄膜型磁気テープ用原反９を一定
速度で搬送できるように回転制御する働きをしている。
【００８１】２３は窒素原子含有炭素膜５を金属薄膜型
磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上に成膜す
るための放電管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放
電管２３の内部には、しきり板２４及びパイプ状の放電
電極２５、２６がそれぞれ設置されている。なお放電管
２３の先端部分と金属薄膜型磁気テープ用原反９との間
隙を０．５ｍｍとし、しきり板２４の先端部分と金属薄
膜型磁気テープ用原反９との間隙を５ｍｍとしている。
パイプ状の放電電極２５、２６はプラズマ発生用電源２
７、２８とそれぞれ接続しており、プラズマ発生用電源
２７、２８としては、直流電圧または交流電圧のどちら
かのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳さ
せて印加する方式の三種類の放電方式を採用することが
できる。２９は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガ
スとの混合ガス（原料ガス）を放電管２３内に導入する
ための原料ガス導入口である。３０は含窒素有機系ガス
とアルゴン等の無機系ガスとの混合ガス（原料ガス）を
放電管２３内に導入するための原料ガス導入口である。
磁気テープ用原反９の強磁性金属薄膜３表面上に成膜す
るための放電管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放
電管２３の内部には、しきり板２４及びパイプ状の放電
電極２５、２６がそれぞれ設置されている。なお放電管
２３の先端部分と金属薄膜型磁気テープ用原反９との間
隙を０．５ｍｍとし、しきり板２４の先端部分と金属薄
膜型磁気テープ用原反９との間隙を５ｍｍとしている。
パイプ状の放電電極２５、２６はプラズマ発生用電源２
７、２８とそれぞれ接続しており、プラズマ発生用電源
２７、２８としては、直流電圧または交流電圧のどちら
かのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳さ
せて印加する方式の三種類の放電方式を採用することが
できる。２９は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガ
スとの混合ガス（原料ガス）を放電管２３内に導入する
ための原料ガス導入口である。３０は含窒素有機系ガス
とアルゴン等の無機系ガスとの混合ガス（原料ガス）を
放電管２３内に導入するための原料ガス導入口である。
【００８２】実施例３−１ 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による表面形状分析で
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍで、直径が２００ｎ
ｍ程度の微小突起層２が１ｍｍ2 あたり１０5から１０9
個設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てＣｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム１の反対側の表面上にバックコート
層４を膜厚５００ｎｍ形成する。
【００８３】次に図５に示した成膜装置の真空槽７内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、原料ガス導入口２９よりベンゼン
ガス（炭化水素系ガス：Ｃ6Ｈ6）とアルゴンガス（無機
系ガス：Ａｒ）を放電管２３内にそれぞれ導入し、ベン
ゼンガスとアルゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧
力が０．２０ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行
う。また原料ガス導入口３０よりアリルアミンガス（含
窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とアルゴンガスを放電管２
３内にそれぞれ導入し、アリルアミンガスとアルゴンガ
スとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２５ｔｏｒｒ
となるようにガス流量の調整を行う。その後、金属薄膜
型磁気テープ用原反９を１６ｍ／ｍｉｎの走行スピード
で搬送させるとともに、パイプ状の放電電極２５に直流
電圧１３００Ｖ、パイプ状の放電電極２６に直流電圧１
１００Ｖをそれぞれ印加することで、非平衡プラズマを
発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性金属
薄膜３表面上に窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向
かって連続的に減少する窒素原子含有炭素膜５を膜厚１
２ｎｍ形成する。
に金属薄膜型磁気テープ用原反９を設置し、真空槽７内
部を真空排気した後、原料ガス導入口２９よりベンゼン
ガス（炭化水素系ガス：Ｃ6Ｈ6）とアルゴンガス（無機
系ガス：Ａｒ）を放電管２３内にそれぞれ導入し、ベン
ゼンガスとアルゴンガスとの圧力比が４：１、総ガス圧
力が０．２０ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行
う。また原料ガス導入口３０よりアリルアミンガス（含
窒素有機系ガス：Ｃ3Ｈ7Ｎ）とアルゴンガスを放電管２
３内にそれぞれ導入し、アリルアミンガスとアルゴンガ
スとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２５ｔｏｒｒ
となるようにガス流量の調整を行う。その後、金属薄膜
型磁気テープ用原反９を１６ｍ／ｍｉｎの走行スピード
で搬送させるとともに、パイプ状の放電電極２５に直流
電圧１３００Ｖ、パイプ状の放電電極２６に直流電圧１
１００Ｖをそれぞれ印加することで、非平衡プラズマを
発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反９の強磁性金属
薄膜３表面上に窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向
かって連続的に減少する窒素原子含有炭素膜５を膜厚１
２ｎｍ形成する。
【００８４】次に窒素原子含有炭素膜５表面上に含フッ
素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ）からなる
含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により膜厚３ｎｍ程
度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
素カルボン酸（Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨ）からなる
含フッ素系潤滑剤層６を湿式塗布法により膜厚３ｎｍ程
度形成させた後、８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００８５】実施例３−２ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、ベンゼ
ンの代わりにトルエン（炭化水素系ガス：Ｃ7Ｈ8）を用
い、トルエンガスとアルゴンガスとの圧力比を４：１、
総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直
流電圧１５００Ｖとすること、またアリルアミンの代わ
りにブチルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ4Ｈ11Ｎ ）を
用い、しきり板２４を境にして原料ガス導入口３０が設
けられている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送
方向）の長さを標準の１／３倍に設定し、その際のブチ
ルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガ
ス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電
圧６５０Ｖとすることにより、窒素原子含有炭素膜を膜
厚１２ｎｍ形成すること以外は実施例３−１と同様な方
法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
ンの代わりにトルエン（炭化水素系ガス：Ｃ7Ｈ8）を用
い、トルエンガスとアルゴンガスとの圧力比を４：１、
総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直
流電圧１５００Ｖとすること、またアリルアミンの代わ
りにブチルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ4Ｈ11Ｎ ）を
用い、しきり板２４を境にして原料ガス導入口３０が設
けられている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送
方向）の長さを標準の１／３倍に設定し、その際のブチ
ルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比を５：１、総ガ
ス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電
圧６５０Ｖとすることにより、窒素原子含有炭素膜を膜
厚１２ｎｍ形成すること以外は実施例３−１と同様な方
法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
【００８６】実施例３−３ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、ベンゼ
ンの代わりにメタン（炭化水素系ガス：ＣＨ4 ）を用
い、しきり板２４を境にして原料ガス導入口２９が設け
られている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方
向）の長さを標準の３／５倍に設定し、その際のメタン
ガスとアルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を
０．０８ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧８００
Ｖとすること、またアリルアミンの代わりにブチルアミ
ンを用い、ブチルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比
を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧６５０Ｖとすること、さらに原反搬送
スピードを３ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含
有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外は実施例３
−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気
テープを作製した。
ンの代わりにメタン（炭化水素系ガス：ＣＨ4 ）を用
い、しきり板２４を境にして原料ガス導入口２９が設け
られている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方
向）の長さを標準の３／５倍に設定し、その際のメタン
ガスとアルゴンガスとの圧力比を３：１、総ガス圧力を
０．０８ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を直流電圧８００
Ｖとすること、またアリルアミンの代わりにブチルアミ
ンを用い、ブチルアミンガスとアルゴンガスとの圧力比
を５：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧６５０Ｖとすること、さらに原反搬送
スピードを３ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原子含
有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外は実施例３
−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気
テープを作製した。
【００８７】実施例３−４ しきり板２４を境にして原料ガス導入口２９が設けられ
ている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方向）
の長さを標準の１／２倍に設定し、その際のベンゼンガ
スとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を
０．２０ｔｏｒｒとすること、またアリルアミンの代わ
りにピリジンを用い、ピリジンガスとアルゴンガスとの
圧力比を３：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとし、
放電印加電圧を直流電圧１４００Ｖとすること、さらに
原反搬送スピードを１２ｍ／ｍｉｎとすることにより、
窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ形成すること以外
は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
ている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方向）
の長さを標準の１／２倍に設定し、その際のベンゼンガ
スとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を
０．２０ｔｏｒｒとすること、またアリルアミンの代わ
りにピリジンを用い、ピリジンガスとアルゴンガスとの
圧力比を３：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとし、
放電印加電圧を直流電圧１４００Ｖとすること、さらに
原反搬送スピードを１２ｍ／ｍｉｎとすることにより、
窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ形成すること以外
は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
【００８８】比較例３−１ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスであるアリルア
ミンの代わりにメタンを用い、放電印加電圧を直流電圧
５００Ｖとすること以外は実施例３−１と同様な方法に
より８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
ミンの代わりにメタンを用い、放電印加電圧を直流電圧
５００Ｖとすること以外は実施例３−１と同様な方法に
より８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００８９】比較例３−２ しきり板２４を境にして原料ガス導入口２９が設けられ
ている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方向）
の長さを標準の２／３倍に設定し、その際のベンゼンガ
スとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を
０．２０ｔｏｒｒとすること、またしきり板２４を境に
して原料ガス導入口３０が設けられている側の放電管２
３の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２倍
に設定し、その際のアリルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒと
し、放電印加電圧を直流電圧１９００Ｖとすることによ
り、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ形成すること
以外は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用
金属薄膜型磁気テープを作製した。
ている側の放電管２３の原反長手方向（原反搬送方向）
の長さを標準の２／３倍に設定し、その際のベンゼンガ
スとアルゴンガスとの圧力比を４：１、総ガス圧力を
０．２０ｔｏｒｒとすること、またしきり板２４を境に
して原料ガス導入口３０が設けられている側の放電管２
３の原反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２倍
に設定し、その際のアリルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒと
し、放電印加電圧を直流電圧１９００Ｖとすることによ
り、窒素原子含有炭素膜５を膜厚１２ｎｍ形成すること
以外は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用
金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００９０】比較例３−３ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、ベンゼ
ンの代わりにメタンを用い、しきり板２４を境にして原
料ガス導入口２９が設けられている側の放電管２３の原
反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２／５倍に
設定し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比
を３：１、総ガス圧力を０．０８ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧８００Ｖとすること、またアリルアミ
ンの代わりにプロピルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ3
Ｈ9Ｎ）を用い、プロピルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を９：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、放電印加電圧を直流電圧４５０Ｖとすること、さら
に原反搬送スピードを３ｍ／ｍｉｎとすることにより、
窒素原子含有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外
は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
ンの代わりにメタンを用い、しきり板２４を境にして原
料ガス導入口２９が設けられている側の放電管２３の原
反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の２／５倍に
設定し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比
を３：１、総ガス圧力を０．０８ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧８００Ｖとすること、またアリルアミ
ンの代わりにプロピルアミン（含窒素有機系ガス：Ｃ3
Ｈ9Ｎ）を用い、プロピルアミンガスとアルゴンガスと
の圧力比を９：１、総ガス圧力を０．３０ｔｏｒｒと
し、放電印加電圧を直流電圧４５０Ｖとすること、さら
に原反搬送スピードを３ｍ／ｍｉｎとすることにより、
窒素原子含有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外
は実施例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
【００９１】比較例３−４ 窒素原子含有炭素膜５形成用の原料ガスとして、ベンゼ
ンの代わりにメタンを用い、しきり板２４を境にして原
料ガス導入口２９が設けられている側の放電管２３の原
反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の５／２倍に
設定し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比
を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧５００Ｖとすること、またアリルアミ
ンとアルゴンの代わりにブチルアミンのみを用い、ガス
圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を交流電圧
７００Ｖ（周波数３０ｋＨｚ）とすること、さらに原反
搬送スピードを８ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原
子含有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外は実施
例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
ンの代わりにメタンを用い、しきり板２４を境にして原
料ガス導入口２９が設けられている側の放電管２３の原
反長手方向（原反搬送方向）の長さを標準の５／２倍に
設定し、その際のメタンガスとアルゴンガスとの圧力比
を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとし、放電印
加電圧を直流電圧５００Ｖとすること、またアリルアミ
ンとアルゴンの代わりにブチルアミンのみを用い、ガス
圧力を０．３０ｔｏｒｒとし、放電印加電圧を交流電圧
７００Ｖ（周波数３０ｋＨｚ）とすること、さらに原反
搬送スピードを８ｍ／ｍｉｎとすることにより、窒素原
子含有炭素膜５を膜厚１８ｎｍ形成すること以外は実施
例３−１と同様な方法により８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
【００９２】実施例及び比較例における窒素原子含有炭
素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の表面近傍部分
（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）、表面近傍以外の
部分に関する２つのラマンピークの積分強度比は、励起
光としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．５ｎ
ｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得られた
２つのラマンピーク（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲
線にて波形分離処理し、波形分離処理後のラマンピーク
（Ａ）の積分強度を波形分離処理後のラマンピーク
（Ｂ）の積分強度で除した値に相当する。その結果を
（表５）に示す。
素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の表面近傍部分
（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）、表面近傍以外の
部分に関する２つのラマンピークの積分強度比は、励起
光としてアルゴンイオンレーザー（波長：５１４．５ｎ
ｍ）を利用したラマン分光分析（ＲＳ）により得られた
２つのラマンピーク（Ａ）及び（Ｂ）を２本のガウス曲
線にて波形分離処理し、波形分離処理後のラマンピーク
（Ａ）の積分強度を波形分離処理後のラマンピーク
（Ｂ）の積分強度で除した値に相当する。その結果を
（表５）に示す。
【００９３】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の表面近傍
部分（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）における化学
組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６未形成の金
属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分解Ｘ線光電
子分光法（Angle Resolved ＸＰＳ）により表面分析し
たものであり、その結果を（表５）に示す。
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の表面近傍
部分（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）における化学
組成（原子比率）は、含フッ素系潤滑剤層６未形成の金
属薄膜型磁気テープ用原反９を用いて角度分解Ｘ線光電
子分光法（Angle Resolved ＸＰＳ）により表面分析し
たものであり、その結果を（表５）に示す。
【００９４】また実施例及び比較例における窒素原子含
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表５）に示す。
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）の密度は、
ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）の測定データか
ら算出したものであり、その結果を（表５）に示す。
【００９５】さらに金属薄膜型磁気テープ用原反９の代
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例３
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により厚さ１２ｎｍ（実施例３−３、
比較例３−３、比較例３−４の場合は厚さ１８ｎｍ）に
相当する窒素原子含有炭素膜（比較例３−１の場合は炭
素膜）のビッカース硬度を算出し、その値を窒素原子含
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）のビッカー
ス硬度値とした。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜
（比較例３−１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメー
タにより測定した値を採用した。その結果を（表５）に
示す。
わりにシリコンウエハー上にそれぞれの実施例及び比較
例と同一成膜条件にて、窒素原子含有炭素膜（比較例３
−１の場合は炭素膜）を膜厚１〜３μｍ程度形成させた
数種類の試料を作製し、微小硬度計（マイクロ硬度計）
を用いて上記試料のビッカース硬度を測定し、その膜厚
依存性から外挿法により厚さ１２ｎｍ（実施例３−３、
比較例３−３、比較例３−４の場合は厚さ１８ｎｍ）に
相当する窒素原子含有炭素膜（比較例３−１の場合は炭
素膜）のビッカース硬度を算出し、その値を窒素原子含
有炭素膜５（比較例３−１の場合は炭素膜）のビッカー
ス硬度値とした。なお上記試料での窒素原子含有炭素膜
（比較例３−１の場合は炭素膜）の膜厚はエリプソメー
タにより測定した値を採用した。その結果を（表５）に
示す。
【００９６】
【表５】
【００９７】以上の実施例及び比較例にて得られた各８
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープについて（実施例
１）と同一内容の測定を行った。
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープについて（実施例
１）と同一内容の測定を行った。
【００９８】（表６）に各実施例、比較例にて作製した
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
【００９９】
【表６】
【０１００】（表５）及び（表６）から明らかなよう
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、炭素膜の最表
面近傍部分（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）が潤滑
剤分子中に導入された極性基と化学的親和力の強い窒素
原子を適切な量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態
がＳＰ3 結合を主体としながらも、ＳＰ2 成分が比較的
多い構造を有しているために、テープ表面に潤滑剤分子
を強固に保持することができる。さらに炭素膜中の窒素
原子濃度が潤滑剤層と接する側の界面から深さ方向に向
かって連続的に減少している膜構造となっており、炭素
膜の潤滑剤層との界面近傍以外の部分がＳＰ3 結合数の
多い高硬度でしかも緻密な膜構造を有しているために、
炭素膜自体の内部応力を適度に緩和することができると
ともに炭素膜自体の耐摩耗性を確保することが可能とな
る。したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層
との相乗効果を充分に発揮することができるため、耐久
性、耐候性、走行安定性を飛躍的に向上させることが可
能となった。
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、炭素膜の最表
面近傍部分（最表面から深さ１ｎｍ未満の部分）が潤滑
剤分子中に導入された極性基と化学的親和力の強い窒素
原子を適切な量だけ含有し、しかも炭素原子の結合状態
がＳＰ3 結合を主体としながらも、ＳＰ2 成分が比較的
多い構造を有しているために、テープ表面に潤滑剤分子
を強固に保持することができる。さらに炭素膜中の窒素
原子濃度が潤滑剤層と接する側の界面から深さ方向に向
かって連続的に減少している膜構造となっており、炭素
膜の潤滑剤層との界面近傍以外の部分がＳＰ3 結合数の
多い高硬度でしかも緻密な膜構造を有しているために、
炭素膜自体の内部応力を適度に緩和することができると
ともに炭素膜自体の耐摩耗性を確保することが可能とな
る。したがって磁性層上に形成された炭素膜と潤滑剤層
との相乗効果を充分に発揮することができるため、耐久
性、耐候性、走行安定性を飛躍的に向上させることが可
能となった。
【０１０１】比較例３−１では、炭素膜の最表面近傍部
分が窒素原子を含有していないために、また比較例３−
２では、炭素膜の最表面近傍部分の炭素に対する窒素の
原子比率及び酸素に対する窒素の原子比率が本発明の適
切な範囲以下となっており、しかもＳＰ2 成分が比較的
少ない構造となっているために、炭素膜と含フッ素系潤
滑剤層との接着性が改善されず、耐久性、耐候性の悪化
等を招く結果となった。
分が窒素原子を含有していないために、また比較例３−
２では、炭素膜の最表面近傍部分の炭素に対する窒素の
原子比率及び酸素に対する窒素の原子比率が本発明の適
切な範囲以下となっており、しかもＳＰ2 成分が比較的
少ない構造となっているために、炭素膜と含フッ素系潤
滑剤層との接着性が改善されず、耐久性、耐候性の悪化
等を招く結果となった。
【０１０２】比較例３−３では、炭素膜の最表面近傍部
分の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基（カル
ボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜と潤滑剤
層とが強固に接着するものの、炭素に対する窒素の原子
比率が本発明の適切な範囲以上となっている炭素膜の表
面部分の厚さが大きすぎるために炭素膜自体の耐摩耗性
が低下し、耐久性、耐候性が悪化した。
分の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基（カル
ボキシル基）との化学的親和力により、炭素膜と潤滑剤
層とが強固に接着するものの、炭素に対する窒素の原子
比率が本発明の適切な範囲以上となっている炭素膜の表
面部分の厚さが大きすぎるために炭素膜自体の耐摩耗性
が低下し、耐久性、耐候性が悪化した。
【０１０３】また比較例３−４の場合には、炭素膜の最
表面近傍部分の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極
性基（カルボキシル基）との化学的親和力により、炭素
膜と潤滑剤層とが強固に接着するものの、炭素膜の潤滑
剤層との界面近傍以外の部分の炭素原子のＳＰ3 結合数
が少なすぎるために、炭素膜自体の耐摩耗性が低下し、
耐久性、耐候性が悪化した。
表面近傍部分の窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極
性基（カルボキシル基）との化学的親和力により、炭素
膜と潤滑剤層とが強固に接着するものの、炭素膜の潤滑
剤層との界面近傍以外の部分の炭素原子のＳＰ3 結合数
が少なすぎるために、炭素膜自体の耐摩耗性が低下し、
耐久性、耐候性が悪化した。
【０１０４】なお上記実施例では、８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープのみについて説明したが、これに限定
されるものではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テー
プ、磁気ディスク等の磁気記録媒体についても同様に適
用できる。
薄膜型磁気テープのみについて説明したが、これに限定
されるものではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テー
プ、磁気ディスク等の磁気記録媒体についても同様に適
用できる。
【０１０５】また上記実施例では、窒素原子含有炭素膜
形成用の原料ガスとして、含窒素有機系ガスについて
は、アリルアミン、ブチルアミン、ピリジン、プロピル
アミンを使用した場合についてのみ示したが、これらに
限定されるものではなく窒素原子を分子中に含有した有
機系モノマーガスであれば同様に適用できる。無機系ガ
スについては、Ａｒを使用した場合についてのみ示した
が、これらに限定されるものではなく上記ガス以外のＨ
ｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅについても同様に適用可能であ
る。さらに窒素原子の濃度勾配を有する炭素膜を形成す
るための原料ガスとして、ベンゼン、トルエン、メタン
を使用した場合についてのみ示したが、これらに限定さ
れるものではなく他の炭化水素系ガスについても同様に
適用できる。
形成用の原料ガスとして、含窒素有機系ガスについて
は、アリルアミン、ブチルアミン、ピリジン、プロピル
アミンを使用した場合についてのみ示したが、これらに
限定されるものではなく窒素原子を分子中に含有した有
機系モノマーガスであれば同様に適用できる。無機系ガ
スについては、Ａｒを使用した場合についてのみ示した
が、これらに限定されるものではなく上記ガス以外のＨ
ｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅについても同様に適用可能であ
る。さらに窒素原子の濃度勾配を有する炭素膜を形成す
るための原料ガスとして、ベンゼン、トルエン、メタン
を使用した場合についてのみ示したが、これらに限定さ
れるものではなく他の炭化水素系ガスについても同様に
適用できる。
【０１０６】また上記実施例では、窒素原子濃度が最表
面から深さ方向に向かって段階的に減少した積層構造を
有する炭素膜として、２層構造を有する炭素膜について
のみ示したが、３層以上の積層構造を有する炭素膜につ
いても同様に適用可能である。
面から深さ方向に向かって段階的に減少した積層構造を
有する炭素膜として、２層構造を有する炭素膜について
のみ示したが、３層以上の積層構造を有する炭素膜につ
いても同様に適用可能である。
【０１０７】また上記実施例では、窒素原子含有炭素膜
をプラズマＣＶＤ法により形成する際の放電形式として
直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加する方式
について示したが、この方式に限定されるものではな
く、直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する方式に
ついても同様に実施可能である。
をプラズマＣＶＤ法により形成する際の放電形式として
直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加する方式
について示したが、この方式に限定されるものではな
く、直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する方式に
ついても同様に実施可能である。
【０１０８】また上記実施例では、窒素原子含有炭素膜
をプラズマＣＶＤ法により形成したが、この作製方法に
限定されるものではなく、イオンビーム蒸着法、イオン
ビームスパッタ法、レーザー蒸着法等を用いることも同
様に実施可能である。
をプラズマＣＶＤ法により形成したが、この作製方法に
限定されるものではなく、イオンビーム蒸着法、イオン
ビームスパッタ法、レーザー蒸着法等を用いることも同
様に実施可能である。
【０１０９】また上記実施例では、極性基としてカルボ
キシル基を分子中に導入した含フッ素系潤滑剤について
のみ示したが、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2 、＝ＮＨ、−
ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、
−ＣＯＯＲ、＝ＰＲ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ
（ＯＨ）2 、−ＯＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただ
し、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、アル
カリ金属またはアルカリ土類金属）から選ばれた少なく
とも一つの極性基を有する含フッ素系潤滑剤であれば同
様に適用可能である。
キシル基を分子中に導入した含フッ素系潤滑剤について
のみ示したが、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2 、＝ＮＨ、−
ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、
−ＣＯＯＲ、＝ＰＲ、＝ＰＲＯ、＝ＰＲＳ、−ＯＰＯ
（ＯＨ）2 、−ＯＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただ
し、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、アル
カリ金属またはアルカリ土類金属）から選ばれた少なく
とも一つの極性基を有する含フッ素系潤滑剤であれば同
様に適用可能である。
【０１１０】また上記実施例では、含フッ素系潤滑剤層
を湿式塗布法により形成する場合についてのみ示した
が、有機蒸着法を用いることも同様に実施可能である。
を湿式塗布法により形成する場合についてのみ示した
が、有機蒸着法を用いることも同様に実施可能である。
【０１１１】
【発明の効果】以上のように本発明は、非磁性基板上に
強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素
原子を含有し、且つラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1
付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存
在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜
２．０である炭素膜を形成し、さらにこの炭素膜上に潤
滑剤層を形成する構成、もしくは非磁性基板上に強磁性
金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃
度が最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少
なくとも２層以上の積層構造を有し、且つ最上層に関す
るラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ
−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である
炭素膜を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成
する構成、もしくは非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度が最表面か
ら深さ方向に向かって連続的に減少する膜構造を有し、
且つ最表面近傍部分に関するラマンスペクトルの１３８
０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1
付近に存在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が
１．２〜２．０である炭素膜を形成し、さらにこの炭素
膜上に潤滑剤層を形成する構成により、電磁変換特性、
走行安定性、耐久性、耐候性に優れた磁気記録媒体を提
供することが可能となり、その実用上の価値は大なるも
のがある。
強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素
原子を含有し、且つラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1
付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存
在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜
２．０である炭素膜を形成し、さらにこの炭素膜上に潤
滑剤層を形成する構成、もしくは非磁性基板上に強磁性
金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃
度が最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する少
なくとも２層以上の積層構造を有し、且つ最上層に関す
るラマンスペクトルの１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ
−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０である
炭素膜を形成し、さらにこの炭素膜上に潤滑剤層を形成
する構成、もしくは非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、この強磁性金属薄膜上に窒素原子濃度が最表面か
ら深さ方向に向かって連続的に減少する膜構造を有し、
且つ最表面近傍部分に関するラマンスペクトルの１３８
０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1
付近に存在するピ−ク（Ｂ）の積分強度比（Ａ／Ｂ）が
１．２〜２．０である炭素膜を形成し、さらにこの炭素
膜上に潤滑剤層を形成する構成により、電磁変換特性、
走行安定性、耐久性、耐候性に優れた磁気記録媒体を提
供することが可能となり、その実用上の価値は大なるも
のがある。
【図１】本発明における実施例１、実施例３の強磁性金
属薄膜型磁気テープの構成を示す拡大断面図
属薄膜型磁気テープの構成を示す拡大断面図
【図２】本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープを構成し
ている窒素原子含有炭素膜をプラズマＣＶＤ法を用いて
形成するための成膜装置の概略図
ている窒素原子含有炭素膜をプラズマＣＶＤ法を用いて
形成するための成膜装置の概略図
【図３】本発明における実施例２の強磁性金属薄膜型磁
気テープの構成を示す拡大断面図
気テープの構成を示す拡大断面図
【図４】本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープを構成し
ている窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって段
階的に減少した積層構造を有する炭素膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて形成するための成膜装置の概略図
ている窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって段
階的に減少した積層構造を有する炭素膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて形成するための成膜装置の概略図
【図５】本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープを構成し
ている窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって連
続的に減少した膜構造を有する炭素膜をプラズマＣＶＤ
法を用いて形成するための成膜装置の概略図
ている窒素原子濃度が最表面から深さ方向に向かって連
続的に減少した膜構造を有する炭素膜をプラズマＣＶＤ
法を用いて形成するための成膜装置の概略図
１ 非磁性基板 ２ 微小突起層 ３ 強磁性金属薄膜 ４ バックコート層 ５ 窒素原子含有炭素膜 ６ 含フッ素系潤滑剤層 ７ 真空槽 ８ 真空ポンプ ９ 金属薄膜型磁気テープ用原反 １０ 巻き出しロール １１ パスロール １２ パスロール １３ 冷却キャン １４ 巻き取りロール １５ 放電管 １６ パイプ状の放電電極 １７ プラズマ発生用電源 １８ 原料ガス導入口 １９ 放電管 ２０ パイプ状の放電電極 ２１ プラズマ発生用電源 ２２ 原料ガス導入口 ２３ 放電管 ２４ しきり板 ２５ パイプ状の放電電極 ２６ パイプ状の放電電極 ２７ プラズマ発生用電源 ２８ プラズマ発生用電源 ２９ 原料ガス導入口 ３０ 原料ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡崎 禎之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 喜代司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (19)
- 【請求項１】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
上記強磁性金属薄膜上に炭素膜、潤滑剤層を順次形成さ
せた磁気記録媒体であって、上記炭素膜が窒素原子を含
有し、上記炭素膜に関するラマンスペクトルが１３８０
ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付
近に存在するピ−ク（Ｂ）とを持ち、且つ上記２つのピ
ークの積分強度比（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】炭素膜中の炭素に対する窒素の原子比率が
５〜２０％であることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項３】炭素膜中の酸素に対する窒素の原子比率が
７０％以上であることを特徴とする請求項１または２に
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】炭素膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上であ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項５】炭素膜のビッカース硬度が１８００ｋｇ／
ｍｍ2 以上であることを特徴とする請求項１〜４のいず
れか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
上記強磁性金属薄膜上に炭素膜、潤滑剤層を順次形成さ
せた磁気記録媒体であって、上記炭素膜が窒素原子を含
有し、且つ窒素原子濃度が上記潤滑剤層と接する側の界
面から深さ方向に向かって段階的に減少する少なくとも
２層以上の積層構造を有し、上記炭素膜の最上層に関す
るラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ
−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ｂ）とを持ち、且つ上記２つのピークの積分強度比
（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項７】炭素膜の最上層中の炭素に対する窒素の原
子比率が５〜２０％であることを特徴とする請求項６記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】炭素膜の最上層中の酸素に対する窒素の原
子比率が７０％以上であることを特徴とする請求項６ま
たは７に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】炭素膜の最上層の厚さが１〜１５ｎｍであ
り、炭素膜の最上層以外の各層の厚さの総和に対する最
上層の厚さの比が０．０５〜５であることを特徴とする
請求項６〜８記載のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項１０】炭素膜の最上層以外の各層に関するラマ
ンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク（Ｂ）と
を持ち、且つ上記２つのピークの積分強度比（Ａ／Ｂ）
が１．２以下であることを特徴とする請求項６〜９のい
ずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】炭素膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上で
あることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】炭素膜のビッカース硬度が１８００ｋｇ
／ｍｍ2 以上であることを特徴とする請求項６〜１１の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成
し、上記強磁性金属薄膜上に炭素膜、潤滑剤層を順次形
成させた磁気記録媒体であって、上記炭素膜が窒素原子
を含有し、且つ窒素原子濃度が上記潤滑剤層と接する側
の界面から深さ方向に向かって連続的に減少する膜構造
を有し、上記炭素膜の上記潤滑剤層との界面近傍部分に
関するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存在す
るピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ−ク
（Ｂ）とを持ち、且つ上記２つのピークの積分強度比
（Ａ／Ｂ）が１．２〜２．０であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項１４】炭素膜の潤滑剤層との界面近傍部分の炭
素に対する窒素の原子比率が５〜２０％であることを特
徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１５】炭素膜の潤滑剤層との界面近傍部分の酸
素に対する窒素の原子比率が７０％以上であることを特
徴とする請求項１３または１４記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１６】炭素膜の潤滑剤層との界面近傍以外の部
分に関するラマンスペクトルが１３８０ｃｍ-1付近に存
在するピ−ク（Ａ）と１５５０ｃｍ-1付近に存在するピ
−ク（Ｂ）とを持ち、且つ上記２つのピークの積分強度
比（Ａ／Ｂ）が１．２以下であることを特徴とする請求
項１３〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１７】炭素膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上で
あることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１８】炭素膜のビッカース硬度が１８００ｋｇ
／ｍｍ2 以上であることを特徴とする請求項１３〜１７
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１９】潤滑剤層が、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−Ｓ
Ｈ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−ＣＯＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、
−ＣＯＮＲ2 、−ＣＯＯＲ、＞ＰＲ、＞ＰＲＯ、＞ＰＲ
Ｓ、−ＯＰＯ（ＯＨ）2 、−ＯＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ
3 Ｍ（ただし、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｍは
水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属）から選ば
れた一種類以上の極性基を有する含フッ素系潤滑剤層で
あることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260198A JPH08124149A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気記録媒体 |
| US08/546,833 US5776602A (en) | 1994-10-25 | 1995-10-23 | Magnetic recording medium having a carbon protective film containing nitrogen and oxygen and overcoated with a lubricant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260198A JPH08124149A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124149A true JPH08124149A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17344700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6260198A Pending JPH08124149A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5776602A (ja) |
| JP (1) | JPH08124149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009038165A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Hoya Corporation | 磁気ディスク及び磁気ディスクの製造方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2095464C1 (ru) | 1996-01-12 | 1997-11-10 | Акционерное общество закрытого типа "Тетра" | Биокарбон, способ его получения и устройство для его осуществления |
| US6083600A (en) * | 1998-03-10 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Stabilized perfluoropolyether lubricant |
| US6348266B1 (en) | 1998-09-22 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Amphiphillic lubricants for magnetic media |
| US6340521B1 (en) * | 1998-11-09 | 2002-01-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording medium with protective barrier layer |
| US6268073B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-07-31 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media |
| US6381200B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-04-30 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for first surface magneto-optical media |
| US6355342B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-03-12 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for high density multilayer magneto-optical media |
| US6324131B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-11-27 | Seagate Technology Llc | Low glide magneto-optical recording medium |
| US6468947B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-10-22 | Seagate Technology Llc | Lubricants with improved stability for magnetic recording media |
| US7195828B2 (en) | 1999-03-26 | 2007-03-27 | Shell Oil Company | Lubricant for magnetic recording medium and use thereof |
| JP4199423B2 (ja) | 1999-03-26 | 2008-12-17 | ペンゾイル−クエーカー ステイト カンパニー | 磁気記録媒体およびその製造方法、並びに該磁気記録媒体を使用したデータ記録／取出し装置およびコンピュータ |
| US6680112B1 (en) * | 1999-06-29 | 2004-01-20 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and production process thereof |
| US6586086B1 (en) * | 1999-09-13 | 2003-07-01 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and making method |
| JP2001084554A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US7081277B1 (en) * | 1999-10-22 | 2006-07-25 | Fujitsu Limited | Magnetic disk drive having a surface coating on a magnetic disk |
| US6902773B1 (en) | 2000-11-21 | 2005-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Energy gradient ion beam deposition of carbon overcoats on rigid disk media for magnetic recordings |
| US6613422B1 (en) * | 2001-08-15 | 2003-09-02 | Seagate Technology Llc | Nitrogen -implanted, high carbon density overcoats for recording media |
| JP3811089B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 摩耗量測定方法 |
| US6884733B1 (en) | 2002-08-08 | 2005-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of amorphous carbon hard mask for gate patterning to eliminate requirement of poly re-oxidation |
| US6989332B1 (en) | 2002-08-13 | 2006-01-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ion implantation to modulate amorphous carbon stress |
| US7521304B1 (en) | 2002-08-29 | 2009-04-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming integrated circuit |
| US7084071B1 (en) | 2002-09-16 | 2006-08-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of multilayer amorphous carbon ARC stack to eliminate line warpage phenomenon |
| US6750127B1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device using amorphous carbon having improved etch resistance |
| US7015124B1 (en) | 2003-04-28 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of amorphous carbon for gate patterning |
| US20050074636A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing the same |
| JP2005350652A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 潤滑剤、ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
| US20070127158A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Imation Corp. | Magnetic recording medium with diamond-like carbon lubricant |
| CN106795619B (zh) * | 2014-09-17 | 2019-10-01 | 日本Itf株式会社 | 被覆膜及其制造方法以及pvd装置 |
| US12417784B2 (en) * | 2022-03-15 | 2025-09-16 | Sony Group Corporation | Magnetic recording medium and cartridge |
| US12260889B1 (en) * | 2023-11-03 | 2025-03-25 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic recording media with sacrificial layer and corresponding etching processes to minimize head to media spacing |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210518A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6258416A (ja) * | 1985-09-07 | 1987-03-14 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2558653B2 (ja) * | 1986-10-14 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0778871B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1995-08-23 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク |
| JPH01245417A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH01258223A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
| JP2583956B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1997-02-19 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2600297B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH02126418A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2597684B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1997-04-09 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2523839B2 (ja) * | 1988-12-09 | 1996-08-14 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5227211A (en) * | 1989-04-21 | 1993-07-13 | Hmt Technology Corporation | Magnetic recording disk medium comprising a magnetic thin film and a carbon overcoat having surface nitrogen atoms, a specified carbon structure, and oxygen atoms |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| US5232570A (en) * | 1991-06-28 | 1993-08-03 | Digital Equipment Corporation | Nitrogen-containing materials for wear protection and friction reduction |
| JP2830544B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1998-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5331487A (en) * | 1992-01-16 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Direct access storage device with vapor phase lubricant system and a magnetic disk having a protective layer and immobile physically bonded lubricant layer |
| JPH0644558A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| DE69322907T2 (de) * | 1992-07-24 | 1999-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Magnetischer Aufzeichnungsträger und sein Herstellungsverfahren |
| JPH07161034A (ja) * | 1993-04-13 | 1995-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP3378618B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2003-02-17 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| US5567512A (en) * | 1993-10-08 | 1996-10-22 | Hmt Technology Corporation | Thin carbon overcoat and method of its making |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP6260198A patent/JPH08124149A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-23 US US08/546,833 patent/US5776602A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009038165A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Hoya Corporation | 磁気ディスク及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009076147A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Hoya Corp | 磁気ディスク及び磁気ディスクの製造方法 |
| US8425975B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-04-23 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and magnetic disk manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5776602A (en) | 1998-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08124149A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| EP0580164B1 (en) | Magnetic recording medium and its manufacturing method | |
| JP2830544B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5798135A (en) | Method for producing a magnetic recording medium having a carbon protective layer | |
| JPH07121855A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法及びプラズマｃｖｄ成膜方法 | |
| JPH10289445A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3208972B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3317054B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0644558A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| KR100244059B1 (ko) | 자기 기록 매체 및 그의 제조 방법 | |
| CA2081095A1 (en) | Magnetic recording medium and method for examining magnetic recording medium | |
| JP3232948B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2001195723A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2003178421A (ja) | 記録媒体および記録媒体の製造方法 | |
| JPH08167146A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2004039102A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| EP0600716A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2002042324A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH04134623A (ja) | テープ状磁気記録媒体 | |
| JP2001273625A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH07282445A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2002080874A (ja) | 潤滑剤組成物ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06176342A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2002117525A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031216 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |