JPH08124165A - 相変化型光ディスクの記録方法 - Google Patents
相変化型光ディスクの記録方法Info
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- JPH08124165A JPH08124165A JP6263339A JP26333994A JPH08124165A JP H08124165 A JPH08124165 A JP H08124165A JP 6263339 A JP6263339 A JP 6263339A JP 26333994 A JP26333994 A JP 26333994A JP H08124165 A JPH08124165 A JP H08124165A
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Abstract
求める試し書きを行う相変化型光ディスクの記録方法を
提供する。 【構成】 記録及び消去LDパワーの最適値を求めるア
ルゴリズムにおいて、記録LDパワーと消去LDパワー
をそれぞれ同時に変化させて記録を行い、その後に、そ
の再生信号から最適なLDパワーを求める。メディアの
差し替えなどが行われた場合、データの記録前に試し書
きを行うようドライブに指令があるとメディアフォーマ
ットから規定される試し書き領域にLD光を移動する
(S1)。予め設定してある試し書き最初のLDパワー
に設定する(S2)。設定LDパワーにてデータを試し
書きする(S3)。最後の試し書きが終わったら、試し
書き領域先頭にLDを移動させ、再生動作に移る(S
4)。再生信号状態を検出して記憶する(S5)。最良
記録状態の記録及び消去LDパワーを選択する(S
6)。
Description
記録方法に関し、より詳細には、相変化型光ディスクド
ライブにおける最適記録LD(半導体発光素子)パワー
検出方法に関する。例えば、相変化型光ディスクドライ
ブ(DATA系、CD−PC等)に適用されるものであ
る。
形式は、使用するディスクの記録膜に応じて、大きく追
記型記録(Worm Type)と書換え形記録(Rewriteabl
e Type)に分類される。書換え形記録には、光磁気記
録(Magneto-Optical Memory)と相変化記録(Phas
e Change Memory)がある。相変化記録式ディスクに
おいては、記録膜の2つの遷移状態であるアモルファス
状態(非晶質状態)と結晶状態で反射率が異なることを
利用してデータを記録する。
した公知文献としては、例えば、特開昭63−2540
8号公報がある。この公報のものは、記録光強度の最適
値を決定し、常に良好な記録を行なうために、始めに記
録光の強度を変化させながら信号を記録し、この記録さ
れた信号を再生して再生信号が最良の状態となる前記記
録光強度の最適値を決定した後、前記記録光強度が最適
値となるように制御しながら信号記録を行なうものであ
る。すなわち、データを記録する前に最適記録パワーを
決定すべく試し書きを行なうものである。
能な光ディスクにおいては、メディアやLD(半導体発
光素子)の経時劣化及びゴミ付着に伴う感度変化、発光
パワー変化などを補正し最適な条件で記録を行う必要が
ある。この最適条件を求める1つの方法が試し書きであ
る。標準化された光ディスクではメディアフォーマット
に試し書き領域が確保されており、データを記録する前
にその領域で記録LDパワーを変化させ試し書きし、そ
の後、この領域を再生して再生信号の状態から最適な記
録条件を求め、以後、データの記録を求めた最適な記録
条件で行うようにする。相変化型光ディスクでもこのよ
うな試し書きが必要であるが、記録状態を決定する記録
LDパワー値が複数あるため、従来から用いられている
最適LDパワー検出アルゴリズムをそのまま用いること
ができず試し書き方法が確立されていない。
たもので、相変化型光ディスクにおける最適記録条件を
求める試し書きを行う相変化型光ディスクの記録方法を
提供することを目的としている。
決するために、(1)相変化記録媒体に光学的に情報を
記録再生する装置の記録及び消去半導体発光素子パワー
の最適値を求める記録方法であって、記録及び消去半導
体発光素子パワーをそれぞれ設定された変化率に応じて
同時に変化させて試し書きを行い、該試し書き領域の再
生信号から最適な記録及び消去半導体発光素子パワーを
決定すること、更には、(2)前記記録及び消去半導体
発光素子パワーの変化率を等しくしたこと、或いは、
(3)相変化記録媒体に光学的に情報を記録再生する装
置の記録及び消去半導体発光素子パワーの最適値を求め
る記録方法であって、記録半導体発光素子パワーと消去
半導体発光素子パワーを独立して変化させて試し書きを
行い、該試し書き領域の再生信号から最適な記録及び消
去半導体発光素子パワーを決定すること、更には、
(4)前記(3)において、前記消去半導体発光素子パ
ワーの最適値は再生信号の復調エラーが最小になる値に
決定すること、更には、(5)前記(3)において、前
記試し書き領域の中のデータ記録済み領域に一定時間ご
とに消去半導体発光素子パワーを変化させながら消去
し、該領域の再生信号レベルから消去半導体発光素子パ
ワーの最適値を決定すること、更には、(6)前記
(3)において、前記試し書き領域の中のデータ記録済
み領域に一定時間ごとに消去半導体発光素子パワーを変
化させながら消去し、該領域の再生微分信号のレベルか
ら消去半導体発光素子パワーの最適値を決定すること、
更には、(7)前記(4),(5)又は(6)におい
て、前記最適な消去半導体発光素子パワーは条件を満足
する設定パワーのうち、より低い値とすること、更に
は、(8)前記(3)において、前記消去半導体発光素
子パワーを最適値に固定した後に記録半導体発光素子パ
ワーを変化させて試し書きを行い、該領域の再生信号レ
ベルから最適な記録半導体発光素子パワーを決定するこ
と、更には、(9)前記(8)において、前記記録半導
体発光素子パワーの最適値は再生信号のアシンメトリ
(短マークと長マークの再生信号平均レベルの差)が最
小になる値に決定することを特徴としたものである。
の記録方法は、相変化記録媒体に光学的に情報を記録再
生する装置の記録及び消去LD(半導体発光素子)パワ
ーの最適値を求める記録方法であり、(1)試し書き領
域において記録及び消去LDパワーを設定された変化率
に応じて同時に変化させているので、相変化型光ディス
ク以外の試し書きファームシーケンスやメディアフォー
マットをほぼそのまま用いることができるとともに、効
率よく短時間で最適な記録及び消去LDパワーを求める
ことができる。また、メディアの特性上記録、消去LD
パワーの感度が異なる場合に、記録LDパワーと消去L
Dパワーの変化率の値を変えることにより細かく対応で
きる。
変化率を等しくしているので、LDやメディアの経時劣
化等、記録及び消去LDパワーに対する感度が等しく変
化する場合に効率よく正確に最適LDパワーを求めるこ
とができる。 (3)試し書き領域において記録LDパワーと消去LD
パワーを独立して変化させ、個別に最適値を求めている
ので、相変化型光ディスク用の試し書きメディアフォー
マット及びファームシーケンスを用いた場合に最適な記
録及び消去LDパワーを求めることができる。
の復調エラーが最小になる値に決定しているので、消し
残りや形成不良の記録マークの発生を抑えた最適な消去
LDパワーを求めることができる。 (5)記録済み試し書き領域で消去LDパワーを変化さ
せ消去動作を行い、その再生信号レベルから消し残りを
検出しているので、消し残りの無い最適な消去LDパワ
ーを求めることができる。
ワーを変化させ消去動作を行い、その再生信号の微分信
号レベルから消し残りを検出しているので、消し残りの
無い最適な消去LDパワーをより正確に求めることがで
きる。 (7)最適な条件を満足する消去LD設定パワーの中で
も低い値を選択するため、LD及びメディアの寿命を向
上することができ、また、消費電力を低く抑えることも
できる。
その値に固定した後に記録LDパワーを変化させ記録
し、その再生信号レベルから最適記録LDパワーを求め
るため、消し残りや形成不良の記録マーク発生を抑えた
最適な記録LDパワーを求めることができる。 (9)消去LDパワーの最適値を決定し、その値に固定
した後に記録LDパワーを変化させ記録し、その再生信
号のアシメントリが最小になる値に最適記録LDパワー
を決定しているので、正確な記録マークを形成する記録
LDパワーを求めることができる。
する。図2(a),(b)は、相変化型光ディスクと他
の光ディスク(例としてWORM)の記録LD(半導体
発光素子)発光波形の違いを示す図で、図2(a)は相
変化型光ディスク、図2(b)はWORM型光ディスク
の場合を各々示している。相変化型光ディスクではオー
バーライト記録をするために、記録及び消去の最低2値
の異なるLDパワーが必要である。
録膜を融点以上に熱し、急冷すると膜が非結晶化し、比
較的低い消去LDパワーで記録膜を結晶化温度に熱し、
冷ますと結晶化する(図3(a)〜(c))。この2つ
の状態で反射率が異ることを利用して情報を記録するも
のである。なお、図中、I.P.は消去パワーなしの独立
パルス(Isolated pulse without erase power)、W.
P.は記録パワー(Write power)、E.P.は消去パワー
(Erase power)、N.M.は新マーク(New mark)、O.
M.は旧マーク(Old mark)、E.R.は消去リング(Era
sed ring)、M.P.は融点(Melting point)、C.P.
は結晶化温度(Crystallization point)である。
態に密接に関係しており、ともに最適なLDパワーで記
録を行わなければ、前データの消し残りや記録マーク形
成不良など、データの再生エラーを起こすことになる。
なお、記録LDパワー,消去LDパワーは、それぞれ複
数の値をとることもあるが、基準となる記録及び消去L
Dパワーからの比率で決定するなどで対応できる。
の試し書き方法の一実施例(実施例1,2)を説明する
ためのフローチャートである。以下、各ステップ(S)
に従って順に説明する。実施例1(請求項1)及び実施
例2(請求項2)は、記録及び消去LDパワーの最適値
を求めるアルゴリズムにおいて、記録LDパワーと消去
LDパワーをそれぞれ同時に変化させて記録を行い、そ
の後にその再生信号から最適なLDパワーを求めるもの
である。
行われた場合、データの記録前に試し書きを行うようド
ライブに指令があると、メディアフォーマットから規定
される試し書き領域にLD光を移動する。試し書き領域
の例として、データ系光ディスク(90mm)のメディア
情報ゾーンレイアウトを以下の表1に示す。内周試験ゾ
ーンの駆動装置用が試し書き領域である。
し書き最初のLDパワーに設定する(I=1,t=
0)。表2に設定一覧表を示す。
心値をPw ref,Pb refとし、Iが変わるごとに変化率
a,bで(2n+1)段階に変化する。表2では、最初
の設定値が最も小さい値となっているが、この限りでは
ない。また、実施例1ではa,bの大きさは指定しな
い。これは、メディアの特性上記録,消去LDパワーの
感度が異なる場合に、aとbの値を変えることにより対
応させるためである。
(特殊パターンでも良い)を試し書きする。規定された
時間経過後(t=I*t0)記録を中断し、試し書き回
数(I)を確かめ、終了(I=2n+1)でなければ、
新たなLDパワー設定値に変更し(I=I+1)、試し
書きを続けて行う。step4 :最後の試し書きが終った(I=2n+1)なら
ば、試し書き領域先頭にLDを移動させ(I=1,t=
0)、再生動作に移る。step5 :(t=I*t0)ごとに再生信号状態を検出し
て記憶する。step6 :最後の試し書き領域(I=2n+1)まで検出
し、記憶が終了したならば、再生信号状態記憶データの
中から最良記録状態の記録及び消去LDパワーを選択
し、以後のデータ記録に使用する最適記録及び消去LD
パワーとする。
の変化率a,bを等しくすることを特徴とする。実施例
1,2の試し書き方法は、記録及び消去LDパワーを同
時に変えて試し書きを行うため、従来からある相変化型
光ディスク以外の試し書きファームシーケンスやメディ
アフォーマットをほぼそのまま用いることができる。
ディスクの記録方法の他の実施例(実施例3〜9)を説
明するためのフローチャートである。以下、各ステップ
(S)に従って順に説明する。実施例3〜9(請求項3
〜9)は、記録及び消去LDパワーの最適値を求めるア
ルゴリズムにおいて、記録LDパワーと消去LDパワー
を独立して変化させ記録を行い、後にその再生信号から
最適なLDパワーを求めるものである。実施例3〜7は
記録または消去LDパワー最適値のどちらを初めに決定
してもかまわない。実施例8,9は初めに消去LDパワ
ーの最適値を決定する。最適値の決定順序は、例として
消去,記録LDパワーの順序に従うが、実施例3〜7に
ついてはこの限りではない。実施例1のフローチャート
を記録及び消去LDパワーそれぞれに分けて2回連続で
行うのと似ている。
動する。step12 :次に、消去LDパワーを決定するため、あらか
じめ設定してある試し書き最初のLDパワー値に設定す
る(J=n+1,K=1,t=0)。表3に設定一覧表
を示す。
心値をPw ref,Pb refとし、J,Kが変わるごとに変
化率a,bで(2n+1)段階に変化する。表3では、
最初の設定値が最も小さい値となっているが、この限り
ではない。step13 :記録LDパワーは固定し、消去LDパワーを変
え試し書きを行う。step14 :試し書き領域先頭から再生信号の状態を検出し
て記憶していき、最適な消去LDパワーを決定する。step15 :記録LDパワーを決定するため、あらかじめ設
定してある試し書き最初のLDパワー値に設定する(J
=1,K=x,t=0)。ただし、消去LDパワーはフ
ローチャート前半で求めた最適値とする。step16 :消去LDパワーは固定し、記録LDパワーを変
え試し書きを行う。step17 :試し書き領域先頭から再生信号の状態を検出し
て記憶していき、最適な記録LDパワーを決定する。step18 :最適な記録及び消去LDパワーの検出を終了す
る。
ワーと消去LDパワーの決定の順序は、この限りではな
く、独立して最適LDパワーを求めることを特徴として
いる。以下に説明する実施例4〜7は、図4のフローチ
ャートにおけるstep13及びstep14の消去LDパワーの決
定に関する。
るための図で、図6(a)は旧データ、図6(b)はオ
ーバーライトデータ、図6(c)は正確な再生信号、図
6(d)は正確な検出データ、図6(e)は消し残りの
ある再生信号、図6(f)はエラーのある検出データで
ある。図6に示すように、旧データの上にオーバーライ
トデータを記録する際、最適な消去LDパワーでない場
合に消し残りのある再生信号が検出される。これを2値
化し復調すると、記録したオーバーライトデータとは異
なったエラーのある情報となる。このエラーの量が最小
となる値を消去LDパワー最適値とする。なお、試し書
きに使用するデータは、あらかじめ決められたデータ、
特にエラーの発生しやすい特殊パターンなどで、より正
確に最適値を求めることができる。
明するための図で、図7(a)は旧データ、図7(b)
は消去後の再生信号、図7(c)は消去後の再生微分信
号である。実施例5では、記録済み領域を消去LDパワ
ーのみで消去し(データを記録せず)、その領域の再生
信号に残った消し残り信号振幅(r1)が最小となる値
を消去LDパワー最適値とする。実施例6では、記録済
み領域を消去LDパワーのみで消去し(データを記録せ
ず)、その領域の再生信号の微分信号に残った消し残り
信号振幅(r2)が最小となる値を消去LDパワー最適
値とする。
出するブロック図で、図中、1は微分回路、2はAC給
合器、3はスライスレベル生成回路、4は2値化回路、
5はカウンタである。再生信号または微分回路1で微分
した再生微分信号をAC結合器2により低域成分を除去
し、スライスレベル生成回路3にて生成した消し残り判
定信号レベルを基準とし、2値化回路4で消し残りデー
タを生成し、カウンタ5で消し残り量を数値化する。
消去LDパワー設定値が複数あるときの判断基準を定め
ている。LDパワーが高いと、LD,メディアの寿命が
短くなるデメリットがある。そこで、最適条件を満足す
る範囲の設定値の中では、極力低いLDパワーを採用す
る。実施例8は、前述した図4のフローチャートの説明
を代用する。消去LDパワーを最適化した後に最適記録
LDパワーを求める順序を規定している。実施例9は、
図5のフローチャートにおけるstep16,step17の記録L
Dパワーの決定に関する。消去パワーを固定して記録L
Dパワーを変化させデータを記録すると、再生信号のア
シンメトリが変化する。この様子を図9(a)〜(c)
に示す。この波形は、再生信号をAC結合して観察した
ものである。図9(a)は、記録LDパワーが強く全体
的にマークが長い場合を示す。図9(b)は、最適な記
録LDパワーで記録されている場合を示す。図9(c)
は、記録LDパワーが弱く全体的にマークが短い場合を
示す。
信号の+側,−側振幅最大値をそれぞれA1,A2とする
と、 β=(A1+A2)/(A1−A2) であらわされる。すなわち、アシンメトリは短マークと
長マークの再生信号平均レベルの差といえる。実施例9
では、このアシンメトリが最小(≒0)となる記録LD
パワーを最適な記録条件とするものである。
て、記録及び消去LDパワーを設定された変化率に応じ
て同時に変化させているので、相変化型光ディスク以外
の試し書きファームシーケンスやメディアフォーマット
をほぼそのまま用いることができるとともに、効率よく
短時間で最適な記録及び消去LDパワーを求めることが
できる。また、メディアの特性上記録,消去LDパワー
の感度が異なる場合に、記録LDパワーと消去LDパワ
ーの変化率の値を変えることにより、細かく対応でき
る。 (2)請求項2に対応する効果:記録LDパワーと消去
LDパワーの変化率を等しくしているので、LDやメデ
ィアの経時劣化等、記録及び消去LDパワーに対する感
度が等しく変化する場合に効率よく正確に最適LDパワ
ーを求めることができる。 (3)請求項3に対応する効果:試し書き領域において
記録LDパワーと消去LDパワーを独立して変化させ、
個別に最適値を求めているので、相変化型光ディスク用
の試し書きメディアフォーマット及びファームシーケン
スを用いた場合に最適な記録及び消去LDパワーを求め
ることができる。 (4)請求項4に対応する効果:消去LDパワーの最適
値を再生信号の復調エラーが最小になる値に決定してい
るので、消し残りや形成不良の記録マークの発生を抑え
た最適な消去LDパワーを求めることができる。 (5)請求項5に対応する効果:記録済み試し書き領域
で消去LDパワーを変化させ、消去動作を行い、その再
生信号レベルから消し残りを検出しているので、消し残
りのない最適な消去LDパワーを求めることができる。 (6)請求項6に対応する効果:記録済み試し書き領域
で消去LDパワーを変化させ、消去動作を行い、その再
生信号の微分信号レベルから消し残りを検出しているの
で、消し残りのない最適な消去LDパワーをより正確に
求めることができる。 (7)請求項7に対応する効果:最適な条件を満足する
消去LD設定パワーの中でも低い値を選択するため、L
D及びメディアの寿命を向上することができ、また、消
費電力を低く抑えることもできる。 (8)請求項8に対応する効果:消去LDパワーの最適
値を決定し、その値に固定した後に記録LDパワーを変
化させ記録し、その再生信号レベルから最適記録LDパ
ワーを求めるため、消し残りや形成不良の記録マーク発
生を抑えた最適な記録LDパワーを求めることができ
る。 (9)請求項9に対応する効果:消去LDパワーの最適
値を決定し、その値に固定した後に記録LDパワーを変
化させ記録し、その再生信号のアシンメトリが最小にな
る値に最適記録LDパワーを決定しているので、正確な
記録マークを形成する記録LDパワーを求めることがで
きる。
方法の一実施例(実施例1,2)を説明するためのフロ
ーチャートである。
するための図である。
説明するための図である。
の他の実施例(実施例3)を説明するためのフローチャ
ート(その1)である。
の他の実施例(実施例3)を説明するためのフローチャ
ート(その2)である。
の更に他の実施例(実施例4)を説明するための図であ
る。
の更に他の実施例(実施例5,6)を説明するための図
である。
ック図である。
す図である。
成回路、4…2値化回路、5…カウンタ。
Claims (9)
- 【請求項1】 相変化記録媒体に光学的に情報を記録再
生する装置の記録及び消去半導体発光素子パワーの最適
値を求める記録方法であって、記録及び消去半導体発光
素子パワーをそれぞれ設定された変化率に応じて同時に
変化させて試し書きを行い、該試し書き領域の再生信号
から最適な記録及び消去半導体発光素子パワーを決定す
ることを特徴とする相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項2】 前記記録及び消去半導体発光素子パワー
の変化率を等しくしたことを特徴とする請求項1記載の
相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項3】 相変化記録媒体に光学的に情報を記録再
生する装置の記録及び消去半導体発光素子パワーの最適
値を求める記録方法であって、記録半導体発光素子パワ
ーと消去半導体発光素子パワーを独立して変化させて試
し書きを行い、該試し書き領域の再生信号から最適な記
録及び消去半導体発光素子パワーを決定することを特徴
とする相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項4】 前記消去半導体発光素子パワーの最適値
は再生信号の復調エラーが最小になる値に決定すること
を特徴とする請求項3記載の相変化型光ディスクの記録
方法。 - 【請求項5】 前記試し書き領域の中のデータ記録済み
領域に一定時間ごとに消去半導体発光素子パワーを変化
させながら消去し、該領域の再生信号レベルから消去半
導体発光素子パワーの最適値を決定することを特徴とす
る請求項3記載の相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項6】 前記試し書き領域の中のデータ記録済み
領域に一定時間ごとに消去半導体発光素子パワーを変化
させながら消去し、該領域の再生微分信号のレベルから
消去半導体発光素子パワーの最適値を決定することを特
徴とする請求項3記載の相変化型光ディスクの記録方
法。 - 【請求項7】 前記最適な消去半導体発光素子パワーは
条件を満足する設定パワーのうち、より低い値とするこ
とを特徴とする請求項4,5又は6記載の相変化型光デ
ィスクの記録方法。 - 【請求項8】 前記消去半導体発光素子パワーを最適値
に固定した後に記録半導体発光素子パワーを変化させて
試し書きを行い、該領域の再生信号レベルから最適な記
録半導体発光素子パワーを決定することを特徴とする請
求項3記載の相変化型光ディスクの記録方法。 - 【請求項9】 前記記録半導体発光素子パワーの最適値
は再生信号のアシンメトリが最小になる値に決定するこ
とを特徴とする請求項8記載の相変化型光ディスクの記
録方法。
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| JP6263339A Expired - Lifetime JP3065892B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-10-27 | 相変化型光ディスクの記録方法 |
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