JPH08124236A

JPH08124236A - 光磁気記録方法及び光磁気記録装置

Info

Publication number: JPH08124236A
Application number: JP6253665A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kurita; 信一栗田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1994-10-19
Filing date: 1994-10-19
Publication date: 1996-05-17

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｐ_Lの下限マージンが十分に確保できるオー
バーライト光磁気記録方法を提供する。【構成】基準媒体に対して、マークを形成できる最低
強度をＰ_H' また、前記Ｐ_Lの段階で前記基準媒体を所
定の温度Θ_preに保つ強度をＰ_L' としたとき、Ｐ_H'
及びＰ_L' を基準強度とし、基準媒体以外の媒体のＰ_H
及びＰ_Lの各強度を求める際、Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／Ｐ
_H' が異なる値となるようにこれらの値を変化させて試
し書きを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト（over
write）可能な光磁気記録媒体の光磁気記録方法及び光
磁気記録装置に関する。オーバーライトとは、前の情報
を消去せずに新たな情報を記録する行為を言う。この場
合、再生した際、前の情報は再生されてはならない。本
明細書で言う「オーバーライト」とは、特に記録磁界Ｈ
b の向き及び強度を変調せずに、単にレーザビームを記
録すべき情報に従いパルス変調しながら照射する（irra
diate）ことによりオーバーライトすることを言う。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体が実用化されて来ている。広
範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方法
は、情報を記録した後、消去することができ、再び新た
な情報を記録することが繰り返し何度も可能であるとい
う点で大きな魅力を有している。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を保持する層として１層又は多層の、垂直
磁気異方性を示す層(perpendicular magnetic layer or
layers) を主体として成り立っている。この磁性層は、
例えば、アモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、Tb
Co、TbFeCo等からなる。ディスク平面に対し垂直方向か
ら見た場合、一般に情報を記録するトラックが渦巻状又
は同心円状に形成されている。そして、隣接する２つの
トラック間にトラッキングのため及び分離のための溝
（グルーブ groove ）が存在する。逆に溝と溝の間をラ
ンド(land)と呼ぶ。実際には、ディスクの裏表でランド
と溝が逆になる。そこで、ビームが入射するのと同じに
ディスクを見て、手前を溝、奥をランドと呼ぶ。磁性層
は、溝の上にもランドの上にも一面に形成するので、溝
の部分をトラックにしてもよいし、ランドの部分をトラ
ックにしてもよい。溝の幅とランドの幅との間に特に大
小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成され
たランドと、２つの隣合うランドに挟まれた溝が存在す
る。このような基板上に薄く磁性層が形成される。これ
により磁性層はランドと溝を持つ。記録すべき情報は、
予めコード化されており、この情報が磁性層に垂直な一
方向である「Ａ向き」の磁化を有するマークB₁と、「逆
Ａ向き」の磁化を有するマークB₀の２つの信号で記録さ
れる。これらのマークB₁,B₀は、デジタル信号の１及び
０の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一
般には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外
部磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられ
る。この磁化の向きを揃える行為は、「初期化(initial
ize)」と呼ばれる。その上でトラックに「Ａ向き」の磁
化を有するマークB₁を形成する。情報は、このマークB₁
の有無、位置、マークの前端位置、後端位置、マーク長
等によって表現される。特にマークのエッジ位置が情報
を表す方法はマーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過
去にピット又はビットと呼ばれたことがあるが、最近は
マークと呼ぶ。

【０００５】ところで、記録済みの媒体に再び新たな情
報を記録するには、(1)媒体を再び初期化装置で初期化
するか、(2)記録装置に消去用ヘッドを併設するか、(3)
予め、前段処理として記録装置又は消去装置を用いて記
録済みの情報を消去する必要がある。従って、光磁気記
録方式では、これまで記録済みの情報の有無にかかわら
ず新たな情報をその場で記録できるオーバーライトは、
不可能とされていた。

【０００６】しかし、記録磁界Ｈb の向きを必要に応じ
て「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で変調することでオ
ーバーライトを可能とする方法が提案され実用化され
た。この方法は磁界変調オーバーライトと呼ばれている
が、記録磁界Ｈb の向きを非常に高速度で変調すること
には物理的に限界があるため、ある一定限度を越えた高
密度記録は不可能である。

【０００７】そこで、記録磁界Ｈb の強度を変調せずに
（ON、OFF を含む) 、あるいは記録磁界Ｈb の向きを変
調せずに、照射する光ビームの強度を記録すべきコード
化された情報に従って変調するだけで、オーバーライト
が可能な光磁気記録方法と、それに使用されるオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれに使用され
るオーバーライト可能な記録装置が発明され、特許出願
された（特開昭62−175948号＝DE3,619,618A1 ＝米国特
許登録No.5,239,524) 。以下、この発明を「基本発明」
と言う。

【０００８】基本発明では、「基本的に垂直磁化可能な
磁性薄膜からなる記録再生層Recording layer（本明細
書では、この記録再生層をメモリー層 Memory layer又
はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記
録補助層 Referencelayer （本明細書では、この記録補
助層を記録層 Writing layer 又はＷ層と言う）とを含
み、両層は交換結合（exchange-coupled) しており、か
つ、室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化の
みを所定の向きに向けておくことができるオーバーライ
ト可能な多層光磁気記録媒体」を使用する。そして、情
報をＭ層（場合によりＷ層にも）における「Ａ向き」磁
化を有するマークと「逆Ａ向き」磁化を有するマークで
表現し、記録するのである。

【０００９】この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期
補助磁界Hini. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向
き」に揃えることができる。しかも、そのとき、Ｍ層
は、磁化の向きは反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃
えられたＷ層の磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を
受けても反転せず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向
き」に揃えられたＷ層からの交換結合力を受けても反転
しない。そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈc
と高いキュリー点Ｔc を持つ。

【００１０】基本発明の記録方法によれば、記録媒体
は、記録前までに、外部手段によりＷ層の磁化の向きだ
けが「Ａ向き」に揃えられる。この行為を本明細書では
特別に初期化(initialize)^*書く。この初期化^*はオー
バーライト可能な媒体に特有なことである。その上で、
２値化情報に従いパルス変調されたレーザービームが媒
体に照射される。レーザービームの強度は、高レベルＰ
_Hと低レベルＰ_Lがあり、これはパルスの高レベルと低
レベルに相当する。この低レベルは、再生時に媒体を照
射する再生レベルＰ_Rよりも高い。既に知られているよ
うに、記録をしない時にも、例えば媒体における所定の
記録場所をアクセスするためにレーザービームを「非常
な低レベル」で点灯することがある。この「非常な低レ
ベル」も、再生レベルＰ_Rと同一又は近似のレベルであ
る。

【００１１】例えば、「Ａ向き」に初期化^*された媒体
は、低レベルＰ_Lのレーザービームの照射を受けると、
媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈc₁が非常に小さく
なるか極端にはゼロになる。ゼロになるのは、媒体の温
度がＭ層のキュリー点以上であるときである。このと
き、Ｗ層の保磁力Ｈc₂は十分に大きく、「逆Ａ向き」の
記録磁界Ｈb で反転されることはない。そして、Ｗ層の
力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ層、Ｗ層は、一
般に重希土類金属（heavy rare earth metal：以下、Ｒ
Ｅと略す）−遷移金属（transition metal：以下、ＴＭ
と略す）合金で構成される。交換結合力は、両層のＲＥ
磁気モーメント同士を揃える力と両層のＴＭ磁気モーメ
ント同士を揃える力からなる。尚、合金中ではＲＥの副
格子磁化とＴＭの副格子磁化は、互いに逆向きであり、
大きい方の副格子磁化の向きが合金としての磁化の向き
を決定する。両副格子磁化が等しいとき、その組成を補
償組成（compensation composition) と言い、その温度
を補償温度（compensationtemperature)と言う。補償温
度より上ではＴＭ副格子磁化の方が強く、補償温度より
下ではＲＥ副格子磁化の方が強い。

【００１２】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、Ｗ層の力が交換結合力を介し
てＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Ｈc₁を持
つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向き
（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。その結果、Ｍ層
とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマーク（目的とす
るマーク）が形成される。

【００１３】仮にＭ層の磁化がゼロだった場合（Ｔc₁以
上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Ｔc₁よりやや下がると、Ｍ
層に磁化が現れる。このとき、同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。

【００１４】他方、例えば、「Ａ向き」に初期化^*され
た媒体は、高レベルＰ_Hのレーザービームの照射を受け
ると、媒体の温度が上昇してＭ層の保磁力Ｈc₁はゼロに
なると同時に、Ｗ層の保磁力Ｈc₂は非常に小さくなる
か、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい保磁
力Ｈc₂を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて所定
の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層の磁
化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がなくな
り、媒体の温度が自然に低下してキュリー点Ｔc₂よりや
や下がると、Ｗ層に磁化が現れるが、このとき、同様に
記録磁界Ｈb に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き（例え
ば、「逆Ａ向き」）を向く。更に媒体の温度が冷えてキ
ュリー点Ｔc₁よりやや下がるとＭ層に磁化が現れる。こ
のとき、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。そ
のため、Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支配された
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。この状態
から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但し、室温
へ戻る途中にＭ層、Ｗ層に補償温度があると、そこを越
えたとき、Ｍ層、Ｗ層の磁化の向きは逆転する。このプ
ロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼ばれる。

【００１５】以上の低温サイクル及び高温サイクルは、
Ｍ層及びＷ層の磁化の向きに無関係に起こる。いずれに
してもレーザービームの照射前に、Ｗ層が初期化^*され
ていればよい。それによりオーバーライトが可能とな
る。基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強
度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高
レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段によりＷ
層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（reverse)さ
せ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化から磁気転写させるこ
とでＭ層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を
有するマークを形成する。ビーム強度が低レベルの時
は、Ｗ層の磁化の向きは、初期化^*状態と変わらず、そ
して、Ｗ層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層
に伝わる）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ
向き」磁化〕を有するマークを形成する。

【００１６】基本発明で使用される記録媒体は、Ｍ層と
Ｗ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。場合により、Ｍ層とＷ層との
間に中間層（例えば、交換結合力σ_W調整層：以下、こ
の層をＩ層と略す）が存在していてもよい。Ｉ層につい
ては、特開昭64−50257 号や特開平１−273248号を参照
されたい。

【００１７】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その他、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているが、ここでは、こ
れ以上の紹介を省く。なお、特開平４−123339号に開示
された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、Ｗ層
の初期化^*を行う機能を有する初期化層 (Initializing
layer）及び初期化層とＷ層との間に両層間に働く交換
結合力をオン・オフするスイッチング層（Swithing lay
er：以下、Ｓ層と略す）を持つ。

【００１８】Ｃ／Ｎ比を高めるために、Ｍ層の上に（つ
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層（Readout layer ：以下、
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。

【００１９】ところで、光磁気記録はレーザービームの
熱エネルギーを主に利用して行うので（これをヒートモ
ードという）、特に記録層の温度状態によりマークの形
成され具合が大きく影響を受ける。これをより具体的に
説明すると次のようになる。即ち、レーザビーム強度を
相対的に高い第１レベルと相対的に低い第２レベルとの
間で立ち上げ立ち下げを行うと、第１レベルのときにマ
ークが形成され、第２レベルのときはマークは形成され
ない。つまり１回の第１レベルで１個のマークが形成さ
れる。ここで、前述したように第２レベルのときはマー
クは形成されないので、第２レベルは理屈上ゼロでもよ
いことになる。しかし、マークが形成されるとき、特に
マークの前エッジが形成される直前の記録層の温度状態
を、積極的に常に一定になるようにしておかないと、マ
ークの前エッジ位置が、その形成直前の記録層の温度状
態に依存して敏感に変動することになる。この変動は高
密度記録に際しては大きな障害となる。そこで、マーク
を形成しないときでも、所定の温度Θ_preに保たれるよ
うに余熱しておくために、第２レベルは強度Ｐ_preに設
定することが一般的である。

【００２０】しかし、以上のように第１レベルと第２レ
ベルを設定しただけでは、マーク位置の精度は以下に示
す２つの問題により、高密度記録という観点で充分では
なかった。第１の問題は、マークの後エッジ位置に関す
る問題である。図６に示すようにマーク形成を開始すべ
くレーザービーム強度を第２レベルＰ_preから第１レベ
ルＰw₁に立ち上げ、その状態で時間Ｔw₁の間維持すると
する。この場合、Ｔw₁が長い、即ちマークが長いと、記
録層での熱蓄積が大きくなり、マーク形成を終了すべく
レーザービーム強度をＰ_preに立ち下げても、記録層温
度がマーク形成温度以下に下がるまでの時間が長くな
り、そのためマークが見込んだ長さより長くなってしま
うということがあった。この現象は、データ長さが長い
ほど熱蓄積が大きくなるのでその影響も大きい。これを
「マーク形成の終了位置、つまりマークの後エッジ位置
の記録データ長さ依存性」と言う。この現象は当然のこ
とながらデータの弁別性を低下させることで、高密度記
録にとって障害になっていた。

【００２１】この問題に対しては、次の提案がなされ
た。即ち、図７に示すように、長いマークを形成すると
きには、レーザビーム強度を第１レベルＰw₁まで立ち上
げて時間Ｔw₁維持し、その後は、Ｐw₁と同じ、又はそれ
より少し高いか又は少し低い強度Ｐw₂と強度Ｐ_preとの
間で周期Ｔp で「くしの歯」状に変調する。この方式の
考え方は、本来図６に示すような１つの矩形波であった
ものを、図７に示すように先頭の小パルスと後続の１つ
又は２つ以上の小パルスに分割することにより、熱エネ
ルギーの蓄積を防ぐというものであり、パルストレイン
(pulse train) 方式と呼ばれる。このようにレーザービ
ーム強度を変調すると、過度の熱蓄積による過熱が起き
ないことが推定される。

【００２２】第２の問題は、マークの前エッジ位置に関
する問題である。これはマークの開始位置が直前のマー
クの終了位置に接近している場合に、直前のマークを形
成した際の熱が記録層から逃げ切らないうちに、次のマ
ークを形成するための熱が与えられるために、後のマー
クの開始位置での記録層の温度上昇が見込んだ時期より
早くなってしまい、結果として、後のマークの開始位置
が前方にずれてしまう現象である。この現象は、マーク
の開始位置と直前のマークの終了位置の間隔が短い場合
に影響が大きい。この現象のことを「マーク形成の開始
位置、つまりマークの前エッジ位置の記録データ間隔依
存性」と言う。

【００２３】この問題に対しては、図８に示すように、
マーク形成を終了すべくレーザービーム強度を立ち下げ
るとき、一旦第２レベルＰ_preより更に低いＰ_LBまで立
ち下げ、そのレベルを時間Ｔ_OFF維持した後、再びＰ
_preに戻すという方法が提案された。この方法は、直前
のマークを形成した際の熱の流れ込みとＰ_preに立ち上
げた際に加えられる熱をうまくバランスさせることによ
って、時間Ｔ_OFF後の温度を一定にするというものであ
る。この方法によれば、常に一定な温度状態から次のマ
ークが形成できるので、見かけ上前のマークからの熱的
影響がなくなる。この方法を熱遮断方式という。

【００２４】そこで、第１及び第２の問題に対する対策
を合わせる、即ち、パルストレイン方式と熱遮断方式を
併用することで、マーク形成の終了位置、即ち、マーク
の後エッジ位置も、マーク形成の開始位置、即ち、マー
クの前エッジ位置も精度良く形成することが提案され
た。（図９参照）ところで、ディスクに記録を行うための最適なレーザー
ビーム強度条件は、ディスクの記録感度、記録装置毎の
レーザービーム強度ばらつき、環境温度等により随時変
化する。従って、記録装置にディスクを挿入した際、あ
るいは挿入後一定時間毎に所定パターンの信号を記録し
て再生し、その再生波形が所定の形になるように最適な
記録条件を設定する「試し書き」が提案されている。

【００２５】マーク長記録方式の場合、試し書きは、例
えば次の方法で行われる。最短マーク長−最短ギャップ
（マーク間）長の繰り返しパターンと、最長マーク長−
最長ギャップ長の繰り返しパターンを組み合わせた特定
パターンの信号を数種類のレーザービーム強度条件で記
録する。この特定パターンを図５(1) に示す。その後図
５(2) に示すように、これらの信号を再生し、最短マー
クの再生信号と最長マークの再生信号の平均レベルの差
ｄを測定する。そして、ｄが最小となったレーザビーム
強度条件を最適記録条件とするのである。数種類のレー
ザービーム強度条件は、まず、基準となる媒体、装置、
温度を予め決めておき、これらの組み合わせにおける最
適レーザービーム強度条件であるＰ_pre、Ｐw₁及びＰw₂
を求めておき、基準となる媒体、装置、温度の組み合わ
せ以外の場合には、これらの比、即ち、Ｐ_pre：Ｐw₁：
Ｐw₂が常に一定になるように保ちながらこれらの値をま
とめて変化させて試し書きを行うことで、最適な条件に
なるようにこれらを設定する。Ｐ_pre：Ｐw₁：Ｐw₂を一
定にするのは、パルストレインと熱遮断の効果を得たま
ま、即ち、「マークの後エッジ位置の記録データ長さ依
存性」及び「マークの前エッジ位置の記録データ間隔依
存性」を最小にしたまま記録条件を変化させるためであ
る。

【００２６】オーバーライト光磁気記録の場合も、レー
ザビーム強度の変調は、前述の一般的な光記録方法と同
様である。この場合には、相対的に高い第１レベルＰw₁
がＰ_Hに、相対的に低い第２レベルＰ_preがＰ_Lに相当
するので、Ｐ_L：Ｐ_H：Ｐw₂の比を一定にすることにな
る。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オーバ
ーライト光磁気記録における試し書きの場合、上述した
ような一般の光磁気記録と同様の考え方でＰ_L：Ｐ_H：
Ｐw₂の比を一定に保ちながらレーザービーム強度を変化
させると次の問題が生じることがわかった。即ち、オー
バーライト光磁気記録における強度Ｐ_Lは、高温サイク
ルを生じさせないレーザービーム強度の最大値Ｐ
_Hthと、形成されたマークを消去できるレーザービーム
強度の最小値Ｐ_Lthの間の範囲に限定される。このＰ
_HthとＰ_Lthの値は媒体によって異なり、これらの間に
相関はない。即ち、互いに独立のパラメータなのであ
る。

【００２８】例えば、基準ディスクよりもＰ_Hthの低い
（記録感度の高い）ディスクに対して前述のような試し
書きを行って最適な記録条件を求める場合、当然、最適
な記録強度Ｐ_Hの値は低く設定され、Ｐ_Lも同じ割合で
低く設定される。しかし実際には、Ｐ_Lの下限Ｐ_Lthは
Ｐ_Hthに応じて低くなる訳ではないので、Ｐ_Lの下限マ
ージンが狭くなるか、あるいは設定されたＰ_LがＰ_Lth
を下回ってしまうという可能性がある。Ｐ_LがＰ_Lth以
下に設定された場合、当然のことながら正常に消去動作
が行われずに、消し残りが生じるという問題が起こる。

【００２９】

【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、光変調によりオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に照射するレーザービーム
強度を、Ｐ_LからＰ_Lより高い強度Ｐ_Hへ立ち上げた
後、Ｐ_Lより低い強度Ｐ_LBに立ち下げ、時間Ｔ_OFF後再
びＰ_Lに立ち上げるというパターンで光変調を行う光磁
気記録方法において、基準媒体に対して、マークを形成
できる最適強度をＰ_H' と、Ｐ_Lの段階で基準媒体を所
定の温度Θ_preに保つ強度をＰ_L' としたとき、前記Ｐ
_H' 及びＰ_L' を基準強度として基準媒体以外の媒体の
Ｐ_H及びＰ_Lの各強度を求めるために、これらの値を変
化させて試し書きを行う際、Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／
Ｐ_H' が異なる値となるようにすることにより、Ｐ_Lの
マージンが十分に確保できることを見出し本発明をなす
に至った。

【００３０】従って、本発明は、第１に「光変調により
オーバーライト可能な光磁気記録媒体に照射するレーザ
ービーム強度を、Ｐ_LからＰ_Lより高い強度Ｐ_Hへ立ち
上げた後、Ｐ_Lより低い強度Ｐ_LBに立ち下げ、時間Ｔ
_OFF後再びＰ_Lに立ち上げる光磁気記録方法において、
基準媒体に対して、マークを形成できる最適強度を
Ｐ_H' 、また、前記Ｐ_Lの段階で前記基準媒体を所定の
温度Θ_preに保つ強度をＰ_L' としたとき、Ｐ_H' 及び
Ｐ_L' を基準強度とし、基準媒体以外の媒体のＰ_H及び
Ｐ_Lの各強度を求めるためにこれらの値を変化させて試
し書きを行う際Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／Ｐ_H' が異なる値
となるようにすることを特徴とする光磁気記録方法」を
提供し、第２に「前記Ｐ_Hを前記Ｐ_H' からｘ％変化さ
せたときに、前記Ｐ_Lは前記Ｐ_L' からａ×ｘ％（０≦
ａ＜１）変化させることを特徴とする請求項１に記載の
光磁気記録方法」を提供し、第３に「レーザービームを
出射する光源、前記レーザービームを光磁気記録媒体に
照射する照射手段、前記光磁気記録媒体上の前記レーザ
ービームの照射位置を変化させる移動手段、及び光磁気
記録媒体に照射するレーザビーム強度をＰ_LからＰ_Lよ
り高い強度Ｐ_Hへ立ち上げた後、Ｐ_Lより低い強度Ｐ_LB
に立ち下げ、時間Ｔ_OFF後再びＰ_Lに立ち上げる変調手
段を有する光磁気記録装置において、基準媒体に対し
て、マークを形成できる最適強度をＰ_H' 、また、前記
Ｐ_Lの段階で前記光磁気記録媒体を所定の温度Θ_preに
保つ強度をＰ_L' としたとき、前記Ｐ_H' 及びＰ_L' を
基準強度として基準媒体以外の媒体のＰ_H及びＰ_Lの各
強度を求めるためにこれらの値を変化させて試し書きを
行う際、Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／Ｐ_H' が異なる値となる
ように制御する制御手段を備えたことを特徴とする光磁
気記録装置」を提供し、更に、第４に「前記Ｐ_Hを前記
Ｐ_H' からｘ％変化させたときに、前記Ｐ_Lは前記
Ｐ_L' からａ×ｘ％（０≦ａ＜１）変化させることを特
徴とする請求項３に記載の光磁気記録装置」を提供する
ものである。

【００３１】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。

【００３２】

【実施例１】図１は、本実施例に係る光磁気記録装置の
主要な構成を示す概念図である。この装置は再生装置を
兼用しており、主として、レーザービームの強度を記録
すべき２値化情報に従い、高レベルと低レベルとの間で
パルス変調する光源駆動回路1 、レーザービーム光源2
、コリメータレンズ3 、ビームスプリッタ4 、対物レ
ンズ5 、光磁気記録媒体Ｄを回転させるモータ（回転手
段6 ）、集光レンズ7 、アナライザ（偏光子）8 、ディ
テクタ9 、パルス波形整形回路10、記録磁界印加手段
（永久磁石11）、及び条件決定手段12からなり、主に次
のように機能する。

【００３３】セットされた記録媒体Ｄは回転手段６によ
り所定の回転数で回転させられる。光源２から出射した
レーザービームはコリメータレンズ3 、ビームスプリッ
タ4を経て、対物レンズ5 によって媒体上に焦点を結
び、記録媒体の温度を上昇させる。この際ビームは光源
駆動回路1 により記録すべき２値化情報に従いパルス変
調される。温度の上昇した部分の磁化は記録磁界印加手
段の磁化方向に倣い、このようにして記録が達成され
る。

【００３４】再生は、強度変調をなしにＤＣ点灯された
レーザービームを媒体Ｄに照射し、媒体から反射された
光を対物レンズ5 、ビームスプリッタ4 、集光レンズ7
及び偏光子8 を経てディテクタ9 に入射させる。この
際、偏光子8 により偏光面の角度変化が光の強度変化に
変換されることにより、記録情報が光の強度変化の形に
変換され、更にディテクタ9 で電気信号に変換される。

【００３５】なお、パルス波形整形回路10は、パルス波
形を図９に示すような波形に整形するものである。条件
決定手段12は、基準強度Ｐ_L' 、Ｐ_H' 及びＰw₂' を記憶
しておく記憶手段と、基準強度を中心にＰ_L、Ｐ_H、Ｐ
w₂の各強度を変化させる設定手段を備えている。本実施
例では、Ｐ_HをＰ_H' に対して±２０％、４％おきに変
化するように設定した。また、Ｐ_HをＰ_H' からｘ％変
化させたときに、Ｐw₂もＰw₂' からｘ％変化するように
し、Ｐ_LはＰ_L' からａ×ｘ％（０≦ａ≦１）変化する
ように設定した。このようにして決定された各強度の値
を出力し、パルス波形整形回路10に入力する。パルス波
形整形回路10では、この出力値に基づいてパルス波形を
整形する。

【００３６】次に、評価用信号として、1,7 変調、 RLL
符号、Ｔ(write clock period)＝33nsecのNRZI記録のマ
ーク長記録用信号を準備した。この場合のマークの種類
は２Ｔマーク〜８Ｔマークの７種ある。ｎＴマークと
は、記録されたマークの再生信号長がクロック周期Ｔの
ｎ倍（例えば２Ｔマークの場合は２倍）になるようなマ
ークのことを言う（図１０参照）。

【００３７】また、試し書き用の特定パターンとして、
図５（１）に示すような、最短マーク長−最短ギャップ
長（２Ｔ）の繰り返しパターンと、最長マーク長−最長
ギャップ長（８Ｔ）の繰り返しパターンを組み合わせた
信号を用意した。試し書きは前記特定パターンをレーザ
ービーム強度を種々変化させながら記録して行った。そ
の後、これらの信号を再生し、最短マークの再生信号と
最長マークの再生信号の平均レベルの差ｄが最小となる
レーザビーム強度条件をそのディスクの最適記録条件と
した。再生信号は図５（２）に示すような形である。

【００３８】１個のマークに対応する変調波形は図９に
示すように熱遮断方式とパルストレイン方式を併用した
もので、その設定条件は、Ｔw₁＝50nsec（＝Ｔ×３／
２）、Ｔp ＝33nsec（＝Ｔ）、Ｔw₂＝16.5nsec（＝Ｔ×
１／２）、Ｔ_OFF＝33nsec（＝Ｔ）、Ｐ_LB＝0 mWであ
る。以上のような記録装置に、基準媒体として、オーバ
ーライト可能な光磁気ディスク（以後、基準ディスクと
いう）を予め全面初期化した後セットし、相対速度11.3
ｍ／sec で回転させた。基準ディスクの最適強度
（Ｐ_L、Ｐ_H、Ｐw₂）を求めたところ、Ｐ_L＝4.0 mW、
Ｐ_H＝9.0 mW、Ｐw₂＝9.5mW であった。この３者の強度
と、高温サイクルを生じさせない上限の強度Ｐ_Hth及び
高温サイクルにより形成されたマークを消去できる下限
の強度Ｐ_Lthとの関係を図２に示す。なお、ここに言う
最適強度とは、パルストレイン方式及び熱遮断方式の最
適条件、即ち「マークの後エッジ位置の記録データ長さ
依存性」及び「マークの前エッジ位置の記録データ間隔
依存性」が最小となる条件である。

【００３９】上記の如く決められた基準ディスクの最適
強度を、基準強度Ｐ_L' 、Ｐ_H' 及びＰw₂' として前記
記録装置に記憶した。

【００４０】

【比較例】次に、基準ディスクよりも記録感度の高いオ
ーバーライト可能な光磁気ディスク（以後、試験ディス
クという）を用意し、実施例１の記録装置にセットし
て、試験ディスクの最適記録条件を従来方法の試し書き
により求めた。即ち、Ｐ_L、Ｐ_H及びＰw₂を、基準強度
Ｐ_L' 、Ｐ_H' 及びＰw₂' の３者の比と常に等しくなる
ように、±２０％の範囲を４％おきに変化させた。この
時の試し書きの設定強度を表１に示す。

【００４１】このようにして求めた試験ディスクの最適
強度は、Ｐ_L＝3.4 mW、Ｐ_H＝7.6mW、Ｐw₂＝8.0mW と
なった。これらの値とＰ_Hth及びＰ_Lthとの関係を図４
に示す。この条件で最長マークの繰り返し信号を記録
し、別の評価用信号をオーバーライト記録したところ、
前データの消し残りが生じた。これは、Ｐ_Lthが 3.5mW
であり、Ｐ_Lがこれを下回っているためである。

【００４２】

【実施例２】比較例に使用した試験ディスクを、実施例
１の記録装置にセットし、ａ＝ 0.3として、最適記録条
件を試し書きにより求めた。即ち、Ｐ_H及びＰw₂は、基
準強度Ｐ_H' 及びＰW2' に対して±２０％の範囲を４％
おきに変化し、また、Ｐ_HをＰ_H' からｘ％変化させた
ときに、Ｐ_LはＰ_L' から 0.3×ｘ％変化させた。この
時の試し書きの設定強度を表２に示す。

【００４３】このようにして求めた試験ディスクの最適
強度は、Ｐ_L＝3.8 mW、Ｐ_H＝7.6mW、Ｐw₂＝8.0mW と
なった。これらの値とＰ_Hth及びＰ_Lthとの関係を図３
に示す。この条件で最長マークの繰り返し信号を記録
し、別の評価用信号をオーバーライト記録したところ、
前データの消し残りは生じなかった。これは、Ｐ_Lthの
値である 3.5mWよりも、Ｐ_Lが大きく設定されたことに
よる。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、光
磁気記録媒体のオーバーライト記録にとって最適な記録
条件が求められるので、Ｐ_Lの下限マージンが十分に確
保できるように設定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかる光磁気記録装置の主
要な構成を示す概念図である。

【図２】基準ディスクの最適強度（基準強度）を示す
説明図である。

【図３】本発明により求めた試験ディスクの最適強度
を示す説明図である。

【図４】従来方法により求めた試験ディスクの最適強
度を示す説明図である。

【図５】試し書き用の特定パターンの記録波形とその再
生信号波形の説明図である。

【図６】１つのマークを形成する場合の基本的なレー
ザービーム強度波形図である。

【図７】パルストレイン方式を用いて１つのマークを
形成する場合のレーザービーム強度波形図である。

【図８】熱遮断方式を用いて１つのマークを形成する
場合のレーザービーム強度波形図である。

【図９】熱遮断方式とパルストレイン方式を併用して
１つのマークを形成する場合のレーザビーム強度波形図
である。

【図１０】熱遮断方式とパルストレイン方式を併用し
た２Ｔマーク〜８Ｔマークのレーザビーム強度波形図で
ある。

【符号の説明】

１・・・光源駆動回路２・・・レーザービーム光源３・・・コリメータレンズ４・・・ビームスプリッタ５・・・対物レンズ６・・・モータ（回転手段）７・・・集光レンズ８・・・アナライザ（偏光子）９・・・ディテクタ１０・・・パルス波形整形回路１１・・・記録磁界印加手段１２・・・条件決定手段Ｄ・・・光磁気記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光変調によりオーバーライト可能な光磁
気記録媒体に照射するレーザービーム強度を、Ｐ_Lか
ら、Ｐ_Lより高い強度Ｐ_Hへ立ち上げた後、Ｐ_Lより低
い強度Ｐ_LBに立ち下げ、時間Ｔ_OFF後再びＰ_Lに立ち上
げる光磁気記録方法において、基準媒体に対して、マークを形成できる最適強度を
Ｐ_H' 、また、前記Ｐ_Lの段階で前記基準媒体を所定の
温度Θ_preに保つ強度をＰ_L' としたとき、Ｐ_H'及び
Ｐ_L' を基準強度とし、基準媒体以外の媒体のＰ_H及び
Ｐ_Lの各強度を求めるためにこれらの値を変化させて試
し書きを行う際、Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／Ｐ_H' が異なる
値となるようにすることを特徴とする光磁気記録方法。
【請求項２】前記Ｐ_Hを前記Ｐ_H' からｘ％変化させ
たときに、前記Ｐ_Lは前記Ｐ_L' からａ×ｘ％（０≦ａ
＜１）変化させることを特徴とする請求項１に記載の光
磁気記録方法。
【請求項３】レーザービームを出射する光源、前記レ
ーザービームを光磁気記録媒体に照射する照射手段、前
記光磁気記録媒体上の前記レーザービームの照射位置を
変化させる移動手段、及び光磁気記録媒体に照射するレ
ーザビーム強度をＰ_LからＰ_Lより高い強度Ｐ_Hへ立ち
上げた後、Ｐ_Lより低い強度Ｐ_LBに立ち下げ、時間Ｔ
_OFF後再びＰ_Lに立ち上げる変調手段を有する光磁気記
録装置において、基準媒体に対して、マークを形成できる最適強度を
Ｐ_H' 、また、前記Ｐ_Lの段階で前記光磁気記録媒体を
所定の温度Θ_preに保つ強度をＰ_L' としたとき、前記
Ｐ_H' 及びＰ_L' を基準強度として基準媒体以外の媒体
のＰ_H及びＰ_Lの各強度を求めるためにこれらの値を変
化させて試し書きを行う際、Ｐ_L／Ｐ_HとＰ_L' ／
Ｐ_H' が異なる値となるように制御する制御手段を備え
たことを特徴とする光磁気記録装置。
【請求項４】前記Ｐ_Hを前記Ｐ_H' からｘ％変化させ
たときに、前記Ｐ_Lは前記Ｐ_L' からａ×ｘ％（０≦ａ
＜１）変化させることを特徴とする請求項３に記載の光
磁気記録装置。